Modelo de Projeto

APRESENTAÇÃO TEÓRICA E APLICADA DO FUNCIONAMENTO DO UM DIODO
DE JUNÇÃO
Nélio Dias Santos Junior

João Pedro Miranda Pina Assis
Dailane Carolina Costa de Souza
Raymyson Moreira Castro
RESUMO
Este artigo tem como objetivo apresentar os principais fundamentos do diodo de

junção bem como demonstrar uma aplicação clássica do diodo da retificação de
tensões alternadas por meio da simulação em software e em componentes
eletrônicos.
1 INTRODUÇÃO
Este trabalho tem como fim a 2º avaliação bimestral da matéria de Tecnologia

dos Materiais Elétricos ministrada pelo professor Dr. Daniel Palheta assim como
aproximar a teoria da física e matemática a prática. O tema foi escolhido por sorteio e
fazem parte da ementa do curso. O assunto é relevante, pois foi essa teoria que
premiou William Bradford Shockley com Prêmio Nobel de Física em 1956 assim como
permitir um grande desenvolvimento na tecnologia eletrônica.
Este artigo foi dividido em fundamentos teóricos e a aplicação. Na primeira

parte, são expostas as principais definições para se caracterizar minimamente um
diodo de junção. Na segunda parte, apresenta-se uma aplicação prática reproduzida
no software Multisim bem como fotos do circuito montado em uma protoboard.
2 FUNDAMENTOS TÉORICOS
2.1 Semicondutores
Os semicondutores são materiais caracterizados por uma banda de valência

cheiae uma banda de condução vazia a 𝑇 = 0, separadas por um gap de energia
relativamente pequeno, 𝐸 < 2 𝑒𝑉, devido a isso, possuem uma resistência
Intermediária entre os condutores e isolantes. Os principais semicondutores são o
Germânio e o Silício, porém o mais utilizado é o silício por ser um elemento abundante
na natureza.
Tanto o Silício quanto o Germânio se estabilizam quando possuem 8 elétrons

na camada de valência, quando vários átomos de silício ou de Germânio são
colocados juntos, eles formam uma estrutura cristalina onde “Compartilham” seus
elétrons da camada de valência com os átomos “vizinhos” (ligação Covalente),
formando um cristal semicondutor. Ilustrado na figura 1.
Figura 1 -O átomo de cristal tem quatro vizinhos

Fonte: Malvino, Albert. Pagina 33
2.2 Semicondutores intrínsecos
O semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. A concentração de

elétrons na banda de condução dele varia exponencialmente com a temperatura, o
que faz sua condutividade depender fortemente da temperatura. O cristal de silício é
um semicondutor intrínseco se cada átomo no cristal for um átomo de silício. Na
temperatura ambiente, um cristal de silício age como um isolante porque tem apenas
alguns elétrons livres e lacunas produzidas pela energia térmica.
2.3 Semicondutores extrínsecos
Uma forma de aumentar a condutividade de um semicondutor é pelo processo

de dopagem. Isso significa uma adição de átomos de impureza ao cristal intrínseco
afim de alterar sua condutividade elétrica. Um semicondutor dopado é chamado de
semicondutor extrínseco. Ao fazer esse processo de dopagem surgem as chamadas
Lacunas (ausência de elétrons). Ilustrada na Figura 2.
Figura 2 – Formação das Lacunas

2.4 Semicondutor Tipo P
O silício que foi dopado com impureza trivalente é chamado de semicondutor

tipo p, onde p significa positivo. Como o número de lacunas excede o número de
elétrons livres num semicondutor tipo p, as lacunas são chamadas de portadores
majoritários e os elétrons livres, de portadores minoritários. Com a aplicação de uma
tensão, os elétrons livres movem-se para a esquerda e as lacunas movem-se para a
direita, as lacunas que chegam ao final direito do cristal recombinam com os elétrons
livres do circuito externo, existe também um fluxo de portadores minoritários. Os
elétrons livres dentro do semicondutor circulam da direita para a esquerda, como
existem poucos portadores minoritários, eles quase não afetam o circuito. Ilustrado na
figura 3.
Figura 3- semicondutor Tipo P

2.5 Semicondutor Tipo N
O silício que foi dopado com impureza penta valente é chamado de

semicondutor tipo n, onde n quer dizer negativo. A Figura 4 mostra um
semicondutor tipo n. Como o número de elétrons livres excede o número de
lacunas num semicondutor tipo n, os elétrons livres são chamados de
portadores majoritários e as lacunas, de portadores minoritários. Devido à
aplicação de uma tensão, os elétrons livres movem-se para a esquerda e as
lacunas movem-se para a direita. Quando uma lacuna alcança o final do lado
direito do cristal, um dos elétrons livres do circuito externo passa para o
semicondutor e recombina com a lacuna
Figura 4 – semicondutor tipo N

2.6 A Junção PN
Um semicondutor contendo uma região tipo p e uma tipo n, separadas por uma
camada fina de transição, é formada o que chamamos de junção p-n. A espessura da
camada de transição depende do método de fabricação, estando na faixa de 10-2 a 1
µm. O comportamento de elétrons e buracos nas junções de um dispositivo determina
as características corrente-tensão (I-V) de seus diversos terminais.
2.7 Diodo de Junção

Diodo de Junção é uma estrutura formada a partir de uma junção PN é
ilustrada na figura 5, que por sua vez é a estrutura básica que compõe os
semicondutores, pois possui uma resistência muito baixa em um sentido da
corrente e uma resistência muito alta no sentido reverso.
Figura 5- junção PN
Os diodos de junção têm característica I-V como aquela mostrada na Figura 6.

Quando eles são polarizados diretamente a corrente só alcança intensidade
substancial quando a tensão é próxima ou mair que um valor crítico E0, que depende
do semicondutor de junção. Em diodos de Ge este valor é da ordem de 0.2 a 0.4 V,
equanto que em diodos de Si ele varia de 0.6 a 0.8 V.
Figura 6- Representação de um diodo de junção

Fonte: Rezende, Sérgio M. Pagina 193
A figura 6 mostra um circuito aproximadamente equivalente ao diodo de junção.
Para V < E0 a corrente no circuito é nula, pois a presença da bateria faz a tensão nos
terminais do diodo ser negativa. Para V > E0 a corrente aumenta linearmente com a
diferença V – E0, devido ao resistor R em série com o diodo e a bateria. A figura 7
mostra a curva de tensão vs corrente dos três diodos comerciais mais populares.
Figura 7- Representação de um diodo de junção

Fonte: Rezende, Sérgio M. Pagina 195
3 APLICAÇÃO EXPERIMENTAL
Os diodos de junção têm inúmeras aplicações em circuitos eletrônicos. Uma das mais
tradicionais é a retificação de tensão alternada em fontes de alimentação, usadas para
fornecer tensão dc para a operação de equipamentos eletrônicos.
3.1 Retificador de Tensão
Para efeito de teste e comprovação da teoria foi utilizado o software Multisim,

onde foram feitas as simulações do circuito, que utiliza diodos para realizar a
retificação de uma onda senoidal.
Figura 8. Circuito retificador de onda completa
Na Figura 8 temos uma fonte AC representando a tensão de linha em uma

tomada, um transformador com relação de espiras de 13.33 gerando uma tensão de
aproximadamente 9 V AC no secundário.
Figura 9. Sinal de Entrada do Retificador
O sinal de entrada antes da retificação é mostrado na Figura 9.
A ponte de diodos irá, por meio da tensão aplicada, iniciar o processo de

retificação de onda completa, analisado pelo osciloscópio e observada na Figura 10.
Figura 10. Forma de onda de saída
Para efeito ilustrativo o circuito inicial foi ampliado e dotado de alguns

componentes extras para mostrar a utilidade da retificação de onda completa. Na
Figura 11 temos o respectivo circuito.
Figura 11. Circuito Ilustrativo
Nesse circuito temos elementos extras, são eles o capacitor C1, um regulador
de tensão de 9 V, um resistor de 1k ohm e um LED.
Como visto, o circuito em retificação completa vai aproximar a onda senoidal

de entrada para uma mais próxima de uma tensão DC, mantendo a tensão em um
estado quase constante ao longo do tempo. O capacitor vai servir como filtro
mantendo a onda de tensão com menor amplitude com o tempo (Figura 12).
Figura 12. Forma de onda após o filtro
Com a onda transformada de AC para DC podemos alimentar o LED, antes

será colocado o regulador de tensão e um resistor para limitar a corrente que vai para
o LED. Esses dois dispositivos foram inseridos como medida de segurança para evitar
a danificação e posterior queima do LED. Na Figura 13 e 14 temos o circuito montado
na protoboard.
Figura 13
Figura 14
4 REFERÊNCIAS
MALVINO, Albert. Eletrônica. 8.ed. v.1. Porto Alegre: AMGH, 2016.
REZENDE, Sérgio M. Materiais e dispositivos eletrônicos. 2.ed, São Paulo: Editora

Livraria da Física, 2004.

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Este artigo tem como objetivo apresentar os principais fundamentos do diodo de

Este trabalho tem como fim a 2º avaliação bimestral da matéria de Tecnologia

Este artigo foi dividido em fundamentos teóricos e a aplicação. Na primeira

Os semicondutores são materiais caracterizados por uma banda de valência

Tanto o Silício quanto o Germânio se estabilizam quando possuem 8 elétrons

Figura 1 -O átomo de cristal tem quatro vizinhos

2.2 Semicondutores intrínsecos

O semicondutor intrínseco é um semicondutor puro. A concentração de

2.3 Semicondutores extrínsecos

Uma forma de aumentar a condutividade de um semicondutor é pelo processo

Figura 2 – Formação das Lacunas

2.4 Semicondutor Tipo P

O silício que foi dopado com impureza trivalente é chamado de semicondutor

Figura 3- semicondutor Tipo P

O silício que foi dopado com impureza penta valente é chamado de

Figura 4 – semicondutor tipo N

2.7 Diodo de Junção

Os diodos de junção têm característica I-V como aquela mostrada na Figura 6.

Figura 6- Representação de um diodo de junção

Figura 7- Representação de um diodo de junção

3.1 Retificador de Tensão

Para efeito de teste e comprovação da teoria foi utilizado o software Multisim,

Na Figura 8 temos uma fonte AC representando a tensão de linha em uma

Figura 9. Sinal de Entrada do Retificador

O sinal de entrada antes da retificação é mostrado na Figura 9.

A ponte de diodos irá, por meio da tensão aplicada, iniciar o processo de

Para efeito ilustrativo o circuito inicial foi ampliado e dotado de alguns

Figura 11. Circuito Ilustrativo

Como visto, o circuito em retificação completa vai aproximar a onda senoidal

Com a onda transformada de AC para DC podemos alimentar o LED, antes

MALVINO, Albert. Eletrônica. 8.ed. v.1. Porto Alegre: AMGH, 2016.

REZENDE, Sérgio M. Materiais e dispositivos eletrônicos. 2.ed, São Paulo: Editora

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