10.31590-ejosat.920045-1715941
10.31590-ejosat.920045-1715941
10.31590-ejosat.920045-1715941
Sayı 25, S. 665-668, Ağustos 2021 No. 25, pp. 665-668, August 2021
© Telif hakkı EJOSAT’a aittir Copyright © 2021 EJOSAT
Araştırma Makalesi www.ejosat.com ISSN:2148-2683 Research Article
Aysu Belen1*
1* İskenderun Teknik Üniversitesi, İskenderun meslek Yüksek Okulu, Hibrid ve Elektrikli Araçlar Bölümü, Hatay, Türkiye (ORCID: 0000-0001-5038-424X),
aysu.belen@iste.edu.tr
ATIF/REFERENCE: Belen, A. (2021). WLAN Uygulamaları için Düşük Gürültülü Kuvvetlendirici Tasarımı. Avrupa Bilim ve
Teknoloji Dergisi, (25), 665-668.
Öz
Kablosuz haberleşme sistemlerinin gelişmesiyle birlikte bu alanda kullanılacak sistemlerin alt birleşenlerine olan talep giderek
artmaktadır. Alıcı sistemlerde düşük gürültülü kuvvetlendirici (LNA) anahtar rol oynamaktadırlar. Bu elemanlar sistemin genel
performansında önemli bir rol oynamaktadırlar. Sistem girişindeki düşük seviyedeki sinyalleri alarak yükseltirler bu aşamada
olabildiğince düşük gürültü seviyesine sahip olması önemlidir. Bu çalışma kapsamında 5.6GHz WLAN uygulamaları ile uyumlu
düşük gürültülü kuvvetlendirici (LNA) tasarımı ve üretimi gerçekleştirilmiştir. BFP720 SiGe transistörlü LNA tasarımı yapılarak
sistem içindeki performansı incelenmiş ve sağladığı yüksek kazanç yanı sıra yüksek kesim voltajına olanak sağladığı için bu
transistörün kullanımına karar verilmiştir. Tasarımda FR4 taban malzemesi olarak seçilmiştir. Tasarımlarda AWR microwave Office
yüksek frekans programı kullanılmıştır. Yapılan ölçümlerde transistör 2.8V ve 10mA ile beslenerek 5.6GHz bandında 13dB kazanç,
S11<-10dB elde edilmiştir.
Abstract
With the recent rapid development in wireless communication systems the demands to its sub-systems also had increased. One of the
key element in sub-systems is Low Noise Amplifier (LNA) stage. The performance of this stage has the highest effect on the overall
performance of the whole system. Amplification of the low amplitude input signals with the possible lowest noise is at most
importance. Herein, design and its realization of a high performance, low cost, and wideband Low Noise Amlifier (LNA) for 5.6 GHz
WLAN application had been taken into the study. BFP720 SiGe had studied and determined as an optimal transistor for the aimed
LNA design due to its high gain and cut-off voltage values. The aimed LNA design had been simulated in AWR microwave Office
high frequency simulator using FR4 material. Based on the experimental results, with a DC biased condition of 2.8 V 10 mA, the
designed achieves a gain of 13 dB with S11 value of less than -10 dB at 5.6 GHz
http://dergipark.gov.tr/ejosat 665
Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi
BPF IF Yükselteç BPF A/D kullanılmıştır. Bu transistörün seçilmesinin sebebi yüksek geçiş
Anahtar
T/R
T/R Anahtar
Switch T/R
T/R Anahtar
Switch LO
BPF BPF 335MHz frekansına (ft):45GHz, düşük gürültü şekline sahip olması ve
PA
Sentezleyici
yüksek kazanca imkân vermesidir. LNA tasarımında dielektrik
Ön yükselteç
2.12-2.19GHz IF Yükselteç D/A sabiti 4.6, yüksekliği 1.58mm olan FR4 alt taban malzemesi
IF 55MHz kullanılmıştır.
Şekil 2’de tasarlanan devrenin şematik gösterimi
Sekil 1: RF Alıcı-Verici Blok Diyagramı sunulmuştur. Devre tasarımında kullanılan R-L-C elemanlarının
Şekil 1’de haberleşme sistemleri için alıcı verici blok değerleri tablo 1’de verilmiştir.
diagramı verilmiştir. Ortamdan anten vasıtasıyla alınan R3 C3
elektromanyetik dalgalar RF ön uç modüle aktarılarak analog
sinyal temel band sinyal formuna dönüştürülerek dijital C2
dönüştürme kısmına getirilir. Alıcı kısmında blok şemasında C1
görüldüğü üzere anten yer almaktadır son yıllarda antenler TR
üzerine literatürde bir çok yenilikçi çalışmaya bulunmaktadır
Duyarlılık ve seçicilik parametreleri RF ön uç modüllerde alıcı
tasarımında göz önünde bulundurulması gereken önemli L1 L2
parametreler arasındadır (Çalışkan 2019), (Koçer ve Aydemir
2020), (Danacı ve Palandöken). LNA katı alıcı kısımdaki en R1 R2
önemli tasarım katı olmakla birlikte alıcı kısmın hassasiyetini C4 C5
belirlemektedir. Bu çalışma kapsamında RF ön uç modüller için,
WLAN uygulamalarında kullanılmak üzere LNA tasarımı, 1V 5V
üretimi ve ölçümleri gerçekleştirilmiştir.
Şekil.2 WLAN Uygulamaları için Tasarlanan LNA şematik
gösterimi
2. RF Yükselteç Tasarımı
Tablo 1. Mazleme parametrleri
Gelişen kablosuz haberleşme sistemleri uygulamaları, farklı
haberleşme protokolleri arasındaki geçişlerin kolay olmasını C1 330pF R1 1.5Kohm
gerektirmektedir. Bu durum çoklu standartlara sahip alıcıların C2 330pF R2 100ohm
tasarlanmasına neden olmuştur. Şekil 1’de sayısal haberleşme C3-C4-C5 330nF R3 3.9Kohm
sistemleri için alıcı verici blok diagram gösterilmiştir. Alıcı L1 33 nH L2 59nH
kısımda en önemli blok düşük gürültülü yükselteç bloğudur.
Alıcı kısımda, ortamdan alınan sinyal seviyesinin çok düşük Şekil 3(a)’da tasarlanan LNA devresinin saçılma
olmasından dolayı bu sinyallerin herhangi bir işlem yapılmadan parametreleri verilmiştir. Devrenin S11 ve S22 değerleri -15dB
önce düzgün olarak yükseltilmeleri gerekmektedir. Bunun altında elde edilmiştir. S21 iletim parametresi 14.3dB ve S12
nedeni yükseltme işleminde gürültü seviyesinin ana sinyali izolasyon parametresi ise -15dB olarak simülasyonlarda elde
geçmesidir. Bu durumda alınan sinyal bastırılmış olacaktır. Bu edilmiştir. Tasarlanan devrenin gürültü şekli (NF) şekil 3 (b)’de
nedenle düşük gürültülü kuvvetlendirici bloğunun gürültü 5.6GHz de 1.87dB olarak elde edilmiştir.
(b)
(a)
(c)
(b)
(d) (c)
Şekil.3 Tasarlanan LNA (a) S Parametreleri (b) Gürültü Şekil.4 WLAN Uygulamaları için Tasarlanan LNA (a) Baskı
Şekli (c) Kazanç (d) 1 dB Sıkıştırma Noktası Devre gösterimi (b) Üretilen Devre (c) Ölçüm port bağlantıları
Şekil 2’de şematik gösterimi verilen LNA devresinin kazanç Tablo 2’den görüldüğü üzere bu çalışmada, WLAN
benzetim sonucu şekil 3(c)’de 14.3dB olarak elde edilmiştir ve standartları ile uyumlu, yüksek performanslı, düşük maliyetli,
1dB sıkıştırma noktası simülasyon sonuçları şekil 3(d)’de - alıcı-verici sisteminin alt ünitelerinden LNA tasarımı üzerinde
18dBm olarak elde edilmiştir. çalışılmıştır. Tablo 2’de LNA devresinin benzetim ve ölçüm
sonuçları kıyaslanmıştır. Tasarlanan devrenin kazancı ~13 dB
olarak tasarlanmıştır. Düşük gütültülü kuvvetlendirici devresinde
yapılan simülasyonlarda devreye 3.3 V uygulandığında 36.3mW kullanılarak bilimsel araştırmalarda ve ticari ürün uygulamalarda
güç harcamakta ve 1 dB sıkışma noktası -18dBm olarak elde kullanılmak üzere değişik uygulamalarda kullanılabilecektir.
edilmiştir. LNA boyutu 33x22 mm2 olarak tasarlanmış ve
üretilmiştir. Kaynakça
Tablo 2. WLAN Bandı LNA Performans Sonuçları
Akyildiz, I F, Su, W, Sankarasubramaniam, Y, Cayirci, E.
Benzetim Ölçüm (2002). Wireless Sensor Networks-A Survey. Elsevier
Vcc 3.3 3.3 Computer Networks, (38), 393-422.
Çalışma Frekansı [MHz] 5600 5600 Alaybeyoğlu, A, Kantarcı, A, Erciyes, K . (2009). Telsiz
Duyarga Ağlarında Hedef İzleme Senaryoları. Akademik
Gürültü Şekli (dB) 1.87 --- Bilişim 2009 konferansı, Bildiri No: 69, Harran
Kazanç (dB) >14 13 Üniversitesi, Şanlıurfa.
Giriş Geri Dönüş Kaybı (dB) <-17 <-15 Çalışkan, A, Kızılay, A, Belen, M, Mahouti, P . (2019). ISM
Band Haberleşme Uygulamaları İçin Origami Anten
Çıkış Geri Dönüş Kaybı (dB) <-22 <-15 Tasarımı. Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi , (16) , 785-791
. DOI: 10.31590/ejosat.573379.
S11 Dip Noktası 5600MHz 5500MHz Danacı, H, Palandöken, M . (2020). A Novel Electronically
Güç Tüketimi 28.3mW 36.3mW Reconfigurable Antenna Design for RFID and GSM 900
Akım Tüketimi 10mA 11mA MHz Applications . Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi ,
Kararlılık (K) >1 >1 Ejosat Özel Sayı 2020 (ICCEES) , 304-307 . DOI:
Boyut (mm) 33x22 33x22 10.31590/ejosat.804511.
Demirel, S, Güneş, F, Mahouti, P . (2017). Adjoint sensitivity
analysis of the T, Π, and L types of microstripline low noise
amplifiers. Int. J. Numer. Model., (30), e2133. doi:
10.1002/jnm.2133.
Doddamani, N D, Nandi, A V, Chandra, H . (2007). Design of
SPDT Switch, 6 Bit Digital Attenuator, 6 Bit Digital Phase
Shifter for L-Band T/R Module using 0.7 uM GaAs MMIC
Technology. International Conference on Signal Processing,
Communications and Networking. ICSCN '07. pp.302 –
307.
Esame, O, Kaynak, M, Kavlak, C, Bozkurt, A, Tekin, I, Gürbüz,
Y . (2006). IEEE 802.11a Standard Uyumlu, RF Alıcı-Verici
Şekil.5 WLAN Uygulamaları için Üretilen LNA S Alt-Blok Devrelerinin Gerçeklenmesi. URSI, Hacettepe
Parametresi Sonuçları Üniversitesi.
Hashemi, H, Hajimiri, A . (2002). Concurrent Multi-Band Low-
Şekil 5’de ürettirilen devrenin 4-7GHz frekans bandında Noise Amplifiers Theory, Design and Applications, IEEE
ölçülen S parametreleri değerleri gösterilmektedir. Giriş ve Trans. Microwave Theory and Techniques, (50), no. 1, pp.
çıkıştaki geridönüş kaybı 5.6GHz de -15dB seviyesinin altında 288-301.
ölçülmüştür. İzolasyon değerleri -20 dB altında ölçülmüştür. S21 Hove, C, Faaborg, J . (2004). 0.35 μm CMOS T/R Switch for 2.4
iletim değeri ise 13dB olarak ölçülmüştür. GHz Short Range Wireless Applications., Analog Integrated
Circuits and Signal Processing, (38),pp. 35-42.
5. Sonuç https://www.infineon.com/cms/en/product/rf-wireless-control/rf-
transistor/ultra-low-noise-sigec-transistors-for-use-up-to-12-
Bu çalışmada, WLAN standartları ile uyumlu düşük gürültü ghz/bfp720/
kuvvetlendirici (LNA) ürettirilmiş ve ölçüm sonuçları Kluge, W, Dathe, L, Jaehne, R, Ehrenreich, S, Eggert, D .
verilmiştir. BFP720 SiGe transitörlü LNA tasarımı yapılmıştır. (2003). A 2.4GHz CMOS Transceiver for 802.11b Wireless
Tasarımda Microwave Office AWR programı yazılımı LANs. IEEE ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 360–361.
kullanılarak elde edilmiş olup, ölçümler N5234A PNA-L Koçer, M , Aydemir, M . (2020). Microstrip Patch Antenna
Microwave Network Analyzer kullanılarak elde edilmiştir. Design for Military Satellite Communication . Avrupa Bilim
Devrede taban malzemesi olarak FR4 cam elyaf kullanılmıştır. ve Teknoloji Dergisi , Ejosat Özel Sayı 2020 (ICCEES) ,
Üretilen devrenin kazancı ~13 dB, -10dB band genişliği 5.45- 142-147 . DOI: 10.31590/ejosat.801959.
5.7GHz olarak ölçülmüştür. Düşük gütültülü yükselteç Stece, C. (1999). RF Power Amplifiers for Wireless
devresinde yapılan simülasyonlar da 1 dB sıkışma noktası - Communications, Artech House.
18dBm olarak elde edilmiş olup, devre 3.3V uygulandığında Mahouti, P , Güneş F, Demirel, S . (2012). Honey bees mating
36.3mW güç harcamaktadır. Tasarlanan DGY’nin boyutu 33x22 algorithm applied to feasible design target space for a wide-
mm2 olarak tasarlanmış ve üretilmiştir. band front- end amplifier. 2012 IEEE International
Sonuç olarak tasarımı ve üretimi gerçekleştirilen düşük Conference on Ultra-Wideband, pp. 251-255, doi:
gürültülü kuvvetlendiricinin 5.45 GHz ile 5.7GHz arasında 10.1109/ICUWB.2012.6340411.
verimli bir şekilde kullanılabileceği görülmektedir. Ayrıca Pozar, D. M. (1998). John Wiley&Wiley, Microwave
tasarlanan kuvvetlendiricinin az hacim kaplaması ve düşük Engineering.
maliyete sahip olması önemli avantajlarındandır. Üretilen Ulrich, L R . (2000). John Wiley&Sons, RF/Microwave Circuit
kuvvetlendirici WLAN sistemleri için tasarlanacak modüllerde Design For Wireless Applications.