Transistor de unin bipolar

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PNmuy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento

de

portadores

de

dos

polaridades

(huecos positivos

y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero

tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente
en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones deelectrnica digital,
como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
comoemisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

Historia

Replica del primer transistor de punto de contacto, hoy en un museo de la actual Lucent
Technologies
Artculo principal: Historia del transistor
El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de unin, fue
inventado

en

diciembre

de 1947 en

la Bell

Telephone

Company por John

Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la direccin de William Shockley, cuya primera
patente solicitaron los dos primeros nombrados, el da 17 de junio de 1948, 1 a la cual
siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.

2 3 4

. El transistor

bipolar de unin, inventado por Shockley en 1948, fue durante tres dcadas el
dispositivo favorito en el diseo de circuitos discretos e integrados. Hoy en da, el uso de
los BJTs ha declinado en favor de la tecnologa CMOS para el diseo de circuitos digitales
integrados.
Estructura[editar]

Estructura de un transistor de unin bipolar del tipo PNP.

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la
regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son,
respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor
NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor
(E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN en el cual se aprecia

como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor.
La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de
material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la
regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de
la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque
mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor una gran .
El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que

el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso.

Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para
funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de
y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en
modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de
simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El
emisor est altamentedopado, mientras que el colector est ligeramente dopado,
permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base
antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la
operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar
la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por
el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de
corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir
del emisor.
El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en
procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no
hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso.
Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la
corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto
puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser
pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados
ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por
amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base.
Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT
modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los
transistores

bipolares

de

heterojuntura)

estn

hechos

especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Principio de Funcionamiento[editar]

de arseniuro

de

galio,

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin base-emisor se polariza en directa y la unin basecolector en inversa.6 Debido a la agitacin trmica los portadores de carga del emisor
pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,
prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo elctrico
que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo
compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la
unin base-colector est polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo,
cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada
se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la
regin de la base. Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja concentracin cercana al
colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la
base est dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La regin de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los
portadores puedan difundirse a travs de esta en mucho menos tiempo que la vida til del
portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se
recombinan antes de alcanzar la unin base-colector. El espesor de la base debe ser
menor al ancho de difusin de los electrones.
Control de tensin, carga y corriente[editar]
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la
relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente
exponencial usual de una unin PN (es decir, un diodo).

En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es

aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente
veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la
tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es
veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con
precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como
el modelo Ebers-Moll.
Parmetros Alfa y Beta del transistor de unin bipolar[editar]
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el
bajo dopaje de la regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.
La ganancia de corriente emisor comn est representada por o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la regin activa directa y es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante
es la ganancia de corriente base comn, . La ganancia de corriente base comn es
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la regin activa
directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y
0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN[editar]
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a
que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la
base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector.

La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
Ejemplo prctico de uso de un transistor bipolar NPN

Ejemplo de uso de un transistor del tipo NPN.

En el ejemplo particular mostrado en la imagen, hay un transistor del tipo NPN cuyo punto
funcionamiento Q (de la expresin inglesa Quiescent Point,punto esttico) en corriente
continua es desconocido. Hallar el punto Q consiste en calcular la corriente que atraviesa
el colector del dispositivo (IC) y la tensin colector-emisor (VCE).
La corriente que atraviesa la base (IB), con referencia al diagrama se calcula as:

Reemplazando los datos:

Seguidamente, se calcula la corriente de colector, recordando que su valor es igual a la
corriente
de
la
base,
multiplicada
por
el
parmetro
:

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a
las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores
usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre
dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el
colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la
que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa directa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si
lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los
BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo
activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (I c Ie =

Imx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos,
ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y
el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta
en saturacin, la relacin lineal de amplificacin I c=Ib (y por ende, la relacin
Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica
analgica (especialmente til para amplificacin de seal) y las
regiones de corte y saturacin, para la electrnica digital,
representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.

Teora y Modelos Matemticos

Anlisis en continua
El modelo Ebers-Moll
Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operacin normal son determinadas
por:

La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el

valor de T es muy cercano a 1,0. En el transistor de unin bipolar una pequea variacin
de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La
relacin entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, o
hFE. Un valor de de 100 es tpico para pequeos transistores bipolares. En una
configuracin tpica, una seal de corriente muy dbil circula a travs de la unin baseemisor para controlar la corriente entre emisor-colector. est relacionada con a travs
de las siguientes relaciones:

Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier regin del
transistor estn expresadas ms abajo. Estas ecuaciones estn basadas en el modelo de
transporte de un transistor de unin bipolar.

Modelo en pequea seal

Parmetros h

Modelo

de

parmetro

generalizado

para

un

BJT

NPN.

Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente.

Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de
parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y
permite un fcil anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para
desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo
representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisorcomn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de:

x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn.

Terminal 1 = Base

Terminal 2 = Colector

Terminal 3 = Emisor

iin = Corriente de Base (ib)

io = Corriente de Colector (ic)

Vin = Tensin Base-Emisor (VBE)

Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE)

Y los parmetros h estn dados por:

hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia

del emisor re).

hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el

valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente
despreciado (se considera cero).

hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es

generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC)
en las hojas de datos.

hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente

especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.

Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende

representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes
alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados
en maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de
parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por
esto los parmetros hoey hre son ignorados (son tomados como infinito y cero,
respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo
aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de
seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las
capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.