Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada

Departamento de Ingeniería en Telecomunicaciones

Física III

Ing: Yenny medina

SEMICONDUCTORES

Grupo N°4

Integrantes : ROBERT BENAVENTE

JOSE LEONARDO GARCIA.

LEONARDO SALCEDO

JESUS SOLANO

ANGELI AMARO
 Introducción.

Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que otros. Generalizando, se dice que
los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente eléctrica son conductores. Analógicamente, los que
ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prácticamente tampoco el
conductor perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la corriente
bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que
dichos poseen pocos átomos en sus últimas órbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma,
cuando varios átomos de un metal, se acercan los electrones de su última órbita se desprenden y circulan desordenadamente
entre una verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente
eléctrica.
Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones en sus últimas órbitas (cinco a ocho), por lo
que, no tienen tendencia a perderlos fácilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ahí su alta resistencia.
También existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la característica de los anteriores, los
semiconductores. Su característica principal es la de conducir la corriente sólo bajo determinadas circunstancias, y evitar el
paso de ella en otras.
Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrónica de estado sólida está basada. La estructura atómica
de dichos materiales presenta una característica común: está formada por átomos tetravalentes (es decir, con cuatro
electrones en su última órbita), por lo que les es fácil ganar cuatro o perder cuatro.

Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que
poseen características intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la
otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en
un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar señales de radio,
amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.
 SEMICONDUCTORES.

Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante.

En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen
corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son
aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le
introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los
electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su
resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.
Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni huecos libres
La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos observarla , Las regiones sombreadas
representan la carga positiva neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los electrones de conducción de
cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal en la cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el
semiconductor se comporta como un aislante.
Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros átomos vecinos para así formar un
cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en
el cero absoluto, el cristal tendrá tan poca energía que no hará posible la conducción eléctrica. Al aumentar la temperatura (a
temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energía para romper el enlace del que forman
parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto provoca la formación de un espacio vacío, que por carencia de electrones, posee carga
positiva, a este espacio se lo denomina hueco.

El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto número de electrones.
En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los átomos se rompen debido al
calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura
siguiente se representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía a la unión de dos átomos de silicio se
representa por un círculo,
La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrón puede vencer la fuerza que
le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su posición, aparece un hueco, y le resulta relativamente fácil al electrón del
átomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.

Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición inicial, De esta manera el
hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una trayectoria de sentido opuesto a la de éste.

Niveles De Energía

Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos espacialmente de forma ordenada
de acuerdo con un determinado patrón geométrico. La gran proximidad entre los átomos del cristal hace que los electrones de
su última capa sufran la interacción de los átomos vecinos.
El nivel energético de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la "banda de
conducción" del cristal. Un electrón que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia está ligado a un átomo del cristal y no
puede moverse libremente por él mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conducción, el electrón puede
moverse libremente por todo el cristal, pudiendo Formar parte de una corriente eléctrica.
Entre la banda de valencia y la de conducción existe una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser ocupados por
ningún electrón del cristal. Según la magnitud de esta banda, los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y
semiconductores.

En los semiconductores la magnitud de la banda prohibida es pequeña ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son
aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energía dentro de la banda de
conducción, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es añadiendo impurezas que habiliten
niveles de energía dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.

SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS"

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

1. Intrínsecos

2. Extrínsecos

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que
no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,

algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia
estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una
corriente eléctrica.

Como se puede observar en la ilustración, en el caso

de los semiconductores el espacio correspondiente a la
banda prohibida es mucho más estrecho en
comparación con los materiales aislantes. La energía
de salto de banda (Eg) requerida por los electrones
para saltar de la banda de valencia a la de conducción
es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores
de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida
por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los
 de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco,

compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman
una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los
átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la
última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces
covalente para completar ocho electrones y crear así un
cuerpo sólido semiconductor. En esas condiciones el cristal
de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo
aislante.

SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS"

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de
otros elementos o "impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos

semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como el
galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el
antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.

En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la

industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de
obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la
arena, uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria
el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm
aproximadamente), pulida como un espejo.
 A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal
semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la
fabricación de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la
cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minúsculos dados o “chips”,
que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que después de pasar
por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en. transistores o
circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en. transistores o
circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados dentro. de una
cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos.

El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en menor proporción que el
silicio, es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar

diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para
rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en día,
además del silicio y el germanio, se emplean también combinaciones
de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica.

Placa individual de 2 x 2 cm de área,

correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada
para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricación de diodos láser
empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.
Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra
instalado un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para
leer datos de texto, presentaciones multimedia o música grabada en
un CD. En esta ilustración el. CD se ha sustituido por un disco
similar transparente de plástico común.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir,
como elementos intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden a unirse formando
"enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los átomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita, tratan
siempre de completarla con un máximo de ocho, ya sea donándolos o aceptándolos, según el
número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen sólo cuatro electrones en su última
órbita, sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre sí los
cuatro electrones que cada uno posee, según la tendencia de completar ocho en su órbita
externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido, los átomos del elemento
semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosía. En su estado puro,
como ya se mencionó anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos
cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

CONVERSIÓN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P"

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden
convertir en dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente eléctrica si para ello
alteramos su estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas".

Para realizar ese cambio será necesario introducir átomos de otros elementos
semiconductores apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o última órbita
(átomos trivalentes) o también cinco electrones en esa propia órbita (átomos pentavalentes). A
tales efectos se consideran impurezas los siguientes elementos con átomos trivalentes: aluminio
(Al), galio (Ga) e indio (In). También se consideran impurezas los átomos pentavalentes de
arsénico (As), fósforo (P) o de antimonio (Sb).
 Cuando añadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequeña cantidad
de átomos de un elemento pentavalente en función de “impurezas”, estos átomos adicionales
reciben el nombre de "donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la
estructura cristalina del semiconductor. Si, por el contrario, los átomos que se añaden como
impurezas son trivalentes, se denominan entonces "aceptantes”, porque cada uno tendrá que
captar o aceptar un electrón procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del
germanio.

La conductividad que presente finalmente un semiconductor “dopado” dependerá de la

cantidad de impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una
proporción de un átomo de impureza que se añade por cada 100 millones de átomos del
elemento semiconductor, la conductividad aumenta en 16 veces.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"

Como ya conocemos, ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden
ni aceptan electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente
eléctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes.

Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos

añadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de un metaloide
como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del
Grupo Va de la Tabla Periódica, con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia),
estos átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco
electrones con otros cuatro pertenecientes a los átomos de silicio o de germanio, mientras que
el quinto electrón restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá mover libremente dentro
de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrínseco tipo-N, o
negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del
material semiconductor.
Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio
(Si) formando una celosía. Como se puede observar,
esta estructura se ha dopado añadiendo átomos de
antimonio (Sb) para crear un material semiconductor
“extrínseco”. Los átomos de silicio (con cuatro
electrones en la última órbita o banda de valencia) se
unen formando enlaces covalentes con los átomos de
antimonio (con cinco en su última órbita banda de
valencia). En esa unión quedará un electrón libre
dentro de la estructura cristalina del silicio por cada
átomo de antimonio que se haya añadido. De esa
forma el cristal. de silicio se convierte en material
semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso
electrones libres con cargas negativas presentes en
esa estructura.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica en

sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia
impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrónica
a través de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia
o corriente eléctrica.

No obstante, la posibilidad de que al aplicárseles una corriente eléctrica los electrones se

puedan mover libremente a través de la estructura atómica de un elemento semiconductor es
mucho más limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metálico buen conductor.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Si en lugar de introducir átomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos

añadiéndoles átomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al
Grupo IIIa de la Tabla Periódica con tres electrones en su última órbita o banda de valencia), al
unirse esa impureza en enlace covalente con los átomos de silicio quedará un hueco o agujero,
debido a que faltará un electrón en cada uno de sus átomos para completar los ocho en su
última órbita. En este caso, el átomo de galio tendrá que captar los electrones faltantes, que
normalmente los aportarán los átomos de silicio, como una forma de compensar las cargas
eléctricas. De esa forma el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un
semiconductor extrínseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas
positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan en su
estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio

(Si). que forman, como en el caso anterior, una
celosía, dopada. ahora con átomos de galio (Ga)
para formar un. semiconductor “extrínseco”. Como
se puede observar en. la. ilustración, los átomos de
silicio (con cuatro electrones en. la. última órbita o
banda de valencia) se unen formando. enlaces
covalente con los átomos de galio (con tres.
electrones en su banda de valencia). En esas
condiciones. quedará un hueco con defecto de
electrones en la. estructura. cristalina de silicio,
convirtiéndolo en un. semiconductor tipo-P (positivo)
provocado por el defecto de. electrones en la
estructura.

MECANISMO DE CONDUCCIÓN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente

eléctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones
libres que saltan a la “banda de conducción” y otro por el movimiento de los huecos que
quedan en la “banda de valencia” cuando los electrones saltan a la banda de conducción.

Cuando aplicamos una diferencia de

potencial a un. elemento semiconductor, se
establece una. “corriente de electrones” en
un sentido y otra. “corriente de huecos” en
sentido opuesto.
Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento
semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una dirección, los huecos
o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conducción de un
elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas
positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto.

Ese mecanismo de movimiento se denomina "conducción propia del semiconductor", que para
las cargas negativas (o de electrones) será "conducción N", mientras que para las cargas
positivas (de huecos o agujeros), será "conducción P".

Polarización Directa E Inversa De La Unión P-N

El diodo de unión P-N es el dispositivo semiconductor más elemental. Consiste en el dopado de una barra de
cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo
P)De esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentración de huecos que de electrones libres y en la parte N
ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente según sea el sentido en que se aplique un campo eléctrico externo.
Existen dos posibilidades de aplicación de este campo: polarización inversa y polarización directa.
Polarización inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensión más positiva que a la parte P. De esta
forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tenderán a circular en ese sentido
Mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario. Esto significa que circularían huecos de la parte
N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada
por una corriente de difusión que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son
minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prácticamente nula. Algo totalmente
análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusión,
contrarrestándose ambas y produciendo una corriente total Prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denominan Corriente inversa de saturación
( Is ). En la práctica, el valor de esta corriente es muy pequeño (del orden de nA en el Silicio) y depende de la
temperatura de forma que aumenta al aumentar Ésta.

Polarización directa.

Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la parte N. De esta forma, el campo
eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularían huecos de la parte P (donde son
mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente
de difusión. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso análogo ocurre para la corriente de
electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un
determinado valor de tensión (tensión umbral, V) que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es
aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya que permite el paso de corriente en un
sentido y lo rechaza en sentido contrario.

El Diodo.

Es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar prácticamente en cualquier

circuito electrónico.

Constan de la unión de dos tipos de material semiconductor, uno tipo N y otro tipo P, separados por
una juntura llamada barrera o unión.

Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio. Esta barrera o unión es
de 0.2 voltios en el germanio y de 0.7 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

El diodo se puede puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

Polarización directa:
Cuando la corriente circula en sentido directo, es decir del ánodo A al cátodo K, siguiendo la ruta de la
flecha (la del diodo). En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose
prácticamente como un corto circuito. El diodo conduce.

Diodo en polarización directa

Polarización inversa:
Cuando una tensión negativa en bornes del diodo tiende a hacer pasar la corriente en sentido inverso,
opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa
el diodo, y se comporta prácticamente como un circuito abierto. El diodo está bloqueado.

Diodo en polarización inversa

En el caso ideal, el diodo se comporta como un corto circuito cuando está polarizado en directa y como
un circuito abierto cuando está polarizado en inversa.

CONCLUSION.

Los semiconductores son materiales que, en determinadas circunstancias, permiten el paso de la corriente eléctrica. Los más
utilizados son el Silicio y el Germanio

Existen dos tipos de portadores: electrones y hueco.

Un semiconductor tipo N contiene impurezas donadoras y electrones libres.

Un semiconductor tipo P está formado por átomos aceptores y por huecos faltantes de electrones.

Los semiconductores intrínseco son aquellos que tienen bajos niveles de impureza.

Los semiconductores extrínseco son los que han sido expuestos a un proceso de dopado.

Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en dispositivos
semiconductores, capaces de conducir la corriente eléctrica si para ello alteramos su estructura molecular cristalina
introduciendo ciertas cantidades de "impurezas.

Cuando aplicamos una diferencia de potencial a un. elemento semiconductor, se establece una. “corriente de
electrones” en un sentido y otra. “corriente de huecos” en sentido opuesto.

El diodo es un dispositivo semiconductor capaz de dejar pasar la corriente en un lado polarizado directamente y
cuando se la aplica una polarización inversa se comporta como un aislante, se opone a la circulación de la
corriente.
 La característica de un diodo se asemeja mucho a la de un interruptor simple, actúa como un circuito en corto en
la región de conducción y como un circuito abierto en la región de no conducción.