O Transistor

DESCRIÇÃO
Transistores, chaves, amplificadores e polarização: seus modos de funcionamento e suas

serventias.
PROPÓSITO
Compreender os conceitos básicos de funcionamento do transistor bipolar de junção, seu
funcionamento com transistor de efeito de campo, adquirir noções sobre as curvas
características do dos transistores, saber como analisar circuitos com TBJ e identificar suas
aplicações como chaves eletrônicas, amplificadores de pequenos sinais e suas variações.
PREPARAÇÃO
Antes de iniciar o conteúdo deste texto, tenha à mão papel, caneta, aplicativo de planilha
eletrônica e calculadora científica. Também é possível usar a calculadora de seu
smartphone/computador.
OBJETIVOS
MÓDULO 1
Identificar as características de funcionamento dos transistores, assim como sua utilização

como chave eletrônica e na amplificação de pequenos sinais
MÓDULO 2
Reconhecer o funcionamento dos transistores de efeito de campo e sua curva característica
O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

(TBJ)
MÓDULO 1
 Identificar as características dos transistores, assim como sua utilização como chave
eletrônica e na amplificação de pequenos sinais
O TBJ COMO AMPLIFICADOR E COMO

CHAVE ELETRÔNICA
No monitoramento de variáveis, muitos sinais apresentam amplitudes muito baixas (sinais

muito fracos), como aqueles produzidos pelo corpo humano e que são medidos pelos
equipamentos médicos.
Exemplo:

Imagem: Shutterstock.com
ECOCARDIOGRAMA
ELETROENCEFALOGRAMA
Esses sinais, que possuem baixas amplitudes, podem ser de difícil leitura e interpretação pelo
operador, tendo em vista a dificuldade de separá-los dos ruídos de instrumentação ou de
outras variáveis do processo. Para transformá-los em sinais úteis com capacidade de
aproveitamento por ele ou pelo sistema de aquisição de dados do processo, é necessário
amplificá-los.
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

De maneira similar à da construção dos diodos semicondutores, os transistores bipolares de
junção (TBJs) são formados por três materiais semicondutores dopados. Dependendo de sua
construção, os TBJs são classificados como NPN ou PNP (junções entre semicondutores).
As duas letras que formam essas junções indicam o seguinte:
N
Semicondutor do tipo N considerado negativo, ou seja, sua carga elétrica é transportada por
elétrons.

P
Semicondutor do tipo P considerado positivo, já que ela é transportada pela movimentação de

lacunas (buracos).
Imagem: Raphael de Souza dos Santos

 Construção de um transistor: NPN e PNP.
 ATENÇÃO
Cada material utilizado na composição do transistor recebe um nome específico.
BASE (B)
O material do centro se chama base (B). Esse material recebe esse nome por ser posicionado
no centro e ter contato com os outros dois lados, sendo mais levemente dopado que os demais
e com uma camada mais fina.
EMISSOR (E)
Uma das extremidades é denominada emissor (E) por ser mais fortemente dopada (com
elétrons ou buracos, dependendo do tipo de material) e fornecer elétrons ou lacunas.
COLETOR (C)
A outra extremidade recebe o nome de coletor (C) por receber elétrons ou lacunas e
apresentar uma dopagem intermediária.
Desse modo, um transistor possui três terminais: emissor, base e coletor. Como conta com
duas junções (coletor/base e base/emissor), ele se assemelha a dois diodos conectados.
Independentemente de sua construção, a análise dos transistores NPN e PNP mostra que eles
são similares.
TRANSISTOR NÃO POLARIZADO

De maneira similar ao que acontece com os diodos, quando os transistores não são
polarizados, a difusão de elétrons nas junções entre as camadas produz camadas de depleção
(barreiras de potencial):


 Transistor NPN não polarizado.
POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN

Um transistor pode ser, dependendo da forma como a fonte de alimentação se conecta com os
terminais do transistor, polarizado das seguintes formas:
POLARIZAÇÃO DIRETA
Quando uma fonte de alimentação contínua é conectada aos terminais de um transistor de tal
maneira que as junções emissor/base e coletor/base estão polarizadas diretamente (como
ocorre nesta figura), considera-se que sua polarização é direta.


 Transistor NPN polarizado diretamente.
Nessa polarização, as correntes fluem do emissor e do coletor para a base. Dessa maneira, o
fluxo de corrente é elevado nas duas junções.
POLARIZAÇÃO REVERSA
Nessa polarização, as duas junções ficam reversamente polarizadas e a corrente circula da
base para o emissor e para o coletor. Como a base é levemente dopada, a corrente circulante
é de pequena intensidade (corrente de fuga).

 Transistor NPN polarizado reversamente.
POLARIZAÇÃO DIRETA-REVERSA
Nessa configuração, a junção coletor/base é polarizada reversamente, enquanto a junção
emissor/base é polarizada diretamente.


 Transistor NPN polarizado diretamente-reversamente.
Nessa configuração, quando a fonte de polarização direta for maior do que 0,7V (polarização
do diodo) e for estabelecida uma polarização reversa entre o coletor e a base, será
estabelecido um fluxo de corrente entre o coletor e o emissor com uma pequena corrente de
fuga para a base.

SAIBA MAIS
Quando o transistor utilizado possui uma configuração PNP, a mesma lógica pode ser
aplicada: basta, para isso, haver a inversão das fontes de alimentação.
SIMBOLOGIA
Na figura a seguir, é possível observar os símbolos esquemáticos dos transistores NPN e PNP.
Pode-se observar ainda que a direção das setas sinaliza os sentidos das correntes.


 Simbologia dos transistores NPN e PNP.
Em virtude da lei dos nós, é possível relacionar as correntes por meio da equação 1:
IE = IC + IB
(equação 1)
⇋ Utilize a rolagem horizontal
GANHOS INTRÍNSECOS DE UM
TRANSISTOR
A relação entre a corrente contínua (CC) no coletor e a CC na base é chamada de ganho de
corrente β_{CC}:
\BETA_{CC}=\FRAC{I_C}{I_B}
(equação 2)

A relação entre a CC do coletor e a do emissor é estabelecida pelo ganho α_{CC} (também
chamado de hFE):
\ALPHA_{CC}=\FRAC{I_C}{I_E}
(equação 3)

SAIBA MAIS
A quase totalidade da corrente que atravessa o emissor chega ao coletor (e vice-versa). Por
essa razão, as correntes de coletor e emissor são quase idênticas.
A relação entre os ganhos do transistor é estabelecida pela equação 4:
\ALPHA=\FRAC{\BETA}{\BETA+1}
(equação 4)
ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TBJ

No circuito da figura, são utilizadas duas fontes de tensão contínua na polarização de um
transistor NPN:


 Circuito com transistor NPN polarizado.
Essa configuração é chamada de emissor comum, pois as duas fontes estão conectadas ao
emissor.
 DICA
É possível utilizar a lei das tensões para montar duas equações capazes de descrever o
comportamento do circuito.
A equação a seguir descreve o comportamento da resistência da base do transistor (R_B), da

resistência de emissor (R_E) e da junção entre a base e o emissor (BE). Quando é diretamente
polarizada, essa resistência apresenta uma queda de tensão de 0,7V (chamada de tensão
base emissor ou V_{BE}):
V_1-V_{RB}-V_{BE}=0
(equação 5)

Já a equação 6 descreve o comportamento das resistências de coletor (R_C) e de emissor
(R_E) e da tensão entre ambos (V_{CE}):
V_2-V_{RC}-V_{CE}=0
(equação 6)
Por intermédio dessas equações, é possível analisar o comportamento dos transistores e das
fontes de polarização.
CURVAS CARACTERÍSTICAS
Por causa das curvas características, é possível traçar a relação entre as correntes e as
tensões de um transistor.
Relação I_B versus V_{BE}
Para cada corrente de base (I_B), existe uma tensão correspondente entre a base e o emissor
(V_{BE}):


 Relação I_B e V_{BE}.
A curva que relaciona a corrente da base com a tensão na junção entre a base e o emissor se
assemelha, como era esperado, à curva do diodo:
Relação entre I_C versus V_{CE}
A curva que relaciona o comportamento da corrente de coletor (I_C) e a tensão entre o coletor
e o emissor (V_{CE}) pode ser observada adiante:

 Relação I_C e V_{CE}.
A curva se divide em:
REGIÃO DE SATURAÇÃO
A parte inicial da curva é chamada de região de saturação. Nessa região, o transistor não
funciona como amplificador. Na prática, ele se comporta como um curto-circuito ou uma chave
fechada (I_{C\_MÁXIMO}).
Para sair da região de saturação, é necessário polarizar o diodo coletor/base diretamente com
uma tensão de 0,7V. Desse modo, o diodo entra na parte plana da curva (chamada de região
ativa).
REGIÃO ATIVA
Nessa região, a variação na tensão V_{CE} não influencia a corrente do coletor, enquanto a da
base é fixa. A equação 2 é válida na região ativa.
Os transistores operam na região ativa quando são usados como amplificadores. Nessa região,
a corrente de coletor é proporcional à de base. A parte final é a região de ruptura.

REGIÃO DE CORTE
Na região da curva I_C versus V_{CE}, em que I_B é igual a zero, encontra-se a região de
corte. Nessa região, o transistor funciona como um circuito aberto ou uma chave aberta (I_C =
0).
Geralmente, o gráfico fornecido pelo fabricante possui diversos valores de I_B como os da
figura a seguir. Isso possibilita a determinação do ganho β_{CC} para diferentes polarizações
do circuito (diferentes níveis de I_C):

 Relação I_C e V_{CE} para diferentes níveis de corrente.
Observando o gráfico da figura acima e medindo as correntes de coletor e de base, é possível

utilizar a equação 2 para determinar o ganho β_{CC}:
\BETA_{CC}=\FRAC{I_C}{I_B}=\FRAC{8M}{40\MU}=200
CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO TBJ

A polarização dos transistores consiste na definição do ponto de operação (região de
operação). Ela é definida pelo circuito (fontes de alimentação e resistores) na qual o transistor
está inserido.
RETA DE CARGA
De maneira similar ao que é feito com os diodos, a determinação dos parâmetros de um
circuito com transistores pode ser feita por intermédio da reta de carga do circuito.
Consideremos o seguinte circuito:

 Circuito com transistor – reta de carga.
A reta de carga nos transistores é traçada para se obter, considerando a existência da

resistência R_C, a corrente I_C e a tensão V_{CE}. Assim, pela lei das tensões, pode-se
elaborar a equação 7:
15-V_{RC}-V_{CE}=0
15-R_C.I_C-V_{CE}=0
R_C.I_C=15-V_{CE}
I_C=\FRAC{15-V_{CE}}{R_C}
(equação 7)
Como uma reta é definida por dois pontos, para traçar a reta de carga utiliza-se como
referência os extremos da curva I_C versus V_{CE}, ou seja, o transistor como um curto-
circuito (saturação) e um circuito aberto (corte).
Desse modo...
TRANSISTOR COMO CURTO-CIRCUITO (V_{CE} = 0):
I_C=\FRAC{15-0}{R_C}
I_C=\FRAC{15}{R_C}

TRANSISTOR COMO CIRCUITO ABERTO (I_C = 0):
V_{CE}=15-R_C.I_C
V_{CE}=15-R_C.0
V_{CE}=15V
Ou seja, a tensão V_{CE} é igual à da fonte de polarização. Desse modo, a partir da reta de
carga e mediante a definição de uma corrente I_B, é possível obter os valores de I_C e V_{CE}
(ponto quiescente ou ponto Q), que correspondem ao ponto de operação:


 Reta de carga – determinação de parâmetros.
TRANSISTOR COMO CHAVE

A configuração mais simples de um transistor é sua utilização como chave.
 ATENÇÃO
Nessa configuração, ele opera apenas nas regiões de corte ou de saturação – e não na região
ativa.
Na saturação, o transistor opera como uma chave fechada por uma ligação direta entre o
coletor e o emissor. Na região de corte, sua atuação é como a de uma chave aberta,
interrompendo a ligação que existe entre o coletor e o emissor.
CORRENTE DE BASE
A operação de um transistor é controlada por sua corrente de base (I_B).
Quando I_B é zero (ou muito próxima dele), o transistor entra em corte. Já quando essa
corrente está na saturação ou acima desse limite, a corrente de coletor (I_C) é máxima e ele
está saturado.
TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE

PEQUENOS SINAIS
Quando o transistor está operando em sua região ativa, a corrente da base (I_B) é
significantemente ampliada pelo ganho do transistor (β_{CC}). Isso é possível com o uso de
fontes e resistores que o polarizam nessa região e estabelecem valores específicos de tensões
e de correntes.
Há três configurações mais comuns nesse caso:
CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

Essa configuração possui o terminal emissor comum às fontes de polarização, como ocorre,
por exemplo, no circuito desta figura:


 Circuito emissor comum.
A análise da polarização do circuito é feita ao se analisar o circuito sem o sinal de entrada (V_i)
e saída (V_o). Isso ocorre no circuito da figura a seguir, na qual se observa apenas aquele
alimentado pela fonte de CC:

 Circuito emissor comum – análise CC.
Pela lei das tensões, é possível montar as equações do circuito emissor comum:
V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}=0
V_{CC}-V_{RB}-V_{BE}=0
 DICA
Essa análise é utilizada para verificar se o circuito opera na região ativa, ou seja, como
amplificador.
Operando nessa região, o amplificador apresenta um ganho de tensão (A_V) proporcional às

resistências de entrada (r_e) e de saída (r_o) do transistor (especificadas pelo fabricante),
assim como à resistência colocada no coletor R_C:
A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{(R_C//R_O)}{R_E}
Em que R_C//r_o é o resultado da associação em paralelo entre esses dois resistores

fornecida pelo produto dividido pela soma desses dois resistores:
R_C//R_O=\FRAC{R_C\CDOT R_O}{R_C+R_O}

 DICA
O sinal negativo na equação do ganho implica um deslocamento de 180o no sinal de saída em

relação ao de entrada (mudança de fase).

 Circuito emissor comum – mudança de fase do sinal de saída.
Caso seja colocada uma resistência no emissor, o ganho de tensão do circuito assumirá esta
forma:

 Circuito emissor comum com resistor no emissor.
A_V=\FRAC{V_O}{V_I}\CONG-\FRAC{R_C}{R_E+R_E}
CONFIGURAÇÃO BASE COMUM

O circuito base comum da figura a seguir é um amplificador menos utilizado que o circuito
emissor comum. Isso ocorre pelo fato de a impedância de entrada (r_e) apresentar valores
pequenos e, como consequência disso, ganhos muito elevados.
 ATENÇÃO
Esses ganhos geralmente saturam a saída do amplificador.

 Circuito base comum.
De maneira similar à do transistor emissor comum, a análise do circuito em CC nos permite

traçar sua reta de carga:
V_E-V_{BE}-V_{RE}=0
V_E-V_{CE}+V_C-V_{RC}-V_{RE}=0
O ganho de tensão é definido por:
A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=\FRAC{R_C}{R_E}
CONFIGURAÇÃO COLETOR COMUM

A utilização do amplificador emissor comum apresenta uma restrição quanto ao uso da carga.
Quanto menor a resistência da carga, menor é o ganho do amplificador. Por essa razão, o
amplificador coletor comum da figura a seguir, também conhecido como seguidor de emissor, é
utilizado nesses casos.

 Circuito coletor comum.
Analisando o circuito elétrico da figura acima, podemos, com o auxílio da lei de Kirchhoff,
escrever as tensões existentes no circuito da seguinte maneira:
V_{CC}-V_{CE}-V_{RE}=0
V_{CC}-V_{R1}-V_{BE}-V_{RE}=0
A topologia do circuito garante ao coletor comum um ganho de tensão igual a:
A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=\FRAC{R_E}{R_E+R_E}
CONFIGURAÇÕES (MONTAGEM) DE
AMPLIFICADORES COM TBJ
Ao realizar a montagem de projetos com o transistor, deseja-se manter o ponto Q (ponto de
operação ou quiescente) fixo independentemente de outros parâmetros externos. Uma das
opções é a utilização de um divisor de tensão na base para estabilizar o transistor:


 Montagem de circuito com transistor.
Uma das formas de se minimizar os efeitos de β_{CC} é esta:
R_2\LE0,01\BETA_{CC}R_E
Em que o valor de β_{CC} consiste no menor valor do ganho que o transistor pode apresentar.
Outra consideração é um valor de tensão no emissor V_E igual a:
V_E=0,1V_{CC}
O ganho de tensão do circuito amplificador com essa configuração é de:
A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{(R_C//R_O)}{R_E}
 ATENÇÃO
Esse ganho de tensão é o mesmo ganho da configuração emissor comum.
MÃO NA MASSA
O TRANSISTOR DO CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR É UTILIZADO COMO

UMA CHAVE ELETRÔNICA. A RESISTÊNCIA NA BASE É IGUAL A 3KΩ; A
NO COLETOR, A 330Ω. QUANDO A TENSÃO DE ENTRADA APLICADA NA
BASE DO TRANSISTOR VARIAR DE 0V PARA 5V, COMO VARIARÁ A
TENSÃO NA SAÍDA DO CIRCUITO? CONSIDERE QUE O VALOR DE Β É
IGUAL A 10.
A) 0V para 5V.
B) Será sempre 0V.
C) Será sempre 5V.
D) Será sempre igual a tensão $$V_{ce}$$.
E) 5V para 0V.
OBSERVE O CIRCUITO A SEGUIR E CONSIDERE QUE O VALOR DE Β É

IGUAL A 10.
ASSINALE A OPÇÃO QUE REPRESENTA CORRETAMENTE OS VALORES

DOS RESISTORES DE BASE E DO COLETOR PARA QUE A CORRENTE
DELE SEJA IGUAL A 10MA:
A) $$R_B = 3kΩ$$ e $$R_C = 330Ω$$
B) $$R_B = 330Ω$$ e $$R_C = 3kΩ$$
C) $$R_B = 4,3kΩ$$ e $$R_C = 500Ω$$
D) $$R_B = 500Ω$$ e $$R_C = 4,3kΩ$$
E) $$R_B = 4,3kΩ$$ e $$R_C = 330Ω$$

PARA O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, CONSIDERE A TENSÃO DE
ALIMENTAÇÃO $$(V_{CC})$$ IGUAL A 30V E OS SEGUINTES VALORES
PARA AS RESISTÊNCIAS: $$R_1 = 6,8KΩ$$, $$R_2 = 1KΩ$$, $$R_C =
3KΩ$$ E $$R_E = 750Ω$$. DETERMINE OS VALORES DE $$V_E$$ E
$$V_{CE}$$:
A) $$V_E = 3,85V$$ e $$V_{ce} = 3,15V$$
B) $$V_E = 3,15V$$ e $$V_{ce} = 14,25V$$
C) $$V_E = 3,85V$$ e $$V_{ce} = 14,25V$$
D) $$V_E = 14,25V$$ e $$V_{ce} = 3,15V$$
E) $$V_E = 14,25V$$ e $$V_{ce} = 3,85V$$
DETERMINE OS RESISTORES DO EMISSOR $$(R_E)$$ E DO COLETOR

$$(R_C)$$ DO CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR DE TAL MANEIRA QUE
SEJA RESPEITADA A SEGUINTE DEFINIÇÃO:
$$V_{CE}=5V$$ E $$V_E=0,1 \CDOT V_{CC}$$

⇋ UTILIZE A ROLAGEM HORIZONTAL
CONSIDERE:
$$V_{CC} = 10V$$
$$I_C = 10MA$$
$$Β_{CC} = 100$$
$$R_1 = 4,7KΩ$$
$$R_2 = 1KΩ$$
A) $$R_E = 100Ω$$ e $$R_C = 100Ω$$
B) $$R_E = 400Ω$$ e $$R_C = 400Ω$$
C) $$R_E = 1kΩ$$ e $$R_C = 400Ω$$
D) $$R_E = 100Ω$$ e $$R_C = 400Ω$$
E) $$R_E = 400Ω$$ e $$R_C = 100Ω$$

CONSIDERE O CIRCUITO A SEGUIR. OS VALORES DOS RESISTORES
SÃO $$R_B = 470KΩ$$ E $$R_C = 3KΩ$$. JÁ A TENSÃO DE
ALIMENTAÇÃO É $$V_{CC} = 12V$$. OS PARÂMETROS DO TRANSISTOR,
POR FIM, SÃO $$Β_{CC} = 100$$, $$R_E = 10,71Ω$$ E $$R_O = 50KΩ$$.
DETERMINE O GANHO DE TENSÃO DO CIRCUITO.
A) $$A_V = -264,25$$
B) $$A_V = 100$$
C) $$A_V = 264,25$$
D) $$A_V = -280,11$$
E) $$A_V = -100$$
CONSIDERE O CIRCUITO:
ESSE CIRCUITO POSSUI UMA RESISTÊNCIA DE SAÍDA $$(R_O)$$ MUITO
ALTA (PRÓXIMO DE UM CIRCUITO ABERTO). DIANTE DISSO, QUAL SERÁ
O GANHO DE TENSÃO DO CIRCUITO? CONSIDERE ESTES DADOS:
$$R_B = 470KΩ$$
$$R_C = 3KΩ$$
$$V_{CC} = 12V$$
$$Β_{CC} = 100$$
$$R_E = 10,71Ω$$
OS VALORES DOS RESISTORES SÃO:
A) $$A_V = 280,11$$
B) $$A_V = -264,25$$
C) $$A_V = -280,11$$
D) $$A_V = 100$$
E) $$A_V = 264,25$$
GABARITO
O transistor do circuito da figura a seguir é utilizado como uma chave eletrônica. A

resistência na base é igual a 3kΩ; a no coletor, a 330Ω. Quando a tensão de entrada
aplicada na base do transistor variar de 0V para 5V, como variará a tensão na saída do
circuito? Considere que o valor de β é igual a 10.
A alternativa "E " está correta.
Quando a tensão na base for 0V, a corrente na base será zero. Com o ganho do transistor, é
possível verificar que a corrente de coletor também será nula (zero):
$$I_C=\BETA.I_B$$
$$I_C=\BETA.0$$
$$I_C=0$$
Isso define que, nessa condição, o transistor estará na região de corte; por esse motivo, a
tensão na saída será igual à na fonte.
Quando a tensão na entrada for de 5V, a corrente na base será:
$$I_B=\FRAC{V_{CC}-V_{BE}}{R_B}$$
$$I_B=\FRAC{5-0,7}{3K}=\FRAC{4,3}{3K}$$
$$I_B=1,43MA$$
Considerando o ganho do transistor β igual a 10, a corrente de coletor é igual a:
$$I_C=\BETA.I_B$$
$$I_C=10\CDOT1,43M$$
$$I_C=14,3MA$$

Essa corrente de base, por apresentar um valor muito elevado, garante a saturação do
transistor e, consequentemente, uma tensão quase nula na saída:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}=0$$
$$V_{CE}=V_{CC}-V_{RC}$$
$$V_{CE}=5-330 \CDOT 14,3M$$
$$V_{CE}=0,28V$$
Esse nível de tensão pode ser considerado zero se comparado com a tensão de entrada.
Assim:
Tensão de entrada (V) Tensão de saída (V)
0 5
5 0
 Tabela: Tratamento dos fluidos na Engenharia.

Elaborado por Raphael de Souza dos Santos
Observe o circuito a seguir e considere que o valor de β é igual a 10.

Assinale a opção que representa corretamente os valores dos resistores de base e do
coletor para que a corrente dele seja igual a 10mA:
A alternativa "C " está correta.
Assista ao vídeo para conferir a resolução da questão.
Para o circuito da figura a seguir, considere a tensão de alimentação $$(V_{CC})$$ igual

a 30V e os seguintes valores para as resistências: $$R_1 = 6,8kΩ$$, $$R_2 = 1kΩ$$,
$$R_C = 3kΩ$$ e $$R_E = 750Ω$$. Determine os valores de $$V_E$$ e $$V_{ce}$$:
A alternativa "B " está correta.
Primeiramente, determina-se a tensão na base. Como as correntes nas resistências $$R_1$$ e

$$R_2$$ são aproximadamente iguais $$(I_{R1}\cong I_{R2})$$, isso pode ser considerado
verdade, já que a corrente na base é sempre pequena.
Desse modo:
$$V_{CC}-V_{R1}-V_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=0$$
$$R_1.I_{R1}+R_2.I_{R1}=V_{CC}$$
$$6,8K.I_{R1}+1KI_{R1}=30$$
$$I_{R1}=\FRAC{30}{7,8K}=3,85MA$$
Como $$V_{R2} = V_B$$:
$$V_B=V_{R2}=R_2.I_{R2}$$
$$V_B=1K \CDOT 3,85M$$
$$V_B=3,85V$$
Assim:
$$V_B-V_{BE}-V_{RE}=0$$
$$V_{RE}=V_B-V_{BE}$$
$$V_{RE}=3,85-0,7$$
$$V_{RE}=3,15V=V_E$$
A tensão $$V_{ce}$$ pode ser obtida pela equação:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}=0$$
$$V_{CE}=V_{CC}-V_{RC}$$
Como $$I_C\cong I_E$$:
$$V_{RE}=3,15$$
$$R_E.I_E=V_{RE}$$
$$750.I_E=3,15$$
$$I_E=\FRAC{3,15}{750}=4,2MA\CONG I_C$$
Então:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{RE}-V_{CE}=0$$
$$V_{CE}=V_{CC}-V_{RC}-V_{RE}$$
$$V_{CE}=30-R_C.I_C-R_E.I_E$$
$$V_{CE}=30-3K \CDOT 4,2M-750 \CDOT 4,2M$$
$$V_{CE}=14,25V$$
Determine os resistores do emissor $$(R_E)$$ e do coletor $$(R_C)$$ do circuito da

figura a seguir de tal maneira que seja respeitada a seguinte definição:
$$V_{CE}=5V$$ E $$V_E=0,1 \CDOT V_{CC}$$

Considere:
$$V_{CC} = 10V$$
$$I_C = 10mA$$
$$β_{CC} = 100$$
$$R_1 = 4,7kΩ$$
$$R_2 = 1kΩ$$
A alternativa "D " está correta.
A determinação da resistência do emissor é feita pela condição definida no enunciado:
$$V_E=0,1 \CDOT V_{CC}$$
$$V_E=0,1 \CDOT 10$$

$$V_E=1$$
Como $$I_C\cong I_E=10mA$$:
$$V_E=R_E.I_E$$
$$R_E=\FRAC{V_E}{I_E}=\FRAC{1}{10M}$$
$$R_E=100\MATHRM{\OMEGA}$$
Por meio da lei das tensões:
$$V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}-V_{RE}=0$$
$$V_{RC}=V_{CC}-V_{CE}-V_{RE}$$
$$V_{RC}=10-5-1$$
$$V_{RC}=4$$
$$R_C.I_C=4$$
$$R_C=\FRAC{4}{I_C}=\FRAC{4}{10M}$$
$$R_C=400\MATHRM{\OMEGA}$$
Considere o circuito a seguir. Os valores dos resistores são $$R_B = 470kΩ$$ e $$R_C =
3kΩ$$. Já a tensão de alimentação é $$V_{CC} = 12V$$. Os parâmetros do transistor, por
fim, são $$β_{CC} = 100$$, $$r_e = 10,71Ω$$ e $$r_O = 50kΩ$$. Determine o ganho de
tensão do circuito.
A alternativa "A " está correta.

O circuito da figura consiste em um transistor na configuração emissor comum sem um resistor
no emissor. Assim, o ganho é definido como:
$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{(R_C//R_O)}{R_E}$$
O paralelo entre a resistência do coletor e a de saída do transistor é definida como:
$$R_{EQUIVALENTE}=R_C//R_O$$
$$\FRAC{1}{R_{EQUIVALENTE}}=\FRAC{1}
{R_C}+\FRAC{1}{R_O}$$
$$R_C//R_O=\FRAC{R_C \CDOT R_O}{R_C+R_O}$$
$$R_C//R_O=\FRAC{3000 \CDOT 50000}{3000+50000}$$
$$R_C//R_O=2830\MATHRM{\OMEGA}$$
Como $$r_e = 10,71Ω$$, então, vemos que:

$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{2830}{10,71}$$
$$A_V=-264,25$$
Considere o circuito:
Esse circuito possui uma resistência de saída $$(r_O)$$ muito alta (próximo de um
circuito aberto). Diante disso, qual será o ganho de tensão do circuito? Considere estes
dados:
$$R_B = 470kΩ$$
$$R_C = 3kΩ$$
$$V_{CC} = 12V$$
$$β_{CC} = 100$$
$$r_e = 10,71Ω$$
Os valores dos resistores são:
O circuito da figura consiste em um transistor na configuração emissor comum sem um resistor

no emissor e com uma resistência muito elevada na saída do transistor: $$r_O = \infty$$.
De maneira similar ao exercício anterior, o ganho é definido como:
{R_C}+\FRAC{1}{R_O}$$
Como a resistência de saída é muito grande $$(r_O = \infty)$$:
$$R_{EQUIVALENTE}=R_C$$
Como $$r_e = 10,71Ω$$, verifica-se que:
$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{3000}{10,71}$$
$$A_V=-280,11$$
GABARITO
TEORIA NA PRÁTICA
CONSIDERE O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR.

SUPONHA UMA RESISTÊNCIA DE BASE (R_B) DE
500KΩ, UMA RESISTÊNCIA DE COLETOR (R_C) DE
1500Ω E UMA FONTE DE ALIMENTAÇÃO V_{CC} DE
15V. DETERMINAREMOS OS PONTOS QUE DEFINEM A
RETA DE CARGA DO TRANSISTOR NO CIRCUITO.

RESOLUÇÃO
A aplicação da reta de carga nos transistores permite a obtenção do ponto de operação do
circuito em virtude dos valores da corrente de coletor e da tensão entre o coletor e o emissor
nas condições de operação extremas do transistor (corte e saturação).
A análise do circuito nos permite definir a equação:
V_{CC}-V_{RC}-V_{CE}=0
V_{CC}-R_C.I_C-V_{CE}=0
R_C.I_C=V_{CC}-V_{CE}
I_C=\FRAC{(V_{CC}-V_{CE})}{R_C}
Aplicando-se as condições extremas, são encontradas duas condições:
Corte (I_C = 0)
V_{CC}=V_{CE}+R_C.I_C
V_{CC}=V_{CE}+R_C.0
V_{CC}=V_{CE}=15V
Saturação (V_{CE} = 0)
V_{CC}=V_{CE}+R_C.I_C
V_{CC}=0+R_C.I_C
I_C=\FRAC{V_{CC}}{R_C}=\FRAC{15}{1500}=0,01
I_C=10MA
Já a corrente de base (I_B), em que a reta encontrará a curva do transistor, será

aproximadamente de:
V_{CC}-V_{RB}-V_{BE}=0
V_{CC}-R_B.I_B-V_{BE}=0
I_B=\FRAC{V_{CC}-V_{BE}}{R_B}
I_B=\FRAC{15-0,7}{500K}=\FRAC{14,3}{500K}
I_B=28,6\MU A

Assista ao vídeo para entender melhor a resolução da questão.
VERIFICANDO O APRENDIZADO
CONSIDERE O CIRCUITO A SEGUIR:

OS PARÂMETROS DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{CC} = 22V$$
$$R_1 = 56KΩ$$
$$R_2 = 8,2KΩ$$
$$R_C = 6,8KΩ$$
$$R_E = 1,5KΩ$$
$$Β = 90$$
$$R_E = 18,44Ω$$
$$R_O = 50KΩ$$
O GANHO DE TENSÃO DO CIRCUITO É IGUAL A:
A) $$A_V = 90$$
B) $$A_V = -368,76$$
C) $$A_V = 368,76$$
D) $$A_V = -324,6$$
E) $$A_V = 324,6$$
O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR É CONHECIDO COMO EMISSOR

COMUM. DETERMINE O GANHO DE TENSÃO DO CIRCUITO,
CONSIDERANDO QUE OS PARÂMETROS DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{CC} = 20V$$
$$R_B = 470KΩ$$
$$R_C = 0,56KΩ$$
$$R_E = 2,2KΩ$$
$$Β = 140$$
$$R_E = 5,99Ω$$
$$R_O = 50KΩ$$
A) $$A_V = 120$$
B) $$A_V = -3,89$$
C) $$A_V = 3,89$$
D) $$A_V = -351,8$$
E) $$A_V = 351,8$$
GABARITO
Considere o circuito a seguir:

Os parâmetros do circuito são:
$$V_{CC} = 22V$$
$$R_1 = 56kΩ$$
$$R_2 = 8,2kΩ$$
$$R_C = 6,8kΩ$$
$$R_E = 1,5kΩ$$
$$β = 90$$
$$r_e = 18,44Ω$$
$$r_O = 50kΩ$$
O ganho de tensão do circuito é igual a:
O circuito da figura consiste em um transistor polarizado com um divisor de tensão. Desse

modo, o ganho é definido de maneira similar à do ganho do transistor configurado como
emissor comum:
{R_C}+\FRAC{1}{R_O}$$
$$R_C//R_O=\FRAC{R_C \CDOT R_O}{R_C+R_O}$$
$$R_C//R_O=\FRAC{6800 \CDOT 50000}{6800+50000}$$
$$R_C//R_O=5986\MATHRM{\OMEGA}$$
Como $$r_e = 18,44Ω$$, então, vemos que:

$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}=-\FRAC{5986}{18,44}$$
$$A_V=-324,6$$
O circuito da figura a seguir é conhecido como emissor comum. Determine o ganho de

tensão do circuito, considerando que os parâmetros do circuito são:
$$V_{CC} = 20V$$
$$R_B = 470kΩ$$
$$R_C = 0,56kΩ$$
$$R_E = 2,2kΩ$$
$$β = 140$$
$$r_e = 5,99Ω$$
$$r_O = 50kΩ$$
O circuito da figura consiste em um transistor configurado como emissor comum com um

resistor no emissor. Dessa maneira, o ganho é definido como:
$$A_V=\FRAC{V_O}{V_I}\CONG-\FRAC{R_C}
{R_E+R_E}$$
$$A_V\CONG\FRAC{2200}{(5,99+560)}$$
$$A_V\CONG-3,89$$

MÓDULO 2
 Reconhecer o funcionamento dos transistores de efeito de campo e sua curva

característica
OS TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
Embora os circuitos com TBJS sejam extensamente utilizados, algumas aplicações exigem
impedâncias de entrada elevadas, característica não esperada do TBJ (normalmente, os
valores de r_e são baixos). Para isso, utilizam-se os transistores de efeito de campo de junção
(JFET) ou os de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET).
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO DE

JUNÇÃO (JFET)
Como demonstra a figura a seguir, a estrutura de um JFET é bastante diferente de um TBJ:


 Estrutura e simbologia de um JFET.
No JFET, a condução ocorre pela passagem de portadores de carga ou elétrons (nos

dispositivos com canal n) ou de lacunas (naqueles com canal p) da fonte (source - S) para o
dreno (drain – D). Essa passagem ocorre através da porta (gate – G).
DRENO
É um terminal por meio do qual os portadores majoritários saem do circuito.
POLARIZAÇÃO
O circuito a seguir mostra um circuito com a polarização de um JFET com canal n. Uma
alimentação positiva entre o dreno e a fonte estabelece um fluxo de corrente por meio do canal.
A intensidade da corrente depende da fonte de alimentação e da largura do canal, o qual, por
sua vez, depende da polarização da porta (G).


 Polarização de um JFET.
A ligação da fonte V_{GG} entre a porta e a fonte garante um potencial mais negativo na
porta. Com isso, a fonte fica com a polarização reversa, circulando apenas uma corrente de
fuga, o que garante uma alta impedância entre a porta e a fonte.
Quanto mais negativa a tensão V_{GG}, mais estreito fica o canal de passagem da corrente.
Assim, quando a tensão na porta é suficientemente negativa, o canal se fecha e o JFET fica
cortado (V_{GS(Off)}).
CURVA CARACTERÍSTICA
Na curva característica do JFET para um valor constante de V_{GS}, o transistor age como um
dispositivo resistivo linear, mantendo a corrente de dreno aproximadamente constante até a
região de ruptura:


 Curva característica de um JFET.
O FET COMO CHAVE ELETRÔNICA

A corrente I_{DSS} refere-se à do dreno para a fonte quando a porta está em curto-circuito
(V_{GS} = 0V). Ela é a corrente máxima de dreno que o JFET é capaz de produzir. Sua região
de saturação situa-se no intervalo no qual a tensão V_{DS} varia entre 0 e 4V (valor igual à
tensão de corte do transistor V_{GS(off)} = -4V).
CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA
A curva de transcondutância de um JFET relaciona a corrente de saída (I_D) com a tensão de
entrada (V_{GS}):


 Curva de transcondutância de um JFET.
POLARIZAÇÃO
A polarização de um transistor JFET é similar à de um TBJ. Para um transistor do tipo
funcionar corretamente, deve-se polarizar reversamente a junção entre a porta e a fonte
(V_{GS}).
O circuito a seguir mostra um JFET polarizado. Resistores limitadores de tensão e de corrente

são utilizados para a polarização do transistor.


 Polarização de um JFET.
No circuito acima, a tensão V_{GS} aparece devido à corrente de dreno que percorre o R_S, o
que promove a tensão V_{RS} no resistor da fonte. Aplicando-se a lei das tensões na porta, na
fonte e na junção reversa, verifica-se o seguinte:
V_{RG}=V_{RS}+V_{GS}
A junção de porta-fonte (V_{GS}) reversamente polarizada e corrente I_G constitui uma

pequena corrente de fuga muito próximo de zero. Desse modo, pela lei de Ohm, vê-se que:
V_{RG}=I_G.R_G\CONG0
Assim:
V_{RG}=V_{RS}+V_{GS}
0=V_{RS}+V_{GS}
V_{RS}=-V_{GS}=R_S.I_S
Pela lei dos nós, a corrente na fonte é a soma das correntes de dreno e de porta.
Então:
I_S=I_D+I_G
Como a corrente de dreno é muito pequena, pode-se considerar que:
I_S\CONG I_D
Por causa da lei das tensões, também é possível avaliar que:
V_{DD}=I_D.(R_D+R_S)+V_{DS}

DETERMINAÇÃO DA RESISTÊNCIA DE
FONTE (R_S)
O ponto de operação (Q) depende da resistência da fonte (R_S). O valor ideal da resistência
será um ponto de operação que esteja na região central da curva:

 Ponto de operação (Q).
A resistência R_S é determinada pela equação:
R_S=\FRAC{V_{GS(OFF)}}{I_{DSS}}
Esse valor de R_S produz a reta de carga que permite a determinação do valor de V_{GS}
responsável pelo ponto Q. A relação entre a corrente do ponto de operação e a tensão de
operação é definida por:
I_{DQ}=I_{DSS}\LEFT(1-\FRAC{V_{GSQ}}
{V_{GS(OFF)}}\RIGHT)^2
O FET COMO AMPLIFICADOR

A utilização do FET como amplificador será fundamental quando uma resistência de entrada
elevada for necessária. Isso ocorre de maneira diferente daquela registrada no TBJS, que é um
amplificador controlado por corrente. Já o FET é controlado por tensão.
O FET COMO AMPLIFICADOR FONTE COMUM

A figura adiante mostra um amplificador FET na configuração fonte comum. Essa configuração
apresenta várias semelhanças com o amplificador emissor comum. Por esse motivo, sua
análise é bastante similar à do emissor comum.

 Amplificador fonte comum com FET.
A resistência de saída do circuito pode ser vista como uma associação entre a resistência do
dreno e a da carga. Ela é definida por:
R_D=R_D//R_L
De maneira similar ao ganho do TBJ, que é definido como β, o JFET apresenta um ganho tido
como g_m e conhecido como transcondutância. Esse ganho tem a seguinte definição:
G_M=\FRAC{I_D}{V_{GS}}
Já a tensão de saída é definida por:
V_{SAÍDA}=-R_D.G_M.V_{ENTRADA}
A_V=-R_D.G_M
AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL

Na figura adiante, é possível observar um amplificador com realimentação parcial. Esse
amplificador possui uma resistência R_{S1} na fonte (source) do FET.


 Amplificador FET com realimentação parcial.
Seu ganho é definido por:
A_V=-\FRAC{R_D}{R_{S1}+
{\DISPLAYSTYLE\FRAC1{G_M}}}
AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE

O amplificador seguidor de fonte pode ser visto na figura adiante. Nesse circuito, é possível
observar que a fonte de alimentação é conectada diretamente ao dreno (drain).


 Amplificador FET seguidor de fonte.
O ganho do circuito pode ser definido por:
A_V=\FRAC{R_S}{R_S+
{\DISPLAYSTYLE\FRAC1{G_M}}}
O FET COM CAMADA DE ÓXIDO DE

SEMICONDUTOR E METAL (MOSFET)
O MOSFET é um transistor do tipo FET com uma camada de óxido de semicondutor e metal na
porta (gate).
A diferença essencial dele para o JFET é que o terminal porta é isolado eletricamente do canal.
Essa camada permite um isolamento maior da porta e garante ao transistor uma impedância de
entrada ainda mais alta. Com isso, a corrente de porta é muito pequena para qualquer tensão,
seja ela positiva ou negativa.
MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO

Essencialmente, o MOSFET possui quatro terminais:
Dreno
Fonte
Porta
Substrato
SUBSTRATO
É o corpo que dá a sustentação, mas que também contribui com portadores de carga.

Geralmente, o substrato é conectado à fonte internamente ao dispositivo, não sendo acessível

pelo usuário. Em outras configurações, ele pode ser utilizado para controlar a corrente de
dreno.
O símbolo do MOSFET com quatro terminais pode ser visto adiante:

 Transistor MOSFET depleção.
Os elétrons livres fluem da fonte para o dreno através do material tipo n. A região p, que é
chamada de substrato, pode criar um estreitamento para o fluxo de elétrons entre a fonte e o
dreno. A camada de óxido metálico, por sua vez, impede a passagem da corrente da porta
para o material n, funcionando como um isolante.
O MOSFET em modo depleção possui uma tensão de porta negativa. Quando uma tensão é
aplicada entre o dreno e a fonte, os elétrons começam a fluir pelo material n. Da mesma
maneira que ocorre com o JFET, a tensão na porta controla a abertura do canal e,
consequentemente, a passagem da corrente por ele.
Quanto mais negativa a tensão, menor é a corrente de dreno. Quando ela é suficientemente
negativa, a camada de depleção bloqueia completamente o canal e impede a passagem da
corrente elétrica. Dessa maneira, com o V_{GS} suficientemente negativo, o funcionamento do
MOSFET é similar ao do JFET.
Como o terminal da porta é eletricamente isolado do canal, é possível aplicar uma tensão
positiva nela. Essa tensão positiva na porta aumenta o número de elétrons que passam pelo
canal. Quanto maior essa tensão, maior é a corrente no dreno, funcionando, assim, de maneira
diferente do JFET.
MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU
INTENSIFICAÇÃO
O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma modificação do MOSFET de modo
depleção:

 Transistor MOSFET intensificação.
Na figura acima, é possível ver a representação do MOSFET modo intensificação. Nele, o

substrato se estende até a camada de óxido. Quando a tensão da porta é zero, a alimentação
entre o dreno e a fonte força a passagem de elétrons da fonte para o dreno, mas, como o
substrato (material tipo p) tem poucos elétrons, a tensão na porta é nula e o MOSFET fica
desligado.
Dessa maneira, o funcionamento é completamente diferente dos transistores tipo JFET ou

MOSFET depleção. Quando o terminal da porta é submetido a um potencial positivo, ele atrai
elétrons na região p.
Quando a tensão é suficientemente alta, todas os buracos do material tipo p são

completamente preenchidos por elétrons e uma corrente começa a fluir entre a fonte e o dreno.
À medida que isso acontece, uma corrente de boa intensidade flui entre ambos.
Uma tensão entre a porta e a fonte (V_{GS}) mínima cria uma corrente entre os dois chamada
de tensão limiar (V_{GS(th)}). Quando a tensão V_{GS} é maior que a limiar (V_{GS} >
V_{GS(th)}), a corrente de dreno é muito alta.
 DICA
Normalmente, a tensão limiar, dependendo do transistor, varia entre 1V até mais de 5V.
TENSÃO LIMITE DE OPERAÇÃO

Os MOSFET apresentam uma camada isolante que impede a passagem da corrente para a
porta tanto para as tensões positivas quanto para as negativas. Essa camada permite o
controle da corrente de dreno no transistor.
 ATENÇÃO
Como a camada é relativamente fina, uma tensão excessiva pode destruí-la.
MODOS DE OPERAÇÃO
A operação do MOSFET pode ser resumida em três diferentes modos que variam de acordo
com a tensão aplicada sobre seus terminais.

SAIBA MAIS
Para MOSFET positivos ou negativos, as tensões são complementares.
Veremos, desse modo, o que ocorre em três regiões:

D1. REGIÃO DE CORTE
A tensão entre porta e fonte (V_{GS}) é menor que a limiar (V_{GS(th)}). Com isso, o transistor
permanece desligado e quase não circula corrente entre o dreno e a fonte. O transistor, desse
modo, funciona como uma chave desligada.
D2. REGIÃO DO TRÍODO
A tensão entre o porta e a fonte (V_{GS}) é maior que a limiar (V_{GS(th)}). Por outro lado, a
existente entre o dreno e a fonte (V_{DS}) é menor que a diferença entre a tensão entre portão
e fonte (V_{GS}) e a limiar (V_{GS(th)}).
Assim:
V_{GS} > V_{GS(TH)}
V_{DS} < V_{GS} - V_{GS(TH)}
Nessa situação, o transistor é ligado e uma corrente flui entre o dreno e a fonte. O MOSFET
opera na região linear, sendo controlado pela corrente na porta (V_G).
D3. REGIÃO DE SATURAÇÃO
A tensão entre o porta e a fonte (V_{GS}) é maior que a limiar (V_{GS(th)}). Por outro lado, a
tensão encontrada entre o dreno e a fonte (V_{DS}) é maior que a diferença entre a tensão
entre porta e fonte (V_{GS}) e a limiar (V_{GS(th)}).
Desse modo:
V_{GS} > V_{GS(TH)}
V_{DS} > V_{GS} - V_{GS(TH)}
Nessa situação, o transistor fica ligado: um fluxo contínuo e intenso de corrente é criado entre o
dreno e a fonte. Sendo a tensão de dreno maior que a da porta, essa parte do canal é
desligada. A corrente no dreno é relativamente independente da tensão dele, sendo controlada
apenas pela tensão na porta.

SAIBA MAIS
Entre as maiores aplicações dos circuitos do tipo MOSFET em sistemas digitais, estão suas
operações nas regiões de corte e linear. De maneira oposta, verifica-se que, em sistemas
analógicos, suas maiores aplicações ocorrem na região de saturação.
MÃO NA MASSA
CONSIDERANDO O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, DETERMINE A

TENSÃO E A CORRENTE DO PONTO QUIESCENTE (PONTO DE
OPERAÇÃO). CONSIDERE ESTES DADOS:
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2KΩ$$
$$V_{GS(OFF)} = -8V$$
$$I_{DSS} = 10MA$$
A) $$I_{DQ} = 10,0mA$$
B) $$I_{DQ} = 5,625mA$$
C) $$I_{DQ} = 1,0mA$$
D) $$I_{DQ} = 8,0mA$$
E) $$I_{DQ} = 18,0mA$$
PARA O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, MEDIU-SE UMA CORRENTE DE

DRENO $$(I_{DQ} = 2,6MA)$$. DETERMINE A TENSÃO ENTRE DRENO E
FONTE $$(V_{DS})$$. CONSIDERE ESTES DADOS:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_D = 3,3KΩ$$
$$R_S = 1KΩ$$
$$R_G = 1MΩ$$
A) $$V_{DS} = 0V$$
B) $$V_{DS} = 20V$$
C) $$V_{DS} = 2,6V$$
D) $$V_{DS} = 8,82V$$
E) $$V_{DS} = 17,4V$$
DETERMINE A TENSÃO NO GATE $$(V_G)$$ E A CORRENTE NA

RESISTÊNCIA $$R_1$$ PARA O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR.
CONSIDERE ESTES DADOS:
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2,4KΩ$$
$$R_{S} = 1,5KΩ$$
$$R_{1} = 2,1MΩ$$
$$R_{2} = 270KΩ$$
$$C_{1} = 5ΜF$$
$$C_{2} = 20ΜF$$
$$C_{O} = 10ΜF$$
A) $$V_G = 1,82V$$ e $$I_{R1} = 6,75µA$$
B) $$V_G = 16V$$ e $$I_{R1} = 3,25µA$$
C) $$V_G = -1,82V$$ e $$I_{R1} = 6,75µA$$
D) $$V_G = 10,24V$$ e $$I_{R1} = 3,25µA$$
E) $$V_G = -10,24V$$ e $$I_{R1} = 6,75µA$$

PARA O CIRCUITO PORTA COMUM DA FIGURA A SEGUIR, COM PONTOS
DE OPERAÇÃO EM $$V_{GSQ} =-2,6V$$ E $$I_{DQ} = 3,8MA$$,
DETERMINE A TENSÃO NO DRENO $$(V_D)$$. CONSIDERE ESTES
DADOS:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5KΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
A) $$V_D = 0V$$
B) $$V_D = -2,6V$$
C) $$V_D = 2,6V$$
D) $$V_D = -6,3V$$
E) $$V_D = 6,3V$$
DETERMINE A TENSÃO ENTRE O DRENO E A FONTE DO TRANSISTOR A
SEGUIR. SAIBA QUE OS PARÂMETROS DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{CC} = 30V$$
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{GSQ} = -8V$$
$$I_{DQ} = 10MA$$
$$R_{D} = 2KΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
A) $$V_{DS} = 0V$$
B) $$V_{DS} = -10V$$
C) $$V_{DS} = 10V$$
D) $$V_{DS} = -30V$$
E) $$V_{DS} = 30V$$
CONSIDERANDO O CIRCUITO DA FIGURA A SEGUIR, DETERMINE A

TENSÃO ENTRE A PORTA E A FONTE $$(V_{GS})$$. OS PARÂMETROS
DO CIRCUITO SÃO:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_{D} = 3,3KΩ$$
$$R_{S} = 1KΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
A) $$V_{GS} = 8V$$
B) $$V_{GS} = -8V$$
C) $$V_{GS} = -4V$$
D) $$V_{GS} = 0V$$
E) $$V_{GS} = 4V$$
GABARITO
Considerando o circuito da figura a seguir, determine a tensão e a corrente do ponto
quiescente (ponto de operação). Considere estes dados:
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2kΩ$$
$$V_{GS(off)} = -8V$$
$$I_{DSS} = 10mA$$
Assista ao vídeo para conferir a resolução da questão.

Para o circuito da figura a seguir, mediu-se uma corrente de dreno $$(I_{DQ} = 2,6mA)$$.
Determine a tensão entre dreno e fonte $$(V_{DS})$$. Considere estes dados:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_D = 3,3kΩ$$
$$R_S = 1kΩ$$
$$R_G = 1MΩ$$
A determinação da corrente entre o dreno e a fonte é obtida por causa da lei das tensões:
$$V_{DD}-V_{RD}-V_{DS}-V_{RS}=0$$
$$V_{DS}=V_{DD}-V_{RD}-V_{RS}$$
$$V_{DS}=20-3,3K \CDOT 2,6M-1K \CDOT 2,6M$$
$$V_{DS}=20-8,58-2,6$$
$$V_{DS}=8,82V$$
Determine a tensão no gate $$(V_G)$$ e a corrente na resistência $$R_1$$ para o

circuito da figura a seguir. Considere estes dados:
$$V_{CC} = 16V$$
$$R_{D} = 2,4kΩ$$
$$R_{S} = 1,5kΩ$$
$$R_{1} = 2,1MΩ$$
$$R_{2} = 270kΩ$$
$$C_{1} = 5µF$$
$$C_{2} = 20µF$$
$$C_{O} = 10µF$$
$$V_{CC}-V_{R1}-V_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R2}=0$$
$$I_{R1}\CONG I_{R2}$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=0$$
$$R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=V_{CC}$$
$$(R_1+R_2).I_{R1}=V_{CC}$$
$$(2,1M+270K).I_{R1}=16$$
$$I_{R1}=\FRAC{16}{2370K}=6,75\MU A$$
Pela lei de Ohm, vê-se que:
$$V_G=R_2.I_{R1}$$
$$V_G=270K \CDOT 6,75\MU$$
$$V_G=1,82V$$
Para o circuito porta comum da figura a seguir, com pontos de operação em $$V_{GSQ}
=-2,6V$$ e $$I_{DQ} = 3,8mA$$, determine a tensão no dreno $$(V_D)$$. Considere estes
dados:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5kΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
Aplica-se a lei das tensões:
$$V_{CC}-V_{RD}-V_D=0$$
$$V_D=V_{CC}-R_D.I_D$$
$$V_D=12-1,5K \CDOT 3,8M$$

$$V_D=6,3V$$
Determine a tensão entre o dreno e a fonte do transistor a seguir. Saiba que os

parâmetros do circuito são:
$$V_{CC} = 30V$$
$$V_{DD} = 2V$$
$$V_{GSQ} = -8V$$
$$I_{DQ} = 10mA$$
$$R_{D} = 2kΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
Pela lei das tensões e considerando a corrente de polarização do transistor, vemos que:
$$V_{DD}-V_{RD}-V_{DS}=0$$
$$V_{DS}=V_{DD}-R_D.I_D$$
$$V_D=30-2K \CDOT 10M$$
$$V_D=10V$$
Considerando o circuito da figura a seguir, determine a tensão entre a porta e a fonte

$$(V_{GS})$$. Os parâmetros do circuito são:
$$V_{DD} = 20V$$
$$R_{D} = 3,3kΩ$$
$$R_{S} = 1kΩ$$
$$R_{G} = 1MΩ$$
Como a corrente do portão é muito pequena em comparação com a do ponto de operação,

pode-se considerar a queda no resistor do portão desprezível.
Então, pela Lei das tensões, vê-se que:
$$V_{RG}-V_{GS}-V_{RS}=0$$
$$R_G.I_G-V_{GS}-R_S.I_S=0$$
$$R_G.0-V_{GS}-R_S.I_S=0$$
$$-V_{GS}-R_S.I_S=0$$
$$V_{GS}=-R_S.I_S$$
$$V_{GS}=-1K \CDOT 4M$$
$$V_{GS}=-4V$$
GABARITO
TEORIA NA PRÁTICA
CONSIDERE A RETA DE POLARIZAÇÃO DA FIGURA A

SEGUIR. DETERMINE O RESISTOR DE POLARIZAÇÃO
DO CIRCUITO CONTENDO UM TRANSISTOR DO TIPO
JFET. DETERMINE TAMBÉM O PONTO DE OPERAÇÃO
(Q).

RESOLUÇÃO
O valor da resistência de polarização do JFET pode ser encontrado por intermédio dos valores
máximos do circuito:
V_{GS}=-I_{DSS}.R
R=-\FRAC{V_{GS}}{I_{DSS}}=-\FRAC{(-4)}{20M}
R=200\MATHRM{\OMEGA}
O ponto de operação pode ser definido pelo valor medido de V_{GS} e pelo cálculo do valor de
I_D com a resistência de polarização utilizada no circuito:
V_{GS}=-I_D.R
I_D=-\FRAC{V_{GS}}{R}=-\FRAC{(-1,6)}{200}
I_D=8MA
Assista ao vídeo para entender melhor a resolução da questão.
VERIFICANDO O APRENDIZADO
PARA O CIRCUITO DO TIPO MOSFET DA FIGURA A SEGUIR, DETERMINE

A TENSÃO NO GATE.
A) $$V_G = 1,5V$$
B) $$V_G = -1,5V$$
C) $$V_G = 18V$$
D) $$V_G = 0V$$
E) $$V_G = -3V$$
PARA O CIRCUITO PORTA COMUM DA FIGURA A SEGUIR, CONSIDERE A

CORRENTE DO PONTO DE OPERAÇÃO $$I_{DQ} = 6MA$$ E OS
SEGUINTES DADOS:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5KΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
DETERMINE A TENSÃO NA JUNÇÃO PORTA-FONTE $$(V_{GS})$$:

A) $$V_D = 2,6V$$
B) $$V_D = -2,6V$$
C) $$V_D = 0V$$
D) $$V_D = 4,08V$$
E) $$V_D = -4,08V$$
GABARITO
Para o circuito do tipo MOSFET da figura a seguir, determine a tensão no gate.

A utilização da lei das tensões no divisor de tensão do portão (gate) permite a determinação da
corrente que percorre os resistores do divisor:
$$V_{CC}-V_{R1}-V_{R2}=0$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R2}=0$$
$$I_{R1}\CONG I_{R2}$$
$$V_{CC}-R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=0$$
$$R_1.I_{R1}-R_2.I_{R1}=V_{CC}$$
$$(R_1+R_2).I_{R1}=V_{CC}$$
$$(110M+10M).I_{R1}=18$$
$$I_{R1}=\FRAC{18}{120M}=0,15\MU A$$
Pela lei de Ohm, verifica-se que:
$$V_G=V_{R2}=R_2.I_{R1}$$
$$V_G=V_{R2}=10M \CDOT 0,15\MU$$
$$V_G=V_{R2}=1,5V$$
Para o circuito porta comum da figura a seguir, considere a corrente do ponto de

operação $$I_{DQ} = 6mA$$ e os seguintes dados:
$$V_{CC} = 12V$$
$$R_{D} = 1,5kΩ$$
$$R_{S} = 680Ω$$
Determine a tensão na junção porta-fonte $$(V_{GS})$$:
Para o circuito da figura, deve-se estabelecer uma corrente de operação – nesse caso, de
6mA. Como a porta está aterrada, sua tensão é nula.
Com essa corrente, é possível determinar a tensão na junção porta-fonte, por causa da lei das
tensões:
$$V_G-V_{GS}-V_{RS}=0$$
$$V_{GS}=V_G-V_{RS}$$
$$V_{GS}=0-V_{RS}$$
$$V_{GS}=-R_{S.}I_{DQ}$$
$$V_{GS}=-680 \CDOT 6M$$
$$V_{GS}=-4,08V$$
CONCLUSÃO
CONSIDERAÇÕES FINAIS
Ao longo dos dois módulos deste texto, descrevemos os transistores e explicamos como eles
funcionam. Apresentamos, para isso, os circuitos com transistores bipolares de junção (TBJs).
Também abordamos a importância dos TBJs como amplificadores de pequenos sinais e
destacamos sua determinação do ganho.
Estudamos as configurações mais comuns e os circuitos mais utilizados com transistores

bipolares. Com isso, discutimos detalhadamente a elaboração e a importância da curva de
polarização. Além disso, descrevemos o funcionamento deles como chaves eletrônicas.
Em seguida, analisamos os transistores de efeito de campo (FET) e os de campo de óxido

metálico (MOSFET), verificando ainda o funcionamento dos FET como amplificadores e chaves
eletrônicas. Por fim, discutimos as principais aplicações e operações dos MOSFET, dando
especial atenção a dois modos desse campo: depleção e intensificação.
AVALIAÇÃO DO TEMA:
REFERÊNCIAS
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 11. ed.
São Paulo: Pearson Education, 2013.
CATHEY, J. J. Dispositivos e circuitos eletrônicos. 1. ed. São Paulo: Makron Books, 1994.
HONDA, R. 850 exercícios de eletrônica. 3. ed. São Paulo: Érica, 1991.
MALVINO, A. P. Eletrônica. v. 1. 4. ed. São Paulo: Makron Books, 1997.
EXPLORE+
Compreenda um pouco mais a fabricação de um transistor na leitura do artigo Transistor por
efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina), de Roberto K. Onmori, Luiz Henrique
C. Mattoso e Roberto M. Faria.
CONTEUDISTA
Raphael de Souza dos Santos
 CURRÍCULO LATTES

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DESCRIÇÃO

Transistores, chaves, amplificadores e polarização: seus modos de funcionamento e suas

Identificar as características de funcionamento dos transistores, assim como sua utilização

Reconhecer o funcionamento dos transistores de efeito de campo e sua curva característica

O TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

O TBJ COMO AMPLIFICADOR E COMO

No monitoramento de variáveis, muitos sinais apresentam amplitudes muito baixas (sinais

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

As duas letras que formam essas junções indicam o seguinte:

Semicondutor do tipo P considerado positivo, já que ela é transportada pela movimentação de

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Cada material utilizado na composição do transistor recebe um nome específico.

TRANSISTOR NÃO POLARIZADO

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POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN

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⇋ Utilize a rolagem horizontal

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A relação entre os ganhos do transistor é estabelecida pela equação 4:

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ANÁLISE DE CIRCUITOS COM TBJ

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A equação a seguir descreve o comportamento da resistência da base do transistor (R_B), da

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Relação I_B versus V_{BE}

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Relação entre I_C versus V_{CE}

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Observando o gráfico da figura acima e medindo as correntes de coletor e de base, é possível

⇋ Utilize a rolagem horizontal

CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO TBJ

Consideremos o seguinte circuito:

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A reta de carga nos transistores é traçada para se obter, considerando a existência da

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TRANSISTOR COMO CURTO-CIRCUITO (V_{CE} = 0):

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TRANSISTOR COMO CHAVE

TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR DE

Há três configurações mais comuns nesse caso:

CONFIGURAÇÃO EMISSOR COMUM

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⇋ Utilize a rolagem horizontal

Operando nessa região, o amplificador apresenta um ganho de tensão (A_V) proporcional às

⇋ Utilize a rolagem horizontal

Em que R_C//r_o é o resultado da associação em paralelo entre esses dois resistores

⇋ Utilize a rolagem horizontal

O sinal negativo na equação do ganho implica um deslocamento de 180o no sinal de saída em

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