EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)

1.- Introduccin a la teora del JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de juntura
o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos valores elctricos de
entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de
efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la
tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS. Segn este valor, la salida del transistor
presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla
de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y fuente)
flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales
conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva V GS entre puerta y fuente, las zonas
N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente I D) queda
cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta V GS sobrepasa un valor determinado, las
zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de electrones I D entre fuente y
drenador queda completamente cortado. A ese valor de V GS se le denomina Vp. Para un JFET
"canal N" las zonas p y n se invierten, y las V GS y Vp son negativas, cortndose la corriente para
tensiones menores que Vp.
As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas
mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para tensiones menores
que Vp. Los distintos valores de la I D en funcin de la VGS vienen dados por una grfica o
ecuacin denominada ecuacin de entrada.
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el circuito
que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente V DS. A la grfica o
ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de salida, y en ella es donde
se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: hmica y saturacin.
2.- El JFET: Caractersticas: Tipos y clasificacin. Curva de transferencia y sistema de
Polarizacin.
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de
drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se
polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal
drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado
se llama pinch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla
cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es
controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta a fuente modifican la regin de
rarefaccin (deplexin) y causan que vare el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas caractersticas del transistor
JFET. Las curvas caractersticas tpicas para estos transistores se encuentran en la imagen,
ntese que se distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de corte y la zona de
saturacin.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas
normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de simulacin
(como SPICE) permiten hacen barridos de CD bsicos para obtener las curvas, en base a los
modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (ms adelante

se ver) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de seal, sin embargo no son las
nicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuracin para formar
osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.

3.- El MOSFET: Curva de trasconductancia y sistema de polarizacin

Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son
muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta est
aislada del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy
pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo
de transistores es elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes
ideales para amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y los
de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores de
seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de
entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la
construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que
ocupan.
MOSFET de empobrecimiento
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al
terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura
de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la corriente
de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede
apreciar la estructura de un MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de

enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente

pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material
semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial V DDaplicada por la fuente,
mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la puerta,
produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace
que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control
se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin V GG de la puerta.
Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de
polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en
enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o
enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la
tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador.
Curvas caractersticas
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia de curvas de
drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de V GS (trabajo en modo de
empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms
elevada se consigue con la tensin ms positiva de V GS y el corte se consigue con tensin
negativa de VGS(apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la
relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se muestra en la siguiente curva abajo
a la derecha:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es
debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta
razn, la corriente IDSS, correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje I D, ya no es la de
saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la ecuacin que la
define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo de transistor

es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a V GS=0, ID=IDSS.
Cuando ste queda polarizado as, el transistor queda siempre en conduccin o, normalmente,
encendido.
Smbolos de los MOSFET
En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta hacia adentro) con
cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato est libre, en algunos casos, para dar al

transistor un mayor control sobre la corriente de drenador.

Tipo de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la forma de trabajo en
modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en circuitos
digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en la (b) las de
transconductancia de este tipo de MOSFET.

Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce cuando son
aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no conduccin o
apagado.
El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las
siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b) MOSFET de
enriquecimiento y canal P.

Observa cmo la lnea del canal en estos transistores se representa como una lnea punteada.
Proteccin de los MOSFET
Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa
extremadamente delgada de aislante que separa la puerta del canal. Esta capa se destruye con
suma facilidad si se aplica una tensin V GS por encima de la mxima soportable. Por esta razn,
nunca debe operarse con una tensin superior a la V GS(max)prescrita en las caractersticas del
MOSFET.
An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras causas, como pueden
ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar un MOSFET del circuito sin haber
desconectado la fuente de alimentacin. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar
con las manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga electrosttica entre
ellos, que los destruya. Por esta razn los MOSFET se almacenan con un conductor que
cortocircuita sus terminales. Este conductor se retira una vez conectado el MOSFET a su
circuito.
Consideraciones sobre el MOSFET
En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo elctrico a travs de un
diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta metlico separado del canal semiconductor por
una capa de xido, como se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente
distinto. La disposicin Metal-xido-Semiconductor (MOS) permite que un campo bsicamente
distinto afecte al canal si se aplica una tensin externa entre puerta y sustrato, y sto, tambin
posee un efecto negativo sobre el comportamiento del MOSFET.

En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se representa la capa de

Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el canal, vemos que al aplicar una tensin sobre
la puerta se necesitar un campo mnimo que inversione el canal. Esta tensin, llamada tensin
umbral y representada por VTH es aquella que acumula una concentracin de cargas capaz de
invertir el canal.
Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL sean incompatibles,

porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que quedara un margen de ruido muy
pequeo para su trabajo.
Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la compatibilidad de las dos familias
de dispositivos, y se ataca este problema en la fase de fabricacin del dispositivo, teniendo en
cuenta que la tensin umbral se debe a:
El espesor del SiO2: A ms espesor, menos campo aplicado.
A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en su fabricacin, no
cubre el 100% de la capa, por lo que baja su efectividad.
Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos conceptos, en la fase
de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo, mediante fabricacin con la tcnica SATO.
Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades asociadas al contacto
de puerta y los contactos de drenador y surtidor por el hecho de estar solapados. Esta capacidad,
introduce cortes o polos a altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el transistor, podr
trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones digitales y
computacionales

4.- El CMOS y el VMOS

VMOS (VERTICAL METAL OXIDE SILICON)

Figura 151. Estructura fisica de un VMOS

Los MOSFET tienen una desventaja frente a los BJT, el manejo de potencias. Normalmente un
MOSFET puede manejar potencias inferiores a 1 Watts. Para superar este inconveniente o
insuficiencia de los MOSFET, se realiza un cambio en la forma de construccin del MOSFET.
Para ello, se construye de tal forma que el canal n-inducido tenga un crecimiento (Operacin en
modo incremental) y este ahora en formado en direccin vertical. Estos dispositivos se conocen
como VMOS. Adems su apariencia de un corte en V en la base del semiconductor es la
caracterstica que se destaca para la memorizacin del nombre del dispositivo.
Las caractersticas ms importantes del VMOS, son:

Poseen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores nominales, de

corriente y de potencia.

Poseen un coeficiente positivo de temperatura que contrarrestar la posibilidad de una

avalancha trmica.

Tiempos de conmutacin ms rpidos por lo niveles reducidos de almacenamiento de

carga.

CMOS (MOS CON ARREGLO COMPLEMENTARIO)

Figura 152. Estructura fisica de un CMOS

CMOS, acrnimo de Complementary Metal Oxide Semiconductor (semiconductor
complementario de xido metlico). Es un dispositivo semiconductor formado por dos
transistores de efecto de campo de xido metlico (MOSFET), uno del tipo n (NMOS) y otro
del tipo p (PMOS), integrados en un nico chip de silicio. Utilizados por lo general para fabricar
memoria RAM y aplicaciones de conmutacin, estos dispositivos se caracterizan por una alta
velocidad de acceso y un bajo consumo de electricidad. Pueden resultar daados fcilmente por
la electricidad esttica.
5.- Simulacin y modelado de circuitos a JFET con LiveWire y Multisim 10.0
Anlisis de Barrido de CD en Multisim
El Anlisis de Barrido de CD en Multisim es utilizado para calcular el punto de polarizacin de

un circuito sobre un rango de valores. Esto es, Multisim simula el circuito varias veces
barriendo valores CD dentro de un rango predeterminado.
Para conocer ms a detalle el Anlisis de Barrido de CD en Multisim lo utilizaremos como una
herramienta para graficar el comportamiento de un diodo Zener:

El circuito anterior es un simple regulador Zener donde el diodo mantiene una salida constante a
pesar de que la corriente a travs de el cambie. En este caso, el diodo 1N4462 tiene un voltaje
Zener (Vz) de 7.5V y una tolerancia del 5%. Los valores de entrada de voltaje mnimo y
mximos que pueden ser regulados por este diodo son 7.41 V y 26.41 V, respectivamente.
Comprobaremos lo anterior utilizando el Anlisis de Barrido de CD en Multisim en un rango de
0 V a 40 V.
En Multisim seleccionemos Simular>>Anlisis>>Barrido de CD y configuremos los
parmetros de anlisis como se indica:

Lo anterior indica que vamos a variar V1 (la fuente independiente) desde 0 V hasta 40 V con
incrementos de 1 V. El botn Cambiar Filtro puede desplegar variables ms avanzadas (por
ejemplo: nodos dentro de un modelo BJT). Tambin existe la opcin de agregar una segunda
fuente independiente, esto es til para realizar un barrido anidado.
Ahora vamos a la pestaa Salida y agreguemos V(2), el voltaje en el nodo 2, como la variable
seleccionada para anlisis:

Damos clic en el botn Simular para realizar el anlisis:

De la figura anterior podemos observar que la salida es estable alrededor de 7.5 V, lo cual es el
voltaje Zener nominal del 1N4462. Tambin podemos ver que el rango de de trabajo del diodo
Zener concuerda con lo establecido anteriormente.
En la siguiente entrada utilizaremos nuevamente el Anlisis de Barrido de CD en Multisim para
trazar las curvas caractersticas de un MOSFET.