Tarea4 SFV

Tarea 4_módulo 2_Semiconductores_Conductividad_ Fecha de entrega vía correo electrónico:
Sa.30.05.20, límite 23:50h h
1. ¿Qué entiende por banda de valencia? ¿Banda de conducción?
Son representaciones simplificadas y parciales de la densidad de estados electrónicos, estas 2

bandas son de mayor interés cuando la temperatura de un sólido tiende a cero absoluto.
La banda de valencia localización de los electrones unidos, sus electrones contribuye a la

cohesión local del sólido y se encuentra en estados localizados. No participa en fenómenos
de conducción eléctrica
La banda de conducción es la formada por los orbitales moleculares vacíos o parcialmente
llena, representa la energía de los electrones libre, los estados de conducción están
deslocalizados y sus electrones participan en la conducción electrónica.
2. Defina lo que se entiende por la energía correspondiente a la llamada “banda prohibida “de
un semiconductor
Es la banda que separa a la banda de conducción de la banda de valencia en los aislantes o
semiconductores el nivel de Ferni se encuentra es esta banda, tienen valores diferentes
según los elementos.
3. ¿Qué entiende por “portadores de carga”?

Es el hueco – electrón que se genera cuando un electrón de un enlace covalente adquiere la
energía suficiente para abandonar al átomo al que se encontraba unido, este favorece a la
circulación de la corriente eléctrica por una diferencia de potencial
4. Explique para los materiales semiconductores:
a. El mecanismo mediante el que se genera la conductividad eléctrica en semiconductores

de tipo intrínseco
Aumento de temperatura – genera agitación térmica - electrones con energía
suplementaria - ruptura de enlaces covalentes – portador libre -desplazamiento en el
cristal - favorece la circulación de corriente eléctrica por diferencia de potencial- el
cristal se convierte en semiconductor- el número de portadores libres es pequeño - por
cada electrón liberado genera un hueco
La conductividad eléctrica dependerá de la cantidad de portadores libres
b. El mecanismo mediante el que se genera la conductividad eléctrica en semiconductores

de tipo extrínseco
Añadiendo impurezas a un semiconductor intrínseco (puro), estas modificaran el
comportamiento eléctrico al incrementar la densidad de los portadores libres.
Tipo n o negativo
Dopar a un semiconductor intrínseco (Valencia V) – Reemplazo de átomos – Átomo
dopante 4 átomos y 5 electrones – desprendimiento – portador libre - Electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos los portadores minoritarios.
Tipo p
Dopar a un semiconductor intrínseco (valencia III) – pocos átomos dopantes – algunos
átomos del semiconductor son reemplazados- 3 electrones de valencia – atrapan un
electrón de un átomo vecino- hueco movible- portadores mayoritarios y los electrones
los portadores minoritarios
La conductividad está determinada por la presencia del dopante
Favor de marcar no solamente el inciso correcto sino la frase completa.
5. En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al

movimiento de:
a. Los electrones activados térmicamente.
b. Los huecos.
c. Los electrones y huecos.
d. No hay conducción neta a bajas temperaturas.
6. En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:
a. La movilidad y la temperatura.
b. La temperatura y la concentración del dopante.
c. La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.
d. La concentración del dopante.
7. ¿Cuál de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n, donadores?
a. Fósforo, P
b. Aluminio, Al
c. Boro, B
d. Germanio, Ge
8. En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:
a. Electrones donadores.
b. Electrones donadores y electrones activados térmicamente.
c. Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.
d. Huecos y electrones activados térmicamente.
9. La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:
a. Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.
b. Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.
c. Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.
d. Bandas de valencia y conducción coincidentes.
10. En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:
a. Los electrones de la banda de valencia.

b. Los huecos de la banda de valencia.
c. Los electrones de la banda de conducción.
d. Electrones y huecos.
11. Un semiconductor que contiene elementos químicos con la banda electrónica de valencia
diferente a la de los del semiconductor se denomina:
a. Extrínseco.
b. Intrínseco.
c. Débilmente extrínseco.
d. No recibe ningún nombre especial.
12. La naturaleza del dopante incide en:
a. Aumento de la energía de la banda prohibida, disminuyendo la población de portadores de

carga libre.
b. Disminución de la energía de la banda de energía prohibida, aumentando la concentración de

portadores libres.
c. El valor de la energía de ionización y por tanto en una mayor aptitud para suministrar
portadores de carga libre.
d. El mecanismo de conducción, intrínseco o extrínseco.
13. La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en:
a. La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.
b. La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de

valencia y conducción.
c. Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en metal.
d. La inexistencia de banda de valencia en los metales.
14. La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos:
a. Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina.
b. Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
c. Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores del
mecanismo conductor.
d. Ninguna es correcta ya que la concentración de portadores de carga es independiente de la

temperatura en los extrínsecos.
15. Calcular la resistividad de un sustrato de silicio dopado con 10 18 at/cm3 de elemento dopante
donador a temperatura ambiente.
μn = 300 cm2/Vˑs
16. A partir de los datos proporcionados en la tabla:
a. ¿Cuál de los tres semiconductores es el que presenta la concentración intrínseca más débil?
b. Calcule ni para este semiconductora a 300 K
c. Calcular la σ intrínseca para este semiconductor a 300 K
17. El Germanio tiene las siguientes propiedades: masa atómica M = 72.6g, densidad ρ = 5.32g cm-3;
densidad efectiva de estados energéticos a 300 K, NC = 1.04x1019 átomos cm-3, NV= 6x1018 átomos
cm-3
a. Determinar el número de átomos por cm3
b. Calcular la concentración intrínseca a 300 K
c. ¿cuál es la fracción de átomos ionizados?
18. Un monocristal de germanio dopado con átomos de fósforo está tallado en forma de lámina de
espesor d = 10-4 m. Entre sus dos caras existe una diferencia de potencial de 4V siendo la resistividad
 = 0.1 m y la movilidad de µ = 0.3 m2/Vˑs a temperatura ambiente.
Calcular:
a. Tiempo que emplea un electrón de conducción en atravesar la lámina.
b. Concentración de donadores ND.
c. Relación entre el número de átomos de germanio y de fósforo. Recuérdese que la celda de

germanio es cúbica, A = 5.66A y contiene 8 átomos
d.
19. En la siguiente gráfica se muestran las curvas de conductividad a y b de un semiconductor, en

función de la temperatura y desde luego del número de portadores. Explique:
a. A qué tipo de conductividad corresponde cada una de las curvas
 Curva b: Semiconductor extrínseco

 Curva a: Semiconductor intrínseco
b. Los fenómenos que originan las zonas relevantes de las curvas (aumento, disminución, marcado
con números).

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1. ¿Qué entiende por banda de valencia? ¿Banda de conducción?

Son representaciones simplificadas y parciales de la densidad de estados electrónicos, estas 2

La banda de valencia localización de los electrones unidos, sus electrones contribuye a la

3. ¿Qué entiende por “portadores de carga”?

4. Explique para los materiales semiconductores:

a. El mecanismo mediante el que se genera la conductividad eléctrica en semiconductores

b. El mecanismo mediante el que se genera la conductividad eléctrica en semiconductores

Favor de marcar no solamente el inciso correcto sino la frase completa.

5. En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al

a. Los electrones activados térmicamente.

c. Los electrones y huecos.

d. No hay conducción neta a bajas temperaturas.

6. En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:

b. La temperatura y la concentración del dopante.

c. La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, Eg.

d. La concentración del dopante.

8. En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:

b. Electrones donadores y electrones activados térmicamente.

c. Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.

d. Huecos y electrones activados térmicamente.

9. La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:

a. Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.

b. Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.

c. Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.

d. Bandas de valencia y conducción coincidentes.

10. En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:

a. Los electrones de la banda de valencia.

c. Los electrones de la banda de conducción.

d. No recibe ningún nombre especial.

12. La naturaleza del dopante incide en:

a. Aumento de la energía de la banda prohibida, disminuyendo la población de portadores de

b. Disminución de la energía de la banda de energía prohibida, aumentando la concentración de

d. El mecanismo de conducción, intrínseco o extrínseco.

13. La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en:

a. La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.

b. La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de

c. Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en metal.

d. La inexistencia de banda de valencia en los metales.

14. La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos:

b. Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.

d. Ninguna es correcta ya que la concentración de portadores de carga es independiente de la

16. A partir de los datos proporcionados en la tabla:

b. Calcule ni para este semiconductora a 300 K

c. Calcular la σ intrínseca para este semiconductor a 300 K

a. Determinar el número de átomos por cm3

b. Calcular la concentración intrínseca a 300 K

c. ¿cuál es la fracción de átomos ionizados?

a. Tiempo que emplea un electrón de conducción en atravesar la lámina.

b. Concentración de donadores ND.

c. Relación entre el número de átomos de germanio y de fósforo. Recuérdese que la celda de

19. En la siguiente gráfica se muestran las curvas de conductividad a y b de un semiconductor, en

a. A qué tipo de conductividad corresponde cada una de las curvas

 Curva b: Semiconductor extrínseco

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