Conferência 3

Dispositivos semicondutores modernos da Eletrônica de Potência.

Sumário.

3.1 Transístor bipolar de Potência (BJT)

3.2 Transístor Mosfet de Potência (Mosfet)
3.3 Transístor IGB de Potência (IGB)
3.4 Transístor de Indução estática (SIT)

Objetivo.

Familiarizar-se com os componentes modernos da Eletrônica de Potência.

Introdução.

Os transístores de potência operam na região de saturação pelo que possuem

baixa queda de voltagem em estado ativo. Possuem maior velocidade de
comutação que os tiristores pelo que são ampliamente utilizados em conversores
CA-CD e CD-CA com diodos conectados em antiparalelo, para proporcionar um
fluxo bidirecional da corrente; entretanto as especificações da voltagem e corrente
são menores que os tiristores, por isso são utilizados os transístores em
instalações de potência baixa e meia. Os transístores de potência se podem
classificar em forma general em 4 categorias.

1. Transístores bipolares de juntura (BJT)

2. Transístores de efeito de campo (Mosfet)
3. Transístores de indução estática (SIT)
4. Transístores bipolares de composto isolado (IGBT)

Os transístores interruptores são muito mais simples que os tiristores de

comutação forçada, não obstante, possuem algumas limitações que devem ser
tomadas em conta ao selecionar os semicondutores de potência para uma
aplicação em particular.

3.1 Transístor bipolar de potência (BJT.)

O desenvolvimento dos BJT se deve fundamentalmente ao progresso que

alcançou nos últimos anos a Eletrônica de Potência; em especial som
ampliamente utilizados no controle de motores de pequena potência e mediante
potencial ( 100 KW), atualmente se dispõe de transístores de potência de
até 1000 E V e 300 A. Para dispositivos de maior tensão se reduz a capacidade de
corrente, e para dispositivos de maior corrente se reduz a voltagem.

Para dispositivos de baixa tensão, o tempo de comutação é inferior a 1s e de

alguns s para os restantes.

1
A estrutura interna do transístor bipolar de potência é similar a de seus homólogos
de baixa potência. Estão compostos por três capas N-P-N ou P-N-P como se
mostra na figura 3.1.

Fig. 3.1-a Transistor NPN Fig. 3.1-b Transistor PNP

Devido a sua estrutura interna, os transístores de potência, não puderam controlar

os níveis de potência que dirigem os tiristores, mas têm a vantagem de poder
controlar ao aceso e bloqueio, o qual solo se obteve no caso dos GTD, MCT, e
SITH.

Os transístores bipolares de potencializa empregados nos conversores estáticos

trabalham como interruptores, nos quais se definem três estados: bloqueio,
condução e os estados transitivos que permitem o passo de um estado estável a
outro.

Na atualidade os transístores bipolares são capazes de dirigir potências

superiores aos 150 KW e freqüências superiores aos 20 KHz o que representa um
avanço notável.

3.1.1 Princípio de Funcionamento.

Se se analisar a estrutura e funcionamento dos transístores bipolares de baixa

potência, com respeito aos de alta potencializa, chega-se à conclusão de que o
problema fundamental radica em aumentar a tensão C – E máxima permissível
(VCE máx.) Para obter valores altos da Tensão de ruptura C – E, constróem-se
regiões de coletor e base grossos e estreitos, segundo a seção transversal da
oblea, com relativo alto valor de resistência (baixa concentração de impurezas.)

Este tipo de estrutura embora reduza o problema exposto sacrifica o ganho hfe e
limita a corrente de coletor máxima.

3.1.2 Transístor NPN.

2
A região do emissor esta composta por material semicondutor tipo N com um alto
grau de impurezas. Esta base formada por um material tipo P com um grau de
concentração intermédio e é relativamente grosso e a região desta coletor
formada por dois capa, a primeira N negativa com baixa concentração de
impurezas e a segunda N positiva com alta concentração.

Devido a esta disposição na região de coletor, virtualmente se aplica toda a tensão

na capa N negativa, enquanto que a capa N positiva não participa do
funcionamento elétrico do dispositivo, limitando-se a proporcionar conexão elétrica
e suporte mecânico. A estrutura interna se mostra na figura 3.2.

E C
N P N+ N-

B
Fig. 3.2 Estructura interna de un
transistor bipolar

As dimensões da região da base estão determinadas por dois requerimentos

técnicos que estão em contraposição: Se o grosso da base aumenta, incrementa o
VCEmáx pela diminuição da hfe. Pelo contrário se a base se reduz, o ganho hfe
aumenta e VCEmáx se reduz. Atualmente este um problema a resolver, quer dizer
obter transístores de potência com altos valores de hfe e VCE máximos.

Apesar de que há três configurações possíveis: coletor comum, base comum e

emissor comum, a mas utilizada é de emissor comum. Na figura 3.3 se mostra a
mesma para um transístor NPN, assim como as características de entrada e
saída.

Fig. 3.3-a Diagrama de circuito Fig. 3.3-b Características de entrada

 Fig. 3.3-c Características de salida

Em um transístor existem três regiões de operação, corte, ativa e saturação. Na

região desta corte desativado, ou a corrente de base não é a suficiente para ativá-
lo, tendo ambas as uniões polarizadas inversamente. Na região ativa o transístor
atua como um amplificador, amplificando-se Ic e Vce com o Ib; a união C - B tem
dolarización inversa e a união B - E direta. Na região de saturação a Ib é o
suficientemente alta para o Vce ser baixo comportando o transístor como um
interruptor. Ambas as uniões C - B e B - E têm polarização direta.

O característica de transferência, que é um grafico do Vce em função do Ib

aparece na Fig. 3.4.
Fig. 3.4 Características
de transferencia.

4
O ganho de corrente é: , portanto: , além disso,, como
pode apreciar-se na figura seguinte:

Fig. 3.5 Modelo de un

transistor NPN

A corrente de coletor é controlada pela corrente de base. Também se se fixa a Ib e

se incrementa o Vce se realiza o valor de ruptura direto ocorrendo a avalanche na
união colectora, perdendo a base o controle sobre o dispositivo. Pelo contrário se
aumentar o Vce em sentido inverso, chega-se à tensão de ruptura inversa
produzindo a avalanche na união emissora. Esta avalanche ocorre C com um valor
de tensão muito baixo, por isso se recomenda que os transístores bipolares de
C
potência trabalhem com o Vce em sentido direto.IB Se em alguma aplicação
especifica o transístor pode estar submetido a voltagens inversas Ic perigosas, é
necessário
B protegê-los para evitar uma ruptura inversa indesejável para isso se
coloca um diodo em paralelo entre C – E, ou em serie com o emissor,IE como se
E
pode ver na figura 3.6.

E
5
Fig. 3.6-a Tensión inversa elevada Fig. 3.6-b Tensión inversa baja
Na prática o transístor bipolar de potência só se utiliza em regime de comutação,
por isso a zona ativa mostrada nas características de coletor da figura 3.3 não
interessa, por isso idealmente possui dois estados estáveis como se mostra na
figura 3.7.

B
Saturación

V
A Corte

Fig. 3.7 Transistor como

interruptor

3.1.3 Características estáticas e dinâmicas.

As características estáticas e dinâmicas, assim como a característica de controle

dos transístores bipolares de potência, estão associados às características de
coletor, entretanto, estes transístores na Eletrônica de Potência se utilizam como
computadores, portanto solo são úteis as zonas estáveis de trabalho (corte e
saturação), se tratando sempre de evitar a operação na zona ativa e realizando o
transito através deles à velocidade mas alta possível para minimizar as perdidas
nesta zona, as quais são elevadas. Portanto as perdidas predominantes no
transístor são os da zona de condução, os quais se determinam pela magnitude
da corrente de trabalho e sua duração, o qual depende da carga e da duração do
pulso de controle.

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 Na figura 3.8 se mostra o transístor como um computador real, enfatizando-a
dependência que existe entre a potência possível a controlar e o largo do pulso de
controle.

Condición de
cto. Circuito IB IB Ic
alta.
Ic.
Ic.
Corte Línea de

Saturación
VCE carga
Condición de
circuito
abierto IB=0 IE

Fig. 3.8-a Estado de saturación y

corte

Fig. 3.8-b Transistor como conmutador

100µs = T
IC(A)
10µs 1ms = T
200
10ms = T
100
100ms = T
10
Zona
Segura de
1 trabajo
T
VCE (volts)
0.1
Zona segura de trabajo
5 10 50 100 500

Na figura 3.8.a se observam os estados de corte e saturação nos que permanece

o transístor quando aparece em regime de comutação. No estado de corte se
calcula uma pequena corrente enquanto que no estado de saturação circula uma
alta corrente. Em ambos se produzem perdidas, mas as de saturação são as mais
significativas.

Na medida em que diminui o tempo em que o transístor permanece em ambos os

estados, as perdas se reduzem, portanto é importante conhecer o tempo que o

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transístor suporta o valor da potência foto instantânea, para evitar o aquecimento
excessivo.

Na figura 3.8.b se brinda a informação necessária para garantir o funcionamento

seguro do transístor. Para o exemplo que se mostra, se o pulso de controle tem
uma duração de 100µs, o transístor pode controlar as magnitudes de tensão e
corrente (500V e 200A), durante esse mesmo tempo por cada período de
comutação, e qualquer outra potência menor dada no intervalo da zona segura de
trabalho.

Se o pulso de controle dura 100µs, a potência foto instantânea máxima

permissível compreende à hipérbole de máxima potência de controle a t=100µs.
Então a área interior limitada pelos eixos coordenados e sorte hipérbole
correspondem à zona segura de operação. Esta análise é extensiva às outras
curvas que se mostram.

A incidência das perdas de comutação, na operação segura do transístor depende

dos seguintes fatores:

a) Tem uma relação direta com a potência foto instantânea (produto

tensão por corrente foto instantânea), desenvolvido pela região tanto
de corte como em saturação.
b) Aumenta com o tempo em que o transístor permanece nesses
estados.
c) Aumenta com a freqüência de comutação, podendo chegar a uma
percentagem significativa da potência a controlar.

Para garantir o transito pela zona ativa a maior velocidade possível os pulsos
devem ter borde de ascensão e baixada abruptos.

Como os valores de ganho hfe que se obtêm nos transístores bipolares de

potência são relativamente baixos se podem realizar conexões Darlington para
obter maior ganho prejudicando-se um pouco a velocidade de comutação.
Atualmente se obtêm freqüências de operação de 20 Khz. A conexão Darlington
se mostra na figura 3.9.

D
Fig. 3.9 Conexión
Darlington.
8

R1 R2 E
Na atualidade se fabricam módulos para aplicações específicas, os quais podem
estar integrados por várias configurações similares conectados em paralelo,
aumentando-se desta forma as possibilidades de comutar a uma maior
potencializa.

Nestes casos se devem controlar estritamente as condições de dissipação de

potência do conjunto, pois como os transístores têm um coeficiente negativo de
variação da resistência com a temperatura, um ligeiro desbalance pode originar a
carreira térmica de um de seus integrantes.

Frente aos tiristores, os transístores têm a vantagem de que para passar de

condução a bloqueio só é necessário diminuir ou anular a corrente de base, não
necessitando-se de circuitos especiais de comutação como ocorre nos tiristores.
Outra vantagem é que os tempos de passagem de bloqueio a condução e de
condução a bloqueio são de passos microsegundos.

Entre as desvantagens, podemos mencionar que necessitam uma alta corrente de

base continuamente para estar em condução enquanto que o tiristor só necessita
um impulso de porto para produzir o disparo. Outro inconveniente é que não
alcançam tão altas potências como os tiristores.

Por estas razões se preferem os transístores nos conversores que necessitam

altas freqüências de comutação.

3.2 Transístor MOSFET de Potência.

Durante muito tempo as aplicações que requerem governar altas potências foram
realizadas com tiristores e transístores bipolares os quais possuem algumas
limitações.

Os tiristores governam altas potências com baixo consumo no circuito de controle

mas possuem uma freqüência limite de trabalho. Os transístores governam altas
potências a freqüências superiores aos tiristores mas têm um alto consumo de
potência no circuito de controle. Além disso como aumenta a magnitude de
potência ou governar diminui a velocidade de resposta não podendo conjugar-se
em um mesmo dispositivo alta potencializa, boa eficiência e alta freqüência.

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Devido às limitações assinaladas anteriormente se desenvolveu um novo tipo de
transístor MOSFET de potência o qual possui elevada impedância de entrada, alta
ganho de corrente (hfe) e maior velocidade de comutação.

Um MOSFET de potência é um dispositivo controlado por voltagem que requer

sozinho de uma pequena corrente de entrada; a velocidade de comutação é muito
alta, sendo os tempos de comutação da ordem dos nanosegundos.

Os MOSFET de potência estão encontrando cada vez mas aplicações nos

conversores de alta freqüência e baixa potência. Os MOSFET não têm os
problemas dos fenômenos de ruptura secundária que tem os transístores
bipolares.

Entretanto, os MOSFET têm problemas de descargas eletrostáticas, por isso seu

manejo requer de cuidados especiais. Além disso é estritamente necessário
protegê-los baixo condições de sentenças por curto-circuito.

Os MOSFET são de dois tipos:

 De esgotamento
 De enriquecimento

Um MOSFET de esgotamento de canal N se forma de um sustrato de silício de

tipo P, tal como se mostra na figura 3.10.

Com dois silícios N positivos fortemente dopados para ter conexões de baixa
resistência. A composta está isolada do canal mediante uma magra capa de
oxido. Os três terminais se conhecem como comporta (G), drenador (G) e fonte
(S); normalmente o sustrato se conecta à fonte. A voltagem de comporta a fonte
VG pode ser positivo ou negativo.

Se VG é negativo alguns dos elétrones da área do canal N serão repelidos e se

criará uma região de esgotamento por debaixo da capa de óxido, resultando um
canal com alta resistência de D a S (R DS.) Se VG se faz suficientemente negativo,
o canal se esgotará totalmente, oferecendo um alto valor de R DS e, não haverá
fluxo de corrente de D a S (IDS=0), quando isto ocorre, o valor de V DS se conhece
como voltagem de estreitamento (VP.) Por outra parte se V G é positivo, o canal se
alarga e IDS aumenta devido à redução de RDS.

10
Um MOSFET tipo enriquecimento de canal n, não tem um canal físico, tal como se
pode observar na figura 3.12. Se VGS for positivo, uma voltagem induzida atrairá
os elétrones do sustrato tipo p, e os aumentará na superfície por debaixo da capa
de oxido. Se VGS for maior ou igual à voltagem de soleira (V T), acumulará-se um
número suficiente de elétrones para formar um canal virtual n e a corrente fluirá
da drenagem à fonte. Se se tratar de um MOSFET tipo enriquecimento do canal p,
as polaridades de VDS, IDS e VGS se invertem, como se vê na figura 3.13.

O controle se exerce pela porta através de um dieléctrico (Se Ou 2.) Esta capa
permite que a fonte exerce sua ação sobre o canal de forma eletrostática se
consumo de corrente virtualmente.

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3.2.1 Características estáticas dos transístores MOSFET de Potência.

Os MOSFET são dispositivos controlados por voltagem pelo que têm uma
impedância de entrada muito alta. A composta utiliza uma corrente muito pequena,
da ordem dos nonoampere. O ganho de corrente, que é a relação entre a corrente
drenagem VÃO e a corrente de entrada da comporta IG é da ordem de 10 6 .
Entretanto o ganho da corrente não é um parâmetro importante. A
transconductancia, que é a relação da corrente de drenagem a voltagem da
comporta, define as características de trasferencia sendo um parâmetro muito
importante.

Na Fig. 3.14 (8.23 Pág. 283 texto) mostram-se as características de saída de um

MOSFET de potência os quais são similares aos transístores bipolares de

12
potencializa com a diferença que os MOSFET são dispositivos controlados por
voltagem.

Fig. 3.14 Característica de transferencia del MOSFET.

Nos MOSFET de potência, a operação na zona ativa não é importante já que

trabalham ON – OFF (corte e saturação)

VDS (saturação) 13 volts pelo que a dissipação de potência constitui um elemento

importante.

Para obter o estado de corte se aplica uma tensão VGS=0

Em regime de pulso suportam grandes sobrecarrega superiores aos transístores

bipolares de potência.

Zona corte VÃO virtualmente constitui para qualquer incremento VDS

Zona ativa. VÃO variada em proporção à voltagem drenagem forte VDS, baixo
voltagem de drenagem e alta corrente de drenagem.

Zona Saturação. VDS virtualmente constante para qualquer incremento de VÃO.

Para os MOSFET de esgotamento, a voltagem de comporta pode ser positivo ou

negativo. Mas os MOSFET de enriquecimento só respondem a voltagens positivas
de comporta. Os MOSFET de potência são geralmente do tipo enriquecimento
canal N.

13
3.2.2 Características de comutação dos MOSFET tipo enriquecimento.

Sem sinal de comporta se comporta como um transístor (NPN.) A estrutura da

comporta tem necessidades parásitas com a fonte Cgs e com a drenagem CGn e
aparece outra capacitancia parásita entre a drenagem CDs.

Na Fig. 3.15 se mostra o modelo de um MOSFET tipo enriquecimento com os

efeitos parasitas.

Fig. 3.15 a) Modelo con diodo interno b) Modelo de conmutación.

O tempo de ativação de um MOSFET depende do tempo de carga da capacitancia

de entrada ou de comporta. Na Fig. 3.16 (Pág. 285) mostram-se as formas de
ordem e os períodos de comutação típicos.

Figura 3.16

O atraso de ativação td (ON) no tempo requerido para alcançar o nível de

voltagem soleira (VT) o tempo do é o tempo de carga da comporta da
voltagem soleira até a voltagem de comporta cumpre VGPS.

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O tempo de atraso da desativação Vão (OFF) é o tempo requerido para que a
capacitancia de entrada se descarregue da voltagem em sobre excitação da
comporta Vgi até o VGPS. O VGS deve reduzir-se significativamente antes de
que VDS comece a elevar-se, o tempo de abatimento tf é o tempo necessário para
a descarga da capacitancia de entrada desde o VGPS até a voltagem soleira VT.
Se VGS VT, o MOSFET se desativa.

O tempo de ativação se pode reduzir conectando um circuito RC tal como se

mostra na Fig. 3.17 para carga mais rápido a capacitancia de entrada.

Fig. 3.17 Circuito de aceleración de la activación de la compuerta.

Corrente de carga inercial doe Rs é a resistência interna da fonte de excitação da

comporta.

As velocidades de comutação são da ordem de 100 ns.

VDS são da ordem de 1,5 Volts.

Existem no mercado vários circuitos excitadores integrados, na atualidade os

circuitos com transístores de indução estática SIT ganharam grande popularidade.

3.3 SIT.

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Um SIT é um dispositivo de alta potencializa e alta freqüência.

Características.

 Baixa resistência de comporta.

 Pouco ruído
 Baixa capacidade comporta forte
 Pouca resistência térmica
 Baixa distorção
 Alta capacidade de potência em áudio freqüência
 Tempos de ativação e desativação muito pequenas da ordem 0,25 s
 Alta queda em estado ativo
 Velocidades de comutação até 100 Khz.
 Aplica-se em alta freqüência e alta potencializa em amplificadores de áudio
do OHF/VHF e de microondas.

3.4 IGBT

Os IGBT combina as vantagens dos transístores bipolares e os MOSFET. Um

IGBT tem uma alta impedância de entrada semelhante aos MOSFET e baixa
perdidas de condução em estado ativo, como os BTT, mas não apresentam
problemas de ruptura secundária como os BTT. Mediante o desenho da estrutura
do chip, a resistência equivalente de drenagem a fonte RDS se controla para que
se compartilha como a de um BTT que em um MOSFET esta se deve ao
substituto p positiva que é responsável por lfa injeção de portadores minoritário na
região na Fig. 3.19 se mostra o circuito equivalente.

16
 Fig. 3.19 Circuito equivalente e equivalente simplificado de um IGBT.

Um IGBT é um dispositivo controlado por voltagens similar a um MOSFET de

potência.

Vantagens.

 Menos perdidas de comutação

 Menos perdidas de condução
 Fácil excitação por comporta
 Excitação por voltagem
 Mais rápidos que os BJT

Desvantagens.

 Velocidade de comutação menor que o MOSFET

 O circuito de um IGRT se mostra na Fig. 3.20 (8.32 Pág. 289)

Especificações das BGBT.

 IC 400 A
 VCE 1200 E V
 Freqüência de comutação até 20- k Hz.

17
 Fig. 3.20 Símbolo e circuito de um IGBT.

Atualmente são ampliamente utilizados em acionamentos de motores AC e DC.

Modelo PSPICE de um BJT Pág. 297

Modelo PSPICE de um MOSFET de canal n Pág. 298

Bibliografia.

1. Eletrônica de Potência, circuitos, dispositivos e aplicações”. Rashid

Muhammad.
2. Microelectronic”. Millmam
3.Integrated Electronics...”. Millman e Halkias
4.Digital and switching waveforms”. Millman yTaub

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