Este documento presenta los objetivos y contenidos de una sesión de simulación sobre pérdidas en dispositivos semiconductores y simulación térmica usando el software PLECS. Los objetivos incluyen simular el disparo de un tiristor, modelar un SCR usando parámetros de su hoja de datos, observar pérdidas de conducción, y simular el comportamiento térmico para determinar temperaturas clave. Las actividades propuestas incluyen simular un control de tensión por ángulo de fase usando un SCR y agregar
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Este documento presenta los objetivos y contenidos de una sesión de simulación sobre pérdidas en dispositivos semiconductores y simulación térmica usando el software PLECS. Los objetivos incluyen simular el disparo de un tiristor, modelar un SCR usando parámetros de su hoja de datos, observar pérdidas de conducción, y simular el comportamiento térmico para determinar temperaturas clave. Las actividades propuestas incluyen simular un control de tensión por ángulo de fase usando un SCR y agregar
Este documento presenta los objetivos y contenidos de una sesión de simulación sobre pérdidas en dispositivos semiconductores y simulación térmica usando el software PLECS. Los objetivos incluyen simular el disparo de un tiristor, modelar un SCR usando parámetros de su hoja de datos, observar pérdidas de conducción, y simular el comportamiento térmico para determinar temperaturas clave. Las actividades propuestas incluyen simular un control de tensión por ángulo de fase usando un SCR y agregar
Este documento presenta los objetivos y contenidos de una sesión de simulación sobre pérdidas en dispositivos semiconductores y simulación térmica usando el software PLECS. Los objetivos incluyen simular el disparo de un tiristor, modelar un SCR usando parámetros de su hoja de datos, observar pérdidas de conducción, y simular el comportamiento térmico para determinar temperaturas clave. Las actividades propuestas incluyen simular un control de tensión por ángulo de fase usando un SCR y agregar
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Power Electronics August 19, 2017
Sesion de Simulacion 01 - Perdidas en dispositivos semiconductores y
simulacion termica
Objetivos
En esta segunda sesion de simulacion se emplea el software PLECS para la simulacion de circuitos que utilizan dispositivos semiconductores de potencia, y la observacion de las perdidas debidas a la condicion real de los dispositivos. Los objetivos especficos de esta sesion son:
Simular el disparo de un tiristor en PLECS.
Modelar un SCR real en PLECS mediante la extraccion de parametros de su datasheet.
Observar y cuantificar las perdidas de conduccion en un SCR.
Simular el comportamiento termico de un SCR y determinar las temperaturas claves que definen su estabilidad termica.
Presentar las diferencias en los parametros de simulacion segun sea una simulacion electrica o termica.
Contenidos Los siguientes topicos son abordados en esta segunda sesion:
Modelamiento de un dispositivo semiconductor segun su datasheet.
Simulacion de perdidas.
Simulacion de circuitos termicos.
Modelamiento termico de dispositivos semiconductores.
Actividades: Lleve a cabo una simulacion de un control de tension por angulo de fase, para ello:
Complete los parametros de un tiristor con recuperacion inversa segun el datasheet del SCR VS- ST330C, entregado junto con esta gua.
Monte el siguiente esquema utilizando el componente ya parametrizado:
Pulse Generator f: 100 Thy2
DutyCycle: 0.1 Delay: 5e-3 Thy3
V_ac R1 V: 311 R: 0.5 w: 2*pi*50
Figure 1: Circuito a simular.
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Simule el sistema durante 3 ciclos de la tension de aliemntacion, observe las formas de onda de voltaje y corriente en el SCR, determine la forma de onda de la potencia, calcule la potencia disipada y muestrela en un display. Utilice para ello un tiempo de muestreo de 100 us. (AVANCE)
Inserte un tiristor en el modelo, llene sus parametros basicos a partir del modelo. Duplique el sistema ya creado pero reemplace los tiristores con recuperacion inversa por dos instancias de este tiristor.
Agregue el directorio donde se encuentra la descripcion termica VSST330C.XML, que se le facilito
junto con esta gua, al path de librerias termicas. Utilice esta descripcion en los tiristores del modelo.
Inserte un heatsink, un thermal resistor y un Constant temperature (grounded) de forma tal
de formar el siguiente modelo:
Figure 2: Circuito con modelo termico.
Mediante un probe observe la temperatura en el disipador y en la juntura de uno de los SCR.
Para las simulacion termica, aumente el tiempo de muestreo a 1 ms y el tiempo de simulacion a 10
segundos.
Observe el efecto que tiene en la temperatura de la juntura variar la resistencia/capacitancia termica
