UNIVERSIDAD NACIONAL AUTNOMA DE MXICO

FACULTAD DE INGENIERA

Dispositivos y circuitos electrnicos

Profesor: Rodrguez Sobreyra Ranulfo

Grupo: 9

Alumna: Martnez Ramrez Karen Liliana

Tercer parcial

Fecha de entrega: 22/05/2015

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Un transistor de efecto de campo o FET por sus siglas en ingls (field effect transistor) es
un dispositivo electrnico conformado por tres terminales (fuente, compuerta y drenaje)
que amplifica y conmuta entre dos estados (conduce o no conduce) mediante la aplicacin
de un voltaje y a diferencia del transistor bipolar no se requiere de una corriente. La
operacin de este transistor se controla mediante el campo elctrico que es generado por
el voltaje. Adems estos dispositivos son unipolares, en los que el nivel de conduccin
depender de un nico tipo de portadores (electrones en los del canal tipo n y huecos en
el canal tipo p).

Estructura funcionamiento y curvas caractersticas

Dentro de la categora de los transistores FET, se encuentran entre otros el transistor de
unin de efecto de campo o JFET (junction field effect transistor ) y el transistor de efecto
de campo metal-oxido- semiconductor o MOFSET.

Transistor de efecto de campo de unin JFET

JFET se clasifican en dos grandes grupos
a) JFET de canal n
La mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado
formando un canal con contactos hmicos (regiones de material semiconductor
tipo p) en ambos extremos. En cada uno de los extremos del canal se sita una

terminal (una terminal de fuente o surtidor y otro de sumidero o drenador) .La dos
regiones p se interconectan entre si hacia el exterior, construyendo el terminal de
puerta o graduador. Como los FET son unipolares, en los JFET de canal n los
portadores son slo los electrones.
Este transistor conduce siempre del terminal de surtidor al de drenador. El canal N
posee suficientes electrones libres como para que se pueda establecer un paso de
corriente Si ahora sometemos al terminal de puerta a una tensin negativa, los
electrones libres sern expulsados por repulsin fuera del canal. Esto hace que el
canal se quede con menos portadores de carga y, por lo tanto, su resistencia
aumente considerablemente, lo que provoca una disminucin de la corriente que
atraviesa el canal del surtidor al de drenaje. En el caso de que la tensin sea
suficientemente negativa, la corriente puede dejar de fluir. A esta forma de trabajo
se la denomina de empobrecimiento (la tensin de
control aplicada a la puerta empobrece o extrae los
portadores del canal) lo que hace que ste se estreche
al paso de la corriente.
D = Drenador: Es el terminal por al que salen los
portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de
canal n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente: Es el terminal por el que entran los
portadores.
G = Puerta: Es el terminal mediante el que se controla la corriente de portadores a
travs del canal.
Los transistores de canal n se polarizan aplicando una tensin positiva entre
drenador y fuente (V_DS) y una tensin negativa entre puerta y fuente (V_GS).De
esta forma la corriente circular en el sentido de drenador a fuente.
b) JFET de canal p
La tensin aplicada a la puerta se hace ahora positiva,
consiguiendo, as, repeler los huecos existentes en el canal P
y controlar de esta forma, la corriente del surtidor. En
cualquiera de los dos tipos de transistores unipolares, la
tensin de polarizacin del diodo formado por la puerta y el
canal se polariza inversamente. De esta forma evita que por
esta unin fluya corriente elctrica. En los transistores de

canal p, la tensin V_DS a aplicar debe ser negativa y la tensin V_GS positiva, por
lo tanto la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenador.
Funcionamiento
VGS=0 y VDS=variable
El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor
depende del voltaje existente entre D y S. Cuando VDS es lo
suficientemente grande la corriente iDS comienza a ser
constante, VDS puede incrementarse hasta en punto en el que
ocurre rompimiento por avalancha.
Como el canal N se comporta como resistencia a medida que
VDS se incrementa el potencial presente en el canal hace que se
forme una regin de agotamiento o campo elctrico y va
incrementndose hasta que se cierra el punto A.

VGS y VDS variables:

Para controlar la anchura del canal N el voltaje VGS en los FETS es
negativo, a medida que VGS se incrementa negativamente se
origina una regin de agotamiento entre compuerta y fuente que
va reduciendo la corriente iDs gradualmente.
Vpx es un voltaje producido bajo condicin de un voltaje
cualquiera producido bajo la condicin de un voltaje VGS de valor x y en el cual la
corriente comienza a hacerse constante. La relacin existente entre el nuevo Vpx y
cualquier VGS es:
Vpx=Vpo+VGS
BVDSX=BVDS0+VGS
El canal se cierra por completo cuando VGS= VGsoff, en este momento la corriente
iDS es aproximadamente cero.
Al presentar la corriente de drenador en funcin de las dos tensiones (VDS y VGS) ,
aparecen las denominadas curvas caractersticas del transistor JFET.

Zona hmica o de no saturacin:

Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando VDS VGS VGSoff . Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la parte del
drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.
En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia
variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de
VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor
de VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se
aproxima al cierre.
Zona de corte o no conduccin:
Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente ID = 0
con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS VGSoff, donde
el canal est completamente cerrado.
Zona de saturacin o de corriente constante:
Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID permanece
invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hiptesis de canal largo) y
slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta
como una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta VGS. La relacin
entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el canal en esta zona
viene dada por la siguiente ecuacin:

Zona de ruptura:
Las uniones p-n estn sometidas a una mayor polarizacin inversa del lado del
drenador. Por tanto, el JFET entrar en ruptura cuando en la zona del drenador se
supere la tensin de ruptura de la unin, es decir, cuando VDG Vr. Teniendo en
cuenta que VDS = VGS + VDG la ruptura se dar para VDSruptura VGS + Vr Por
ello a medida que VGS se hace ms negativo, la tensin VDS para la que se produce
la ruptura ser menor, lo que origina que en la zona de ruptura se crucen las lneas.
Polarizacin
El transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. La relacin
no lineal entre ID y VGS puede complicar el mtodo matemtico del anlisis de DC de las
configuraciones a FET.

Configuraciones de polarizacin
Algunas de las formas tpicas de polarizacin de un JFET son las siguientes
1) Polarizacin fija o de compuerta
Es la peor forma de polarizar al transistor JFET puesto que depende mucho del transistor
empleado la cual es una de las pocas configuraciones a FET que pueden resolverse tanto
por un mtodo matemtico como por uno grfico.

La configuracin de la Figura, muestra los niveles de ac, Vi y V0 y

los capacitares de acoplamiento (C1 y C2). Los capacitores de
acoplamiento son circuitos abiertos para el anlisis dc e
impedancias bajas (esencialmente cortos circuitos) para el
analizas en ac. El resistor RG est presente para asegurar que Vi
aparezca en la entrada del amplificador FET. Para el anlisis en
dc.

2) Autopolarizacin
Tambin conocida como autopolarizado por resistencia
de fuente: en este circuito solo se usa una fuente, que
es la del drenador suprimiendo la fuente de puerta. Y se
acopla una resistencia de surtidor. Este circuito es ms
estable que el anterior. La configuracin de
autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de
dc. El voltaje de control de la compuerta a la fuente
ahora lo determina el voltaje a travs del resistor RS,
que se conecta en la terminal de la fuente de la
configuracin como se muestra en la siguiente figura.
3) Polarizacin por divisor de voltaje
Es la forma ms segura de saber que el punto de
funcionamiento Q va a estar en el punto que se
estabilice. La forma de calcular es exactamente igual
que los transistores que se le aplica Thevening.
En la regla de polarizacin mediante divisor de voltaje
que se aplic a los amplificadores a transistor BJT
tambin puede aplicarse a los amplificadores a FET,
como lo muestra la figura. La construccin bsica es exactamente la misma, pero el
anlisis en dc de cada una es muy diferente. Para los amplificadores FET IG = 0A, pero la
magnitud de IB para los amplificadores de emisor comn puede afectar los niveles de
corriente y voltaje de dc tanto en los circuitos de entrada como en los de salida. Recuerde
que IB proporciono la relacin entre los circuitos de entrada y de salida para la
configuracin de divisor de voltaje para el BJT, mientras que VGS har lo mismo en la
configuracin a FET.

Aplicaciones del transistor de efecto de campo

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo se destacan las siguientes:
Aplicacin
Aislador o separador
(Buffer)
Amplificador de RF

Principal ventaja
Impedancia de entrada alta
y de salida baja
Bajo ruido

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Amplificador CAG
Amplificador cascada

Facilidad para controlar

ganancia
Baja capacidad de entrada

Troceador

Ausencia de deriva

Resistor variable por

voltaje

Se controla por voltaje

Amplificador de baja
frecuencia
Oscilador

Capacidad pequea de
acoplamiento
Mnima variacin de
frecuencia
Pequeo tamao

Circuitos MOS digital

Usos
Uso general, equipo de
medida, receptores.
Sintonizadores FM, equipo
para comunicaciones
Receptores FM y TV,
equipos para
comunicaciones
Receptores, generadores de
seales
Instrumentos de medicin,
equipo de prueba
Amplificadores de cc,
sistemas de control de
direccin
Amplificadores
operacionales , controles de
tono
Audfonos para sodera
Generadores de frecuencia
Integracin en gran escala,
computadoras, memorias.

Anlisis del transistor de efecto de campo en seal pequea

El anlisis de AC de una configuracin a FET requiere que se desarrolle un modelo de AC
de pequea seal para el FET. Un componente principal del modelo de AC reflejar el
hecho de que un voltaje AC aplicado a las terminales de compuerta-fuente controlar el
nivel de la corriente del drenaje a la fuente.
El voltaje compuerta-fuente controla la corriente de drenaje-fluente (canal) de un FET.
El voltaje de DC compuerta-fuente controla el nivel de la corriente de drenaje de DC
mediante una relacin conocida como ecuacin de Shockley: ID = IDSS (I VGS/VP)^2. El
cambio en la corriente del colector que se ocasionar por el cambio en el voltaje

compuerta-fuente puede determinarse mediante el uso del factor de transconductancia

gm de la forma siguiente:
El prefijo trans- de la terminologa aplicada a gm indica que ste establece una relacin
entre una cantidad de entrada y una de salida. La raz conductancia se seleccion debido a
que gm se encuentra determinado por una relacin voltaje a corriente similar a la relacin
que define la conductancia de un resistor G = 1/R = IN. Al resolver para gm en la ecuacin
tenemos:

Determinacin grfica de gm
Si ahora revisamos las caractersticas de transferencia de la ecuacin, encontramos que
gm es en realidad la pendiente de las caractersticas en el punto de operacin. Es decir, al
seguir la curvatura de las caractersticas de transferencia, queda claro que la pendiente, y
por tanto gm se incrementa a medida que se va de VP a IDss. O en otras palabras, a
medida que VGS se acerca a 0V, la magnitud de gm se incrementa.
Amplificador de compuerta comn
El amplificador de compuerta comn se caracteriza por tener una impedancia de entrada
ms baja que la de un amplificador de fuente comn y adicionalmente por su
caracterstica no inversora en la seal de salida. Lo anterior se debe a que la seal de
entrada ingresa por la fuente del transistor y no por la compuerta del mismo.
Amplificador de drenaje comn
El amplificador de drenaje comn suele ser un diseo cuyo objetivo no es amplificar sino
actuar como un adaptador de impedancias. Esto es recibir una seal de alta impedancia y
producir una seal con una amplitud similar pero con baja impedancia. Por esta razn los
valores de ganancia para este amplificador siempre son menores a 1 [V/V].
Amplificador de fuente comn

El amplificador de fuente comn es una de las configuraciones ms usuales de

amplificacin con transistores MOSFET. Esto se debe a que permite una ganancia
significativa siempre y cuando se consideren cuidadosamente los parmetros de diseo.
El transistor MOFSET
Una variacin del JFET es el transistor MOSFET o
simplemente
MOS
(
Metal
oxide
semiconductor).La diferencia fundamental de este
tipo de transistor es que la puerta se encuentra
aislada del canal mediante un dielctrico tal como
el dixido de silicio. Esto hace que
fundamentalmente la corriente que circula por la
puerta sea tan pequea que prcticamente no se
toma en cuenta, debido a esto, la resistencia que
presenta es extremadamente elevada, an ms
elevada que la que pueda presentar un JFET.
Los transistores MOS se dividen en dos tipos, esto
es, MOS de enriquecimiento y MOS de
empobrecimiento.

MOS de empobrecimiento:
Estos tipos de transistores pueden ser construidos tanto en canal n como de canal p. La
construccin de este transistor, tanto para un tipo de canal como para otro, es realizando
un canal fsico entre drenador y fuente, por lo que en ausencia de seal de puerta el
drenador y la fuente se encuentran comunicados por dicho canal y, por lo tanto, al aplicar
una tensin entre drenador y fuente VDS habr circulacin de corriente de drenador Id.
Sobre el canal que une drenador y fuente, se crea una capa de dixido de silicio y, sobre
dicha capa otra capa fina de aluminio que constituye el terminal de puerta, de esta forma,
la puerta queda aislada del canal.

Como se puede observar, entre el terminal de puerta y el canal hay una capa de dixido
de silicio, de ah que la puerta quede aislada y, por lo tanto, exista una elevada resistencia
de entrada con una pequesima e insignificante corriente de puerta.
Un MOS de empobrecimiento puede trabajar con valores tanto negativos como positivos
de VGS esto es:
Para un MOS de canal n, una tensin negativa VGS saca los electrones de la regin del
canal y por lo tanto lo empobrece (el canal se hace ms pequeo), disminuyendo con esto
la corriente de drenador ID. Cuando VGS alcanza Vp, e l canal de contrae o estrangula
como suceda con un JFET.
Por el contrario, una tensin positiva de VGS lo que hace es aumentar el tamao del canal
y, por lo tanto, hay un aumento de la corriente de drenador ID.
Los dos tipos de transistores MOS de empobrecimiento suelen representarse mediante los
siguientes smbolos ya sean de canal n o de canal p, respectivamente:

Canal N

Canal P

Curvas caractersticas:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en

los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es
debido a que el MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas. Por esta
razn, la corriente IDSS, correspondiente a la
interseccin de la curva con el eje ID, ya no es la
de saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de
trasconductancia es parablica y la ecuacin que
la define es tambin:

Obsrvese cmo en esta curva aparecen

tanto tensiones negativas de VGS
(trabajo en modo de empobrecimiento),
como positivas (trabajo en modo de
enriquecimiento). La corriente ms
elevada se consigue con la tensin ms
positiva de VGS y el corte se consigue
con tensin negativa de VGS(apag).
De esta familia de curvas se puede
obtener la curva de trasconductancia,
que nos indica la relacin que existe
entre VGS e ID.
Al igual que ocurra con el JFET, las caractersticas de transferencia de un MOS de
empobrecimiento relacionan la entrada VGS y la salida ID, por lo tanto, esta curva
tambin puede definirse por la siguiente expresin ya conocida:

MOS de enriquecimiento:

Al igual que con el MOS de empobrecimiento, pueden fabricarse MOS de enriquecimiento

tanto de canal n como de canal p la construccin de este transistor tanto para un canal
como para otro, difiere un tanto del MOS de empobrecimiento.
El MOS de enriquecimiento de canal n no tiene la capa delgada de material, sino es
necesario una tensin positiva entre puerta y fuente para crear dicho canal. Por lo tanto al
contrario que en el caso anterior, al aplicar una tensin entre drenador y fuente VDS, no
habr circulacin de corriente de drenador ID, la corriente del drenador solo se dar
cuando exista una tensin entre puerta y fuente VGS, teniendo en cuenta que adems
dicha tensin deber sobrepasar un determinado nivel de tensin llamada, tensin umbral
VT, no habiendo circulacin de corriente hasta que no sobrepase dicho nivel.

Los dos tipos de transistores MOS de enriquecimiento suelen representarse mediante los
siguientes smbolos, ya sean de canal n, o de canal p respectivamente.

Canal N

Canal P

En este tipo de transistor se ha anulado la capa de material n que exista entre el sustrato
y la capa de dixido de silicio, ahora el canal es creado como se ha dicho anteriormente, al
establecer una tensin positiva entre la puerta y fuente, VGS. Para un MOS de
enriquecimiento de canal n la tensin entre la puerta y fuente e atrae los electrones de
sustrato de la zona entre drenaje y fuente, haciendo que dichos electrones se acumulen
en la parte inferior de la capa de dixido de silicio, de tal forma que, cuando VGS alcance
el valor de VT, existirn electrones suficientes como para que dicha zona se comporte
como un canal n conductor.

Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo admite la forma de trabajo en
modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en
circuitos digitales, microprocesadores, etc.
En la siguiente figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en la (b) las
de transconductancia de este tipo de MOSFET.

Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce cuando
son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no
conduccin o apagado.

REGULADORES DE TENSIN
Tambin conocidos como estabilizadores pueden ser circuitos formados por elementos
discretos o por circuitos integrados y su funcin es proporcionar una tensin estable y
bien especificada para alimentar otros circuitos a partir de una fuente de alimentacin de
entrada de poca calidad, es uno de los circuitos integrados ms utilizado, adems debe ser
capaz de proporcionar corrientes de salida desde unas decenas de mA en reguladores
pequeos hasta varios A para reguladores grandes.
Reguladores de tensin usando diodos zener y transistores
Zener
Un diodo zener recibe a veces el nombre de diodo regulador de tensin porque mantiene
la tensin entre sus terminales constante, incluso cuando la corriente sufra cambios. En
condiciones normales el diodo zener debe tener polarizacin inversa, como se ve en la

figura 4.6. Adems para trabajar en la zona zener, la tensin de la fuente Vs debe ser
mayor que la tensin de ruptura Vz. Siempre se emplea una resistencia en serie Rs para
limitar la corriente a un valor menor de su limitacin mxima de corriente. En caso
contrario el diodo zener se quemara, como cualquier dispositivo que disipase excesiva
potencia.
En la figura 4.7 se ve la salida de una fuente de
alimentacin conectada a una resistencia en
serie con un diodo zener. Este circuito se utiliza
cuando se desea una tensin continua de salida
que sea menor que la salida de la fuente de
alimentacin. Un circuito como este recibe el
nombre de regulador zener de tensin o
simplemente regulador zener. En algunos textos
se refieren a este circuito como estabilizador
zener
En la figura se ve la salida de una fuente de
alimentacin conectada a una resistencia en
serie con un diodo zener. Este circuito se
utiliza cuando se desea una tensin continua
de salida que sea menor que la salida de la
fuente de alimentacin. Un circuito como este
recibe el nombre de regulador zener de tensin o simplemente regulador zener. En
algunos textos se refieren a este circuito como
estabilizador zener.
Transistores
Las caractersticas de un regulador de tensin
pueden mejorarse ampliamente empleando
dispositivos tales como el transistor. El
regulador de tensin ms simple del tipo de
transistores en serie aparece la figura 4.8. En
esta configuracin el transistor se comporta
como un simple resistor variable cuya resistencia se determina mediante las condiciones
de operacin. En resumen, para una carga creciente o decreciente, la resistencia variable
debe cambiar en la misma forma y a la misma velocidad para mantener la misma divisin

de tensin. Hay que recordar que la regulacin de tensin se determina observando las
variaciones en la tensin terminal frente a la demanda de corriente.
Reguladores integrados y especificaciones del fabricante
Los reguladores de tensin abarcan una amplia clase de circuitos integrados (CI) de amplio
uso. Estas unidades contienen los circuitos para la fuente de referencia, el amplificador de
error, el dispositivo de control y la proteccin a sobrecarga, todos en un solo chip de CI.
Aunque la construccin interna es un poco diferente a la que se describi para los
circuitos reguladores de tensin discreto, la operacin externa es casi la misma. Una
categora bsica de los reguladores de tensin incluye aquellos empleados solo con
tensiones positivas, los que se usan nicamente con tensiones negativas y los que se
clasifican tambin por tener tensiones de salidas fijas o ajustables. Estos reguladores
pueden seleccionarse para operacin con corrientes de carga con cientos de miliampers a
decenas de ampers.

Los reguladores de tensin que proporcionan una tensin regulada fija positiva dentro de
un intervalo de corriente de carga se representa esquemticamente en la figura 4.9. El
regulador de tensin fijo tiene una tensin no regulado Vent aplicado a una terminal,
entrega una tensin de salida regulado Vo desde una segunda terminal y la tercera
terminal conectada a tierra. Para un CI particular las especificaciones del dispositivo
sealan un intervalo de tensin dentro del cual la tensin de entrada puede variar para
mantener la tensin de salida regulada Vo dentro de un intervalo de corriente de carga Io.
Debe mantenerse una tensin diferencial de salida-entrada para que el CI opere, lo que

significa que la variacin de tensin de entrada debe siempre mantenerse lo

suficientemente grande para conservan una cada de tensin a travs del CI que permita
la operacin adecuada del circuito interno. Las especificaciones del dispositivo tambin
incluyen la cantidad del cambio de la tensin de salida Vo que resulta de los cambios en la
corriente de carga y tambin en los cambios en la tensin de entrada.
DISPOSITIVOS PTICOS Y DE POTENCIA
Diodos emisores de luz
En un principio cuando fueron creados los leds, estos fueron diseados con el nico
propsito de ser utilizados como sealizadores luminosos que indican el funcionamiento
de un aparato electrnico, su potencia y cantidad de luz era muy pequea, pero para el
efecto utilizado era ms que suficiente. Al paso del tiempo estos leds han ido
beneficindose de muchos avances tecnolgicos, razn por la que se han creados leds de
alta luminosidad, hasta llegar a los leds RGB que son ms que tres diodos emisores de luz
encapsulados en un solo led.
Es un dispositivo semiconductor que
emite luz incoherente de espectro
reducido cuando se polariza de forma
directa la unin PN en la cual circula
por l una corriente elctrica . Este
fenmeno es una forma de
electroluminiscencia, el LED es un
tipo especial de diodo que trabaja
como un diodo comn, pero que al
ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz.
Est comnmente encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las
de vidrio que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes.
En los diodos emisores de luz de estado slido (LED), el suministro de electrones de mayor
energa proviene de la polarizacin directa, inyectando as electrones en la regin n y
huecos en la regin p.
Los huecos y electrones inyectados se recombinan con los portadores mayoritarios
prximos a la unin. La radiacin por recombinacin es emitida en todas direcciones,
observndose la mayor luz en la superficie superior porque el promedio de material entre
la unin y esta superficie es mnimo.

Seccin de un diodo emisor de luz (LED), en la figura a) se explica el

funcionamiento y en la b) la construccin tpica.

La figura a muestra un diagrama de niveles de energa, que se emplea para describir la

radiacin que tiene lugar en un LED.
La figura b muestra varias de las sales de plomo empleadas en fotodetectores de
infrarrojos tambin se emplean como emisores de luz electroluminiscentes.
El GaAs es uno de los materiales ms antiguos y mejores para LED. Una de las ventajas
principales del GaAs es que tiene una gran probabilidad de transicin directa radiactiva. Es
decir, toda transicin directa es siempre de la banda de conduccin a la de valencia.
Para tener el mximo rendimiento de un LED, los fabricantes:
1. Utilizan los materiales menos absorbentes y de alto rendimiento directo con cristales lo
menos defectuosos posible, de forma que los portadores o fotones no se pierdan en el
sistema, atrapados en los defectos del cristal.
2. Colocan lentes con ndices de refraccin lo ms prximos posible al del material del LED,
de forma que se refleje la menor luz posible hacia el interior cuando atraviesan la
separacin LED-aire.
3. Trabajan en funcionamiento intermitente para eliminar problemas de Saturacin y

temperatura.
4. Enfran los dispositivos para disminuir el nmero de transiciones no radiantes
originadas por la dispersin de estados de energa cuando se aade energa trmica.
La mayora de los LEDs tienen un encapsulado comercial de plstico con una lente
directamente sobre la unin p-n. No todos los fotones generados por la unin salen de la
superficie del LED, tres elementos separados disminuyen la cantidad de fotones emitidos.
1. Perdidas debidas a los materiales de construccin (GaAsP/ GaAs n=0.15, GaAsP/GaP n=
0.76)
2. Perdidas FRESNEL (en dos elementos con diferente ndice de refraccin una parte de la
radiacin se refleja)

3. Prdidas por ngulo crtico

(
La unin de todas las prdidas da:

Esquema de un LED tpico:

El patrn de luminosidad en un LED es importante y generalmente las caractersticas nos

dicen la luminosidad a media intensidad. Esto es el ngulo al cual la intensidad luminosa
es la mitad de la del eje del LED.
El patrn de iluminacin depende del tipo de encapsulado.
Funcionamiento fsico de un LED:
consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar de la banda de
conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede manifestar en
forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El
que esa energa se manifieste en (calor por ejemplo) va a depender principalmente del
tipo de material semiconductor. Cuando Al polarizar directamente un diodo LED
conseguimos que por la unin PN sean inyectados huecos en el material tipo N y
electrones en el material tipo P; O sea los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y
los electrones de la zona n hacia la zona p, producindose por consiguiente, una inyeccin
de portadores minoritarios.
Ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es decir, los
electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos, "cayendo" desde un nivel energtico
superior a otro inferior ms estable

Cuando estos portadores se recombinan, se produce la liberacin de una cantidad de

energa proporcional al salto de banda de energa del material semiconductor. Una parte
de esta energa se libera en forma de luz, mientras que la parte restante lo hace en forma
de calor, estando determinadas las proporciones por la mezcla de los procesos de
recombinacin que se producen.
La energa contenida en un fotn de luz es proporcional a su frecuencia, es decir, su color.
Cuanto mayor sea el salto de banda de energa del material semiconductor que forma el
LED, ms elevada ser la frecuencia de la luz emitida.

LED RGB es un pequeo diodo emisor formado internamente por tres leds de similares
caractersticas pero de distintos colores, en especfico rojo, verde, azul. Estos nuevos leds
tienen atributos y ventajas sobre otros sistemas de iluminacin como son el bajo consumo
de energa, alta eficiencia del calor , vida til extremadamente larga, pequeas
dimensiones, alta resistencia al impacto y a las vibraciones, ausencia de radiaciones IR/UV,
poca generacin de calor y distribucin direccional de la luz .
En la siguiente figura (espectro visible de un led RGB )se puede apreciar que el color azul
tiene la frecuencia mas baja siendo desde 440nm hasta 500nm, el verde 510nm a 560nm y
el rojo de 610nm a 650nm.

Conexin de los leds

Para conectar LED de modo que iluminen de forma continua, deben estar polarizados
directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentacin conectada al
nodo y el polo negativo conectado al ctodo. Adems, la fuente de alimentacin debe
suministrarle una tensin o diferencia de potencial superior a su tensin umbral. Por otro
lado, se debe garantizar que la corriente que circula por ellos no excede los lmites
admisibles (Esto se puede hacer de forma sencilla con una resistencia R en serie con los
LED).

El fenmeno de emisin de luz est basado en la teora de bandas, por la cual, una tensin
externa aplicada a una unin p-n polarizada directamente, excita los electrones, de
manera que son capaces de atravesar la banda de energa que separa las dos regiones.
Si la energa es suficiente los electrones escapan del material en forma de fotones.
Cada material semiconductor tiene unas determinadas caractersticas que y por tanto una
longitud de onda de la luz emitida.
A diferencia de la lmpara de incandescencia cuyo funcionamiento es por una
determinada tensin, los Led funcionan por la corriente que los atraviesa. Su conexin a
una fuente de tensin constante debe estar protegida por una resistencia limitadora.
Teora de bandas: En un tomo aislado los electrones pueden ocupar determinados
niveles energticos pero cuando los tomos se unen para formar un cristal, las
interacciones entre ellos modifican su energa, de tal manera que cada nivel inicial se
desdobla en numerosos niveles, que constituyen una banda, existiendo entre ellas huecos,
llamados bandas energticas prohibidas, que slo pueden salvar los electrones en caso de
que se les comunique la energa suficiente. En los aislantes la banda inferior menos
energtica (banda de valencia) est completa con los e- ms internos de los tomos, pero
la superior (banda de conduccin) est vaca y separada por una banda prohibida muy
ancha (~ 10 eV), imposible de atravesar por un e-. En el caso de los conductores las bandas
de conduccin y de valencia se encuentran superpuestas, por lo que cualquier aporte de
energa es suficiente para producir un desplazamiento de los electrones.
Entre ambos casos se encuentran los semiconductores, cuya estructura de bandas es muy
semejante a los aislantes, pero con la diferencia de que la anchura de la banda prohibida
es bastante pequea. Los semiconductores son, por lo tanto, aislantes en condiciones
normales, pero una elevacin de temperatura proporciona la suficiente energa a los
electrones para que, saltando la banda prohibida, pasen a la de conduccin, dejando en la
banda de valencia el hueco correspondiente. En el caso de los diodos LED los electrones
consiguen saltar fuera de la estructura en forma de radiacin que percibimos como luz
(fotones).

8.2) Fotodiodos y fototransistores

Fotodiodo
Un fotodiodo realiza la funcin inversa a la de in diodo o LED, ya que transforma la luz en
una corriente elctrica siendo proporcional dicha corriente a la cantidad de luz que incide
sobre el fotodiodo.
El funcionamiento de dicho fotodiodo se realiza mediante su conexin en polarizacin
inversa. El smbolo caracterstico de este tipo de diodos es el siguiente:

Su forma constructiva es tal que la luz que incida sobre l llegue fcilmente a la unin
semiconductora. Suelen tener una cara plana junto con un par de terminales de fcil
soldadura en circuitos impresos.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir
sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de
onda de hasta 1m); germanio o para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m
); o de cualquier otro material semiconductor.
Fototransistor
Es un transistor sensible a la luz, por lo general infrarroja. Combinan en uno solo la
deteccin de luz y la ganancia. Los hay de tres y de dos patas.
Los fotones que llegan al lente (base), generan pares electrn- la unin hueco en el
espacio entre C-B; La tensin de polarizacin inversa de C-B, llevan los huecos a la
superficie de la base y los electrones al colector. La unin de B-E polarizada directamente,
hace que los huecos se dirijan a la base al emisor mientras que los electrones van del
emisor a la base. En este momento la funcin del transistor se ejecuta cuando los
electrones cruzan del emisor a la base alcanzando el colector. Esta tensin constituye una
corriente de colector inducida por la luz.

Su aspecto es igual al de un LED, sin embargo la polaridad en estos dos es diferente,

mientras que en el LED; la pata ms larga es el positivo y la corta el negativo en el
fototransistor es inversa esta polaridad, aparte su capsula viene oscura.
En los fototransistores la base es reemplazada por un cristal fotosensible, que al recibir
luz, ya sea visible o infrarroja; produce una corriente y desbloquea el transistor.
Son usados comnmente en sensores de proximidad o de movimiento, acompaados de
un emisor de luz ya sea visible o infrarroja. Para hacer un circuito usando el fototransistor;
se debe tener mucho cuidado al proteger este circuito ya que este elemento es muy
sensible a la luz incluso a la del ambiente.
En todos los casos el fototransistor debe llevar un emisor de luz, algunos de estos
sensores necesitan un espejo para que refleje la luz, envindola al receptor.
En estos dispositivos, este se activa por medio de los botones que hacen la parte de
interruptores (pulsadores) dando el haz de luz al fototransistor que es el receptor, ubicado
por lo general en el electrodomstico.
Optoacopladores
Cuando se Combina una fuente ptica (generalmente un Led) con algn tipo de detector
ptico (generalmente un semiconductor de si) en un solo encapsulado, el dispositivo
resultante se llama optoacoplador u optointerruptor. Esta estructura produce un
elemento que permite el acoplamiento de seales dos tipos de circuitos electrnicos
independientes y totalmente aislados entre si, segn el encapsulado de estos dispositivos
pueden tener un aislamiento hasta de 3500 V.
El acoplador ptico es un dispositivo que ofrece a los diseadores electrnicos una mayor
libertad para disear circuitos y sistemas. La operacin est basado en la deteccin de luz
emitida. La entrada del acoplador est conectada a un emisor de luz y la salida es un
fotodetector. Se alimenta de una fuente externa conectada entre sus terminales (8)
positiva y (1) tierra; el valor de la fuente de alimentacin se extiende desde 4.5 Volts hasta
16.0 Volts de corriente continua, la misma fuente exterior se conecta a un circuito pasivo
RC exterior, que proporciona por medio de la descarga de su capacitor una seal de
voltaje que est en funcin del tiempo, esta seal de tensin es de 1/3 de Vcc y se
compara contra el voltaje aplicado externamente sobre la terminal (2) que es la entrada
de un comparador.
La terminal (6) se ofrece como la entrada de otro comparador, en la cual se compara a 2/3
de la Vcc contra la amplitud de seal externa que le sirve de disparo.

La terminal (5) se dispone para producir (PAM) modulacin por anchura de pulsos, la
descarga del condensador exterior se hace por medio de la terminal (7), se descarga
cuando el transistor (NPN) T1, se encuentra en saturacin, se puede descargar
prematuramente el capacitor por medio de la polarizacin del transistor (PNP) T2.
Se dispone de la base de T2 en la terminal (4) del circuito integrado 555, si no se desea
descargar antes de que se termine el periodo, esta terminal debe conectarse
directamente a Vcc, con esto se logra mantener cortado al transistor T2 de otro modo se
puede poner a cero la salida involuntariamente, aun cuando no se desee. La salida esta
provista en la terminal (3) del microcircuito y es adems la salida de un amplificador de
corriente (buffer), este hecho le da ms versatilidad al circuito de tiempo 555, ya que la
corriente mxima que se puede obtener cuando la terminal (3) sea conecta directamente
al nivel de tierra es de 200 mA

TRIAC Y SCR
TRIAC
El TRIAC es un semiconductor capaz de bloquear tensin y conducir corriente en ambos
sentidos entre los terminales principales T1 y T2. Es un componente simtrico en cuanto a
conduccin. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conducciones
prcticamente iguales a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se
supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por
sobretensin
Fundamentalmente es un Diac con una terminal de
compuerta, es decir, acta como dos SCR en paralelo.
Por eso, el Triac puede controlar la corriente en
cualquier direccin.
Las caractersticas del Triac en el 1er. Y 3er.
Cuadrantes, son diferentes a las del Diac, la corriente
de sostenimiento en cada direccin no est presente
en las caractersticas del Diac.

El voltaje de rompimiento a saturacin es generalmente alto, as que la forma comn de

encender un Triac es aplicando un disparo de polarizacin directa.Si v tiene la polarizacin
mostrada, tenemos que aplicar un disparo positivo; esto cierra el cerrojo izquierdo.
Cuando tiene la polaridad opuesta, un disparo negativo es necesario, cerrando el cerrojo
de la derecha
Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con
una conexin de compuerta comn, como se muestra en el ejercicio siguiente.
Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales
Modos de funcionamiento:

El TRIAC puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales puerta y T1 de un impulso positivo o negativo. Esto le da
una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito de disparo. A continuacin
se vern los fenmenos internos que tienen lugar en los cuatro modos de disparo
posibles.
Modo I + : Terminal T2 positiva con respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

Funcionan las capas P1N1P2N2 como tiristor con emisor en corto circuito, ya que la
metalizacin del terminal del ctodo cortocircuita parcialmente la capa emisora N2 con la
P2.
La corriente de puerta circula internamente hasta T1 , en parte por la unin P2N2 y en
parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de electrones de N2 a P2 que
es favorecida en el rea prxima a la puerta por la cada de tensin que produce en P2 la
circulacin lateral de corriente de puerta. Parte de los electrones inyectados alcanzan por
difusin la unin P2N1, que bloquea el potencial exterior, y son acelerados por ella
inicindose la conduccin.
Modo I - : Terminal T2 positivo respecto a T1.

Intensidad de puerta saliente.

El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.

El disparo de la primera se produce como un tiristor normal actuado T1 de puerta y P de

ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2 y polariza
fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de potencial positivo. La
unin P2N1 de la estructura principal que soporta la tensin exterior, es invadida por
electrones en la vecindad de la estructura auxiliar, entrando en conduccin.
Modo III + : Terminal T2 negativo respecto a T1.

Intensidad de puerta entrante.

El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conduccin
la
estructura
P2N1P1N4.
La inyeccin de electrones de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I +. Los que
alcanzan por difusin la unin P2N1 son absorbidos por su potencial de unin, hacindose
ms conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de la
unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de huecos
desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la tensin
exterior y se produce la entrada en conduccin.
Modo
III
:
Terminal
Intensidad de puerta saliente.

T2

negativo

respecto

T1.

Tambin se dispara por el procedimiento e puerta remota, conduciendo las capas

P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La tensin
positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente que la
prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que alcanzan en parte la
unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
Los cuatro modos de disparo descritos tienen diferente sensibilidad. Siendo los modos I +
y III - los ms sensibles, seguidos de cerca por el I -. El modo III + es el disparo ms difcil y
debe
evitarse
su
empleo
en
lo
posible.
El fabricante facilita datos de caractersticas elctricas el bloqueo, conduccin y de dispar
por puerta de forma similar a lo explicado para el tiristor.
Aplicaciones:
Se utiliza para controlar la corriente a travs de una carga grande. R1 y C, modifican el
ngulo de fase en la seal de compuerta, debido a este corrimiento de fase, el voltaje de
la compuerta est atrasado con respecto al voltaje de lnea un ngulo entre 0 y 90.

El voltaje de lnea tiene un ngulo de fase de 0 mientras que el voltaje de la compuerta

esta atrasado. Cuando este voltaje de la compuerta es suficientemente grande para
alimentar la corriente de disparo, el Triac conduce. Una vez encendido el Triac, continua
conduciendo hasta que el voltaje de lnea regresa a cero, debido a que R1 es variable, el
ngulo de fase del voltaje de lnea se puede controlar por medio de la carga. Un control
como este es muy til en calentadores industriales, alumbrado y otras aplicaciones de
potencia alta.
SCR
Un rectificador controlado de silicio (SCR, rectificador controlado de silicio) es un
dispositivo de tres terminales usado para controlar corrientes ms bien altas para una
carga. El smbolo esquemtico del SCR se presenta en la figura

Un SCR acta a semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una
trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces
como un interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de
corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado que es
un dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es muy rpida.
El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un SCR en
serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 2. La alimentaci6n de voltaje es
comnmente una fuente de 60-Hz de ca, pero puede ser de cd en circuitos especiales.
Si la alimentacin de voltaje es de ca, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del ciclo de
ca en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una fuente de 60-Hz de
ca, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los que se dividen entre el
tiempo que esta en ON y el tiempo que esta en OFF. La cantidad de tiempo que esta en
cada estado es controlado por el disparador.
Si una porcin pequea del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio que pasa a
la carga es pequea. Esto es porque la corriente puede fluir de la fuente, a travs del SCR,
y a la carga, s1o por una porcin relativamente pequea del tiempo. Si la seal de la
compuerta es cambiada para hacer que el SCR este en ON por un periodo mas largo del
tiempo, entonces la corriente de carga promedio ser mayor. Esto es porque la corriente
ahora puede fluir de la fuente, a travs del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente

mayor. De esta manera, la corriente para la carga puede variarse ajustando la porci6n del
tiempo del ciclo que el SCR permanece encendido.

Figura2. Relacin de circuito entre la fuente de voltaje, un SCR y la carga

Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente slo
durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en
que el nodo del SCR es mas positivo que el ctodo. Esto significa que el SCR de la figura 2
no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la
polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga
polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

Fuentes:

https://books.google.com.mx/books?id=45HN_RhzdkYC&pg=PA404&dq=transistores+de+
efecto+de+campo+fet&hl=es419&sa=X&ei=IRZfVf6iM4WVyASmwIDYBw&ved=0CDMQ6AEwBA#v=onepage&q=transist
ores%20de%20efecto%20de%20campo%20fet&f=false
https://books.google.com.mx/books?id=JEcgicCG8n8C&pg=PA173&dq=transistores+de+ef
ecto+de+campo+fet&hl=es419&sa=X&ei=wRVfVeCVIMqyyATUw4CQAg&ved=0CCAQ6AEwAQ#v=onepage&q=transist
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https://termodinamica20121.wikispaces.com/file/view/Transistor+de+Efecto+de+Campo,+de+Uni%C3%B3n+%28JFET
%29.pdf
http://es.slideshare.net/Humbertogato/transistor-fet
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/electronic/fet.html#c4
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html
http://konnan2001.galeon.com/TRIAC.HTML