氧化鎵
化合物
氧化鎵是鎵最穩定的氧化物,化學式為Ga2O3,是一種白色的晶體粉末,具有兩性。它是作為製造半導體器件的一部分。
氧化鎵 | |
---|---|
別名 | 氧化鎵(III) 三氧化二鎵 |
識別 | |
CAS號 | 12024-21-4 |
PubChem | 5139834 |
ChemSpider | 4313617 |
SMILES |
|
InChI |
|
InChIKey | QZQVBEXLDFYHSR-OGCFUIRMAC |
RTECS | LW9650000 |
性質 | |
化學式 | Ga2O3 |
莫耳質量 | 187.444 g·mol⁻¹ |
外觀 | 白色晶體粉末 |
密度 | 6.44 g/cm3(α) 5.88 g/cm3(β) |
熔點 | 1900 °C(2173 K) |
溶解性(水) | 難溶 |
溶解性 | 可溶於酸和鹼金屬氫氧化物溶液 |
危險性 | |
歐盟分類 | 未列出 |
相關物質 | |
其他陰離子 | 硫化鎵 硒化鎵 碲化鎵 |
其他陽離子 | 氧化硼 氧化鋁 氧化銦 氧化鉈 |
相關化學品 | 氧化亞鎵 氫氧化鎵 |
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。 |
製備
編輯氧化鎵可以通過在空氣中加熱金屬鎵或在200~250℃熱分解硝酸鎵得到。氧化鎵有五種形態——α, β, γ, δ和ε,其中β-Ga2O3是最穩定的形態。[1]
- 2 C + Ga2O3 → Ga2O + 2 CO
- Ga2O3 + 3 C → 2 Ga + 3 CO
- 2 Ga2O + 2 O2 → 2 Ga2O3
- 4 Ga + 3 O2 → 2 Ga2O3
化學性質
編輯氧化鎵可以和鹼金屬氧化物在高溫反應,產生偏鎵酸鹽,如NaGaO2;和Mg、Zn、Co、Ni、Cu的氧化物加熱形成尖晶石型晶體,如MgGa2O4。[4]
它溶於鹼金屬氫氧化物溶液,形成Ga(OH)−
4羥基配離子。
它和氯化氫氣體在氬氣氣氛中反應,生成無水三氯化鎵GaCl3:[5]
- Ga2O3 + 6 HCl → 2 GaCl3 + 3 H2O
和氟氣反應,產生無水氟化鎵;溶於50%氫氟酸,生成氟化鎵的三水合物:[6]
- Ga2O3 + 6 HF → 2 GaF3·3H2O
它可以被氫氣還原為氧化亞鎵(一氧化鎵)Ga2O,[7]也可以被單質鎵還原:[8]
- Ga2O3 + 2 H2 → Ga2O + 2 H2O
- Ga2O3 + 4 Ga → 3 Ga2O
參考文獻
編輯- ^ 1.0 1.1 Bailar, J; Emeléus, H; Nyholm, R; Trotman-Dickenson, A. Comprehensive Inorganic Chemistry. 1973, 1, 1091
- ^ 郭彥, 吳強, 王喜章. 氧化鎵納米帶的合成和發光性質研究. 無機化學學報, 2005. 21(5)
- ^ Playford, H. Y; Hannon, A. C; Barney, E. R; Walton, R. I. Chem. Eur. J. 2013, 19, 2803
- ^ The Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium and Thallium, Anthony John Downs, 1993, ISBN 075140103X , ISBN 978-0751401035
- ^ Inorganic Reactions and Methods, the Formation of Bonds to Halogens (Part 2), J J Zuckerman, Ed: A P Hagen, eBook, 17 September 2009, Wiley-VCH Verlag GmbH, ISBN 9780470145395
- ^ 無機化學叢書 第二卷 鈹 鹼土金屬 鋁 鎵分族. 科學出版社. pp 556. 2.12 氧化物、氫氧化物
- ^ Determination of Gallium in a Cerium Surrogate and in Drops from a Copper Collector by ICP as Model Studies for the Removal of Gallium from Plutonium, HF Koch, LA Girard, DM Roundhill - ATOMIC SPECTROSCOPY, 1999, vol 20, 1, 30
- ^ ADVANCES IN INORGANIC CHEMISTRY AND RADIOCHEMISTRY, Volume 5, The chemistry of Gallium, N.N. Greenwood, ED H. J. Emeleus, A. G. Sharpe 1963, Elsevier, Academic Press