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PROGRAMA DE CAPACITACIN DE CODESA CEPA ACAJUTLA REA: ELECTRNICA

MDULO: ELECTRNICA DE POTENCIA

NOMBRE DEL ALUMNO: _____________________________________

FACILITADOR: CARLOS OVIDIO LANDAVERDE PREZ www.itexsal.edu.sv Tel. 2221-4911 ext. 112 , email: cfpitexsal@gmail.com

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Objetivos del mdulo de Electrnica de potencia

-Que al finalizar dicho mdulo l participante tenga las competencias bsicas necesarias sobre conceptos y definiciones usados en el rea de electrnica de potencia. -Lograr que el participante conozca sobre los diferentes elementos electrnicos de potencia y su utilidad en proyectos, mquinas y procesos industriales. -Que el participante logre las competencias bsicas para hacer e interpretar y armar circuitos electrnicos.

INTRODUCCIN Se denomina electrnica de potencia a la rama de la electrnica que consigue adaptar y transformar la electricidad, con la finalidad de alimentar otros equipos, transportar energa, controlar el funcionamiento de maquinas elctricas, etc. Se refiere a la aplicacin de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores, al control y transformacin de potencia elctrica. Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control como de suministro elctrico a consumos industriales o incluso la interconexin sistemas elctricos de potencia. El principal objetivo de esta disciplina es el procesamiento de energa con la mxima eficiencia posible, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de prdidas por efecto Joule. Los principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, as como semiconductores trabajando en modo corte/saturacin (on/off). Dispositivos de potencia Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de dispositivos semiconductores de potencia, todos los cuales derivan del diodo o el transistor. Entre estos se encuentran los siguientes: Sistemas electrnicos Un sistema electrnico es un conjunto de circuitos que interactan entre s para obtener un resultado. Una forma de entender los sistemas electrnicos consiste en dividirlos en las siguientes partes:

1. Entradas o Inputs Sensores (o transductores) electrnicos o mecnicos que toman las

seales (en forma de temperatura, presin, etc.) del mundo fsico y las convierten en seales de corriente o voltaje. Ejemplo: El termopar, la foto resistencia para medir la intensidad de la luz, etc. Circuitos de procesamiento de seales Consisten en piezas electrnicas conectadas juntas para manipular, interpretar y transformar las seales de voltaje y corriente provenientes de los transductores. Salidas o Outputs Actuadores u otros dispositivos (tambin transductores) que convierten las seales de corriente o voltaje en seales fsicamente tiles. Por ejemplo: un display que nos registre la temperatura, un foco o sistema de luces que se encienda automticamente cuando este obscureciendo.

2. 3.

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EL DIODO DE POTENCIA Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

Construccin y encapsulado ENCAPSULADOS - Aislamiento - Conexin Elctrica - Disipacin trmica

T e rm in a l d e c o b r e ( n o d o ) S o ld a d u ra s A u -S i C i e r r e a is l a n t e

C ie rre m e t lic o B a s e d e c o b re (c to d o ) P N P a s tilla s e m ic o n d u c t o r a

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TEMA:

ELECTRNICA DE POTENCIA EL DIODO COMO RECTIFICADOR DE CORRIENTE

4 OBJETIVOS: Al finalizar esta prctica el estudiante ser capaz de:

Probar en forma esttica un diodo. Dadas diferentes seales identificar cules corresponden a alternas y cules son directas. Calcular los parmetros elctricos de un circuito rectificador de media onda. Calcular los parmetros elctricos de un circuito rectificador de onda completa. Explicar el funcionamiento de un circuito rectificador. Medir parmetros elctricos en circuito rectificador. Calcular el valor de capacitancia necesaria para filtrar la seal de salida de un circuito rectificador.

INTRODUCCIN. CORRIENTE ALTERNA: La corriente alterna como su mismo nombre lo indica, es una clase de corriente que cambia de valor en forma alterna (de positivo a negativo y viceversa) y el nmero de veces que se realiza esa alternancia se conoce como la frecuencia de la seal. En la siguiente figura se representa como cambia el valor del voltaje de una seal senoidal alterna a travs del tiempo.

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Fig. 1

PARMETROS A CONSIDERAR: T (Perodo de la seal): Es el tiempo que tarda en completarse un ciclo de la seal. Vp (voltaje pico): Valor mximo de voltaje alcanzado por la seal (ya sea positivo negativo) Vrms (valor efectivo o valor eficaz) : Se llama valor eficaz de una corriente alterna, al valor que tendra una corriente continua que produjera la misma potencia que dicha corriente alterna, al aplicarla sobre una misma resistencia. Frecuencia de la seal: Es el nmero de veces que se repite el ciclo por unidad de tiempo (es el recproco del perodo F = 1 / T) En nuestro pas, la seal que se tiene disponible en las fuentes de alimentacin ya sea en las residencias, el comercio o la industria; es una seal de corriente alterna de 60HZ. RELACION ENTRE Vp y Vrms PARA UNA SEAL SENOIDAL DE 60 Hz. Vrms = 0.707 Vp Es importante tener presente que los valores que se miden con un tester comn en a.c. , son valores de voltaje rms. CIRCUITOS RECTIFICADORES Se le llama rectificacin al proceso de convertir una seal de corriente alterna en corriente directa. Este proceso de rectificacin puede hacerse de diversas maneras, pero en todos los casos se utilizan diodos ( o circuitos integrados que contienen diodos). En el desarrollo de esta practica, se estudiarn algunos circuitos que realizan esta funcin. EL DIODO Este es un componente electrnico que esta formado a partir de una barra de Silicio intrnseco (puro) a la cual se le han agregado algunas impurezas de otros elementos, por ejemplo: Galio (+3),

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para formar un material tipo P y Arsnico (+5) para formar el tipo N. La unin PN as formada es lo que constituye un diodo. En la figura 2, puede verse su representacin.

Fig. 2 CURVA CARACTERSTICA La curva caracterstica de un diodo, es la representacin grfica de la relacin entre el voltaje y la corriente a travs del mismo. La Fig. 3, representa la forma en que vara el voltaje y la corriente en el diodo, si se hace variar el voltaje de la fuente como se indica en los circuitos de las Figuras a y b. La funcin de la resistencia (R) en este circuito, es la de limitar el valor de la corriente que circula por el diodo para evitar su destruccin.

(a)

(b)

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Fig. 3 Observe que el voltaje del diodo en el primer cuadrante (que representa la polarizacin directa del diodo) es menor de 1V, en cambio el voltaje a travs del dispositivo en el tercer cuadrnate (polarizacin inversa) puede ser de mas de 100V antes de llegar a la ruptura dependiendo de las especificaciones que tenga el diodo. En la generalidad de los casos, las especificaciones que nos interesar conocer de un diodo, son: La corriente mxima que soporta (en polarizacin directa) y Voltaje mximo que soporta en polarizacin inversa. CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO IDEAL Si el diodo est polarizado directamente, su circuito equivalente es el de un conmutador cerrado.

Con polarizacin inversa, el circuito representa un conmutador abierto, gran resistencia.

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PRUEBA ESTTICA DE UN DIODO Los diodos reales pueden tener una gran variedad de formas, pero siempre tendrn slo dos terminales de conexin (el nodo y el ctodo), de los cuales generalmente el ctodo puede ser identificado por alguna marca cercana a ese terminal. Si se utiliza un tester digital en el modo prueba de diodos y con la polaridad indicada en la siguiente figura (polarizacin directa), ste indicar una lectura de voltaje ligeramente menor que el valor del voltaje de umbral (para un diodo de Silicio en buen estado el tester indicar 0.7 V aproximadamente).

Si se invierte la polaridad del diodo, el tester deber indicar una lectura OL (fuera de rango, si el diodo esta en buen estado) como indica la figura 4.

Fig. 4 Al utilizarse un tester analgico para la prueba esttica de un diodo, tenga presente el hecho de que por lo general la polaridad de las puntas de prueba en las escalas de ohmios, es invertida o sea que la punta roja ser el negativo mientras que la punta de prueba negra ser el

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Los defectos que pueden encontrarse en la prueba de un diodo son: DIODO EN CORTO CIRCUITO DIODO EN CIRCUITO ABIERTO DIODO CON FUGAS Resistencia extremadamente pequea en ambas direcciones (polarizacin directa e inversa). Resistencia muy elevada en ambas direcciones. La resistencia en inversa es relativamente baja.

Albert Paul Malvino, Principios de Electrnica, Sexta edicin. CIRCUITOS RECTIFICADORES DE CORRIENTE. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA Para una seal de entrada senoidal se cumple:

Recuerde que: Vp es medido con un osciloscopio ya sea en a.c. en d.c. Vr m s es medido con tester en a.c.

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Vd.c. es medido con tester en d.c. FILTRADO DE UNA SEAL RECTIFICADA En muchas aplicaciones se requiere que la seal rectificada sea de un valor de voltaje constante y no pulsante. Para lograr este objetivo, se aprovechan las caractersticas de funcionamiento de los capacitores. Si se conecta un capacitor en pararalelo con la salida de un circuito rectificador se obtendr el efecto mostrado en la figura 5. donde el voltaje de rizado ( Vriz ) es la variacin que tendr el voltaje ya filtrado. El valor del votaje de rizado se reduce al aumentar el valor de la capacitancia. Para calcular el valor de capacitancia y el voltaje mximo del capacitor de filtro se usarn los siguientes criterios: 1) 1000 F por cada amperio de corriente de carga. 2) Voltaje mximo del capacitor > 2 Vrms (del voltaje de la seal en el secundario del transformador).

Fig.5 PRCTTICA DE DIODOS EQUIPO Y MATERIALES 1 Transformador 110V/12V con derivacin (Tap) central 4 Diodos de Silicio (diodo comn) 1N4007 1 Tableta Breadboard 1 Osciloscopio 1 Tester (anlogo o digital) 1 Resistencia 2.2k 1 Capacitor de 470 F

PROCEDIMIENTO 1- Utilizando los diodos proporcionados, efecte las mediciones respectivas y completa la tabla siguiente: Polarizacin directa D1 D2 Polarizacin inversa Estado

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D3 D4 2- Arme El circuito de la figura 6.

Fig. 6 3-Utilizando el osciloscopio efecte las siguientes mediciones en el secundario del transformador (entre nodo y referencia) : Vp: Vpp: T: Calcule la frecuencia de la seal: F:

4- Utilice el osciloscopio para medir los siguientes parmetros en la resistencia de carga: Vp: T: 5- Arme el circuito de la figura 7.

Fig. 7

6-Utilizando el osciloscopio efecte las siguientes mediciones entre un terminal del secundario del transformador y el punto de referencia: Vp:

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Vpp: T: Calcule la frecuencia de la seal: F:

7-Utilice el osciloscopio para medir los siguientes parmetros en la resistencia de carga (con respecto al punto de referencia): Vp: T: Calcule la frecuencia de la seal, F: Esta seal corresponde a una seal alterna o a una directa? Porqu?

8-Mida con el tester el voltaje entre un terminal del secundario del transformador y el punto de referencia, qu tipo de voltaje es? Valor medido: Utilizando este valor,calcule: Vp: Vdc: Utilice el tester y mida el Vdc: Existe diferencia entre el valor medido y el calculado? Si hay diferencias, explique cuales son sus posibles causas.

9- Arme el circuito de la figura 8.

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Fig. 8

Cul es el valor del voltaje RMS que se esta rectificando en este circuito? Cul es el valor del voltaje Pico a la entrada del puente rectificador? Cul es el valor de voltaje en la resistencia de carga? Cul es el valor de la frecuencia en la seal rectificada? Cmo puede calcularse el valor que tendr la corriente a travs de RL? Cul es el valor de la corriente en RL? Qu diferencias encuentra entre los dos circuitos rectificadores de onda completa? 12. . Agregue un capacitor de 1000 F a la salida del puente rectificador y en paralelo con RL. Cul es el valor del voltaje en RL (medido con el tester)? A cul valor de los voltajes de la seal de a.c. de entrada, se ha acercado este nuevo valor del voltaje en RL? Cul es el efecto que ha producido el capacitor sobre la seal de salida en el circuito rectificador? Si este capacitor se conectara al circuito rectificador de media onda (figura 6), Cmo ser la forma de onda en la salida?

Para qu se rectifica una seal de corriente alterna?

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B) REALICE EL DIAGRAMA DE CONTROL: (FRENADO DINMICO).

Ejemplo de aplicacin: FRENO DINMICO 1. al pulsar el arranque, se energiza el contactor K, dando funcionamiento al motor. Por todo el tiempo deseado. 2. Al pulsar el paro se desaparece la energa de la bobina del contactor K, abriendo los contactos de fuerza 1-2, 3-4, y 5-6 de K, desenergizando el motor. Instantneamente se energiza el contactor K1, aplicndole a travs de sus contactos corriente directa al motor, que har que el eje reduzca su velocidad suavemente. 3. Pasado 10 segundos que es el tiempo estipulado para que el eje del motor se detenga por completo, el contactor K1 debe de desenergizarse y abrir el paso de la corriente de DC. 4. Puede hacer uso de temporizadores ON DELAY o OFF DELAY.

Diodo zener Caractersticas, ejemplo de diseo El Zener se puede utilizar para regular una fuente de tensin. Este semiconductor se se fabrica en una amplia variedad de tensiones y potencias

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Estas van desde menos de 2 voltios hasta varios cientos de voltios, y la potencia que pueden disipar va desde 0.25 watts (vatios) hasta 50 watts (vatios) o ms. La potencia que disipa un diodo zener es simplemente la multiplicacin del voltaje para el que fue fabricado por la corriente que circula por el. Pz = Vz x Iz Esto significa que la mxima corriente que puede atravesar un diodo zener es: Iz = Pz / Vz. Donde: - Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener - Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante) - Vz = Tensin del diodo zener (dato del fabricante) Ejemplo: La corriente mxima que un diodo zener de 10 Voltios y 50 Watts (vatios), podr aguantar ser: Iz = Pz / Vz = 50 / 10 = 5 Amperios Clculo de la resistencia limitadora Rs. (ver esquema del regulador con diodo zener) El clculo de la resistencia Rs est determinado por la corriente que pedir la carga (lo que vamos a conectara a esta fuente). Esta resistencia (resistor) se puede calcular con la siguiente frmula: Rs = [Venmin - Vz] / 1.1 x ILmx donde: - Ven (min): es el valor mnimo del voltaje de entrada. (acordarse que es una tensin no regulada y puede variar) - IL (max): es el valor de la mxima corriente que pedir la carga. Una vez que se obtuvo Rs, se obtiene la potencia mxima del diodo zener, con ayuda de la siguiente frmula: PD = [[ Venmin - Vz] / Rs - ILmin] x Vz

Ejemplo de un diseo: Una fuente de 15 voltios debe alimentar una carga con 9 Voltios, que consume una corriente que vara entre 200 y 350 mA. (mili amperios). Se escoge un diodo zener de 9.1 voltios pues no hay de 9 y...: - Calculo de Rs: Rs = (15 - 9.1) / (1.1 x 0.35) = 15 ohmios (ohms) - Clculo de la potencia del diodo zener: PD = [ (15 - 9.1) / 15 ] x 9.1 = 3.58 watts o vatios.

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Como no hay un diodo zener de 3.58 Vatios, se escoge uno de 5 vatios que es el ms cercano - Potencia de Rs: Un clculo adicional es la potencia de la resistencia Rs. Este se hace con la frmula: P = I2 x R. Ver Potencia en una resistencia (ley de Joule) Los datos actuales son: I (max) = 350 miliamperios = 0.35 amperios y Rs = 15 Ohmios (ohms) aplicando la frmula, PRs = 0.352 x 15 = 1.84 Watts (vatios) Esto significa que a la hora de comprar esta resistencia (resistor) deber ser de 2 Watts o ms.

TEMA:

EL TRANSISTOR BIPOLAR ( BJT )

OBJETIVOS: Al finalizar esta prctica el estudiante ser capaz de: Identificar el smbolo de un BJT. Describir como est construido un BJT. Probar BJT, identificando el tipo y terminales. Describir cmo funciona un transistor. Interpretar la hoja de especificaciones del BJT.

INTRODUCCIN:

Distintos encapsulados de transistores. El trmino transistor es la contraccin de transfer resistor, es decir, resistencia de transferencia. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que se utiliza como amplificador o

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conmutador electrnico ( interruptor electrnico). Es un componente clave en toda la electrnica moderna, donde es ampliamente utilizado formando parte de conmutadores electrnicos, puertas lgicas, memorias de computadoras y otros dispositivos. En el caso de circuitos analgicos los transistores son utilizados como amplificadores, osciladores y generadores de ondas. Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en Diciembre de 1947 por John Bardeen,Walter Houser y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Sus inventores lo llamaron as por la propiedad que tiene de cambiar la resistencia al paso de la corriente elctrica que circula a travs suyo entrando por uno de los 3 terminales (el "emisor") y saliendo por otro (el "colector") en funcin de la mayor o menor corriente elctrica que, para excitarlo, se inyecte en el tercero (la "base").

Por lo tanto, puede decirse que: "la corriente elctrica que circular a su travs es directamente proporcional (pero mucho mayor) a la que se utilice para excitar su capacidad de conducir", o sea: la corriente elctrica que entra por el "emisor" y luego sale por el "colector" est en funcin de la que se inyecte en la "base". La corriente que sale por el "colector" es el resultado de haber amplificado la que se inyecta en la "base" pero, naturalmente, el transistor slo grada la corriente que circula a su travs, que absorbe por el "emisor" y sale por el "colector". Se dice que el transistor amplifica la corriente aplicada a la "base", pero en ningn caso crea la energa necesaria para ofrecer esa corriente amplificada que sale por el "colector"; sta ha de aplicarse al "emisor" desde una fuente de corriente elctrica externa. Modelos posteriores al transistor descrito (transistores FET, MOSFET, etc.) no utilizan para graduar la mejor o peor conduccin por su interior la corriente que se inyecta en el terminal de "base", sino el mayor o menor voltaje que se aplique entre dos terminales determinados. El transistor bipolar tiene tres partes,una que emite portadores (emisor), otra que los recibe o recolecta (colector) y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). En los transistores bipolares una pequea seal elctrica aplicada entre la base y emisor modula la corriente que circula entre emisor y colector. La seal base-emisor puede ser muy pequea en

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comparacin con la emisor-colector. La corriente emisor-colector es aproximadamente de la misma forma que la base-emisor pero amplificada en un factor de amplificacin "Beta". El transistor se utiliza, por tanto, como amplificador. Adems, como todo amplificador puede oscilar, puede usarse como oscilador y tambin como rectificador y como conmutador on-off. El transistor tambin funciona, por tanto, como un interruptor electrnico, siendo esta propiedad aplicada en la electrnica en el diseo de algunos tipos de memorias y de otros circuitos como controladores de motores elctricos de corriente continua y motores de paso a paso. Tipos de transistor Transistor de juntura bipolar BJT por sus siglas en ingls, se forma bsicamente con dos uniones PN, y transporta corriente mediante dos tipos de portadores de;posee una baja impedancia de entrada. Fototransistor, sensible a la radiacin electromagntica, en frecuencias cercanas a la de la luz. Transistor de juntura unipolar, conocido como UJT. Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada. Presentan las siguientes modalidades de fabricacin: Transistor de efecto de campo de juntura, JFET, construido mediante una juntura PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal mediante un dielctrico Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido. IGBT El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La corriente que controla el dispositivo es de alta impedancia pero de 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas con una potencia muy baja en la etapa de control. Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente los transistores son empleados en convertidores estticos de potencia, controles para motores (arrancadores suaves, variadores de frecuencia,etc.) y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito.

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CIRCUITOS TPICOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR. CIRCUITO DE POLARIZACIN DE BASE (O POLARIZACIN FIJA).

VCC - VBE IB = RB + RE ( + 1 ) IC = IB VCE = VCC IC (RC + RE)

La relacin IC / IB se conoce como Ganancia de corriente y se representa como hFE o con la letra griega . = hFE = IC / IB

CIRCUITO DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE (O TENSIN).

(R1 // R2) Significa calcular la resistencia equivalente en paralelo de R1 y R2

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R B = R1 // R2. VB IB = (R1 // R2) + RE ( + 1 ) IC = IB VCE = VCC IC ( RC + RE ) CONDICIONES DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR. VALORES DE CORRIENTE Y REGIN DE OPERACIN CORTE VOLTAJE IC =O VCE = VCE (corte) = VCC SATURACIN IC = IC (sat.) VCE = 0 Amplificador de seales ACTIVA 0 < IC < IC (sat.) 0 < VCE < VCC (voltaje y/o corriente), acoplador de impedancias, circuitos osciladores, etc. VALORES NOMINALES Y HOJA DE ESPECIFICACIONES Como ya sabemos, el transistor tiene dos uniones PN y estas son sometidas a diferentes condiciones de polarizacin mientras el transistor est funcionando, de tal manera que no cualquier transistor soportar cualquier condicin de trabajo. Los fabricantes de BJT, someten a stos a numerosas pruebas para obtener los valores nominales (o promedio) que los transistores puede soportar y as proporcionan la informacin necesaria (parmetros elctricos) para poder utilizar el componente que mejor responda a la aplicacin particular. APLICACIONES Cuando el transistor opera entre corte y saturacin puede utilizarse como interruptor electrnico.

Dependiendo del tipo de transistor, as ser la cantidad de parmetros que el fabricante pondr en la hoja de especificaciones; a continuacin se definirn algunos de los parmetros ms importantes del BJT. V CEO: Voltaje Colector Emisor (con la base abierta).

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V CBO: Voltaje colector - Base (con el emisor abierto). V EBO: Voltaje Emisor - Base (con el colector abierto). I C: Corrientes de colector continua. hfe: Ganancia de corriente (). T J, T STG: Rango de temperatura de operacin y almacenaje.

PRCTICA DE TRANSISTORES EQUIPO Y MATERIALES Diferentes transistores BJT 1 Tableta Breadboard 1 Tester (digital) Fuente de d.c. Resistencias

PROCEDIMIENTO: 1) Probar el transistor. 2) Construir el siguiente circuito:

3) Completar la tabla siguiente: Va ESTADO DEL LED 0V 5V

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V CE REGIN DE TRABAJO DEL TRANSISTOR 4) Construir el circuito:

5) Completar la tabla siguiente: Va ESTADO DE LA LAMPARA INCANDESCENTE V CE REGIN DE TRABAJO DEL TRANSISTOR 0V 8V

Qu funcin desempea el diodo en reversa (conectado en paralelo con la bobina del relay)? Qu funcin realiza la resistencia de 1 K ohmio? Qu otras cargas podran conectarse en vez de la lmpara incandescente? (mencione por lo menos cuatro ejemplos). Efecte el anslisis de los dos circuitos. Calcule en ambos casos: I B, IC y VCE sin Va aplicado y con Va aplicado.

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PRCTICA TEMA: CIRCUITO TEMPORIZADOR.

OBJETIVOS: Al finalizar esta prctica el estudiante ser capaz de: Analizar circuitos temporizadores con BJT. Construir circuitos temporizadores con BJT. INTRODUCCIN. Los circuitos de control de tiempo o temporizadores juegan un papel muy importante en el control de diferentes procesos industriales. El circuito de esta prctica ilustra el principio de operacin de estos sistemas de control. Se utiliza una red RC para establecer el tiempo de conduccin de un transistor BJT, quien a su vez maneja la carga a travs de un relay. MATERIAL Y EQUIPO: 1 Transistor NPN Resistencias de 320 K ohmios 1 capacitor de 470 uF. 1 capacitor de 1000 uF 1 Fuente DC. 1 Relay. 1 Foco 110 V. 1 diodo rectificador PROCEDIMIENTO.

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1- Construir el circuito siguiente:

2- Con el interruptor S1 abierto efectuar las siguientes mediciones: VB =

VCE = 3- Aplicar un pulso de cierre al interruptor S1. Describir lo que sucede:

TEMA:

POLARIZACION DEL SCR

OBJETIVO Demostrar el funcionamiento de un Rectificador Controlado de Silicio mediante el uso de una lmpara incandescente y observar su forma de onda de disparo a travs de un osciloscopio. DESCRIPCION BSICA EL SCR

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El tiristor de la Figura 1(SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposicin PNPN. Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. El instante de conmutacin, puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

FIGURA 1.Smbolo electrnico de un Rectificador Controlado de Silicio

Caractersticas del SCR: Interruptor casi ideal. Amplificador eficaz (pequea seal de puerta produce gran seal A K). Fcil controlabilidad. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (Memoria). Soporta altas tensiones. Capacidad para controlar grandes potencias. Relativa rapidez.

Figura 2 Circuito bsico de disparo de corriente continua de un SCR. Caractersticas DE LA COMPUERTA DE LOS SCR Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.

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Figura 3.Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios para disparar un SCR. Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente contine fluyendo a travs de las terminales principales, de nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK) caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10 mA.

PRCTICA DEL SCR

OBJETIVO Demostrar el funcionamiento de un Rectificador Controlado de Silicio mediante el uso de una lmpara incandescente y observar su forma de onda de disparo a travs de un osciloscopio.

MATERIAL Y EQUIPO 1 Fuente de 12 volts de corriente continua 1 Rectificador controlado de silicio C 106 D 1 Resistencia de 4.7 kilo ohms a watt 1 Switch de un polo un tiro. 1 Lmpara para 12 volts de corriente continua 1 Protoboard 1m Alambre calibre 22 de una lnea 1 Multmetro digital con puntas de prueba

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PROCEDIMIENTO 1. Buscar en el manual de semiconductores ECG la disposicin de terminales del rectificador controlado de silicio C106 D y anotarla en una hoja de especificaciones. 2. Armar en el protoboard el circuito de la figura 2, teniendo cuidado con las conexiones. 3. Mediante el uso del Multmetro Digital, medir el voltaje de la pila de 9 volts para comprobar que est proporcionando el voltaje correcto. 4. Conectar la pila de 9 volts al circuito armado en el protoboard. 5. Cerrar el interruptor para proporcionar un pulso de activacin al SCR, en este caso la lmpara debe encender. 6. Abrir el interruptor y observar el efecto producido en la lmpara 7. Explicar porque la lmpara se mantiene encendida por tiempo indefinido an despus de desactivar el interruptor. 8. Producir un corto circuito momentneo entre el nodo y el ctodo del SCR y observar el efecto producido en lmpara. 9. Hacer las anotaciones necesarias de acuerdo con lo observado durante el desarrollo de la prctica.

PRCTICA TEMA: CONTROL DE FASE CON SCR

OBJETIVO El alumno debe ser capaz de identificar en la prctica las caractersticas de disparo de un Rectificador Controlado de Silicio, utilizando como carga una lmpara incandescente de 100W. DESCRIPCIN BSICA

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MTODOS DE DISPARO DE UN SCR. Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que corriente de carga, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor corriente de umbral, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: Por puerta. Por mdulo de tensin. Por gradiente de tensin Disparo por radiacin. Disparo por temperatura. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados, por lo que los evitaremos en la medida de lo posible. Disparo por puerta Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo. Disparo por mdulo de tensin Este mtodo podemos desarrollarlo basndonos en la estructura de un transistor: si aumentamos la tensin colector - emisor, alcanzamos un punto en el que la energa de los portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores en la unin de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de avalancha. N Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobretensiones anormales en los equipos electrnicos. Disparo por gradiente de tensin Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con tiempo de subida muy corto, los portadores sufren un desplazamiento para hacer frente a la tensin exterior aplicada, la unin de control queda vaca de portadores mayoritarios; aparece una diferencia de potencial elevada, que se opone a la tensin exterior creando un campo elctrico que acelera fuertemente a los portadores minoritarios produciendo una corriente de fugas. Disparo por radiacin La accin de la radiacin electromagntica de una determinada longitud de onda provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor crtico, obligando al disparo del elemento. Los tiristores fotosensibles (llamados LASCR o Light Activated SCR) son de pequea potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada. Disparo por temperatura El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a 1+a 2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta. Condiciones necesarias para el control de un SCR Disparo Polarizacin positiva nodo - ctodo. La puerta debe recibir un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese momento tengamos en el ctodo) durante un tiempo suficiente como para que corriente del nodo sea mayor que la intensidad de enganche. En el siguiente circuito (Figura 1) se muestra una aplicacin prctica del SCR para el control de intensidad de una lmpara incandescente (control de fase)

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FIGURA 1 Circuito de control de fase con un SCR y un UJT. MATERIAL Y EQUIPO 1 lmpara incandescente de 100W a 120volts corriente alterna 1 R1= resistencia de 22k a 5watt 1 D1= diodo rectificador 1N4004. 1 R2= resistencia de 10k a 1/2watt 1 POT1= potencimetro de 100K 1 C1= capacitor cermico de 0.082 F. 1T1= UJT 2N2646. 1 R3= resistencia de 1k a 1/2watt. 1 R4= resistencia de 100 a 1/2watt. 1 T2= SCR C106D. 1 protoboard 1m de alambre calibre 22 de 1 polo. 1 multmetro digital con puntas de prueba. 1 fuente de corriente alterna a 120v. 1 osciloscopio de doble trazo con puntas de prueba. 1 base para lmpara incandescente. 1 manual de semiconductores NTE. PROCEDIMIENTO: 1. Localizar en el manual de semiconductores ECG la disposicin de los tiristores a emplearse. Anotar la configuracin de las terminales en una hoja de especificaciones. 2. Armar el circuito de la figura 1 en el protoboard. 3. Conectar el circuito armado a una fuente de alimentacin de corriente alterna de 120v. 4. Variar el valor del potencimetro para observar la regulacin de intensidad de la lmpara. 5. Mediante el uso del multmetro digital medir el voltaje de la lmpara en el momento que se varia el potencimetro para observar la variacin del voltaje. 6. Conectar el osciloscopio en paralelo con la lmpara para observar la forma de onda de salida y el ngulo de disparo del SCR. (control de fase). Nota: se recomienda revisar cuidadosamente el circuito antes de conectarlo, para evitar que se dae el SCR.

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PRCTICA TEMA: CONTROL DE POTENCIA CON TRIAC

OBJETIVO El estudiante debe ser capaz de implementar un circuito que contenga un triac con polarizacin para corriente alterna domstica, y utilizarlo en el control de una carga que tenga aplicacin prctica dentro de la vida cotidiana. DESCRIPCIN BSICA CONTROL DE POTENCIA CON TRIAC El triac (triodo de corriente alterna), tiene muchas aplicaciones prcticas dentro del campo de la electrnica de potencia. Como ejemplos podemos mencionar: el control de intensidad de una lmpara incandescente, el control de velocidad de un motor de corriente alterna, el control de giro de un taladro elctrico, etc. En esta prctica de laboratorio proporcionamos un circuito base (Figura 1), para controlar una carga como puede ser una lmpara incandescente o un motor de corriente alterna. Dentro de las caractersticas del circuito se encuentran las siguientes: 1. Muchos de estos circuitos reguladores de potencia tienen un punto de encendido y apagado que no coincide (a esto se le llama histresis), que es comn en los TRIACS. Para corregir este defecto se incluye en el circuito las resistencias R1, R2 y el capacitor C1. 2. El conjunto formado por la resistencia R3 y el capacitor C3 se utiliza para filtrar los picos transitorios de alto voltaje que pudieran aparecer en el momento en que se est probando el circuito. 3. El conjunto de elementos P (potencimetro) y C2 son los necesarios mnimos para que el triac sea disparado. 4. El triac controla el paso de la corriente alterna a la carga conmutando entre los estados de conduccin (pasa corriente) y corte (no pasa corriente) durante los semiciclos negativos y positivos de la seal (110 / 220, la seal de corriente alterna que viene por el enchufe de nuestras casas) 5. El triac se dispara cuando el voltaje entre el capacitor y el potencimetro (conectado a la compuerta del TRIAC) sea el adecuado. 6. Hay que aclarar que el condensador en un circuito de corriente alterna (como este) tiene su voltaje atrasado con respecto a la seal original, y cambiando el valor del potencimetro, varo la razn de carga del condensador, el atraso que tiene y por ende el desfase con la seal alterna original. 7. Esto causa que se pueda tener control sobre la cantidad de corriente que pasa a la carga y por ende la potencia que se le aplica.

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FIGURA 1. Circuito de control de intensidad de una lmpara incandescente con TRIAC y DIAC. MATERIAL Y EQUIPO EMPLEADOS 1 R1=Resistencia de 47 K a watt 1 R2=Resistencia de 47 K a watt 1 R3=Resistencia de 100 a watt 3 C1, C2, C2= Capacitores de 0.1 F a 250 volts 1 P=Potencimetro de 100 K logartmico 1 Triac a 8 Amperes 1 Lmpara incandescente a 110 volts de corriente alterna 1 Multmetro digital con puntas de prueba 1 Osciloscopio con puntas de prueba 1 Protoboard 1m Alambre calibre 22 de una lnea 1 Manual de semiconductores ECG 1m Cable duplex calibre 14 TWG 1 Clavija DESARROLLO DE LA PRCTICA 1. Mediante el uso del Manual de semiconductores ECG, buscar la disposicin de terminales del triac y anotarla en una hoja de especificaciones.

2. Mediante el uso del Multmetro Digital comprobar que el voltaje de la fuente de alimentacin de
corriente alterna est produciendo los 110 volts.

3. Armar en el protoboard el circuito de la figura 1, teniendo cuidado en las conexiones para evitar
daar los componentes electrnicos, aplicando en serie un DIAC en la compuerta del TRIAC.

4. Conectar como carga una lmpara incandescente de 110 volts de corriente alterna. 5. Conectar en paralelo con la carga un osciloscopio de doble trazo para poder visualizar la forma
de onda.

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6. Variar el potencimetro y observar el efecto producido en la lmpara y el cambio producido en la forma de onda. DIAC (Diode Alternative Current). Diodo de disparo bidireccional Control de potencia en corriente alterna (AC) El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin). Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando superado el valor de tensin del zener que conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.

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Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo - Tensin de simetra (ver grafico anterior) - Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt).

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