Diodo e Resposta em Frequência Do Diodo

NOTAS:
O relatrio est formatado

Diviso:
Sharles simulao, fundamentao
Matheus metodologia, concluso
Etiane formatao, resultados
Observaes:
UNIVERSIDADE FEDERAL DE MATO GROSSO

FACULDADE DE ARQUITETURA, ENGENHARIA E TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA
CURSO DE ENGENHARIA ELTRICA
ETIANE PONCIANO DE CARVALHO

SHARLES MENDES RODRIGUES
MATHEUS MARTINS DAVID
DIODO E RESPOSTA EM FREQUNCIA DO DIODO
CUIAB
2015
Etiane Ponciano de Carvalho

Sharles Mendes Rodrigues
Matheus Martins David
DIODO E RESPOSTA EM FREQUNCIA DO DIODO

Relatrio apresentado Universidade
Federal de Mato Grosso, Faculdade de
Arquitetura, Engenharia e Tecnologia,
Departamento de Engenharia Eltrica, como
requisito parcial para avaliao na disciplina
Eletrnica Geral I.
Orientador: Prof. Dr. Fabricio Parra Santilio
Cuiab
2015
1
SUMRIO
1 INTRODUO..........................................................................................................3
2 FUNDAMENTAO TERICA ...............................................................................4
3 METODOLOGIA.......................................................................................................5
3.1 MATERIAIS UTILIZADOS......................................................................................x
3.2 PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL.....................................................................x
4 RESULTADOS.....................................................................................................x
5 CONCLUSO.........................................................................................................x
REFERNCIA ........................................................................................................x
1 INTRODUO
Semicondutores so basicamente materiais com caractersticas de poderem
operar ora como condutores, ora como isolantes. Essa caracterstica provm da
energia intermediria de GAP com a qual os eltrons da camada de valncia
passam para a de conduo.
Sem delongas histricas, basta mencionar que em 1878 e 1879 David E.
Hughes iniciou pesquisas sobre o efeito semicondutor, e em resultado a seus
experimentos
acabou
por
inventar
detector
eletromagntico
por
efeito
semicondutivo, o diodo. A partir deste as portas para o desenvolvimento da

eletrnica se abriram at o atual nvel tecnolgico da mesma.
2 FUNDAMENTAO TERICA
Semicondutor intrnseco aquele encontrado na natureza na sua forma mais
pura, ou seja a concentrao de portadores de carga positiva igual concentrao
de portadores de carga negativa. J semicondutores extrnsecos ou dopados so
semicondutores intrnsecos onde so introduzidas impurezas com a finalidade de
controlar as caractersticas eltricas do semicondutor. O mesmo dividido em
dopados do tipo p ou tipo n.
Os semicondutores do tipo p tem em sua estrutura a incluso de impurezas
com 3 eltrons na camada de valncia, gerando um excesso de lacunas no material.
J os do tipo n tem em sua estrutura adicionadas impurezas com 5 eltrons na
camada de valncia, gerando assim um excesso de eltrons.
Silcio e germnio so os principais elementos usados na fabricao dos
diodos. Ambos detm boas caractersticas para os devidos fins, o germnio tem
vantagem na tenso mnima para conduo de corrente, sendo 0,4V menor do que o
silcio, porm, sua vantagem se retm a esse aspecto. O silcio suporta
temperaturas mais altas e tenses mais elevadas de operao. Outro fator
importante o desenvolvimento da produo de silcio ter tido maior ateno desde
sua descoberta como material para semicondutores. Por ltimo, porm de mais alta
importncia, temos o fator econmico, o silcio provm da areia do mar, portanto,
encontrado em abundncia e ainda tem menor custo de produo.
3
O diodo tem funcionamento relativamente simples, analisando a figura 1

podemos observar o bsico funcionamento de um diodo ideal, o mesmo funciona
como curto circuito quando a tenso no anodo maior que no catodo, constituindo o
que chamado de polarizao direta. No sentido oposto atua como circuito aberto,
ou seja, quando a tenso no anodo menor que no catodo, sendo chamado de
polarizao inversa. Nesta imagem tambm observamos a representao de um
diodo, consistindo de uma seta com uma barra frontal (no catodo).
Figura 1 - Funcionamento do diodo
Fonte:
A figura 2 apresenta a relao entre tenso aplicada e corrente resultante em
um diodo ideal, podemos observar claramente que quando a tenso aplicada gera
uma corrente no sentido do diodo o mesmo atua como um curto circuito e ocorre a
passagem de corrente, no sentido oposto a corrente resultante zero devido ao
diodo atuar como um circuito aberto.
Figura 2 - Diodo ideal
Fonte:
Deixando de lado o caso ideal, um diodo real tem o comportamento conforme

a figura 3:
Figura 3 - Curva do diodo
Fonte:
Analisando a figura 3, considerando que o diodo seja feito de silcio, entre 0V
e aproximadamente 0,7V o diodo no conduz corrente, isso se d devido as
propriedades do material, podemos considerar como se existisse uma fonte no
sentido oposto ao de conduo do diodo impedindo o incio da conduo. A partir de
0,7V+ podemos notar o incio da exponencial que caracteriza a curva do diodo, a
equao que rege o comportamento nesta etapa :
5
Equao 1 - Corrente do diodo

e
I =I s (
kv
1)
t
Na qual I a corrente resultante no diodo,
Is
a corrente de saturao
inversa, k um constante que depende do material e t a temperatura de operao

em Kelvin.
Analisando polarizao inversa do diodo, no segundo e terceiro quadrante,
observamos que o diodo se mantm como circuito aberto para uma grande faixa de
tenso aplicada at chegar a uma regio em que o campo eltrico aplicado to
grande que comea a gerar novos portadores de carga, regio essa denominada
Zener. O resultado do aumento da aplicao de tenso nesse ponto uma ruptura
por avalanche. A esse ponto de ruptura, denominado como ruptura Zener.
3 METODOLOGIA
3.1 MATERIAIS UTILIZADOS
Utilizou-se na realizao deste experimento o mtodo quantitativo de nvel
experimental, para tanto, foram necessrios o emprego de uma fonte de tenso
contnua ajustvel at 30V, uma protoboard, um gerador de sinal, dois multmetros,
um resistor de 680 e um diodo 1N4001.
3.2 PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL
Para ser alcanado os objetivos deste experimento, iniciou-se pela medida da
resistncia direta e reversa do diodo utilizado, logo aps, montou-se o circuito,
conforme a Figura 4, e foram anotados os valores mostrados nos medidores
indicados no circuito abaixo, para valores de tenso de 0 15V.
Figura 4: Esquema de montagem do circuito 1.

Em seguida, inverteu-se a polaridade do diodo, e mediu os valores de tenso
e corrente no resistor e no semicondutor, conforme mostra a Figura 5, para valores
de tenso aplicada de 0 25V.
Figura 5: Esquema de montagem do circuito 2.

Posteriormente, usou-se o gerador de sinal para aplicar na entrada do circuito
uma onda quadrada com tenso de pico a pico no valor de 14V e com uma
frequncia de 100Hz. Com o osciloscpio, observou e registrou-se as formas de
onda sobre o diodo e sobre o resistor. O circuito deste esquema, est mostrado na
Figura 6. Com as mesmas condies colocadas anteriormente, foi mudado o sinal
do gerador para uma onda senoidal e, aps, para uma onda triangular.
Figura 6: Esquema de montagem do circuito 3, com o gerador de sinal.

4 RESULTADOS
Primeiramente, com o ohmimetro mediu-se a resistncia direta e reversa do
diodo.
Tabela 1 Resistncia do diodo
RDireta
RReversa
141,7 > 20 M
7
Fonte: Arquivo pessoal

O primeiro circuito realizado seguiu o modelo 1, descrevido no captulo
anterior. Com o circuito montado aplicou-se diversas tenses, de 0 a 15 volts com
intervalos distintos, anotando os valores da corrente do circuito, tenso no diodo e
no resistor, em cada momento. Assim, organizou-se os dados obtidos na tabela a
seguir:
Tabela 2 - Tenses e corrente no circuito
VS(V)
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
1
3
5
7
9
12
15
VR (V) VD (V) I (mA)

0
0
0
0
0,1
0
0
0,2
0
0
0,3
0
0
0,4
0
0
0,46
0
0,1
0,51
0,2
0,15
0,52
0,25
0,23
0,54
0,35
0,4
0,56
0,6
2,35
0,65
3,5
4,25
0,68
6,3
6,24
0,69
9,3
8,2
0,71
12,5
11,17
0,72
17
14
0,73
21,5
No segundo circuito, inverteu-se o diodo e o mesmo processo repetiu-se, com

tenses de 0 a 25 volts. Na tabela a seguir consta os dados obtidos no experimento:
Tabela 3 - Tenses e corrente no circuito
VS(V)
2
5
10
15
20
25
VR (V) VD (V) I (mA)

0
2
0
0
5
0
0
10
0
0
15
0
0
20
0
0
25
0
Com os dados coletados nos dois experimentos construiu-se o grfico da

curva caracterstica do diodo.
Grfico 1 - Curva caracterstica do diodo
8
Curva caracterstica do Diodo (V x I)

40
Corrente (mA)
20
-30
-25
-20
-15
-10
-5
Tenso (V)

Para ser possvel uma comparao entre curva obtida em laboratrio com a
curva real, a mesma foi simulada por meio do programa Proteus. O grfico obtido
est logo abaixo:
Grfico 2 Curva caracterstica do diodo
XXXXXXXXXXXXXXXXXXX
Fonte: Proteus
Aps a verificao da curva caracterstica do diodo, realizou-se o circuito
referente ao modelo 3, de acordo com os procedimentos experimentais. Observou a
retificao das formas de onda triangulares e senoidal, j a forma de onda quadrada
no foi possvel notar, provavelmente por algum erro no material utilizado.
5 CONCLUSO
Com o experimento realizado, foi possvel observar o que estudamos na
teoria, pois como visto, na prtica, o diodo s conduziu com uma tenso aplicada
maior que 0,5V, sendo que, conforme foi aumentando a tenso aplicada no circuito,
a ddp sobre o diodo manteve-se praticamente constante, com o valor mximo
atingido de 0,73V. A queda de tenso sobre o resistor s apareceu depois que o
diodo passou a conduzir, e como a tenso no diodo se manteve praticamente
constante, com o aumento da tenso aplicada, pela Lei de Kirchoff das malhas, a
ddp sobre o resistor aumentou.
Quando invertido a polaridade do diodo, foi observado ele bloqueando a
corrente e deixando o circuito aberto. Dessa forma, a tenso do circuito foi aplicada
apenas sobre o diodo. Os pequenos erros que aconteceram foram devidos a erros
dos medidores e/ou falhas humanas.
9
Com o osciloscpio foi possvel observar a retificao dos sinais triangulares

e senoidais, porm, devido a algum erro de equipamento, no foi possvel observar
a retificao do sinal quadrado. Essa retificao ocorreu devido ao diodo conduzir no
semiciclo positivo e bloquear no semiciclo negativo, provando o estudado na teoria.
10
REFERNCIAS
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrnicos e teoria de circuito.
Edio 11. Pearson, 2013.
MALVINO, Albert; BATES, David. Eletrnica - Volume 1. Edio 7. AMGH, 2011.
MARINHO, H. S. Semicondutores. 2012. Disponvel em <http://descobrindofisica.blogspot.com.br/2012/09/semicondutores-historia-em-1874-braun-o.html
> Acesso em: 30 de maro de 2015
Sem autor. Eletrnica Bsica. Aula 2: Semicondutor Extrnseco. Disponvel em
<http://www.eletronica24h.com.br/cursoeletronica/cursoEN1/aulas/Aula002.htm>
Acesso em: 30 de maro de 2015
Figura 1: http://www.burgoseletronica.net/diodos_funcionamento.html
Figura 2: https://yaguiar.wordpress.com/2013/04/19/diodos/
11

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ETIANE PONCIANO DE CARVALHO

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Etiane Ponciano de Carvalho

DIODO E RESPOSTA EM FREQUNCIA DO DIODO

semicondutivo, o diodo. A partir deste as portas para o desenvolvimento da

O diodo tem funcionamento relativamente simples, analisando a figura 1

Figura 1 - Funcionamento do diodo

Deixando de lado o caso ideal, um diodo real tem o comportamento conforme

Equao 1 - Corrente do diodo

Na qual I a corrente resultante no diodo,

inversa, k um constante que depende do material e t a temperatura de operao

Figura 4: Esquema de montagem do circuito 1.

Figura 5: Esquema de montagem do circuito 2.

Figura 6: Esquema de montagem do circuito 3, com o gerador de sinal.

Fonte: Arquivo pessoal

VR (V) VD (V) I (mA)

No segundo circuito, inverteu-se o diodo e o mesmo processo repetiu-se, com

VR (V) VD (V) I (mA)

Com os dados coletados nos dois experimentos construiu-se o grfico da

Curva caracterstica do Diodo (V x I)

Fonte: Arquivo pessoal

Com o osciloscpio foi possvel observar a retificao dos sinais triangulares

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