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【要旨】 松下電器産業株式会社は、寒川誠二教授（東北大学）、原正彦教授（東京工業大学）、冬木隆教授（奈良先端科学技術大学院大学）、柳田敏雄教授（大阪大学）と共同で、半導体特性を阻害するナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンを含まないフェリチンタンパク質［1］（以下、フェリチン）を用いた半導体製造プロセスを開発しました。これにより、従来の半導体プロセスでは困難である超微細（1桁台のナノメートル［2］レベル）構造の半導体が形成できるため、切手の大きさで1テラバイトの記憶容量を持つ超大容量メモリー等の開発に弾みがつくと期待されます。なお、この研究は文部科学省「経済活性化のための研究開発プロジェクト（リーディングプロジェクト）」[3]で実施しました。 【効果】 本開発のプロセスでは、フェリチン構造を維持したまま、アルカリ金属イオンを百億分の1のレベルに除去することが可能になりその結果、トランジスタ
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