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    Copia de Informe Previo 2

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    Ronal Berto Pantoja
    Este documento presenta los objetivos, fundamentos teóricos, procedimientos experimentales y datos calculados para un laboratorio sobre circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT. Los objetivos son diseñar dichos circuitos de disparo y usarlos para activar una carga. Se explican las características y curvas de los transistores UJT y PUT, así como los circuitos de disparo correspondientes. El procedimiento experimental incluye implementar los circuitos de disparo, variar parámetros y observar las formas de onda resultantes. Finalmente

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    Ronal Berto Pantoja
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    Este documento presenta los objetivos, fundamentos teóricos, procedimientos experimentales y datos calculados para un laboratorio sobre circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT. Los objetivos son diseñar dichos circuitos de disparo y usarlos para activar una carga. Se explican las características y curvas de los transistores UJT y PUT, así como los circuitos de disparo correspondientes. El procedimiento experimental incluye implementar los circuitos de disparo, variar parámetros y observar las formas de onda resultantes. Finalmente

    Descripción original:

    informe previo de tiristores

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    Este documento presenta los objetivos, fundamentos teóricos, procedimientos experimentales y datos calculados para un laboratorio sobre circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT. Los objetivos son diseñar dichos circuitos de disparo y usarlos para activar una carga. Se explican las características y curvas de los transistores UJT y PUT, así como los circuitos de disparo correspondientes. El procedimiento experimental incluye implementar los circuitos de disparo, variar parámetros y observar las formas de onda resultantes. Finalmente

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    Este documento presenta los objetivos, fundamentos teóricos, procedimientos experimentales y datos calculados para un laboratorio sobre circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y PUT. Los objetivos son diseñar dichos circuitos de disparo y usarlos para activar una carga. Se explican las características y curvas de los transistores UJT y PUT, así como los circuitos de disparo correspondientes. El procedimiento experimental incluye implementar los circuitos de disparo, variar parámetros y observar las formas de onda resultantes. Finalmente

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DE

    INGENIERÍA
    FACULTAD DE INGENIERIA MECÁNICA
    DEPARTAMENTO ACADEMICO DE CIENCIAS DE INGENIERIA

    ELECTRÓNICA DE POTENCIA

    (ML839)
    INFORME PREVIO DEL LABORATORIO 2
    DOCENTE
    Ing. ROBINSON AREVALO MACEDO
    INTEGRANTES (GRUPO 9)
    MUÑOZ VASQUEZ, GIANMARCO 20111316K
    ZAVALETA VARA, LUIS ALBERTO 20111142B
    DIAZ MENESES, JOSEPH FRANCO 20111109E

    2016
    OBJETIVOS DE LA EXPERIENCIA

     Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados


    UJT y PUT.
     Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una
    carga.
    FUNDAMENTO TEÓRICO

    TRANSISTOR UJT

    El UJT es un dispositivo de tres terminales, las cuales se denominan como


    emisor, base 1 y base 2. El símbolo esquemático y las ubicaciones de las
    terminales se muestran en la figura:

    Curva característica
    En la figura, se muestra el aspecto de la curva características de un UJT. 𝑉𝑃 nos
    indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de
    encendido del UJT. Una vez superada esta tensión, la corriente del emisor
    aumenta (se hace mayor que 𝐼𝑃 ), provocándose el descebado del UJT cuando la
    corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento 𝐼𝑉 .

    Circuito de Disparo

    Consideraciones de diseño:

    𝑡𝑔 = 𝑅1 𝐶𝐸

    104
    𝑅2 =
    𝑛𝑉𝑆

    𝑉𝑆 − 𝑉𝑉 𝑉𝑆 − 𝑉𝑃
    < 𝑅𝐸 <
    𝐼𝑉 𝐼𝑃

    𝑅𝐵1
    𝑛=
    𝑅𝐵𝐵

    𝑉𝑃 = 𝑛𝑉𝐵𝐵 + 0.5𝑉
    TRANSISTOR PUT

    El PUT es un dispositivo de tres terminales, las cuales se denominan como


    ánodo, cátodo y gate. El símbolo esquemático y las ubicaciones de las
    terminales se muestran en la figura:

    Curva característica

    Mientras la tensión 𝑉𝐴𝐾 no alcance el valor 𝑉𝑃 , el PUT estará abierto, por lo cual
    los niveles de corriente serán muy bajos. Una vez se alcance el nivel 𝑉𝑃 , el
    dispositivo entrará en conducción presentando una baja impedancia y por lo
    tanto un elevado flujo de corriente.
    El retiro del nivel aplicado en compuerta, no llevará al dispositivo a su estado
    de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje 𝑉𝐴𝐾 caiga lo suficiente para
    reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento 𝐼𝐻 .

    Circuito de Disparo

    Consideraciones de diseño:

    𝑅𝐺
    𝑅1 =
    𝑛
    𝑅𝐺
    𝑅2 =
    1−𝑛
    𝑉𝑆
    𝐼𝐺 = (1 − 𝑛)
    𝑅𝐺

    𝑉𝑃 𝑅2
    𝑛= =
    𝑉𝑆 𝑅1 + 𝑅2

    𝑉𝑆
    𝑇 = 𝑅𝐶𝑙𝑛( )
    𝑉𝑆 − 𝑉𝑃
    PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

    Primera Parte: UJT


    1. Diseñar e implementar el circuito de disparo de la figura para VZ=24V

    SW1 CARGA

    30V
    o

    2.2K

    2
    RB2

    220V Rp
    1
    60Hz

    2N4870

    C T

    RB1

    2. Considerar que todas las resistencias y potenciómetros deben disipar


    potencias de 2W o más.
    3. Para C=0.22uF cerrar el interruptor SW1 y anote lo que ocurre, luego cierre
    el interruptor SW2 anotando lo sucedido, luego variar RP observe y anote.
    4. Cambiar el valor de C por los demás y repita el paso 3.
    5. Para los pasos 3 y 4 colocar el osciloscopio entre los terminales del
    condensador y grafique la forma de onda.
    Segunda Parte: PUT 2N6027
    1. Diseñar e implementar el circuito de la figura para VZ=30V.

    SW1 CARGA

    30V
    o
    2.2K

    2
    Rp R1
    220V
    1
    60Hz

    R2
    C
    T

    Rs

    -o

    2. Repetir los pasos 3, 4 y 5 de la primera parte.


    DATOS CALCULADOS

    Circuito de disparo con UJT con sus respectivos parámetros hallados

    C varia
    Circuito de disparo con PUT con sus respectivos parámetros hallados
    REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

     http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/applicatio
    n_note/CD00183570.pdf
     http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
    pdf/view/232916/STMICROELECTRONICS/TYN616.html
     Electrónica de potencia – Mohammed H.Rashid
     Electrónica de potencia – Ned Mohan

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