EMB20P03V

 
 
P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:  D
BVDSS  ‐30V 
RDSON (MAX.)  20mΩ 
ID  ‐18A  G
 
UIS, Rg 100% Tested  S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 

PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT 

Gate‐Source Voltage  VGS  ±25  V 

TC = 25 °C  ‐18 
Continuous Drain Current  ID 
TC = 100 °C  ‐13  A 

Pulsed Drain Current1  IDM  ‐72 

Avalanche Current  IAS  ‐10 

Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=‐10A, RG=25Ω EAS  5 

mJ 
2
Repetitive Avalanche Energy   L = 0.05mH  EAR  2.5 

TA = 25 °C  2.5 
Power Dissipation  PD  W 
TA = 100 °C  1 

Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C 

THERMAL RESISTANCE RATINGS 

THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT 

Junction‐to‐Case  RJC    6 
°C / W 
3
Junction‐to‐Ambient   RJA    50 
1
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2
Duty cycle  1％ 
3
50°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 

2013/9/18 
p.1 
 EMB20P03V
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 

PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  UNIT

MIN  TYP MAX

STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = ‐250A  ‐30      V 
Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = ‐250A  ‐1  ‐1.5 ‐3 
Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±20V      ±100 nA
VDS = 0V, VGS = ±25V      ±500
Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = ‐24V, VGS = 0V      ‐1  A
VDS = ‐20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      ‐10 
On‐State Drain Current1  ID(ON)  VDS = ‐5V, VGS = ‐10V  ‐18      A 
1
Drain‐Source On‐State Resistance   RDS(ON)  VGS = ‐10V, ID = ‐10A    17.5 20 
mΩ
VGS = ‐4.5V, ID = ‐7A    26 35 
Forward Transconductance1  gfs  VDS = ‐5V, ID = ‐10A    24   S 

DYNAMIC 
Input Capacitance  Ciss      1407  
Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = ‐15V, f = 1MHz    208   pF

Reverse Transfer Capacitance    Crss    164  

Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    4.5   Ω 
1,2
Total Gate Charge   Qg(VGS=10V)     20.3  
Qg(VGS=4.5V) VDS = ‐15V, VGS = ‐10V,    9.8   nC
1,2 ID = ‐10A 
Gate‐Source Charge   Qgs    3.2  
1,2
Gate‐Drain Charge   Qgd    4.9  
1,2
Turn‐On Delay Time   td(on)      10  
Rise Time1,2  tr   VDS = ‐15V,      8    nS
1,2
Turn‐Off Delay Time   td(off)  ID = ‐1A, VGS = ‐10V, RGS = 2.7Ω    25  
1,2
Fall Time   tf      6   

SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 

Continuous Current  IS        ‐3.5

A 
3
Pulsed Current   ISM        ‐14 
Forward Voltage1  VSD  IF = IS A, VGS = 0V      ‐1.2 V 
Reverse Recovery Time    trr  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    32   nS
Reverse Recovery Charge  Qrr      26   nC

2013/9/18 
p.2 
 EMB20P03V
 
 
1
Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2
Independent of operating temperature. 
3
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB20P03V for EDFN 3 x 3 
   

  B20 B20P03: Device Name 
  P03
ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
  b A1

Θ1
0.10
Outline Drawing 
 
E1
E

 
 
  e c

  A

  D
D1
  L1

 
 
E2
E3

 
 
L

Dimension in mm 
Dimension  A  A1  b  c  D  D1  E  E1  E2  E3  e  L  L1  Ѳ1   

Min.  0.70  0  0.24  0.10  2.95 2.25 3.15 2.95 1.65     0.30    0∘   

Typ.  0.80    0.30  0.152 3.00 2.35 3.20 3.00 1.75 0.575 0.65  0.40  0.13 10∘   

Max.  0.90  0.05  0.37  0.25  3.15 2.45 3.40 3.15 1.96     0.50    12∘ 

 
Recommended minimum pads
 
0.6

  2.6

 
2.05
3.75

  0.65
0.5

0.4
0.6

2013/9/18 
p.3 
 EMB20P03V
 
 

On‐Region Characteristics On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
50 2.4
V   = ‐ 10V
GS

‐ 7.0V ‐ 5.0V 2.2

40

Drain‐Source On‐Resistance
‐ 4.5V 2.0

              R         ‐Normalized
‐I  ‐ Drain Current( A )

30 1.8
V    = ‐ 4.5 V
GS
1.6

DS(ON)
20 ‐ 5 V
1.4
‐ 6 V
D

10 1.2
‐ 7 V
1.0
‐ 10 V
0 0.8
0 1 2 3 0 10 20 30 40 50
‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )
DS
‐ I   ‐ Drain Current( A )
D

On‐Resistance Variation with Temperature On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
1.6 0.06
I   = ‐10 A
D I   = ‐5 A
D
V     = ‐10V
GS
0.05
1.4
Drain‐Source On‐Resistance

Ω)
       R        ‐ Normalized

0.04
R        ‐ On‐Resistance(

1.2

0.03
1.0
DS(on)

T   = 125°C
A
0.02
DS(ON)

0.8
0.01 T   = 25°C
A

0.6
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 0
T   ‐ Junction Temperature (°C)
J 2 4 6 8 10
‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS

Body Diode Forward Voltage Variation with
Transfer Characteristics Source Current and Temperature
40 100
V   = ‐ 5V
DS V    = 0V
GS
10
‐Is ‐ Reverse Drain Current( A )

‐ 55°C 25°C
30
T   = 125°C
A
1
‐I  ‐ Drain Current( A )

T   = 125°C
A

20 0.1 25°C

‐55°C
0.01
10
D

0.001

0
0.0001
1.5 2 2.5 3 3.5 4
‐V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
SD

2013/9/18 
p.4 
 EMB20P03V
 
 
Gate Charge Characteristics Capacitance Characteristics
10 2000
I   = ‐ 10A
D f = 1 MHz
V   = 0 V
GS
‐ V    ‐ Gate‐Source Voltage( V )

8 1600

‐ 10V Ciss
V     = ‐ 5V

Capacitance( pF )
DS
6 1200
‐ 15V

4 800
GS

2 400
Coss
Crss
0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25 30
Q   ‐ Gate Charge( nC )
g ‐ V   , Drain‐Source Voltage( V )
DS

Maximum Safe Operating Area Single Pulse Maximum Power Dissipation
100 50
Single Pulse
t R    = 50°C/W
mi
θJA
100μs
 ) Li T  = 25°C
A
  ( O N  1ms 40
R D S
P( pk ),Peak Transient Power( W )

10
‐I   ‐ Drain Current( A )

10ms
100ms 30
1s
1
10s 20
DC
D

V   = ‐10V
GS
0.1 Single Pulse 10
R     = 50°C/W
JA
T   = 25°C
A

0.01 0
0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
‐V    ‐ Drain‐Source Voltage( V )
DS

Transient Thermal Response Curve
1
Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Resistance

0.2
    r( t ),Normalized Effective

0.1
0.1
0.05
Notes:
0.02
P DM
0.01
t1
0.01 1.Duty Cycle,D =
t2
t1

t2
Single Pulse
2.R     = 50°C/W
θJA

3.T  ‐  T   = P * R     (t)
J A θJA

4.R    (t)=r(t) + R
JA
θ θJA

0.001
‐4 ‐3 ‐2 ‐1
10 10 10 10 1 10 100 1000
t  ,Time (sec)
1

2013/9/18 
p.5