SEMANA 1 - PARTE II - Mosfet e Transistor Bipolar de Junção

ELETRÔNICA
BÁSICA
Instrutor: Maurício Lage

Tema II: Mosfet e transistor bipolar de junção.
PERGUNTAS GERADORAS
1. Quais são as diferenças principais entre MOSFET e TBJ?
2. O que é um MOSFET e quais são suas principais

características?
3. Quais são as principais aplicações onde os MOSFETs são

preferidos sobre os TBJs e vice-versa?
INTRODUÇÃO
O 1º transistor foi desenvolvido em 23 de dezembro de 1947, tendo os seus resultados

publicados em 1951.
O transistor se popularizou na década de 1950 e sua invenção foi o gatilho para
impulsionar a modernidade.
TIPOS E ASPECTOS CONSTRUTIVOS
O transistor é um dispositivo semicondutor de três camadas que consiste em duas

camadas de material do tipo n e uma do tipo p ou em duas camadas do tipo p e uma do
tipo n.
• Base: Fina e levemente dopada em relação as demais camadas.

• Emissor: Camada com dopagem mais intensa e de dimensões intermediárias.
• Coletor: É a camada com maiores dimensões, possui dopagem intermediária.
TRANSISTOR POLARIZADO
(POLARIZAÇÃO DIRETA-REVERSA)
Quando é conectada uma fonte de tensão externa no transistor, obtém-se a circulação de

corrente em diferentes partes do dispositivo.
CORRENTES NO TRANSITOR
CORRENTES NO TRANSISTOR
DATASHEET
OPERAÇÃO COMO CHAVE
O TBJ, além de atuar como amplificador, também pode ser utilizado para operar como
uma chave.
• É aplicado principalmente em circuitos digitais.
• Exemplo de um circuito de operação como chave:
Para operar como chave, o ponto de operação deve alternar entre a região de corte para
saturação ao longo da reta de carga.
O valor mínimo de IB que leva o ponto de operação Q para a região de saturação pode
ser calculado como:
Esta condição depende de ẞcc, que é um parâmetro que varia muito de um transistor
para o outro, além de variar também com a temperatura.
Esta condição é conhecida como saturação fraca, pois qualquer alteração no valor de ẞcc
pode fazer com que o transistor passe a operar na região ativa.
Resistência resultante entre os terminais.

Para garantir a operação na região de saturação, os autores propõem diferentes regras

de projeto. Estas regras são conhecidas como saturação forte.
Regra de Boylestad:
Sendo k = 1.5 , por exemplo.

Regra de Malvino (regra dos 10):
EXEMPLO:
Para o circuito ilustrado abaixo, calcule os valores de 𝑅𝐶 e 𝑅𝐵 sabendo que 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =10 𝔪𝐴
para funcionamento como um inversor.
CIRCUITOS DIGITAIS
Quando o transistor é utilizado como chave, como na Figura abaixo, existem apenas duas
tensões de saída possíveis: OV ou 10V.
Esse comportamento caracteriza um circuito digital: ele possui apenas dois níveis na
saída, baixo ou alto.
O valor exato não é importante. O que importa é poder distinguir as tensões em nível
baixo ou nível alto.
PORTAS LÓGICAS
São circuitos que realizam operações lógicas, em que os sinais só podem assumir dois
valores possíveis.
Porta NOT:
PORTAS LÓGICAS
valores possíveis.
Porta AND:
PORTAS LÓGICAS
valores possíveis.
Porta OR:
MOSFET
MOSFET.
Transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor de potência, muito utilizado em

circuitos eletrônicos complexos.
MOSFET
MOSFET
Neste modo, o MOSFET funcionará como um resistor, cuja resistência é igual à do canal
N. Isso faz com que a relação entre ID e VDS seja aproximadamente linear para
pequenos valores de VDS.
MOSFET
O aumento na concentração de elétrons no canal aumenta a condutividade deste,

aumentando a derivada da curva característica IDX VDS conforme a tensão VGS
aumenta.
MOSFET
Ao aumentar a tensão VDs, mantendo VGS > Vth constante, a tensão VGD entre os
terminais de porta (G) e dreno (D) vai progressivamente sendo reduzida. Com a redução
dessa tensão, o canal vai sendo estrangulado nas proximidades da região de dreno.
MOSFET
Aumentando demais a tensão VDs, chega-se ao ponto em que a tensão VGD ≤ Vth,
estrangulando completamente o canal nas proximidades da região de dreno.
A partir desse ponto, a derivada da curva característica ID X VDS se anula, mas o

enorme campo elétrico na região estrangulada mantém a corrente elétrica saturada em
um valor limite.
MOSFET
Corrente de dreno aproximadamente igual a 0A.
Vth (Threshold Voltage) = é a tensão mínima que deve ser aplicada entre a porta e a fonte
para que o MOSFET comece a conduzir corrente.
MOSFET
Modo triodo = o MOSFET é usado como um amplificador linear ou como um regulador de

corrente.
Semelhante a região ativa do TBJ, porém para corrente ao invés de Tensão.
MOSFET
Saturação:
PERGUNTAS GERADORAS
1. Quais são as diferenças principais entre MOSFET e TBJ?

A principal diferença entre MOSFET e TBJ é que o MOSFET é um dispositivo controlado
por tensão, enquanto o TBJ é um dispositivo controlado por corrente. Isso significa que
um MOSFET é ativado aplicando-se uma tensão ao terminal da porta, enquanto um TBJ
é ativado aplicando-se uma corrente ao terminal da base.
2. O que é um MOSFET e quais são suas principais características?

MOSFET é a sigla para Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. É um tipo de
transistor usado para amplificar ou alternar sinais eletrônicos.
3. Quais são as principais aplicações onde os MOSFETs são preferidos sobre os

TBJs e vice-versa?
MOSFETs são comumente usados em circuitos integrados devido ao seu baixo consumo
de energia e alta impedância de entrada. Por outro lado, TBJs são preferidos em
aplicações de alta potência e alta frequência, onde a corrente de base é uma fração
significativa da corrente de coletor e velocidade de comutação é crucial.
ATÉ A PRÓXIMA AULA
E BONS ESTUDOS!

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1. Quais são as diferenças principais entre MOSFET e TBJ?

2. O que é um MOSFET e quais são suas principais

3. Quais são as principais aplicações onde os MOSFETs são

O 1º transistor foi desenvolvido em 23 de dezembro de 1947, tendo os seus resultados

O transistor é um dispositivo semicondutor de três camadas que consiste em duas

• Base: Fina e levemente dopada em relação as demais camadas.

Quando é conectada uma fonte de tensão externa no transistor, obtém-se a circulação de

Resistência resultante entre os terminais.

Para garantir a operação na região de saturação, os autores propõem diferentes regras

Sendo k = 1.5 , por exemplo.

Transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor de potência, muito utilizado em

O aumento na concentração de elétrons no canal aumenta a condutividade deste,

A partir desse ponto, a derivada da curva característica ID X VDS se anula, mas o

Corrente de dreno aproximadamente igual a 0A.

Modo triodo = o MOSFET é usado como um amplificador linear ou como um regulador de

1. Quais são as diferenças principais entre MOSFET e TBJ?

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3. Quais são as principais aplicações onde os MOSFETs são preferidos sobre os

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