UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA

MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E
INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE
INGENIERIA MECANICA, MECANICA
ELECTRICA Y MECATRONICA

ELECTRONICA DE POTENCIA

CARACTERIZACION DE LOS DIODOS DE POTENCIA

ALUMNO: Juan Aldair Rivera Dueñas

GRUPO: 01
PROFESOR: Dr. Fernando Siles Mestas

AREQUIPA-PERU

1. OBJETIVOS DE LA PRACTICA
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ELECTRONICA DE POTENCIA

 En esta práctica se caracteriza el comportamiento estático y dinámico de diferentes

diodos de potencia.
 Con los resultados se podrán obtener conclusiones en cuanto a los rangos de
funcionamiento para polarizaciones directa e inversa, así como del tiempo de respuesta
de cada uno de los dispositivos.

2. MARCO TEORICO

En esta práctica se pretende, en primer lugar, medir la característica estática de los diodos
de potencia, obtenida punto a punto en un circuito rectificador simple (R-D). Se comparan
los resultados obtenidos con medidas realizadas con diodos de red, potencia y Schottky
respectivamente.

En segundo lugar, se mide el comportamiento dinámico de los diferentes diodos ensayados,

sometiéndolos a conmutaciones rápidas, resaltando los problemas en el corte asociados a la
recuperación inversa para aquellos componentes con respuesta temporal lenta.

3. EQUIPOS Y MATERIALES

 Fuente de Alimentación Regulada.

 Multímetro
 Osciloscopio
 Resistencias de 100Ω, 1KΩ, 100KΩ, 1MΩ
 Diodo de red: 1N4007 o similar
 Diodo Schottky de potencia: MBR735 o similar
 Diodo de potencia: BYW29-200 o similar

4. PROCEDIMIENTO

PRIMERA PARTE
Implementar los siguientes circuitos

Polarización directa

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Montar el circuito de la figura 1, con los diodos polarizados directamente. Variando la

tensión de alimentación Vi de 0 a 10V, en incrementos de 0.5V, anotar en cada caso el
punto de trabajo (Id, Vd) que permitirá trazar la característica estática para cada tipo de
diodo. El valor de R1 ha de ser 100Ω.
 Caracterización estática: Polarización Directa
a) .Dibujar la curva Id-Vd (característica estática) para el diodo de red proporcionado.
Incluir en una tabla los valores que se utilizan para poder construir la curva gráfica.

b) Repita el procedimiento para el diodo Schottky y el diodo de potencia

 Polarización inversa: corriente inversa de saturación

Determinar la resistencia interna equivalente para polarización inversa para cada uno de los
diodos midiendo la corriente en inversa para dos tensiones de 10V y 20V en el esquema de la
figura 1.

 Caracterización dinámica: Tiempo de recuperación inversa

Utilizando el generador de señal, seleccionar forma de onda cuadrada de amplitud 10Vpp y

montar el circuito de conmutación de la figura 2. Representar las formas de onda de la tensión
en la resistencia para los diferentes diodos para frecuencias de 10 kHz y 100 kHz. Determinar el
tiempo de recuperación inversa de los diferentes diodos en la forma indicada en la figura 3.

Dibujar las gráficas en conmutación del diodo de red proporcionado para las frecuencias
descritas en la memoria de la práctica. Determinar el tiempo de recuperación inversa en ambos
casos. ¿Qué conclusiones se pueden sacar en cuanto a la velocidad de respuesta?
SEGUNDA PARTE

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En la figura 2 se muestra el circuito que se debe implementar en la práctica para lo cual se va a

utilizar el generador de señales, el cual debe ser configurado una onda cuadrada a una
frecuencia de 4KHz y 22Vpp. Se debe colocar las puntas de osciloscopio como lo muestra la
figura 2, el Canal 1(Invertido) y Canal 2 los cuales tendrán una misma referencia (0v).

Recursos Utilizados (Equipos, Accesorios Y Material Consumible)

 Osciloscopio
 Generador de señales
 Puntas de osciloscopio
 Protoboard
 Diodos (Propósito General (1N4007) ,(1N4148), Schottky, Fred )
 Resistencias (1Ω, 10Ω)
 Adaptador de tres a dos.

Medir los tiempos de respuesta para cada diodo y registrar sus valores. Comparar los tiempos
entre los diodos. Mostrar los resultados obtenidos y conclusiones de la práctica.

CUESTIONARIO FINAL
1. Mencione las principales aplicaciones de la electrónica de potencia

Sirve para distintos fines tales como alimentar controladamente otros equipos, transformar la energía
eléctrica de continua a alterna o viceversa, y controlar la velocidad y el funcionamiento de máquinas
eléctricas, etc. mediante el empleo de dispositivos electrónicos, principalmente semiconductores.
Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control, sistemas de compensación de factor de
potencia y/o de armónicos como para suministro eléctrico a consumos industriales o incluso la
interconexión de sistemas eléctricos de potencia de distinta frecuencia.

2. Mencione los dispositivos semiconductores de potencia

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 Rectificador controlado de silicio (SCR en inglés)

 Triac
 Transistor IGBT, sigla para Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar con compuerta
aislada
 Tiristor GTO, sigla para Gated Turnoff Thyristor, Tiristor apagado por compuerta
 Tiristor IGCT, sigla para Insulated Gate Controlled Thyristor, Tiristor controlado por compuerta
 Tiristor MCT, sigla para MOS Controlled Thyristor

3. Mencione las características estáticas del diodo de potencia

 Parámetros en bloqueo.
 Parámetros en conducción.
 Modelos estáticos de diodo.

4. Mencione las características de los diodos semiconductores de potencia

5. Mencione los tipos de diodos de potencia

 Diodos rectificadores para baja frecuencia

 Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)
 Diodos Schotkky
 Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)
 Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)
6. Cuáles son los efectos de tiempo de recuperación directa e inversa

En inversa:
Cuando se aplica una polarización directa a una unión p-n, la densidad de portadores inoritarios es la
indicada por la figura 1, donde se observa el incremento de los portadores minoritarios en las
adyacencias de la unión provenientes de la inyección desde el otro lado de la unión donde están en
exceso por ser mayoritarios.

En directa:
Si ahora se  le aplica una polarización directa, se obligaría al diodo a conducir. Pero, se requiere un
cierto tiempo, conocido como “tiempo de recuperación en directa”, antes de que los portadores
mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al flujo de la corriente. Si el valor de    es alto, la
corriente podría estar concentrada en forma no homogénea en la zona de la unión y el diodo podría
fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperación en directo limita la velocidad de elevación de la corriente
directa. Respecto a las limitaciones de la velocidad de conmutación, es despreciable frente al trr.

7. Describa las características de los diodos conectados en serie

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Diodos conectados en serie.- En muchas aplicaciones de alto voltaje, un diodo comercialmente

disponible no puede dar la especificación de voltaje requerida, por lo que los diodos se conectan en
serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.

Consideremos dos diodos conectados en serie, tal y como se muestra en la figura 2-8a. En la práctica,
las características v-i para el mismo tipo de diodo difieren debido a tolerancias en su proceso de
producción.

En la figura 2-11b se muestran dos características v-i para tales diodos. En condición de polarización
directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente y la caída de voltaje en cada diodo
debería ser la misma. Sin embargo, en la condición de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la
misma corriente de fuga y como resultado los voltajes de bloque variarán en forma significativa.

Una solución sencilla, es que se comparta el voltaje con una resistencia a través de cada diodo. Debido
a esta distribución de voltajes iguales. La corriente de fuga en cada diodo sería diferente.

En vista de que la corriente de fuga total debe ser compartida por un diodo y su resistencia se tiene la
siguiente ecuación:

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La ecuación anterior proporciona la relación entre R1 y R2 para una distribución de voltaje igual, en la
forma:

Si las resistencias son iguales y los dos voltajes del diodo serían ligeramente distintos, dependiendo de
las similitudes entre las características v-i.
Los valores de VD1 y VD2 se pueden determinar de la siguiente manera:

8. Describa las características de los diodos conectados en paralelo

Diodos conectados en paralelo.- En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo
para aumentar la capacidad de conducción de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente
deseadas. La distribución de corriente de los diodos estará de acuerdo con sus respectivas caídas de
voltaje directas. Se puede obtener una distribución de corriente uniforme proporcionando inductancias
iguales o conectando resistencias de distribución de corriente.

Dado que los diodos están conectados en paralelo, los voltajes de bloqueo inverso de cada diodo serían
los mismos.

Las resistencias de la figura 2-11a ayudarán a la repartición de corriente en condiciones de régimen

permanente. La repartición de la corriente bajo condiciones dinámicas se puede llevar a cabo mediante
la conexión de inductores acoplados, tal y como se muestra en la figura 2-11b. Si se eleva la corriente a
través de D1, la corriente en L1 aumenta y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opuesta a
través de L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia a través de D2 y la corriente se
transfiere a D2. Los inductores generarían picos de voltaje y podrían resultar costosos y voluminosos,
especialmente en corrientes altas.

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9. Describa el funcionamiento de los interruptores controlables

 Bloquea de forma arbitraria grandes tensiones directas e inversas con flujo de corriente cero.
 Conduce en forma arbitraria grandes corrientes con caída cero de tensión cuando está
encendido
 Conmuta de encendido a apagado o viceversa en forma instantánea cuando se dispara
 Se requiere una cantidad de energía insignificante de la fuente de control para disparar el
interruptor
10. Describa las funciones de los transistores bipolares

 Control de tensión, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente
exponencial usual de una unión PN (es decir, un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la
tensión base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es β veces
la corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con precisión y
confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del transistor como el modelo
Ebers-Moll.
 Parámetros Alfa y Beta del transistor de unión bipolar
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces
de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo
dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados
desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de
corriente emisor común está representada por  o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de
corriente continua de colector en relación a la corriente continua de la base en la región
activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la  ganancia de
corriente base común, . La ganancia de corriente base común es aproximadamente la
ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa
usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta
están más precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

11. Describa el modelo Spice de diodo

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Es un estándar internacional cuyo objetivo es simular circuitos electrónicos analógicos compuestos

por resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc. Para ello hay que describir los
componentes, describir el circuito y luego elegir el tipo de simulación (temporal, en frecuencia, en
continua, paramétrico, Montecarlo, etc.).

12. Indique las diferencias entre la electrónica de potencia y la electrotécnica aplicada

La electrotecnia es la disciplina tecnológica que estudia las aplicaciones de la electricidad, y el

estudio de los fenómenos eléctricos y electromagnéticos mientras que la electronica de potencia es la
parte de la Electrónica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos
para el procesamiento, control y conversión de la energía eléctrica.

13. Describa el funcionamiento de los interruptores Pspice

14. Menciona las características dinámicas de un diodo de potencia.

 Tiempo de recuperación inverso.

 Influencia del trr en la conmutación.
 Tiempo de recuperación directo.

5. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

 En el simulador de circuitos(PROTEUS) los valores obtenidos son resultados ideales

 Tal como se esperaba, el los diodos actuaron tal como lo aprendido teóricamente:
Conduciendo en polarización directa y abriendo el circuito en polarización inversa.
 Entre las utilidades que se le pueden atribuir a los diodos constan los circuitos
cortapicos, muy usados en nuestro medio.

6. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

http://www.futureworkss.com/tecnologicos/electronica/manuales/Manual%20sobre
%20Orcad%20Pspice%209.1.pdf
https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Diodos%20-%202012.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor