JOSÉ LUIS CURSO TÉCNICO EN REPARACIÓN DE

GÓMEZ COMPUTADORAS

Capítulo 7 – Nociones Básicas de Electrónica (Segunda Parte)

 ELECTRÓNICA
Semiconductores

Son materiales que presentan unas características intermedias entre los conductores y los
aislantes. En condiciones normales son aislantes y no dejan pasar la corriente eléctrica, pero bajo
ciertas circunstancias, si reciben energía externa, pueden pasar a ser conductores. Los materiales
semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos.

En otras palabras un semiconductor es un material sólido o líquido capaz de conducir la

electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad eléctrica,
que es la capacidad de conducir la corriente eléctrica cuando se aplica una diferencia de
potencial, es una de las propiedades físicas más importantes. Ciertos metales, como el
cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes
como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los
semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas,
mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores
puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los
metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la física del estado sólido.

Semiconductores intrínsecos

Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras son elementos

simples, como el silicio (Si) y el germanio (Ge).

Estos elementos son tetravalentes, es decir, tienen cuatro electrones de valencia, y

forman enlaces covalentes en los que comparten estos electrones con los átomos vecinos.
El enlace covalente mantiene «anclados» a los electrones e impide su desplazamiento, por
lo que da lugar a materiales que no pueden conducir la corriente eléctrica.

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Sin embargo, los enlaces covalentes de los elementos mencionados anteriormente no son
muy fuertes, y se pueden romper con facilidad si se aporta una pequeña cantidad de
energía (con calor, luz o aplicando un voltaje). En esas condiciones, los electrones que
formaban los enlaces quedan «libres», y el material podrá conducir la corriente eléctrica
gracias a ellos. Este tipo de conducción se denomina conducción intrínseca y es necesario
aportar energía al semiconductor para que se produzca.

Aunque los primeros componentes electrónicos se fabricaron con germanio, en la

actualidad el semiconductor más utilizado es el silicio, debido a sus mejores características
y a su capacidad para soportar mejor altas temperaturas. En los últimos años, el desarrollo
de la electrónica ha llevado a la obtención de materiales compuestos con propiedades
semiconductoras, como el arseniuro de galio (GaAs) o el fosfuro de indio (InP). No
obstante, su uso es limitado, y el silicio es, sin duda, el semiconductor más importante.

Semiconductores extrínsecos

Los semiconductores intrínsecos presentan una conductividad muy baja, por lo que se han
buscado métodos para aumentar su valor. Esto ha dado lugar al desarrollo de los
semiconductores extrínsecos.

También podemos conseguir que un material semiconductor se convierta en conductor

aportándole las cargas eléctricas necesarias para que pueda conducir la corriente
eléctrica. Esto se logra introduciendo impurezas en el material, mediante un proceso
denominado dopado, y en este caso hablamos de conducción extrínseca.

Si en un material hay un exceso de cargas negativas (electrones), muchas de ellas no

podrán encontrar pareja para formar el enlace. Como consecuencia, estos electrones «de
sobra» se situarán libremente alrededor de los átomos y podrán moverse con facilidad.

Este exceso de cargas negativas se consigue introduciendo impurezas con más electrones
de valencia que el material semiconductor base. Estas impurezas se denominan impurezas
donadoras, y el material obtenido, semiconductor tipo N.

Por ejemplo, el silicio (que tiene cuatro electrones de valencia) se dopa con pequeñas
cantidades de fósforo, arsénico o antimonio (que tienen cinco electrones de valencia y,
por tanto, un electrón de más). Los electrones sobrantes quedan libres y se encargan de
conducir la corriente eléctrica.
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De forma análoga, también se puede introducir un exceso de cargas positivas en el
material. En este caso se produce un defecto de electrones o, dicho de otra forma, un

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exceso de huecos (entendiendo por hueco la ausencia del electrón que compensa la carga
positiva).

La presencia de estos huecos también facilita la conducción de la corriente eléctrica, pues

tienden a «captar» electrones y permiten el desplazamiento de estos.

El exceso de cargas positivas se consigue introduciendo impurezas con menos electrones

de valencia que el material semiconductor base. Estas son impurezas aceptadoras, y el
material obtenido se denomina semiconductor tipo P.

El silicio se dopa con impurezas de boro, galio o indio (que tienen tres electrones de
valencia y, por tanto, un electrón de menos).

En general, los semiconductores extrínsecos presentan una conductividad eléctrica mayor

que la de los semiconductores intrínsecos. Por este motivo, en la fabricación de
dispositivos electrónicos se utilizan principalmente semiconductores extrínsecos (silicio
tipo P y silicio tipo N)

Semiconductor Tipo N

Semiconductor Tipo P
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La Teoría de Bandas

La teoría de bandas constituye una explicación alternativa del comportamiento de los

materiales semiconductores. Se basa en el hecho de que los electrones de un átomo
aislado se distribuyen según ciertos niveles energéticos, denominados órbitas u orbitales,
en torno al núcleo. Cuando los átomos se unen unos con otros para formar un sólido, se
agrupan de manera ordenada formando una red cristalina. En este caso, debido a la
proximidad de los átomos entre sí, las órbitas en las que se encuentran los electrones de
cada átomo se ven afectadas por la presencia de los átomos vecinos. De hecho, dichas
órbitas se solapan entre sí, dando lugar a la aparición de unas zonas o bandas continuas
en las que se pueden encontrar los electrones, y que reciben el nombre de bandas de
energía.

Para entender el comportamiento de los materiales en relación con su capacidad de

conducir, nos interesan las dos últimas bandas, que son:

 La banda de valencia: está ocupada por los electrones de valencia de los átomos,
es decir, aquellos electrones que se encuentran en la última capa o nivel
energético de los átomos. Los electrones de valencia son los que forman los
enlaces entre los átomos, pero no intervienen en la conducción eléctrica.

 La banda de conducción: está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos
que se han desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos
electrones son los responsables de conducir la corriente eléctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente eléctrica debe
tener electrones en la banda de conducción. Cuando la banda esté vacía, el material se
comportará como un aislante.

Entre la banda de valencia y la de conducción existe una zona denominada banda

prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los
electrones.

La conducción de la corriente eléctrica según la teoría de bandas

La estructura de bandas de un material permite explicar su capacidad para conducir o no

la corriente eléctrica. Según esto podemos distinguir tres casos, representados en las
figuras adjuntas.
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 En los materiales conductores, las bandas se encuentran muy próximas y la banda
de conducción está ocupada por electrones libres, desligados de sus átomos, que

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 pueden moverse fácilmente y pasar de unos átomos a otros. Este tipo de
estructura de bandas corresponde a materiales que pueden conducir la corriente
eléctrica.

 Sin embargo, en los materiales aislantes la banda de conducción se encuentra

vacía, pues no hay electrones libres, de modo que no pueden conducir la corriente
eléctrica. La banda que está ocupada en este caso es la banda de valencia, pero
estos electrones no pueden moverse libremente.

 Los materiales semiconductores tienen una estructura de bandas semejante a la

de los aislantes, es decir, la banda de conducción está vacía (y, en consecuencia, no
conducen la corriente eléctrica). Sin embargo, en este caso la banda prohibida es
muy estrecha, de forma que la banda de valencia se encuentra muy próxima a la
de conducción.

Esta situación permite que, si se comunica una pequeña cantidad de energía al

material, algunos electrones de la banda de valencia puedan «saltar» a la de
conducción, lo que quiere decir que se desligan de sus átomos y se hacen libres. Al
tener ocupada la banda de conducción, el material se comportará como
conductor.

Conductor. Bandas muy próximas

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 Aislante. Bandas muy separadas

Semiconductor. Banda prohibida (Gap) muy estrecha

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El Diodo

Un diodo es un componente electrónico basado en semiconductores, que sólo permite el

paso de corriente en un sentido (de ánodo a cátodo). Cuando el ánodo está a más
potencial que el cátodo, el diodo está directamente polarizado y conduce. En caso
contrario, cuando el cátodo está a mayor potencial que el ánodo, el diodo está
inversamente polarizado y no permite el paso de corriente. Si estando inversamente
polarizado se aplica una tensión muy elevada, el diodo se destruye por avalancha de
corriente.

Ánodo (+) Cátodo (-)

P N

Estructura Interna

Un diodo está compuesto por la unión de dos cristales semiconductores, uno tipo “P” y
otro tipo “N”. Los semiconductores puros son aislantes debido a que sus átomos están
unidos por enlaces covalentes y sus electrones no tienen movilidad. Cuando un material
semiconductor se dopa o contamina con pequeñísimas cantidades de impurezas
adecuadas, aparecen cargas libres que permiten cierta movilidad a los electrones. Si las
impurezas añadidas originan cargas negativas o electrones libres, el semiconductor se
denomina tipo “N” y en el caso contrario, cuando aparecen cargas positivas o huecos, se
dice que el semiconductor es del tipo “P”. Cuando una unión P-N esta inversamente
polarizada, el campo eléctrico aplicado aleja a las cargas libres de la unión, impidiendo
que ésta sea atravesada por los electrones. Si la polarización es directa, las cargas se
aproximan a la unión, por lo que puede ser franqueada fácilmente por las cargas
eléctricas.

La Polarización del Diodo

Para que un diodo pueda conducir la corriente eléctrica, hay que eliminar en todo o en
parte la zona desértica, lo que quiere decir que hay que disminuir la barrera. Esto se
realiza con la aportación de una fuente externa de tensión eléctrica, lo que supone ofrecer
a las cargas una energía determinada para que logren liberarse de sus enlaces y así
puedan moverse. Este proceso se denomina polarización. La polarización puede ser de 31
dos tipos: directa o inversa.

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  La polarización directa consiste en situar un potencial mayor en el ánodo que en el
cátodo, tal y como se muestra en la figura adjunta.

 Una polarización inversa se consigue conectando el terminal ánodo a un potencial

que sea más negativo que el que se conecte al cátodo, que será más positivo.

En la polarización directa la zona desértica disminuye, ya que el potencial positivo del

ánodo crea una repulsión sobre las cargas positivas o mayoritarias del semiconductor tipo
P, mientras que el potencial negativo del cátodo intenta repeler de la misma forma las
cargas mayoritarias o negativas del semiconductor tipo N. Esto provoca que en la zona
desértica se acumulen las cargas, con lo que se disminuye la barrera entre ambos
semiconductores. Esta disminución conlleva una mayor facilidad en el paso de cargas a
través del diodo, que se comportará como un conductor de corriente.

Por el contrario, y tal y como se observa en la figura ya aludida, en el caso de aplicar en los
terminales del diodo una polarización inversa, la zona desértica aumenta, ya que el ánodo
-que dispone de un potencial negativo- atrae las cargas del semiconductor tipo P, de la
misma forma que el cátodo -que tiene potencial positivo- atrae las cargas negativas del
semiconductor tipo N. En este caso, el diodo presenta mucha dificultad al paso de la
corriente, con lo que se comporta como un material aislante.

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Por tanto, nos encontramos ante la situación en la que el diodo podrá conducir
electricidad a través de él, según se polarice en un caso o en otro, comportándose del
mismo modo que un interruptor controlado por voltaje.

Tipos de Diodos

Diodo zéner

Es un diodo diseñado para funcionar inversamente polarizado, para aprovechar la

propiedad de que la conducción inversa se produce a tensión constante. Este tipo de
diodos se emplea en circuitos reguladores de tensión, debido a que sólo conducen cuando
la tensión aplicada es igual a la indicada en la cápsula.

Puente Rectificador
Diodo Rectificador
Un puente rectificador o puente de diodos, es un circuito
integrado que contiene cuatro diodos interconectados,
Ánodo (+) Cátodo (-) formando un cuadrado con los vértices accesibles. Este
circuito sirve para rectificar corriente alterna. En la figura de
abajo puedes ver el esquema del circuito, el aspecto exterior
y el modo de funcionamiento:
Diodo Zener

Indicador de Cátodo
Tensión de Conducción
Entrada Salida
V

+
+

Diodos de Potencia

-
Funcionamiento de un puente rectificador

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 Diodos Led

Un led es un diodo diseñado para emitir luz cuando está

polarizado directamente. Esto se consigue añadiendo
pequeñísimas cantidades de impurezas, generalmente
arseniuro de galio.

El color de la luz emitida depende de las características de las

impurezas añadidas al semiconductor. Los led se usan como
indicadores y presentan dos ventajas frente a las
tradicionales lámparas de incandescencia: un consumo
menor y una vida más larga que suele estar comprendida
entre 20000 y 100000 horas. Los colores básicos de estos diodos son el amarillo, ámbar,
verde y rojo, aunque también los hay de infrarrojos y láser.

La tensión de funcionamiento varía entre 1,7 y 2.2 V según tipo y la intensidad absorbida
oscila entre 10 y 30mA, pero se pueden conectar a cualquier tensión colocándoles en serie
una resistencia adecuada. Actualmente se fabrican led que emiten luz blanca casi pura con
un elevado rendimiento. Este tipo de diodos son utilizados en iluminación (linternas,
pilotos de vehículos, indicadores de emergencia etc.) El terminal positivo de un led se
halla en la patilla más larga. La situación del terminal negativo, también viene señalada en
la cápsula mediante una superficie plana (ver figura de la izquierda).

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El Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador,

oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer
resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los
aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y
video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes
de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.

Fue inventado para una compañía telefónica americana en el año 1949 por varios trabajadores,
que pretendían aumentar la fiabilidad y la calidad de la voz en las llamadas de larga distancia, ya
que para llamar de la costa este a la oeste de EEUU y establecer la conexión telefónica se
necesitaba ¡más de un hora!

Esctructura del Transistor

El transistor está formado por la unión de tres capas de material semiconductor, de tipo P
y tipo N, dispuestas de forma alternada (en forma de sándwich). Según la disposición de
estas capas, podemos tener dos tipos de transistores:

 Transistor PNP.

 Transistor NPN.

Los más utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio
de este tipo de dispositivos.

Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metálico
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que permitirá conectarlo a un circuito. Todo el conjunto se recubre con un encapsulado
protector, que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos

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(plástico, metal...). Por tanto, el transistor es un dispositivo de tres terminales, que
reciben los nombres de emisor, base y colector.

Podemos considerar el transistor constituido por dos diodos:

 Uno formado por la unión emisor-base.

 Otro por la unión base-colector.

Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor, pues el
terminal de base controla el paso de corriente eléctrica entre el colector y el emisor.

En el dibujo "Esquema de dos transistores..." la flecha indica la dirección de la corriente

que circula a través del emisor: en un transistor NPN es saliente, mientras que en un
transistor PNP va en sentido contrario, es decir, hacia dentro del dispositivo y, por
consiguiente, la flecha se dibuja al revés.

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Por el transistor circulan un conjunto de corrientes eléctricas cuyas direcciones y sentidos,
para un transistor NPN, son:

 IB : intensidad de corriente de base.

 IC: intensidad de corriente de colector.

 IE: intensidad de corriente de emisor.

Se observa que las corrientes de base y de colector entran en el transistor, mientras que la
corriente de emisor sale del dispositivo; en consecuencia, podemos establecer la siguiente
relación:
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IE = IB + IC

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Si conocemos dos de las corrientes del transistor, la expresión anterior nos permitirá
calcular la tercera.

Asimismo, entre los terminales del transistor se generan las siguientes caídas de tensión:

 VCE: tensión colector-emisor.

 VBE: tensión base-emisor.

Funcionamiento del transistor

En un transistor se pueden combinar dos uniones para

obtener amplificación. Un tipo, llamado transistor de
unión npn, consiste en una capa muy fina de material
tipo p entre dos secciones de material tipo n, formando
un circuito como el mostrado en la figura. El material
tipo n a la izquierda del diagrama representa el
elemento emisor del transistor, que constituye la fuente
de electrones. Para permitir el avance de la corriente a
lo largo de la unión np, el emisor tiene un pequeño
voltaje negativo con respecto a la capa tipo p, o 38
componente base, que controla el flujo de electrones. El
material tipo n en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene un voltaje
positivo alto con respecto a la base, para evitar la inversión del flujo de corriente. Los
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electrones que salen del emisor entran en la base, son atraídos hacia el colector cargado
positivamente y fluyen a través del circuito de salida. La impedancia de entrada (la
resistencia al paso de corriente) entre el emisor y la base es reducida, mientras que la
impedancia de salida entre el colector y la base es elevada. Por lo tanto, pequeños
cambios en el voltaje de la base provocan grandes cambios en la caída de voltaje a lo largo
de la resistencia del colector, convirtiendo a este tipo de transistor en un eficaz
amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su funcionamiento, el transistor de unión pnp
dispone también de dos uniones y es equivalente al tubo de vacío denominado triodo.
Otros tipos con tres uniones, tales como el transistor de unión npnp, proporcionan mayor
amplificación que los transistores de dos uniones

En otras palabras, Como se ha dicho, un transistor se compone de tres partes: Colector,

emisor y base. El funcionamiento es muy básico. El emisor envía electrones y el colector
los recibe, y la base simplemente modula el paso de dicho electrones. Si aplicamos una
corriente eléctrica entre el emisor y la base, variará la que va desde el emisor y el colector.
Esta es una de las bases de amplificación del transistor.

Hay dos tipo de transistores, los transistores NPN y los transistores PNP. Los más utilizados
en la actualidad son los NPN. Su funcionamiento es básicamente el mismo, y la única
diferencia es que el transistor NPN tiene una frecuencia de respuesta mucho mayor, ya
que el flujo de electrones es más rápido.

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MOSFET

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Transistor
de Efecto de Campo Semiconductor Oxido Metal). Consiste en un transistor de efecto de
campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los procesadores comerciales están
basados en transistores MOSFET.

Fue ideado teóricamente por el austrohúngaro Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque
debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se
comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar
hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar
correctamente, la intercala entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente
lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde,
con el desarrollo de la tecnología del silicio.

Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el
concepto básico de los FET se conocía ya en 1930, estos dispositivos sólo empezaron a
fabricarse comercialmente a partir de la década de los 60. Y a partir de los 80 los
transistores de tipo MOSFET han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los
BJT, los transistores MOS ocupan menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado
puede incorporase un número mayor. Además su proceso de fabricación es también más
simple. Además, existe un gran número de funciones lógicas que pueden ser
implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos). Esto ha
hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digita

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada, es un

arreglo de cientos de transistores integrados en un sustrato de silicio. Cada uno entrega
una parte a la corriente total.

Uno de los motivos que impulsó su desarrollo es que los transistores bipolares presentan
limitaciones. Es un dispositivo controlado por tensión, Es un dispositivo extremadamente
veloz en virtud a la pequeña corriente necesaria para estrangular o liberar el canal. Por
esta facultad se los usa ampliamente en conmutación. Su velocidad permite diseñar
etapas con grandes anchos de banda minimizando, así, lo que se denomina distorsión por
fase.
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La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal
de puerta (G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El
óxido es aislante, con lo que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor
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que en los JFET. Por ello, los MOS se emplean para tratar señales de muy baja potencia.

Tiene una versión NPN y otra PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es
llamado MOSFET de canal P, En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la
fuente (source) y al drenaje (drain). En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a
la fuente (source) y al drenaje (drain):

Principio de Operación

Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica tensión en la

compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje (Drain) y la fuente (Source)

Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar
en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain)
son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

El movimiento de estos electrones, crea las condiciones para que aparezca un puente para
los electrones entre el drenaje y la fuente. La amplitud o anchura de este puente (y la
cantidad de corriente) depende o es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
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En el caso del MOSFET de canal P, se da una situación similar. Cuando se aplica una
tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del
drenaje y de la fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que
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hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del
puente (y la cantidad de corriente) depende de la tensión aplicada a la compuerta.

Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada
por la tensión aplicada a la compuerta.

Aplicación

El MOSFET es frecuentemente usado como amplificador de potencia ya que ofrecen dos

ventajas sobre los MESFET’s y los JFET’s y ellas son:

En la región activa de un MOSFET en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada

y la trasconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia
de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de
amplificación muy lineal.

El rango de voltaje activo de la compuerta puede ser mayor porque los MOSFET’s de canal
n en modo de vaciamiento pueden operar desde la región de modo de vaciamiento (-Vg) a
la región de modo de enriquecimiento (+Vg).

Capacitancia en el MOSFET

Dos capacitancias son importantes en un conmutador de encendido-apagado con

MOSFET. Éstas son Cgs entre Gate y la fuente y Cgd entre Gate y drenaje. Cada valor de
capacitancia es una función no lineal del voltaje. El valor para Cgs tiene solamente una
variación pequeña, pero en Cgd, cuando uDG haya pasado a través de cero, es muy
significativa. Cualquier desprecio de estas variaciones crea un error substancial en la carga
que es requerida en Gate que es necesaria para estabilizar una condición dada de
operación.

Encendido

En la mayoría de los circuitos con MOSFET, el objetivo es encenderlo tan rápido como sea
posible para minimizar las pérdidas por conmutación. Para lograrlo, el circuito manejador
del gatillo debe ser capaz de alimentar la suficiente corriente para incrementar
rápidamente el voltaje de gatillo al valor requerido. 42

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Apagado

Para apagar el MOSFET, el voltaje gate-fuente debe reducirse en acción inversa como fue
hecho para encenderlo. La secuencia particular de la corriente y el voltaje depende de los
arreglos del circuito externo.

Área segura de operación

El área segura de operación del MOSFET está limitada por tres variables que forman los
límites de una operación aceptable. Estos límites son:
1. Corriente máxima pulsante de drenaje
2. Voltaje máximo drenaje-fuente
3. Temperatura máxima de unión.

Pérdidas del MOSFET

Las pérdidas de potencia del MOSFET son un factor tomado en cuenta para la selección de
un dispositivo de conmutación. La elección no es sencilla, pues no puede decirse que el
MOSFET tenga menores o mayores pérdidas que un BJT en un valor específico de
corriente. Las pérdidas por conmutación en el encendido y apagado juegan un papel más
importante en la selección. La frecuencia de conmutación es también muy importante.

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