ESCOLA SUPERIOR DE CIÊNCIAS NÁUTICAS

DEPARTAMENTO DE RÁDIO

ENGENHARIA ELECTRÓNICA E DE TELECOMUNICAÇÕES

DISCIPLINA: ELECTRÓNICA APLICADA I

Turma: 2R Semestre: I Ano: II

Tema: Válvula e Transístores

Discente:

 Sualé Solé Kaunga;

 Satar Afinete;
 Izdin Vlanculos;
 OrlandoManuel.

Docente: Eng.o Lúcas Sabado

Maputo, Maio de 2023

ÍNDICE
1. Introdução............................................................................................................................3
2. Objectivos............................................................................................................................4
2.1. Objectivo geral.............................................................................................................4
2.2. Objectivos específicos..................................................................................................4
3. Metodologia.........................................................................................................................5
4. Historial das válvulas...........................................................................................................6
4.1. Motivações do abandono das válvulas..........................................................................7
5. Historial dos transístores (TBJ e FET).................................................................................8
5.1. Definição das válvulas e dos transístores....................................................................10
5.2. Método de fabrico dos transístores.............................................................................10
5.3. Símbolos das válvulas e dos transístores....................................................................13
5.4. Diferença entre válvulas e transístores.......................................................................14
5.5. Diferença entre transístores TBJ e FET......................................................................15
5.6. Curva característica do transístor TBJ e FET.............................................................17
5.7. Tipos básicos de FET.................................................................................................18
5.8. Diferença entre JFET E MOSFET..............................................................................19
5.9. Circuitos básicos com transístor bipolar e FETs.........................................................22
5.10. Polarização do transístor bipolar e FET..................................................................24
5.11. Determinação do ponto de funcionamento.............................................................25
5.12. Características das regiões de saturação, de corte e óhmico...................................26
5.13. Determinação das especificações técnicas dos transístores NPN e PNP.................27
5.14. Determinação das especificações técnicas dos transístores canal N e P..................28
5.15. Práticas de medição dos transístores TBJ e FET.....................................................29
6. Conclusão...........................................................................................................................33
7. REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA....................................................................................34

I
 1. Introdução

Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley,

apresentou um dispositivo formado por três camadas de material semicondutor com
tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. O dispositivo recebeu o
nome de Transístor.

Muitos consideram o transístor como a maior invenção do século passado. De facto, se

não a maior ela foi, sem dúvida, extremamente importante, inovadora e catalisadora de
uma grande transformação da nossa sociedade.

Apesar desta inequívoca constatação não podemos nos esquecer que este mencionado
avanço tecnológico capaz de transformar uma sociedade inteira não teria sido possível
sem a existência de outras grandes invenções anteriores, frutos do trabalho de pesquisa
de muitos cientistas que inovaram a ciência, antes da invenção do transístor. Dentre as
várias invenções anteriores à do transístor destaca-se a invenção da válvula. A conexão
direta que uma pessoa comum faz com a válvula é relembrar os antigos rádios onde os
nossos avós escutavam notícias, músicas, novelas, exportes e, por onde, se informavam
e matavam o tempo.

O transístor foi inventado e tornou-se um elemento indispensável em qualquer circuito

electrónico e é o ingrediente básico dos chamados circuitos integrados.

Os circuitos integrados, ou simplesmente CI, são construídos a partir de uma grande

quantidade de transístores conectados mutuamente em um único bloco de material
semicondutor. Atualmente, o número de transístores incorporados em um único circuito
integrado pode ser muito grande. Neste curso, utilizaremos frequentemente um antigo
amplificador operacional, cujo modelo é designado pelo código

“741”, o qual possui internamente cerca de 20 transístores. Para comparar, lembra-se

que diversos circuitos integrados atuais, como os processadores aritméticos, são
construídos a partir de milhões de transístores.

I
 2. Objectivos
2.1. Objectivo geral
Compreender os componentes usados na electrónica em especial as válvulas e todos
tipos de transístores (TBJ e FET).

2.2. Objectivos específicos

Explorar as principais características dos transístores JFET, TBJ e MOSFET, em
circuitos analógicos e digitais;

Caracterizar circuitos simples que utilizam estes transístores;

Identificar a diferença entre as válvulas e transístores;

Entender a modo de fabrico e as suas aplicações no nosso dia-a-dia.

 3. Metodologia

Pesquisa bibliográfica, consulta de livros, artigos e outro material disponível na internet.

 4. Historial das válvulas

Até 1950 todo equipamento electrónico utilizava válvulas que aquecia muito e
consumia muitos watts de potência. Por isso, os equipamentos a válvula exigiam uma
fonte de alimentação robusta e criavam uma boa quantidade de calor.

A conexão direta que uma pessoa comum faz com a válvula é relembrar os antigos
rádios onde os nossos avós escutavam notícias, músicas, novelas, exportes e, por onde,
se informavam e matavam o tempo.

Entretanto, é oportuno lembrar também que, durante os 50 anos que antecederam esta
data, o mundo já estava interconectado, em tempo real (ou quase), por outra rede que
consistia de transmissores e receptores de rádio, telegrafia, telefonia, televisão e até
computadores rudimentares. Era possível também gravar informações, reforçar ou
modificar sons e estabelecer controlo de processos industriais. Quem possibilitou este
grande avanço tecnológico que, dentre outras, levou à invenção do transístor e ao
estabelecimento de nossa sociedade atual foram: os díodos - um dispositivo capaz de
realizar a retificação da corrente eléctrica e os tríodos um dispositivo electrónico que
possuía a capacidade de fazer a chamada amplificação electrónica.

Com certeza, foram as válvulas que iniciaram esta nova era da nossa tecnologia. Foi o
tríodo quem forneceu uma maneira de se controlar o fluxo de elétrons (ou a corrente)
em um circuito através de outra corrente em outra parte do circuito. Em outras palavras,
com o tríodo tornou-se possível que um pequeno sinal elétrico controlasse uma corrente
elétrica intensa. Esta é a essência dos circuitos eletrônicos, que diferem dos circuitos
elétricos nos quais o fluxo de elétrons é controlado simplesmente pela Lei de Ohm, um
atributo físico e específico dos fios elétricos e componentes. Os novos dispositivos
baseados em semicondutores são chamados de dispositivos do estado sólido enquanto
os mais antigos, denominados genericamente por válvulas, são chamados de
dispositivos a vácuo.

Embora, hoje em dia e na maioria das aplicações, as válvulas tenham sido substituídas
quase na totalidade pelos dispositivos do estado sólido, ainda existem situações e
aplicações em que as válvulas são ainda essenciais. Por exemplo, as válvulas são muito
menos susceptíveis a picos de tensão ou corrente e a pulsos eletromagnéticos
produzidos por explosões nucleares. Esta propriedade torna a válvula ainda um
elemento essencial em aplicações militares. As válvulas ainda fornecem alternativas
práticas para gerar altas potências na faixa de radiofrequência, em aplicações industriais
tal como no aquecimento por radiofrequência, aceleradores de partículas e transmissores
de rádio. Um tipo especial de válvula, denominada klystron ainda é utilizada para
produzir micro-ondas em instrumentos de pesquisa e em radares, assim como os
magnetrões ainda são utilizados para aquecimento de alimentos em fornos de micro-
ondas comerciais. As válvulas chamadas travelling wave tube amplifier (TWT e
TWTA) ainda são utilizadas para amplificar a potência da micro-onda em radares e em
instrumentos científicos.

4.1. Motivações do abandono das válvulas

As motivações do abandono das válvulas é que as válvulas normalmente quebravam

após algumas horas de uso e tinha o processamento bastante lento.

Nesta geração os computadores calculavam com uma velocidade de milésimos de

segundo.

As válvulas era anteriormente utilizadas como dispositivos amplificadores de sinais, as

quais apresentavam desvantagens, tais como:

 Alto aquecimento
 Pequena vida útil (alguns milhares de horas)
 Ocupa mais espaço que os transístores
 Uso restrito
 Precisava ser reprogramado a cada tarefa
 Grande consumo de energia

A válvula foi substituída pelo transístor. Seu tamanho era 100 vezes menor que o da
válvula, não precisava de tempo para aquecimento, consumia menos energia, era mais
rápido e confiável. Os computadores desta geração já calculavam em microssegundos
(milionésimos). A figura 1 mostra uma válvula e a esquema eléctrica.
 Figura 1: A válvula e a sua esquema eléctrica.

Fonte: Medeiros, Renato. (2014)

5. Historial dos transístores (TBJ e FET)

Uma nova revolução na electrónica surgiu quando o transístor foi inventado em 1948 : a
idade da electrónica de semicondutores começou com este facto. Com tudo, é bom
salientar que esta “era” nasceu antes, durante os anos 20. Nos anos 30 chegou-se a um
dispositivo amplificador de estado sólido (precursor do transístor de junção e do
transístor de efeito de campo na tecnologia MOS), porém, além de, na época, não existir
a sua necessidade, ninguém conseguia explicar a teoria decorrente dos dispositivos, fora
que o próprio tinha um fraco desempenho.

A necessidade de desenvolvimento de dispositivos de estado sólido não se manifestou

até 1945, apesar dos díodos semicondutores terem sido bastante utilizados na 2º Guerra
Mundial (em comunicação por micro-ondas). Um dos principais objetivos era tentar
desenvolver um amplificador de estado sólido que eliminaria os inconvenientes da
válvula (consumo de energia mesmo fora de utilização, grandes dimensões e
substituição da válvula por causa do rompimento do filamento pelo calor).Além do
mais, foi prevista que em muitas aplicações (comunicações telefônicas, principalmente à
distância, por exemplo) seriam necessária comutação eletrônica ao invés das
eletromecânicas, e também amplificadores melhores. O avanço das indústrias de rádios
e televisores também contribuiu para esta necessidade. A figura 2 mostra a fase da
construção do primeiro transístor.

Figura 2: Fases da construção do primeiro transístor

Fonte: Gozzi. G. G. M. (2013).

O modelo original do transístor utilizava germânio como semicondutor e os contatos

eram efetuados através de fios de ouro, próximos um do outro. Na experiência efetuada
em dezembro de 1947, nos laboratórios da Bell Telefones, John Bardeen e Walter
Brattain verificaram que a tensão de saída na ponta denominada coletor em relação à
base de germânio era maior do que a tensão de entrada (na ponta denominada emissor).
Reconheceram o efeito que estavam procurando, e assim nasceu o amplificador de
estado sólido, anunciado em 30 de junho de 1948, sob a forma de transístor de contato
pontual.

Os primeiros transístores tinham um desempenho muito mau: baixo ganho, muito ruído
e as características diferiam muito entre um dispositivo e outro. Estas dificuldades
existiam pelo facto do contato pontual, como havia apontado o coordenador do grupo
que havia descoberto o transístor, Schockley. Ele mesmo propôs e desenvolveu a teoria
dos transístores de junção, onde estes novos dispositivos dependiam de portadores de
carga (as lacunas e os elétrons), onde as propriedades elétricas dos transístores
dependem de um teor de impurezas específicas cuidadosamente controlado.

Os transístores foram substituídos pela tecnologia de circuitos integrados

(associação de transístores em pequena placa de silício). Além deles, outros

componentes electrónicos foram reduzidos e montados num único

CHIP, que já calculavam em nanos segundos (bilionésimos).

 5.1. Definição das válvulas e dos transístores

O transístor é um dispositivo semicondutor que tem como função principal amplificar

um sinal elétrico, principalmente pequenos sinais, tais como:

 Sinal de TV
 Sinal de rádio
 Sinal biológico

Válvula electrónica é um dispositivo criado com o propósito de controlar uma tensão

por meio de um elétrodo e com ganho de ampliação. Isso vai gerar uma pequena tensão
de entrada, que controla uma grande tensão de placa.

5.2. Método de fabrico dos transístores

Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor)
controla a corrente que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode
ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do dispositivo
origina-se de seu princípio de operação. O controlo é baseado no campo elétrico
estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controlo. O transístor MOSFET
(acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transístor, ou transístor de efeito
de campo de semicondutor de óxido metálico), é de longe, o tipo mais comum de
transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

Construção transístor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico como

mostra a figura 3.
Figura 3: Construção transístor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico

Fonte: Gozzi. G. G. M. (2013).

Praticamente todos os equipamentos electrónicos projetados hoje em dia usam

componentes semicondutores. As vantagens sobre as difundidas válvulas eram bastantes
significativas, tais como:

 Menor tamanho, mais leve e mais resistente;

 Não precisava de filamento;
 Mais eficiente, pois dissipa menos potência;
 Não necessita de tempo de aquecimento;
 Menores tensões de alimentação.
Os transístores bipolares de junção podem ser divididos, quanto a sua construção e
portanto funcionamento, em transístores NPN ou PNP.

O transístor bipolar (TBJ) tem uma capacidade, além da amplificação, de controlar a

corrente eléctrica. O transístor bipolar possui duas camadas de cristais semicondutores
do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal semicondutor do tipo oposto. Os
nomes dessas camadas (coletor, emissor e base) refletem sua função na operação do
transístor com mostra a figura 4.

Figura 4: Transístor da esquerda é chamado de NPN e o outro de PNP

Fonte: Pereira, Jonathan. (2015)

O emissor é a camada mais dopada, pois deve emitir portadores de carga para a base, a
camada mais fina e que possui uma dopagem intermediária, onde a maior parte dos
portadores lançados pelo emissor atravessam-na, dirigindo-se ao coletor, a camada
menos dopada, que recolhe os portadores que provém da base. O coletor também é a
camada mais grossa, pois a maior parte da potência dissipada ocorre nela.

O transístor mais utilizado é o NPN, pelo facto de ele comutar mais rápido que o PNP;
com mostra a figura 5 no seu funcionamento:

Figura 5: Funcionamento do transístor NPN

Fonte: Gozzi. G. G. M. (2013).

A figura 5, percebe-se que a junção base-emissor está polarizada diretamente, enquanto
a junção base-coletor está polarizada reversamente. Como a junção base-emissor
comporta-se como um díodo que conduz (VBE ≅ 0,7 V), há um grande fluxo de
portadores majoritários, que se dirige à própria base. Contudo, existe uma atração maior
exercida pelo coletor (VCB ˃ VBE) que faz com que este fluxo dirija-se quase que
totalmente para ele. Deve-se ainda nos lembrar de que a corrente se dirige mais ao
coletor pelo facto de este possuir a menor dopagem.

5.3. Símbolos das válvulas e dos transístores

Transístor de Junção (TBJ) - NPN

Figura 6: Transístor de Junção (TBJ) da esquerda é chamado de NPN e o outro de PNP

Fonte: Gozzi. G. G. M. (2013).

 Figura 7: Esquema básico de um tríodo (Válvula).

Fonte: Magon, C. José. (2019)

5.4. Diferença entre válvulas e transístores

A diferença entre válvulas e transístores são no transístor temos uma corrente que flui
entre o coletor e o emissor controlada por uma corrente da base e na válvula o que
temos é uma tensão. Assim, enquanto o transístor é um típico amplificador de corrente a
válvula é um amplificador de tensão.

5.5. Diferença entre transístores TBJ e FET

Os transístores de efeito de campo apresentam algumas diferenças muito importantes

quando comparados ao transístor bipolar. Dentre as principais diferenças, destacamos o
fato de que eles praticamente não possuem corrente no terminal de controlo (porta), o
que resulta em correntes de dreno e de fonte iguais. A representação gráfica destes dois
tipos de transístores é a apresentada nas figuras 8 e 9 representar o transístor FET de
forma similar ao transístor bipolar TBJ.
 Figura 8: O transístor FET
Fonte: Braatz, Luciano. (2017)

Figura 9: O transístor bipolar TBJ

 Fonte: Pereira, Jonathan (2015)

A diferença fundamental entre os dois tipos de transístores é o facto de que o TBJ é um

dispositivo controlado a corrente, enquanto o FET é um dispositivo controlado por
tensão. Por outro lado o TBJ apresenta maior sensibilidade as variações do sinal
aplicado enquanto os FETs não.

O FET tem as seguintes características no seu funcionamento que são:

 Baixo ganho de tensão;

 Alto ganho de corrente;
 Altíssima impedância de entrada;
 Elevada impedância de saída
 Baixa geração de ruido;
 Tempo de chaveamento rápido;
 Facilmente danificado por eletricidade estática;
 Requer uma entrada para desligar;
 Dispositivo controlado por tensão;
 Exibe propriedades de resistor;
 Mais caro que bipolar;
 Difícil polarização.

O TBJ tem as seguintes características no seu funcionamento que são:

 Alto ganho de tensão;

 Baixo ganho de corrente;
 Baixa impedância de entrada;
 Baixa impedância de sada;
 Média geração de ruído;
 Médio tempo de chaveamento;
 Robusto;
 Não requer sinal para desligar;
 Dispositivo controlado por corrente;
 Barato;
 Fácil de polarização.
 5.6. Curva característica do transístor TBJ e FET

As figuras 10 e 11 mostra a curva característica dos transístores FET e TBJ

Figura 10: A curva característica do transístor FET

Fonte: Duarte, D. Teixeira. (2008)

Figura 11: A curva característica do transístor TBJ

Fonte: Duarte, D. Teixeira. (2008)

 5.7. Tipos básicos de FET

O transístor efeito de campo (FET, field effect transistor) é um dispositivo que controla
o fluxo de corrente por meio da tensão aplicada em um de seus terminais,
diferentemente do transístor bipolar (BJT, bipolar junction transistor), em que o fluxo
de corrente depende da corrente aplicada em seus terminais. O princípio de
funcionamento desse dispositivo está baseado na modulação aplicada em seus
elementos (portas), que vai controlar a corrente que circulará em uma região
denominada canal.

Existem basicamente dois tipos de transístor efeito de campo: MOSFET (metal- oxide-
semiconductor FET), também chamado de IGMOS (insulated gate MOS) ou transístor
MOS, e JFET (junction FET). Os MOSFETs são mais usados, principalmente em
circuitos integrados e como dispositivos de potência. Esses transístores podem ser
encontrados com polaridades de canal N e canal P.

Existem muitas diferenças entre o transístor efeito de campo e o transístor bipolar; as

principais são:

 Controle do fluxo da corrente: no FET é por tensão e no BJT por corrente.

 Impedância de entrada: no FET é muito alta (> 1 MΩ) e no BJT baixa (por causa
da junção PN polarizada diretamente).
 Tipo de portador: no FET é um elétrons livre ou lacuna e no BJT são elétron e
lacuna.
 Ganho de tensão: no FET é menor que no BJT.

5.8. Diferença entre JFET E MOSFET

A principal diferença entre o JFET e o MOSFET é a disponibilidade de dois modos de

polarização deste último:

 Modo Depleção – o transístor opera com a tensão Gate-Fonte, VGS no modo

desligado (“OFF”).
  Modo Enriquecimento – o transístor requer a tensão Gate-Fonte, VGS no modo
ligado (“ON”)

Figura 12: Constituição de transístores de efeito de campo.

Fonte: Schavarski, Henrique (2021)

O transístor JFET é um transístor unipolar disponível em configurações Canal N ou

Canal P. No transístor bipolar observa-se que a corrente de coletor é proporcional à
corrente de base, tornando o circuito amplificador operado por corrente.

O FET entretanto usa a tensão aplicada ao terminal gate para controlar a corrente que
flui através dos terminais source e dreno. Como a sua operação se baseia no campo
elétrico gerado no terminal gate torna o circuito amplificador FET um dispositivo
operado por tensão.

O MOSFET é um transístor que funciona como um JFET (controlado por tensão), mas
tem o terminal Gate eletricamente isolado do canal condutivo por uma camada fina de
SiO2. Esta camada ultrafina isolante atua como o elétrodo de um capacitor, fazendo
com que a resistência de entrada do MOSFET seja extremamente alta (da ordem de
Mega-ohm).
A figura13 mostra o transístor JFET

Figura 13: O transístor JFET

Fonte: Magon, C. José. (2019)

O MOSFET apresentam um terminal adicional chamado Substrato que normalmente

não é usado nem como terminal de entrada nem de saída, mas usado para aterrar o
terminal Substrato. Ele conecta o canal condutivo por meio de uma junção díodo ao
corpo metálico do MOSFET.

Normalmente em MOSFET discreto, o terminal Substrato é conectado internamente ao

terminal Fonte. Neste caso, como em MOSFET modo enriquecimento, o Substrato é
omisso do símbolo eléctrico.

A linha que conecta o Dreno (D) e o Fonte (S) representa o canal condutivo do
transístor. Se esta linha for contínua, ela representa o modo depleção ON pois a corrente
de dreno pode fluir com potencial de Gate zero. Se a linha do canal for pontilhada ou
tracejada, então ela representa o modo enriquecimento OFF, pois uma corrente de dreno
nula flui sob potencial de Gate nulo. A direção da seta apontando ao canal indica se o
canal condutivo é tipo N ou tipo P; Como mostra a figura 13.
 Figura 14: O transístor MOSFET

Fonte: Magon, C. José. (2019)

Diferença de polarização de JFET e MOSFET

A tabela 1 mostra a diferença de polarização

Tipo JFET MOSFET

Modo depleção Modo Modo
depleção Enriquecimento

Polarização ON OFF ON OFF ON OFF

Canal N OV -Ve OV -Ve +Ve OV
Canal P OV +Ve OV +Ve -Ve OV
Fonte: autor

5.9. Circuitos básicos com transístor bipolar e FETs

Os circuitos básicos com transístor FET:

Nas aplicações o MOSFET é muito utilizado na fabricação de circuitos integrados de

portas lógicas, registadores e memorias, entre outros. Isto se justifica pelo facto desse
dispositivo dissipar baixíssima potência e também, por possibilitar a integração em larga
escala (ocupa uma pequena área). Como mostra a figura 15.

a)

b)

Figura 15: Os circuitos básicos com transístor FETs a) JFET e b) MOSFET

Fonte: Duarte, D. Teixeira. (2008)
Os circuitos básicos com transístor TBJ.

Figura 16: O circuito básico com transístor TBJ

Fonte: Schavarski, Henrique (2021)

Parâmetros importantes dos circuitos

 Impedância de entrada (Zi)
 Impedância de saída (Z0)
 Ganho de tensão (Av)
 Ganho de corrente (Ai)

5.10. Polarização do transístor bipolar e FET

Uma junção PN é polarizada diretamente e a outra inversamente. A união desses dois

componentes poderá ser feita de duas formas: união através do material P, para produzir
um transístor NPN e união através do material N, para produzir um transístor PNP.
Como mostra a figura 17.
 Figura 17: Polarização de transístor NPN e PNP

Fonte: Medeiros, Renato. (2014)

Polarização de transístor FET

O termo polarização significa a aplicação de tensões DC em um circuito para

estabelecer valores fixos de corrente e tensão. O Ponto de polarização (ponto
quiescente) deve ser localizado na região activa e dentro dos valores máximos
permitido.

Na polarização de transístor FET tem quatro formas de polarização que são:

Polarização direta em JFET;

Autopolarização em JFET;

Divisão de tensão em JFET e MOSFET.

Realimentação (MOSFET intensificação)

5.11. Determinação do ponto de funcionamento

Dentro das curvas características, existem vários pontos onde o transístor pode
funcionar nas regiões de trabalho:
  Se o ponto de operação for na região activa, o transístor pode funcionar como
amplificador;
 Se o ponto de operação for na região de saturação, ou de corte, o transístor pode
funcionar como uma chave electrónica.

Para tanto, é necessário fixar o ponto de operação numa das regiões de trabalho do
transístor. Esta fixação é feita em corrente contínua, através de resistores; a isto
chamamos de polarização. O ponto de operação fixado é denominado ponto
quiescente (Q). Circuito de polarização para configuração emissor comum

 Região de corte (ic ≅ 0): as duas junções estão polarizadas reversamente; a

corrente de coletor é praticamente nula - é como se transístor estivesse desligado
do circuito.
 Região de saturação (VCE≅ 0): as duas junções estão polarizadas diretamente,
onde uma pequena variação na tensão de saída resulta numa grande variação da
corrente de saída; é como se o transístor estivesse em curto-circuito.
 Região ativa (entre o corte e a saturação - ib é linear): região central do gráfico
de saída, onde as curvas são lineares. Para que o transístor em emissor comum
funcione na região ativa, é necessário polarizar diretamente a junção base-
emissor, e reversamente a junção base-coletor, como já foi exposto
anteriormente.

5.12. Características das regiões de saturação, de corte e óhmico

As características das regiões de saturação, de corte e óhmico são:

Região de saturação

 Está região representa a região no qual a corrente do coletor cresce bastante com
o redução da tensão entre o coletor e emissor (0 a 1 V).
 Nesta região o díodo coletor base está diretamente polarizado.
 O valor de resistência da carga deve ser pequena bastante para levar o transístor
para a saturação, de forma que quase toda a tensão da fonte é aplicada na carga.

Região de corte
  Nesta região a corrente de base é nula.
 Existe apenas nesta configuração uma pequena corrente de fuga do coletor.

Região ativa

 Está região representa a operação normal do transístor. Nesta região o díodo

base-emissor está polarizado diretamente e o díodo base-coletor inversamente
polarizado.
 Nesta região, o coletor captura praticamente todos os elétrons que o emissor está
jogando na base.

A reta de carga possui todos os pontos de operação do circuito, considerando as

características do transístor.

Ponto de saturação - ponto onde a reta de carga intercepta a região de saturação das
curvas do coletor. Ponto de corrente Ic máxima do circuito.

5.13. Determinação das especificações técnicas dos transístores NPN e PNP.

Os transístores têm duas junções, uma entre o emissor e a base e outra entre a base e o
coletor. Por causa disso, um transístor se assemelha a dois díodos. Chamamos o díodo
da esquerda de díodo emissor e o da direita de díodo coletor. Podemos utilizar
transístores tipo NPN e PNP (conforme figuras abaixo). O que difere um do outro é o
tipo de portadores de cargas que serão lançados pelo emissor.

Na figura a seguir vê-se cristais que formam o transístor. O emissor é densamente

dopado; sua função é de emitir, ou injetar elétrons na base. A base é levemente dopada e
muito fina; ela permite que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor passe para o
coletor. O nível de dopagem do coletor é intermediário, entre a dopagem densa do
emissor e a dopagem graça da base. O coletor coleta ou junta os elétrons oriundos da
base. É o maior pedaço do cristal e é nele que a maior parte de calor será dissipado.
Como mostra a figura 18.
 Figura 18: Especificações técnicas dos transístores NPN e PNP

Fonte: Medeiros, Renato. (2014)

Como os díodos, os transístores também possuem sua camada de depleção. Entretanto,

como temos agora dois díodos, teremos duas camadas de depleção. Se for de silício,
teremos 0,7 V para cada camada de depleção. Utilizaremos os transístores de silício,
pois proporcionam especificações de tensões maiores, maior corrente e menor
sensibilidade à temperatura.

5.14. Determinação das especificações técnicas dos transístores canal N e P.

O transístor de efeito de campo é controlado pelo terminal de gatilho, fazendo com que
a largura do canal aumente ou diminua à medida que se aplica ou retira tensão entre este
terminal e a fonte. Por isso este transístor é denominado de efeito de campo, pois a
corrente de dreno é controlada pela tensão (campo eléctrico) entre o gatilho e a fonte .

Com relação às perdas no MOSFET é importante notar que as perdas por condução
dependem do quadrado da corrente de dreno, o que em altas potências é ruim, pois para
altas correntes as perdas serão elevadas. Aqui se tem uma desvantagem dos transístores
MOSFET em relação aos BJTs.

A construção básica do FET do tipo depleção de canal N é uma camada grossa de

material tipo P é formada a partir de uma base de silício, e é chamada de substrato. Ela
representa o alicerce sobre o qual o dispositivo será construído. Em alguns casos, o
substrato está internamente conectado ao terminal de fonte. Entanto, muitos dispositivos
discretos oferecem um terminal adicional, denominado SS, em um dispositivo
resultando com quatro terminais. Os terminais de fonte e dreno são conectados por meio
de contatos metálicos as regiões N-dopados, ligadas entre si por um canal N. A porta é
conectada também a superfície metálica de contato, mas permanece isolada do canal N
por uma camada muito fina de dióxido de silício (SiO2). O SiO2 é um tipo particular de
isolante, denominado dielétrico que cria campos eléctricos opostos (por esta razão o
prefixo-di) quando submetido a um campo externo aplicado. O facto de a camada de
SiO2 representar uma camada isolante, revela o seguinte:

5.15. Práticas de medição dos transístores TBJ e FET.

Com o auxílio de um ohmímetro ele faz medidas entre cada par de terminais e obtém o
resultado mostrado na Figura 19. Nesta figura, os sinais entre parênteses correspondem
às respectivas polaridades dos terminais do ohmímetro. Um transístor não é uma
associação série de dois díodos.

Figura 19: Teste de um transístor bipolar

Fonte: Magon, C. José. (2019)
As únicas combinações que resultaram leituras finitas foram entre 1 e 3 (vermelho no 1
e preto no 3) e entre 2 e 3 (vermelho no 2 e preto no 3).

Estas duas leituras devem indicar polarização direta da junção PN, entre base e emissor
e, entre base e coletor. O terminal comum entre estas duas medidas tem que ser a base.
Portanto, a base é o terminal número 3 e, os terminais 1 e 2 correspondem (mas não
sabemos em que sequência) ao emissor e coletor.

Além disso, nas duas medidas com resultado finito a base (3) estava negativa, portanto,
se trata de um transístor PNP.

Neste teste, determinamos o tipo de transístor e também qual é o terminal que

corresponde à base.

Entretanto, não conseguimos distinguir entre coletor e emissor. Como podemos resolver
este problema?

Nisto fica um pouco mais complicada. É necessário conhecer um pouco mais sobre a
tecnologia de construção do transístor para responder esta pergunta. Aqui, vamos
apenas ensinar quais as formas mais comuns que podem ser utilizados.

Se o transístor que está sendo testado for do tipo que possui uma carcaça metálica, a
resposta deste problema pode ser trivial porque, “usualmente”, a fim de otimizar a
dissipação térmica a carcaça está conectada ao coletor. Portanto, o coletor será o
terminal que tiver resistência nula com relação à carcaça do transístor (mas, vejam bem,
este método não é 100% confiável).

 Normalmente o terminal positivo do ohmímetro é vermelho e o negativo é preto,

porem, pode haver definições distintas entre instrumentos digitais e analógicos.
Só há uma maneira de ter certeza qual é a polaridade correta dos terminais do
seu instrumento e este é o objectivo deste item da prática. Meça a diferença de
potencial entre os terminais do seu ohmímetro com um voltímetro ou com um
osciloscópio e determine quem é o positivo e, consequentemente, quem é o
negativo.
 Teste as junções do transístor, tomando-as duas a duas, como se fossem díodos e
repita na prática a análise feita da seção anterior (Figura 10.7). Conclua se o
transístor está bom e determine qual é o tipo (NPN ou PNP) e quem é a base.
Os transístores de efeito de campo podem ser testados com o multímetro, do mesmo
modo que díodos e transístores bipolares de junção. Do mesmo modo, podem estar em
bom estado, abertos ou em curto-circuito. Lembre que o MOSFET possui um díodo
intrínseco entre source e dreno, fazendo com que o mesmo conduza quando polarizado
diretamente.

Em síntese, o teste de um MOSFET resulta em não condução entre dreno e source,

quando não houver sinal no gatilho. Por outro lado, pode-se carregar a capacitância de
entrada do MOSFET (Ciss) aplicando uma tensão no gatilho, mesmo com o multímetro.
Aguarda-se um tempo e a seguir mede-se novamente a condução entre dreno e source,
que agora deverá ocorrer. A seguir, inverta a polaridade da tensão aplicada ao gatilho,
descarregando Ciss; agora não deve mais ocorrer condução entre dreno e source.

Na Figura 20 mostra-se uma figura sintetizando o que foi exposto anteriormente. Veja
que nesta figura o autor utilizou um multímetro analógico e possivelmente será utilizado
um multímetro digital nos testes a serem realizados em laboratório.

Figura 20: Multímetro digital para teste de transístores de feito de campo.

Fonte: Magon, C. José. (2019)
 6. Conclusão

Com o fim do trabalho conclui- se que todos os equipamentos electrónicos projectados

hoje em dia usam componentes semicondutores. Sendo que os transístores são utilizados
como elementos de amplificação de corrente e tensão, ou como elementos de controlo
ON-OFF. Tanto para estas como para outras aplicações, o transístor deve estar
polarizado corretamente.

A escolha do componente sempre é uma tarefa crítica, pois em algumas regiões de

operação as diversas tecnologias podem ser interessantes. Nestes casos precisasse fazer
uma análise detalhada para se verificar qual tecnologia de componente terá vantagens
técnicas e econômicas sobre as demais.

A tecnologia mais recente em desenvolvimento de transístores de potência e que está

disponível comercialmente emprega carbeto de silício (silicone carbide) na melhora das
características dos transístores, sejam BJTs e MOSFETs.

Estes componentes são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos, dos mais

diversos, desde aplicações de baixas potências, até centenas de

Watts. Atualmente, pelas suas características mais interessantes em termos de

velocidades de chaveamento e de facilidade de acionamento, tem ocorrido grande
preferência pelos transístores de efeito de campo, em específicos os transístores de
efeito de campo de metal-óxido (MOSFET).
 7. REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA

Braatz, Luciano. Instituto Federal Sul- Grandense: MEC/SETEC IFSUL – Campus

Pelotas Curso Técnico de Eletrônica 4º Semestre, Electrónica Geral II; 2017.

Duarte, D. Teixeira. Universidade Federal do Rio de Janeiro: Escola Politécnica;

Departamento de Engenharia Electrónica e de Computação. Traçador das Curvas
Características de Transístores de Juncão Bipolar (TBJ) e de Efeito de Campo (FET);
DEL, Marco de 2008.

Gozzi. G. G. M. (2013). Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza Escola

Técnica Estadual “Lauro Gomes” Apostila de Electrónica Analógica; AN2-2ª série de
Electrónica - período noturno, São Bernardo do Campo. 2013

Magon, C. José. Universidade de São Paulo – USP Instituto de Física de São Carlos –
IFSC São Carlos, Conceitos básicos da Eletrônica: teoria e prática. SP, Brasil. 2019

Medeiros, Renato. Pontifícia Universidade Católica de Goiás: Departamento de

Matemática e Física MAF 1292. Eletricidade e Electrónica Goiânia 2014.

Pereira, Jonathan. Instituto Federal de Educação e Ciência e Tecnologia Rio Grande do

Norte: Transístores Bipolares Parte I. 2015

Petry, C. António. Centro Federal de Educação Tecnológica de Santa Catarina:

Departamento de Eletrônica. Eletrônica Básica e Procjetos Electrónicos. Polarização de
transístores bipolares de junção; Florianópolis, abril de 2007.

Schavarski, Henrique. Universidade Tecnológica Federal do Paraná Engenharia

Electrónica: Fabricação e Caracterização de Transístores Orgânicos de Efeito de
Campo com Porta Eletrolítica; trabalho de Conclusão de Curso. Toledo 2021