EMB20N03V

 
 
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
D
BVDSS  30V 
RDSON (MAX.)  20mΩ 
ID  12A  G

OM
 
UIS, Rg 100% Tested  S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 

.C
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 

PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT 

Gate‐Source Voltage  IC VGS  ±20  V 

TC = 25 °C  12 
Continuous Drain Current  ID 
TC = 100 °C  9  A 
T-
Pulsed Drain Current1  IDM  48 

Avalanche Current  IAS  8 

Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω  EAS  3.2 

mJ 
SE

2
Repetitive Avalanche Energy   L = 0.05mH  EAR  1.6 

TC = 25 °C  21 
Power Dissipation  PD  W 
TC = 100 °C  8.3 
IP

TA = 25 °C  2.5 
Power Dissipation  PD  W 
TA = 100 °C  1 

Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C 

CH

THERMAL RESISTANCE RATINGS 

THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT 

Junction‐to‐Case  RJC    6 
°C / W 
3
Junction‐to‐Ambient   RJA    50 
1
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2
Duty cycle  1％ 
3
50°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
2013/8/17 
p.1 
 EMB20N03V
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 

PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  UNIT

MIN  TYP MAX

STATIC 

OM
Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = 250A  30      V 
Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = 250A  1  1.5 3 
Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±20V      ±100 nA
Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = 24V, VGS = 0V      1  A

.C
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      25 
On‐State Drain Current1  ID(ON)  VDS = 10V, VGS = 10V  12      A 
1
Drain‐Source On‐State Resistance   RDS(ON)  VGS = 10V, ID = 8A    15.5 20 
mΩ

Forward Transconductance1 
IC
gfs 
VGS = 4.5V, ID = 6A 
VDS = 5V, ID = 8A 
 
 
25
16
30 
  S 

DYNAMIC 
Input Capacitance  Ciss      520  
T-
Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz    88   pF

Reverse Transfer Capacitance    Crss    62  
Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    2.0   Ω 
SE

1,2
Total Gate Charge   Qg(VGS=10V)     11.5  
Qg(VGS=4.5V) VDS = 15V, VGS = 10V,    5    nC
1,2 ID = 8A 
Gate‐Source Charge   Qgs    1.6  
1,2
Gate‐Drain Charge   Qgd    2.8  
IP

1,2
Turn‐On Delay Time   td(on)      9   
Rise Time1,2  tr   VDS = 15V,      12   nS
1,2
Turn‐Off Delay Time   td(off)  ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω    30  
1,2
CH

Fall Time   tf      15  

SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 

Continuous Current  IS        2.3 

A 
3
Pulsed Current   ISM        9.2 
Forward Voltage1  VSD  IF = IS, VGS = 0V      1.2  V 
Reverse Recovery Time    trr      45   nS
Peak Reverse Recovery Current  IRM(REC)  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    30   A 
Reverse Recovery Charge  Qrr      2    nC

2013/8/17 
p.2 
 EMB20N03V
 
 
1
Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2
Independent of operating temperature. 
3
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB20N03V for EDFN 3 x 3 

OM
 
 

  B20 B20N03: Device Name 
  N03
 

.C
ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
 
b A1
Outline Drawing 
Θ1
0.10
 
 
 
IC E1
E

 
T-
e
  c

A
 
D
  D1
L1
 
SE

 
E2

 
E3

 
L

Dimension in mm 
IP

Dimension  A  A1  b  c  D  D1  E  E1  E2  E3  e  L  L1  Ѳ1   

Min.  0.70  0  0.24  0.10  2.95 2.25 3.15 2.95 1.65     0.30    0∘   

Typ.  0.80    0.30  0.152 3.00 2.35 3.20 3.00 1.75 0.575 0.65  0.40  0.13 10∘   

Max.  0.90  0.05  0.37  0.25  3.15 2.45 3.40 3.15 1.96     0.50    12∘ 
CH

 
Recommended minimum pads
 
0.6

  2.6
2.05
3.75

 
  0.65
0.5

0.4
0.6

 
 

2013/8/17 
p.3 
 EMB20N03V
 
 
 
 
On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
On‐Region Characteristics
  30 2.4
V  = 10V
GS
6V
  25
7V
5V 2.2

  2.0

OM
20

Drain‐Source On‐Resistance
I  ‐ Drain Current(A)

              R         ‐Normalized
1.8
  4.5V

15 1.6
  V    = 4.5 V
GS
5.0 V
1.4

DS(ON)
  10
6.0 V
D

1.2
7.0 V
 

.C
5 10 V
1.0
  0 0.8
0 1 2 3 4 5 0 6 12 18 24 30
  V   ‐ Drain Source Voltage(V)
DS
I   ‐ Drain Current(A)
D

  On‐Resistance Variation with Temperature On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
1.9 0.09
 
  1.6
I   = 8A
D
V   = 10V
GS
IC 0.08
I   = 6 A
D
Drain‐Source On‐Resistance

0.07
R        ‐ On‐Resistance(  Ω)

 
     R        ‐ Normalized

1.3 0.06

  0.05
T-
1.0
 
DS(on)

0.04
DS(ON)

  0.7
0.03
T   = 125°C
A
0.02
 
0.4 0.01 T   = 25°C
A

  ‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 2 4 6 8 10

T  ‐ Junction Temperature (°C)
SE

J V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS

 
Body Diode Forward Voltage Variation 
  Transfer Characteristics with Source Current and Temperature
30 100
  V   = 10V
DS V    = 0V
GS

25 T   = 125° C
 
Is ‐ Reverse Drain Current( A )

A
10
IP

25° C
T   = ‐55° C
  20 A
I  ‐ Drain Current(A)

1 25° C

  15
125° C ‐55° C
  10
0.1
D

 
CH

5 0.01

 
0
0.001
  1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS
V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
SD

 
 
 
 
 
 

2013/8/17 
p.4 
 EMB20N03V
 
 
 
  Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics 1000
  10
f  =  1MHz
I   = 8A
D 900
V    = 0 V
GS

  10V 800
8
V    ‐ Gate‐Source Voltage( V )

V     = 5V 15V
  DS 700

OM
Capacitance( pF )
600
  6
500
Ciss

  4
400
300
 
200
GS

2
  Coss

.C
100
Crss
  0 0
0 5 10 15 20 25 30
0 4 8 12 16 V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )
DS

  Q   ‐ Gate Charge( nC )
g

  Maximum Safe Operating Area Single Pulse Maximum Power Dissipation
100 50
 
 
 
10 R  
D     N  ) 
S  (O
Lim
it

10ms
100μs
1ms
IC P( pk ),Peak Transient Power( W )
40
Single Pulse
R    = 50°C/W
θJA

T  = 25°C
A
I   ‐ Drain Current( A )

100ms
30
  1 1s
T-
20
  10s
  V   = 10V DC
  0.1
GS
D

Single Pulse 10
R     = 50°C/W
JA
    T   = 25°C
A

0
0.01
  0.1 1 10 100
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
SE

V    ‐ Drain‐Source Voltage( V )
 
DS

 
  Transient Thermal Response Curve
1
  Duty Cycle = 0.5
IP

 
Transient Thermal Resistance

0.2
    r( t ),Normalized Effective

0.1
  0.1
0.05
  0.02
Notes:
P DM
0.01
  t1
CH

0.01 1.Duty Cycle,D =
t2
t1

t2
Single Pulse
2.R     = 50°C/W
θJA

3.T  ‐  T   = P * R     (t)
J A θJA

4.R    (t)=r(t) + R
JA θJA θ

0.001
‐4 ‐3 ‐2 ‐1
10 10 10 10 1 10 100 1000
t  ,Time (sec)
1

2013/8/17 
p.5