Mosfet

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IGFET o MOSFET

Los transistores IGFET (Insolated Gate FET o FET de puerta aislada) también conocidos como

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET o FET de Metal Óxido Semiconductor) son una

variedad de transistores de efecto de campo que tienen el terminal de puerta (Gate) aislado del

canal por una fina capa de óxido de silicio. Eso le otorga una resistencia de entrada del orden de

los Mega ohm, mas alta aún que en el caso de los JFET. Esta resistencia tan elevada implica que

prácticamente no circula corriente por la puerta, haciendo que el MOSFET se comporte como

una resistencia variable donde la corriente entre Drenador y Surtidor es controlada por la tensión

de puerta. Sin embargo, esta resistencia tan elevada tiene el inconveniente de permitir la

acumulación de mucha carga electroestática que puede dañar al MOSFET si no es manipulado

con cuidado.

Regiones de operacion:

Region de corte: El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el

transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del

Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el dispositivo

se encuentra apagado.

Region óhmica: Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de

RDS(on) viene dado por la expresión:

VDS(on) = ID(on) x RDS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID)

específica y el voltaje Puerta-Surtidor.


Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < (VGS – Vt ).

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El valor

de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor

(VGS).

Region de saturacion: El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la

tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación

(Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características

proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de

Drenador (ID), independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor

(VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.

Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).

Region de ruptura: Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus

propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra ruptura

hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del drenador.

Tipos de MOSFET

MOSFET de enriquecimiento: Equivale a un interruptor “Normal Cerrado”, siendo necesaria

una tensión entre Puerta y Surtidor (Vgs) para que deje de conducir. El MOSFET en modo de

enriquecimiento se usa tanto en circuitos discretos como en circuitos integrados. En circuitos

discretos, se aplica principalmente a circuitos de conmutación de potencia, lo que significa

suministrar y bloquear corrientes grandes. En circuitos integrados, se aplica fundamentalmente

en circuitos de conmutación digitales, el proceso básico que hay detrás de las computadoras

modernas.
MOSFET de empobrecimiento: Equivale a un interruptor “Normal Abierto”, siendo necesaria

una tensión entre Puerta y Surtidor (Vgs) para llevarlo al estado de conducción.

MOSFET en modo de vaciamiento

(D-MOSFET, depletion-mode MOSFET) un fragmento de material n con una puerta aislada a la

izquierda y una región p a la derecha. La región p se denomina sustrato. Los electrones que

fluyen desde la fuente hacia el drenador deben atravesar el estrecho canal existente entre la

puerta y el sustrato p. En la parte izquierda del canal hay depositada una delgada capa de dióxido

de silicio (SiO2). El dióxido de silicio es lo mismo que el vidrio, es un aislante. En un MOSFET,

la puerta es de metal. Puesto que la puerta metálica

está aislada del canal, la corriente de puerta despreciable fluye incluso cuando la tensión de

puerta es positiva.

Aunque su utilización ha disminuido notablemente, el MOSFET en modo de vaciamiento

todavía tiene aplicación en las primeras etapas de los circuitos de comunicaciones de alta

frecuencia, como por ejemplo, los amplificadores de RF. A diferencia del JFET de canal n, el D-

MOSFET de canal n puede tener una VGS positiva y continuará funcionando correctamente. Esto

se debe a que no existe ninguna union pn para poder polarizar en directa. Cuando VGS se hace

positiva, ID aumentará siguiendo la siguiente ecuación cuadrática:


Cuando la tensión VGS es negativa, el D-MOSFET opera en modo de vaciamiento. Cuando VGS

es positiva, el D-MOSFET opera en modo de enriquecimiento. Al igual que el JFET, las curvas

del D-MOSFET tienen una region óhmica, una región de fuente de corriente y una región de

corte.

Polarización de MOSFET: Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido,

son similares al circuito de polarización utilizados para JFET. La principal diferencia entre

ambos es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de

funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS para el canal p.

Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de canal p, es adecuado

un circuito de auto polarización. Por lo tanto se habla de recorte de realimentación y circuito

divisor de tensión para mejorar el tipo MOSFET.

Realimentación, circuito de polarización.

La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con realimentación típico para MOSFET

canal n de enriquecimiento.
,

para el análisis en corriente continua se reemplazan los condensadores de acoplamiento por

circuitos abiertos y también se reemplaza el resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya

que IG = 0.

Amplificadores MOSFET en modo de vaciamiento: Un MOSFET en modo de vaciamiento es

único porque puede funcionar con tensión de puerta positiva o negativa. En consecuencia,

podemos fijar su punto Q en VGS = 0 V. Cuando la señal de entrada es positiva, ID aumenta por

encima de IDSS. Cuando la señal de entrada es negativa, ID decrece por debajo

de IDSS. Puesto que no existe ninguna unión pn para polarizar en directa, la resistencia de

entrada del MOSFET se mantiene muy alta.


Puesto que IG es cero, VGS =0 V e ID = IDSS. La tensión de drenador es: VDS=VDD-IDSSRD

Analisis en alterna

Puesto que VGS = 0 V, gm = gmo

Av= gmrd

rd=RD//RL

Bibliografía
Etolocka. (2017). Transistores de efecto de campo. Recuperado el día 26 de febrero de 2020 de
http://www.profetolocka.com.ar/2017/07/12/transistores-de-efecto-de-campo/

García,V.(2012). El transistor MOSFET. Recuperado el día 26 de febrero de 2020 de


https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/el-transistor-mosfet

Malvino ,A (2007). Principios de Electrónica. 7ma edición. McGraw Hill.

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