Instituto Superior de Transportes e Comunicações

DEPARTAMENTO DE CIÊNCIAS BÁSICAS

Eletrónica Analógica 2

LEET31 - 3ºAno

ProjeCto 1

Projecto - Amplificador de Pequenos Sinais (EC)

Discentes: Docente:

Abraz Bamo Eng. Mondlane Arlindo

Edilson Dengo

Maiser Mauaie

Ziyad Adamo

Maputo, Maio 2023

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Indice

1. Parte Teoria................................................................................................................... 5

1.1 Amplificador Emissor comum (BJT) ..................................................................... 5

1.2 Circuito equivalente AC ......................................................................................... 5

1.2 Circuito equivalente DC ......................................................................................... 6

1.2.1. Valor Beta ....................................................................................................... 8

1.3 Para o transístor 2N2222......................................................................................... 8

1.3.1. Datasheet do Transistor ................................................................................... 9

1.4 Distorção da saída por saturação ............................................................................ 9

1.5 Distorção de saída por corte .................................................................................. 10

1.6 Distorção de entrada ............................................................................................. 11

1.7 Parte pratica .......................................................................................................... 12

Analise DC:................................................................................................................. 12

Analise AC:................................................................................................................. 14

1.8 Simulação.............................................................................................................. 15

1.9 Conclusão.............................................................................................................. 17

2. Referencias Bibliograficas .......................................................................................... 18

2
Objetivos

O presente trabalho tem por objectivos:

• Projectar um Amplificador de Pequenos Sinais com configuração Emissor comum

• Realizar a sua simulação com dados obtidos

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Introdução

O amplificador emissor comum é um tipo de amplificador de transístor bipolar que tem

o emissor do transístor como terminal comum entre a entrada e a saída do circuito. Ele é
usado para amplificar sinais de baixa frequência.

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1. Parte Teoria

1.1 Amplificador Emissor comum (BJT)

O amplificador emissor comum é um tipo de amplificador de transístor bipolar que tem

o emissor do transístor como terminal comum entre a entrada e a saída do circuito. Ele é
usado para amplificar sinais de baixa frequência. O ganho de tensão do amplificador
emissor comum é moderado e sua impedância de entrada é baixa. O circuito é usado em
aplicações como amplificadores de áudio e amplificadores de instrumentação.

Fig 01. Amplificador emissor comum

1.2 Circuito equivalente AC

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 Fig 02. ( a ) Circuito equivalente CA do amplificador com realimentação da Figura 1
(b) equivalente com modelo do transístor

Cálculo de Zin, Zout e Av

Impedância de Entrada: 𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝑏 //𝑅𝐵 = 𝑅1 //𝑅2 //𝛽𝑟𝑒

𝑅𝑏 = 𝑅1 //𝑅2

𝑍𝑏 = 𝛽𝑟𝑒

Impedância de Saída: 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝐶 //𝑟𝑜 , 𝑟𝑜 ≥ 10𝑅𝐶

𝑍𝑜𝑢𝑡 ≅ 𝑅𝐶

𝑅
𝐶
Ganho: 𝐴𝑣 = − 𝑟𝑒+𝑅 , 𝑅𝐸 ≫ 𝑟𝑒
𝐸

𝑅𝐶
𝐴𝑣 = −
𝑅𝐸

1.2 Circuito equivalente DC

Fig 03. Circuito equivalente em DC

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Cálculo dos Parâmetros DC

Correntes de Polarização

𝑈𝐶𝐶 = 𝑅2 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝑒 𝐼𝐸

𝑆𝑒 𝛽 > 100, 𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 , 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐶

𝑈𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝑅2 𝐼𝐵 + 𝑅𝑒 (𝛽 + 1)𝐼𝐵

𝑈𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅2 + 𝑅𝑒 (𝛽 + 1)

𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 = 𝛽𝐼𝐵

Tensões de Polarização:

Fig 04 cálculo da resistência total/thevenin

𝑈𝐶𝐶 𝑋 𝑅1
𝑈𝐵 =
𝑅1 + 𝑅2

𝑈𝐸 = 𝑈𝐵 − 𝑈𝐵𝐸

𝑈𝐶𝐸 = 𝑈𝐶 − 𝑈𝐸

𝑈𝐶𝐸 = 𝑈𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 − 𝑈𝐶𝐸

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1.2.1. Valor Beta

∆𝐼𝐶
𝛽=
∆𝐼𝐵

1.3 Para o transístor 2N2222

O Máxima garantida de 500 miliamperes, tensão do coletor de 50 volts e até 500

miliwatts de potência. A frequência de transição é de 250 a 300 MHz, permitindo que
seja usado em aplicações de rádio de alta frequência (até 50 MHz). O beta (fator de
amplificação, hFe) do transístor é de pelo menos 100; Valores de 150 são típicos.

Como a junção Base/Emissor é enviesada para frente, a tensão do emissor, Ve será uma
queda de tensão de junção diferente da tensão Base. Se a tensão através do resistor
emissor é conhecida, então a corrente do emissor, ou seja, pode ser facilmente calculada
usando a Lei de Ohm. A corrente do Coletor, IC pode ser aproximada, já que é quase o
mesmo valor da corrente do Emissor.

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1.3.1. Datasheet do Transistor

Datasheet do transístor 2n2222

1.4 Distorção da saída por saturação

Se por qualquer circunstância o ponto Q se desloca conforme indica a figura os valores

mais elevados de Vi podem levar o transito na região de saturação, onde o coletor não
segue as variações de entrada e provoca um recorte nos valores máximos que deveria
alcançar Ic
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 Fig 05. Distorção de saída por saturação

1.5 Distorção de saída por corte

Neste caso conforme ilustra a figura (06) o ponto Q situa-se bem próximo do corte ou
em alguns casos no corte.

Desta forma para valores mais negativos de Vi o transístor entrara em corte uma vez
que o Vcc não poderá aumentar alem do Vce e Ic ira a zero.

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 Fig 06. Distorção de saída por Corte

1.6 Distorção de entrada

A distorção da entrada deve-se ao fato da não linearidade da curva característica Ie x

Vbe conforme ilustra a figura

Fig 07. Distorção da entrada

Se a amplitude de Vi e pequena, o trecho da curva afetado e pequeno, podendo assim

ser considerado como uma reta nesse intervalo.

Se Vi e elevado, a curvatura fica acentuada e então Ic não segue as variações de Vbe e a

corrente de coletor também não seguira essas variações.

Considerações Gerais

1- Para obter sinais de saída sem distorção, e conveniente que a corrente do coletor
Ic não tenha variações superiores de 15% a 20% do valor estático Ic.
2- Os amplificadores de baixa frequência (B.F.) tem como a aplicação principal a
amplificação de sinais audiofrequência ( que e a gama compreendida entra 10Hz

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 a 18kHz). E norma internacional efetuar as medidas de desempenho dos
amplificadores de áudio na frequência de 1kHz.
3- A reta de carga tem uma influência direta sobre os ganhos de tensão e de
corrente do circuito. Uma resistência do coletor de valor baixo implica uma
atenuação acentuada da reta de carga e portanto, um maior ganho de corrente e
um menor ganho de tensão. Pelo contrário, uma resistência de coletor de valor
elevado oferece resultados inversos aos expostos.

1.7 Parte pratica

Dados: Uin = 100 mV

F = 1khz

Uout = 0,5 V

Datasheet Transistor usado 2n2222: UCE = 10V, IC = 10mA, β = (75;150)

Fonte de alimentação usada: 15V

Analise DC:

𝑈𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 𝐼𝐶 + 𝑈𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸

𝑈𝐶𝐶 − 𝑈𝐶𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝑈𝐶𝐶 − 𝑈𝐶𝐸 12 − 10
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = = = 500
𝐼𝐶 10𝑥10−3

𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = 500 (1)

Para obter as resistências de emissor e coletor usaremos a relação do ganho

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 𝑅𝐶 𝑈𝑂𝑈𝑇 𝑅𝐶
𝐴𝑉 = =
𝑅𝐸 𝑈𝐼𝑁 𝑅𝐸

𝑈𝑂𝑈𝑇 0,5
𝑅𝐶 = 𝑅𝐸 𝑥 = 𝑅𝐸 𝑥 = 𝑅𝐸 𝑥5
𝑈𝐼𝑁 100𝑥10−3

𝑅𝐶 = 5𝑅𝐸 (2)

Substituindo (2) em (1) temos:

𝑅𝐸 + 5𝑅𝐸 = 500

𝑅𝐸 = 83Ω

𝑅𝐶 = 5𝑥83 = 415Ω

Para calcular as resistências de divisor de tensão usaremos a fórmula seguinte:

𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅2

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸

𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐸 = 15 − 10𝑥10−3 𝑥415 − 10

𝑉𝐸 = 0,85 𝑉

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸

𝑉𝐵 = 0,7 + 0,85 = 1,55 𝑉

Para R2

𝑅2 < 10𝑅𝐸

𝑅2 < 10𝑥83

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 𝑅2 < 830

𝑅2 = 500Ω 𝑜𝑢 0,5𝐾Ω

15𝑥500 − 1,55𝑥500
𝑅1 =
1,55

𝑅1 = 4338,7Ω

Analise AC:

𝑅1 𝑥𝑅2 4338,7𝑥500
𝑅𝐵 = = = 448,333Ω
𝑅1 + 𝑅2 4338,7 + 500

25𝑚𝑉
𝛽𝑟𝑒′ = 150𝑥 = 338Ω
10𝑚𝐴

𝑍𝐵 𝑥𝑅𝐵
𝑍𝐼𝑁 = = 192,713Ω
𝑍𝐵 + 𝑅𝐵

𝑅𝐶 𝑥𝑟𝑜
𝑧𝑜𝑢𝑡 = = 415
𝑅𝐶 + 𝑟𝑜

𝑅𝐶 415
𝐴𝑉 = − =− = −5
𝑅𝐸 83

Capacitâncias do circuito

𝑋𝐶 ≤ 10%𝑅𝐶

1
𝑓=
2𝜋𝑅𝐶

1 1
𝐶𝐶 = = = 383,5 𝑛𝐹
2𝜋𝑅𝑓 2𝜋𝑥415𝑥1𝑥10−3

𝑋𝑐𝑖 ≤ 10%𝑅𝑖

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 𝑅1 𝑥𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
𝑅𝑖 = = 192,713Ω
𝛽𝑟𝑒′

1 1
𝐶𝑖 = = = 825,86𝑛𝐹
2𝜋𝑓𝑅𝑖 2𝜋𝑥(1𝑥10−3 )𝑥192,713

1.8 Simulação

Para a simulação usaremos o software MultiSim.

Dados: V2 = 100mV; Uin(rms) = 70,708mV ; VCC = 15 V; f = 1kHz Uout (max)rms =

310,048mV

R1 = 83Ω ; R2 = 4338,7Ω ; R3 = 500Ω ; R4 = 415Ω

C1 = 825,86 nF ; C2 = 383,5Nf

Objectivo: apresentar simulações que provem os cálculos feitos visando comparar as

tensões das (Uin=100mV e Uout=0.5V). Para o efeito usaremos multímetros.

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Comentário: os multímetros apresentam valores médios(rms) dai devemos converter
para valores de Pico.

𝑢𝑖𝑛 = 70.708𝑥10−3 ∗ √2 = 99.996𝑚𝑉 ≈ 100𝑚𝑉

𝑢𝑖𝑛 = 310.048𝑥10−3 ∗ √2 = 0.438𝑉 𝑜𝑢 438.474𝑚𝑉 ≈ 0.5𝑉 𝑜𝑢 500𝑚𝑉

Formada de Onda dos Sinais de Entrada e Saída:

(a) Sinal de Saida (b) Sinal de Entrada

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Comentário: a imagem acima mostra-nos a forma de onda da Saída em relação a Entrada.
Notamos que o sinal de saída possui maior amplitude (foi amplificado) e podemos
verificar a inversão de fase (dai o sinal negativo no ganho).

1.9 Conclusão

Concluido o Projecto podemos concluir que:

- A configuração Emissor Comum usada pelo grupo sem o capacitor CE de desvio RE

executa duas funções: realimentação negativa CC para polarização estável e
realimentação negativa CA para transcondutância de sinal e especificação do ganho de
tensão. Mas como a resistência do emissor é um resistor de realimentação, ela também
reduzira o ganho do amplificador devido a flutuações na corrente de emissor IE devido
ao sinal de entrada CA.

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- Feitas as simulações podemos comprovar que o circuito feito realiza a amplificação do
Sinal de Entrada, e os cálculos realizado são aproximadamente iguais ao obtidos por meio
de simulação.

2. Referencias Bibliograficas

[1] BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos. 8a ed. Rio de Janeiro: Prentice Hall do Brasil, 1984.

[1] BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de

Circuitos. 8a ed. São Paulo : Pearson Education do Brasil, 2013.

[3] http://www.eletronica24h.net.br/aulaen015.html

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[4] https://capsistema.com.br/index.php/2021/03/25/resistencia-do-emissor/

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