Practica 6
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Practica 6
Autónoma de México
Grupo: 1559-C
El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT es un dispositivo de tres terminales
denominados emisor, base y colector.
La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente dependiente de
corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es controlada por la
corriente en el terminal de base. La mayoría de las funciones electrónicas se realizan con circuitos
que emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales son los dispositivos
básicos de la electrónica moderna.
La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas una a continuación
de la otra. Entre los terminales de emisor y base hay una unión PN, denominada unión emisora, y
entre los de base y colector otra unión PN, llamada unión colectora.
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden de la descripción
de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un semiconductor tipo N, la base es tipo P
y el colector es tipo N. La estructura física del transistor PNP es dual a la anterior cambiando las
regiones P por regiones N, y las N por P.
Transistor bipolar
El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más dopaje tenga el
emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la
misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector. Además, si la base
no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos
diodos en oposición se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta región tienen
que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.
Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones continuas que
aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente decididos. Es posible polarizar el
transistor en zona activa, en saturación o en corte, cambiando las tensiones y componentes del
circuito en el que se engloba.
Corte
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Concretamente, y
a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la condición:
IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al
que llevaría en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar
en directa la unión base-emisor de este, es decir, basta con que VBE=0.
Activa
La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus
terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-
base en inversa.
Saturación
donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener valores determinados
(0,8 y 0,2 voltios habitualmente).
EQUIPO
Fuente de voltaje de CD
Multímetro
Osciloscopio
Tableta de conexiones
MATERIAL
Tabla 6.1
II) Polarización del transistor bipolar de juntura.
1. Armamos el circuito de la figura 6.1.
Figura 6.1
2. Variando el voltaje VBB a tierra o VCC. Anotamos los valores que se piden en la tabla 6.2 y
especificamos en que región se encuentra el transistor.
VBB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) REGIÓN
0 (tierra) 9.2 10.07 0 0 Corte
10 745.4mV 63.8mV 0.61mA 14.94mA Saturación
Tabla 6.2
3. Armamos el circuito de la figura 6.2.
Figura 6.2
4. Hicimos las mediciones necesarias para llenar la tabla 6.3.
VB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) REGIÓN
1.43 0.65 4.68 577.2 6.90 Amplificación
Tabla 6.3
5. Intercambiamos las resistencias R1 y R2 como se muestra en la figura 6.3.
Figura 6.3
6. Llenamos la tabla 6.4 con los datos que se piden.
VB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) REGIÓN
431.7mV 0.92V 10.18 650.1 0.7 1.076 Amplificación
Tabla 6.4
Figura 6.4
8. Varíe el potenciómetro RP para obtener tres valores de resistencia. Primero 0 , luego 2.5k
y por último 5kΩ. Llene la tabla 6.5.
RP k VB (V) VBE (V) VCE (V) IB (µA) IC (mA) REGIÓN
0.0 (tierra) 0 0 10.074 678.4 0 0 Corte
2.5 1.38 0.683 5.32 31.8 5.82 183.0 Amplificación
5.0 2.11 0.716 0.784 66.3 11.69 176.3 Amplificación
Tabla 6.5
CUESTIONARIO
3. ¿Cuál circuito hace que el transistor disipe mayor potencia y en qué región de
operación se encuentra el transistor en ese circuito?
El que disipa mayor potencia es el 6.5 con RP = 2.5K y está en región de amplificación.
5. Explique detalladamente la diferencia si existe entre la figura 6.2 y la figura 6.3. ¿Cómo
son estos valores, con los teóricos? Explique su respuesta.
Si existe diferencia y se debe a que se intercambian las resistencias R2 y R1 y cuando
esta última es menor, también el voltaje de base lo es.
6. Con los datos de las tablas 6.2, 6.3, 6.4 y 6.5 llene la tabla 6.6 considerando que la
potencia disipada por el transistor está dada por la fórmula Pdc = VCE IC y es la
ganancia de CD.
Tabla Pdc
0 0
6.2. 23.38 0.001
6.3 28.61 0.001
6.4 119.14 0.002
0 0
6.5 183.01 0.03
176.31 0.009
Tabla 6.6
7. Llene la columna de la tabla para el voltaje colector-base de operación.
¿Cómo es este voltaje cuando el transistor está: a) cortado, b) amplificando, c) saturado?
Cortado Amplificado Saturado
V=0 V< 0 V>0