ECA

ELETRÔNICA II – ENE06

SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA: BJT, FET - MOSFET

Prof. Ricardo Aparecido

Semicondutores de potência:

 Características do BJT para eletrônica de potência

 Constituição, funcionamento e características do FET e MOSFET

 Exemplos de aplicação
Transistor Bipolar de Junção – BJT
O emprego de transistores bipolares de junção

(BJTs) em circuitos eletrônicos é muito

frequente, o que também ocorre com circuitos

de eletrônica de potência. Especialmente em

circuitos eletrônicos de baixo custo, operando

em baixas frequências, é usual a utilização de

transistores bipolares de junção, além das

aplicações em circuitos de controle e comando,

proteção, supervisão, dentre outros.

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Os transistores bipolares de junção podem ser divididos, quanto a sua construção e portanto

funcionamento, em transistores npn ou pnp. Nas Figura 2 e Figura 3 mostram-se os dois

modelos e as variáveis principais nestes componentes.

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As principais relações básicas no

transistor são:

 Tensão base-emissor (VBE);

 Tensão coletor-emissor (VCE);

 Corrente de emissor (IE);

 Corrente de coletor (IC);

 Ganho (β).

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A partir dos valores destas variáveis pode-se
determinar se o transistor está operando em
uma de suas três regiões de polarização, quais
sejam:
 Região de corte – o transistor não estará
conduzindo;
 Região ativa - o transistor estará operando
na região de amplificação linear;
 Região de saturação – o transistor estará
conduzindo em sua capacidade plena.

Em eletrônica de potência emprega-se o transistor operando na região de corte e saturação,

visto que na região ativa as perdas são elevadas. Em outras palavras, aqui utiliza-se o
transistor como chave, conduzindo ou não-conduzindo.

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 Comutação do BJT

A comutação do transistor bipolar de junção

ocorre toda vez que o mesmo for comandado
a conduzir ou a bloquear. Para apresentar as
principais formas de onda do transistor
durante a comutação será utilizado o circuito
da Figura 11. Neste circuito, RL é o resistor
de carga (load), RB o resistor de base, onde
se tem a conexão de uma fonte de tensão
pulsada, ou seja, que aplica uma forma de
onda de tensão retangular para acionamento
do transistor.

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Observando a Figura 12, nota-se que a partir do
momento que a corrente de base começa
a aumentar, a corrente de coletor irá aumentar
logo em seguida, com a diferença de um
pequeno tempo, denominado de ton, ou seja,
tempo de entrada em condução, ou tempo de
ligamento.
Por outro lado, no momento que a corrente de
base diminui até zero, mesmo se tornando
negativa para garantir o bloqueio do transistor,
a corrente de coletor leva um longo tempo para
iniciar sua queda, representado por ts, fazendo
com que o tempo para bloquear (toff) seja alto.

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Conforme (Barbi, 2006), valores típicos para

transistores de potência, para IB1 = 2,5 A e

IB2 = 3,0 A são:

td = 0,2 µs;

tr = 0,7 µs;

ts = 3,0 µs;

tf = 0,7 µs;

Note que o tempo ton é a soma de td + tr, resultando em 0,9 μs. Já o tempo toff resulta de ts
+ tf = 3,7 μs. Tempos com estes valores limitam a frequência de operação dos transistores a
alguns quilo Hertz, o que representa uma desvantagem destes componentes em relação a
outras tecnologias, como por exemplo os MOSFETs.

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 Perdas do BJT

Em um transistor, assim como nos diodos semicondutores, se tem dois tipos de perdas:

Perdas por condução – ocorrem quando o transistor está conduzindo;

Perdas por comutação – aparecem na entrada em condução e no bloqueio do transistor.

As perdas por condução podem ser

determinadas pela expressão a
seguir, considerando que o
transistor está sendo utilizado em
um circuito chaveado, ou seja,
sendo ligado e desligado
periodicamente, ficando ligado por
um tempo ton e chaveando com
frequência de comutação
(chaveamento) f. 12
Já as perdas por comutação podem ser determinadas por:

É importante destacar que as perdas no transistor bipolar de junção dependem linearmente da

corrente ( VCE . IC ), o que é uma característica interessante em circuitos de alta potência,
isto é, que operam com altas correntes.
13
 Características importantes do TBJ
As principais características de um TBJ, para fins de projeto e escolha de modelo, são:

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 Características importantes do TBJ
Como exemplo, estas características para um transistor modelo TIP50, serão:

15
Um detalhe importante para transistores bipolares de junção é a diminuição do
ganho com o aumento da corrente.

O transistor TIP50, para corrente de 1 A, tem ganho que varia de 10 a 150.

Já um transistor 2N3055, para corrente de 15 A, tem ganho que varia de 5 a 70.

Isso pode levar a altas correntes de base, quando se deseja altas correntes de
coletor, o que é uma desvantagem dos transistores bipolares de junção em relação
aos transistores de efeito de campo - FET como veremos adiante.

16
Características importantes do TBJ

17
Características importantes do TBJ

18
Características importantes do TBJ

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 Área de operação segura - SOA
As folhas de dados dos transistores trazem uma informação muito importante sobre
a operação segura do componente, denominada de área de operação segura (SOA,
do inglês safe operating area).

Na Figura 15 mostra-se a curva

com a região de operação segura
do transistor TIP50. Note que para
uma corrente de coletor de 1 A e
tensão entre coletor e emissor de
até aproximadamente 40 V.

20
 Área de operação segura - SOA
o transistor estará operando na região segura. Acima disso deve-se verificar
ponto a ponto sua corrente e tensão, para garantir que a região segura não seja
extrapolada. Note também que se o transistor estiver sendo usado no modo
chave, com pulsos da ordem de 100 μs, sua área de operação segura aumenta
consideravelmente.

21
 EXEMPLO
Seja o circuito da Figura 41, considerando que a tensão da fonte seja de 12 V, o resistor de
100 Ω e o transistor, TIP31 esteja conduzindo, determine:

 A corrente do circuito;
 A potência no resistor R1
 A potência no transistor T1
 A potência fornecida pela fonte Vi

22
23
24
25
Transistor de Efeito de Campo
FET - MOSFET
 Introdução

Anteriormente foram revisados e apresentados aspectos relacionados aos

transistores bipolares de junção VOLTADOS PARA A ELETRÔNICA DE POTÊNCIA.

Estes componentes são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos, desde

aplicações de baixas potências até centenas de Watts.

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 Considerações iniciais

BJT - Transistor de Bipolar de junção FET - Transistor de efeito de campo

 Considerações iniciais
A família de transistores de efeito de campo é basicamente constituída pelos
transistores de efeito de campo com gatilho (JFET) e os transistores de efeito de
campo de metal-óxido (MOSFET).

Assim como existem transistores bipolares de junção NPN e PNP, existem

transistores de efeito de campo de canal N e de canal P.

29
 Considerações iniciais
Atualmente pelas suas interessantes características em termos de velocidades de
chaveamento e de facilidade de acionamento, tem ocorrido grande preferência
pelos transistores de efeito de campo - FET, em específico os transistores de efeito
de campo de metal-óxido (MOSFET).

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 Constituição

Na Figura mostra a constituição de um JFET (no lado esquerdo) e de um MOSFET

(no lado direito), onde nota-se três regiões, 1 Porta; 2 Dreno e 3 Fonte

FET MOSFET

2 2

1
1

3 3
31
• 1- Gatilho (gate) – terminal de controle do componente;

• 2- Dreno – terminal que drena a corrente (no sentido real) fornecida pela fonte
(source). No sentido convencional de circulação de corrente é o terminal por onde
entra a corrente;

• 3- Fonte (source) – terminal que fornece elétrons, no sentido real, e por onde sai a
corrente no sentido convencional.
FET MOSFET

2 2

1
1

3 3
32
MOSFET tipo Depleção
 Terminal de gatillho
O transistor de efeito de campo é controlado pelo terminal de gatilho, fazendo com
que a largura do canal aumente ou diminua à medida que se aplica ou retira tensão
entre este terminal e a fonte.
Por isso este transistor é denominado de efeito de campo, pois a corrente de dreno
é controlada pela tensão (campo elétrico) entre o gatilho e a fonte. Assim, pode-se
escrever:

ID = k VGS
Onde k é o ganho do transistor.

Note a diferença para o BJT:

IC = β IB .
34
 Curva típica de um MOSFET
A curva típica de um MOSFET canal N é mostrada na Figura a seguir, onde
notam-se três regiões de operação:

Região de corte – 1 Região de saturação – 2 Região linear ou ôhmica – 3

2
3

35
 Curva típica de um MOSFET
A curva típica de um MOSFET canal N é mostrada na Figura a seguir, onde notam-
se três regiões de operação:

• Região de corte – não identificada na figura,

é a região com VGS baixo, fazendo
com que a corrente de dreno (ID) seja
praticamente nula;

• Região de saturação – quando VGS tem valor

acima de aproximadamente 4 V a
corrente de dreno é constante, mesmo
variando a tensão de dreno-fonte (VDS);

• Região linear ou ôhmica – nesta região ocorre

uma variação linear entre a corrente de dreno
(ID) e a tensão entre dreno e fonte (VDS).
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 Curva típica do MOSFET
A tensão VTH é denominada de tensão de limiar (threshold) e representa o valor
de tensão a partir do qual o transistor entra em condução. Tipicamente é da
ordem de 4 V ( neste exemplo está em 7V).
A curva vermelha na curva representa a transição entre a região linear e a região
de saturação.

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Os MOSFET utilizados em eletrônica de potência tem símbolo e curvas conforme
mostrado na Figura a seguir.

No símbolo nota-se a presença de um diodo, que é intrínseco ao componente ou

seja, aparece na sua fabricação, denominado como diodo de roda-livre.

38
39
 Acionamento do MOSFET

O transistor MOSFET entra em

condução quando for aplicada uma
tensão entre o gatilho e o terminal
fonte (source) maior que a tensão de
limiar - VTH

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A chave S1 é responsável por conectar o terminal do gatilho na fonte de energia
(VCC) por meio do resistor R1. Assim, ao fechar a chave S1, o transistor
MOSFET será levado à condução, considerando que VCC seja maior do que a
tensão de limiar (VTh). Ao abrir S1, o MOSFET irá bloquear devido a presença
do resistor R2, que faz o papel de resistor de pull-down.

41
O tempo de entrada em condução (ton) dependerá do valor da tensão VCC, do resistor
R1 e da capacitância de entrada do MOSFET, Ciss. Do mesmo modo, o tempo de
bloqueio (toff) dependerá desta capacitância (Ciss) e do resistor R2.

Note-se que para fazer o MOSFET conduzir ou bloquear, deve-se carregar e

descarregar Ciss.
42
Assim, a forma de onda da tensão entre gatilho e fonte (source) e da corrente de
gatilho terá o aspecto mostrado na Figura abaixo.

Percebe-se que a corrente atinge um pico (Ipk), dado por Vcc/R1, visto que
inicialmente o capacitor Ciss está descarregada. Este pico é da ordem de 500 mA
até 1 A na prática. Note que quanto menor o resistor R1, menor será o tempo de
entrada em condução (ton) e maior será o pico da corrente (Ipk). O valor médio da
corrente no resistor R1 é pequeno, pois os tempos envolvidos são da ordem de
nano segundos.
43
Acionamento do MOSFET

44
 Acionamento do MOSFET

A tensão no gatilho inicia em zero e sobe até a tensão da fonte (VCC).

O tempo ton é diferente do tempo toff. Isso é devido a escolha dos valores de R1 e
R2, que pode ser diferente.

Por conseguinte, a velocidade de entrada em condução e de bloqueio do MOSFET

pode ser controlada pelos resistores R1 e R2.

45
 Comutação do MOSFET

A comutação dos transistores MOSFET

ocorre de modo similar ao BJT, mas
com particularidades importantes. O
circuito para análise da comutação é
mostrado na Figura ao lado. A tensão
do estágio de potência é VDD, a carga
RL. Já no circuito de acionamento se
tem dois resistores, um em série com o
gerador de sinais e outro do gatilho
para o terminal fonte (source) para
garantir o bloqueio do MOSFET.
46
 Comutação do MOSFET
É importante notar nas
curvas de resposta da
figura abaixo que os
tempos de entrada em
condução (ton) e de
bloqueio (toff) são muito
parecidos, o que contrasta
com os tempos do BJT,
onde toff é bem maior do
que ton. • ton = tr
• toff = tf
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 Perdas no MOSFET

De modo similar aos transistores bipolares de junção, nos transistores de efeito de campo se
tem as perdas por condução e por comutação.

As perdas por condução podem ser

determinadas pela expressão a seguir,
considerando que o transistor está sendo
utilizado em um circuito chaveado, ou seja,
sendo ligado e desligado periodicamente,
ficando ligado por um tempo ton e
chaveando com frequência de comutação
(chaveamento) f = 1/T.

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Já as perdas por comutação podem ser determinadas por:

Com relação às perdas no MOSFET é importante notar que as perdas por condução dependem
do quadrado da corrente de dreno, o que em altas potências é ruim, pois para altas correntes
as perdas serão elevadas.

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 Características importantes do MOSFET

As principais características de um MOSFET, para fins de projeto e escolha de

modelo, são:

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 Características importantes do MOSFET
Como exemplo, estas características para um transistor modelo IRF540, serão:

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Características importantes do MOSFET

52
Características importantes do MOSFET

53
Características importantes do MOSFET

54
Características importantes do MOSFET

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 EXEMPLO
Seja o circuito da Figura 41, considerando que a tensão da fonte seja de 12 V, o resistor de
100 Ω e o transistor, IRF740 esteja conduzindo, determine:

 A corrente do circuito
 A potência no resistor R1
 A potência no transistor M1
 A potência fornecida pela fonte Vi

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MOSFET IRF640, pela folha de dados tem-se que sua resistência é RDS (on) = 0,18Ω.

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PM1= RDS(on).(Id.Id)= 0,18.(0,11978*0,11978)= 0,002583W

PR1= R1.(IR1.IR1)= 100.(0,11978*0,11978)= 1,4347W

𝑃𝑖 = 𝑃𝑅1 + 𝑃𝑀1 = 1434,7𝑚 + 2,583𝑚 = 1437,3𝑚𝑊

58
PM1= RDS(on).(Id.Id)= 0,18.(0,11978*0,11978)= 0,002583W

PR1= R1.(IR1.IR1)= 100.(0,11978*0,11978)= 1,4347W

𝑃𝑖 = 𝑃𝑅1 + 𝑃𝑀1 = 1434,7𝑚 + 2,583𝑚 = 1437,3𝑚𝑊

59
É isto!!
Obrigado!