最先端GaO®パワー半導体を手掛けるFLOSFIA（フロスフィア）

最先端GaO®パワー半導体を手掛けるFLOSFIA（フロスフィア）

ミストドライ®技術 機能膜・電極・コーティング膜を高品質膜かつ非真空で実現 真空ポンプを使わずに高品...概要を表示 ミストドライ®技術 機能膜・電極・コーティング膜を高品質膜かつ非真空で実現 真空ポンプを使わずに高品質膜の成膜が可能です。金属酸化膜に加え、金属や有機膜の成膜を得意としています。 材料表面の溶解・改質も可能で、成膜プロセスとの組み合わせにより、製造ラインの省スペース化が可能です。 パワーデバイス事業 GaO®パワーデバイスはエネルギー・動力・ 電源領域における問題解決の切り札 京大発の新材料、コランダム構造酸化ガリウムα-Ga2O3の特性を引き出し、変換損失を抑えた電源モジュールの実現に貢献します。 世界最小（当社調べ）のオン抵抗を有するSBDの試作に成功し、従来比最大9割の損失低減に結び付く技術を実現しました。