Mosfet
Mosfet
Mosfet
Los transistores IGFET (Insolated Gate FET o FET de puerta aislada) también conocidos como
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET o FET de Metal Óxido Semiconductor) son una
variedad de transistores de efecto de campo que tienen el terminal de puerta (Gate) aislado del
canal por una fina capa de óxido de silicio. Eso le otorga una resistencia de entrada del orden de
los Mega ohm, mas alta aún que en el caso de los JFET. Esta resistencia tan elevada implica que
prácticamente no circula corriente por la puerta, haciendo que el MOSFET se comporte como
una resistencia variable donde la corriente entre Drenador y Surtidor es controlada por la tensión
de puerta. Sin embargo, esta resistencia tan elevada tiene el inconveniente de permitir la
con cuidado.
Regiones de operacion:
Region de corte: El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del
Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el dispositivo
se encuentra apagado.
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID)
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El valor
de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor
(VGS).
tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación
(Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características
Drenador (ID), independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor
(VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
Region de ruptura: Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus
hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del drenador.
Tipos de MOSFET
una tensión entre Puerta y Surtidor (Vgs) para que deje de conducir. El MOSFET en modo de
en circuitos de conmutación digitales, el proceso básico que hay detrás de las computadoras
modernas.
MOSFET de empobrecimiento: Equivale a un interruptor “Normal Abierto”, siendo necesaria
una tensión entre Puerta y Surtidor (Vgs) para llevarlo al estado de conducción.
izquierda y una región p a la derecha. La región p se denomina sustrato. Los electrones que
fluyen desde la fuente hacia el drenador deben atravesar el estrecho canal existente entre la
puerta y el sustrato p. En la parte izquierda del canal hay depositada una delgada capa de dióxido
está aislada del canal, la corriente de puerta despreciable fluye incluso cuando la tensión de
puerta es positiva.
todavía tiene aplicación en las primeras etapas de los circuitos de comunicaciones de alta
frecuencia, como por ejemplo, los amplificadores de RF. A diferencia del JFET de canal n, el D-
MOSFET de canal n puede tener una VGS positiva y continuará funcionando correctamente. Esto
se debe a que no existe ninguna union pn para poder polarizar en directa. Cuando VGS se hace
es positiva, el D-MOSFET opera en modo de enriquecimiento. Al igual que el JFET, las curvas
del D-MOSFET tienen una region óhmica, una región de fuente de corriente y una región de
corte.
son similares al circuito de polarización utilizados para JFET. La principal diferencia entre
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS para el canal p.
Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de canal p, es adecuado
La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con realimentación típico para MOSFET
canal n de enriquecimiento.
,
que IG = 0.
único porque puede funcionar con tensión de puerta positiva o negativa. En consecuencia,
podemos fijar su punto Q en VGS = 0 V. Cuando la señal de entrada es positiva, ID aumenta por
de IDSS. Puesto que no existe ninguna unión pn para polarizar en directa, la resistencia de
Analisis en alterna
Av= gmrd
rd=RD//RL
Bibliografía
Etolocka. (2017). Transistores de efecto de campo. Recuperado el día 26 de febrero de 2020 de
http://www.profetolocka.com.ar/2017/07/12/transistores-de-efecto-de-campo/