Fase 3 - Diseñar La Etapa de Potencia y Filtrado

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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BASICAS, TECNOLOGIA E INGENIERÍA - ECBTI


ELECTRONICA DE POTENCIA 203039A_471 Grupo 2

Unidad 3: Fase 3 – Diseñar la etapa de potencia y filtrado.

CARLOS ANDRES VASQUEZ VEGA

Electrónica de Potencia

Trabajo Presentado a:

JHON JAIRO LEIVA

Universidad Nacional Abierta y a Distancia – UNAD

Ingeniería Electrónica

Valledupar, 29/04/2018
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ETAPA DE POTENCIA Y FILTRADO

3.1 Se debe presentar el circuito driver de la etapa de potencia y se debe explicar


la función del mismo

El circuito driver es en el que recae la función de tomar la señal de control de cualquier


transistor y adaptarla o convertirla en una señal que cumpla las condiciones que en la
zona de saturación o corte se necesitan.

Las características principales que debe tener el Driver, son el suministrar una entrada
de alta impedancia respecto al circuito de control, regular los niveles presentes en la
tensión, así como crear espacios de tiempo “muertos” y las adecuadas protecciones.
Para la selección del driver se debe tener en cuenta aspectos tales como la tensión
máxima de salida del driver sea mayor que la tensión mínima necesaria en la puerta del
MOSFET para que así se realice la conmutación a la frecuencia seleccionada.
Existen diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden emplear
componentes discretos para diseñar un driver, opto-acopladores o drivers fabricados
como circuitos integrados. Cada uno de ellos tiene unas ventajas e inconvenientes.

Diagrama en bloque del circuito del inverso


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3.2 Se debe diseñar el circuito LC que filtrara la salida del puente inversor. ¿Por qué
es necesario filtrar la salida?

Un filtro es un circuito electrónico de entrada y salida que son sensibles a la frecuencia


y que permite eliminar o excluir las señales que no se sitúen en un determinado rango,
permitiendo así que las señales de otras frecuencias pasen.

Diagrama en bloque de un filtro pasa bajo


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De esta clase de filtros y para nuestro caso, destacamos los de tipo LC, que sirven para
garantizar la calidad de los inversores.

Si lo que se requiere es obtener que la onda sinusoidal sea pura, nos vemos obligados
a la utilización de que reúnan ciertas condiciones, y para este caso, los más apropiados
son los filtros LC pasa bajos ya que éstos eliminan las componentes armónicas que se
presenten en bandas laterales a la frecuencia de la onda portadora.

De lo anterior, podemos decir que, para diseñar nuestro circuito, éste en su salida debe
ser en paralelo para así reducir el contenido armónico, pero sin que sin afecte en su
salida la frecuencia fundamental.

En el desarrollo de este tipo de circuito, es preciso que la corriente que se recibe en la


entrada, deba ser mayor a la corriente de carga, obteniendo así mayor factor de calidad
en el resultado.

El objetivo del filtro es conseguir aplicar a la carga únicamente el armónico fundamental


de todo el espectro que aparece a la salida del puente H. Se trata de un filtro LC paso
bajo de segundo orden que se muestra, presenta la función de transferencia de este
filtro sin considerar los efectos de carga ni parásitos. Donde n es la frecuencia natural
del filtro.

Diagrama del filtro pasa bajo pasivo


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Circuito integrado driver de Mosfet

DRIVERS “CONTROL DE LOS MOSFET EN EL PUENTE H”

En todo sistema electrónico de control de potencia se requieren circuitos


especializados para controlar la actuación de los dispositivos conmutadores de
potencia.

Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes


funciones básicas:

1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de tensión y
corriente manejados por los dispositivos electrónicos de control de potencia.

2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los
dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones máximas de voltaje y
corriente definidas por el fabricante.

3- Proporcionar protección local contra fallas especialmente en situaciones de sobre


cargas.

Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estén incluidos en un circuito


impreso que contenga también todas las fuentes de alimentación y los componentes de
interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y capacidades parásitas y facilitar el
armado del sistema de potencia.

Algunos fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que contienen
algunas de las funciones básicas de un circuito de manejo de compuerta; estos
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integrados son económicos, pero no pueden ser conectados directamente a los


dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de tensión de alimentación
independientes con aislamiento de tierra y proporcionar las funciones faltantes de
protección o de interfaz aislada con el controlador. Circuito de Manejo de Compuerta de
Bajo Costo para MOSFET e IGBT.

Tabla lógica del driver

MOSFET DE POTENCIA

Un transistor MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que


requiere solo de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es
muy alta siendo los tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los
MOSFET DE POTENCIA están encontrando cada vez más aplicaciones en los
convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los problemas
de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, sin embargo, los MOSFET
tienen problemas de descargas electrostáticas, por los que su manejo requiere de
cuidados especiales, además, es relativamente difícil protegerlos bajo condiciones de
falla por corto circuito. Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de agotamiento
y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET tipo agotamiento, de canal n se
forma en un substrato de silicio de tipo p, tal y como se muestra en la siguiente figura.
Con dos silicios n fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La
compuerta está aislada del canal mediante una delgada capa de óxido. Las tres
terminales se conocen como compuerta. Drenaje y fuente. Normalmente el substrato se
conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente, VGS, puede ser positivo o
negativo. Si VGS es negativo, algunos de los electrones del área del canal n estarán
repelidos, y se creara una región de agotamiento, por debajo de la capa de óxido, que
resultara en un canal efectivo más angosto y en una alta resistencia de drenaje, a
fuente RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotará totalmente,
ofreciendo un alto valor en RDS y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS =
0. Cuando esto ocurre, el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp
por otra parte VGS se hace positivo, el cual se ensancha, e IDS aumenta debido a la
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reducción en RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p se invierten las


polaridades de VDS, IDS, y VGS. Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y p,
sucede un proceso similar al anterior.

Transistores MOSFET
Recuperado de: Modulo Electrónica Industrial – UNAD

TOPOLOGÍA PUENTE H O COMPLETO.

La topología “Puente completo” emplea cuatro interruptores como se observa en la


figura 3.0. De esta forma, con una sola fuente de continua, se pueden aplicar a la carga
tanto tensiones positivas como negativas o cero con un simple cambio de los
interruptores que conducen en cada momento. Esta topología incorpora ventajas e
inconvenientes de las topologías Push Pull y puente medio.

Topología puente H
Recuperada de: Monografía - DC/AC Pure Sine Wave Inverter – WP
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VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE USAR PUENTE H EN INVERSORES.

Ventajas Desventajas
 La tensión aplicada en la carga  Se duplica el número de
es la tensión de la fuente de interruptores con respecto a
continua (Salvo polaridad). topologías anteriores.

 Se puede aplicar a la carga  Dos de los interruptores no


+Vdc, Vdc y 0V. están referidos a masa, por lo
que serán necesarios circuitos
de disparo que permitan aplicar
 Mejor utilización del bus DC. Ya
una tensión flotante.
que la tensión máxima de salida
es la tensión del bus DC.

 La tensión que deben soportar


los interruptores es el valor de
la fuente de continua.

Salida de potencia, topología puente H con transformador


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Las resistencias R 13, 14, 17 y 18 apagan al dispositivo después de conducir,


llevándolos a tensión negativa la compuerta.
Las resistencias R11, R12, R15 y R16 en paralelas con los Diodos D4, D5, D6 y D7,
acoplan la señal que proviene de la etapa driver, así mismo los diodos protegen la
compuerta.
La resistencia R31 es la shunt detecta la corriente que consume el circuito.

Estados de switcheo del puente H

Para la implementación del inversor spwm se clasifican los mosfet IRFP 2907 por sus
características de velocidad de switcheo, tensión y amperaje de trabajo.

Data sheet del Mosfet

Transistor Mosfet
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Características eléctricas del transistor IRFP 2907

TRANSFORMADOR

El transformador recibe la tensión RMS de salida del puente H, y la transfiere al


secundario en una amplitud, de acuerdo a la constitución del transformador

El transformador hace parte de la salida de potencia del inversor, su constitución


depende de las exigencias del diseño del inversor, como por ejemplo si es diseñado
para 120 VCA o 220 VCA
Un transformador es una máquina eléctrica estática que transforma la energía
eléctrica recibida en otra energía eléctrica de características distintas, bien sea de
tensión, intensidad, etc.
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El transformador es uno de los equipos eléctricos más útiles de los utilizados en la


electricidad, puede aumentar o disminuir la tensión, puede aislar un circuito de otro. El
transformador se utiliza, la mayoría de las veces, para rebajar la tensión de
alimentación a valores más bajos y así poder manipular los circuitos sin riesgos para los
usuarios.
El devanado primario es el que recibe la energía y el devanado secundario es el
que la cede. Un transformador, al ser una máquina estática, no tiene pérdidas
mecánicas y por tanto puede alcanzar rendimientos del 98%.

CONSTITUCIÓN DEL TRANSFORMADOR.

Está constituido por dos circuitos principales que son:

 Circuito eléctrico.
 Devanado primario.
 Devanado secundario.
 Circuito magnético.
 Chapas magnéticas

Diagrama esquemático y pictórico del transformador.


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3.3 Proponga un método de regulación de la tensión y corriente de salida frente a


la distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales.

En el diseño de un inversor SPWM diseñado análogamente, se toma una muestra de la


tensión que entrega, y es llevada a la tensión de referencia en el oscilador Bubba. En
ese circuito la tensión de referencia tiene una variación con la amplitud de la señal
fundamental y la cual varía con el índice de amplitud, en tensión y corriente.

En el diseño de un inversor SPWM con construcción digital (utilizando


microcontroladores para generar la señal spwm y la etapa driver de potencia), la
retroalimentación se toma y se procesa, llevándola a un nivel entre 2,5 Vdc y 3,1 Vdc, la
cual es llevada a una entrada del microcontrolador y conformando un algoritmo se
manipula la amplitud del voltaje de salida. Esta variación de amplitud ataca
directamente a los índices de amplitud en el bloque de oscilación en el
microcontrolador.

Sistema dinámico de control del inversor SPWM.

Filtros Activos
Están compuestos por elementos pasivos y transistores controlados, son capaces de
eliminar prácticamente todos los armónicos de baja frecuencia y no tienen los
inconvenientes de los filtros pasivos.
Los filtros activos pueden ser conectados en serie o en paralelo. Los filtros serie actúan
como fuente de voltaje, proporcionan una alta impedancia para los armónicos e
impedancia reducida para la frecuencia de la red. Los filtros activos en paralelo, actúan
como fuente de corriente en paralelo con la carga, inyectando o absorbiendo corriente
según sea necesario.
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Existe la posibilidad de combinar filtro activo y pasivo, formando un filtro híbrido.

Conclusiones
Figura 15.

Reductor de armónicos CC (Harmonic reducer DC)

Este convertidor se conecta en paralelo con la carga, como se muestra en la siguiente


figura.

En esta configuración el filtro actúa como fuente de corriente, la tensión del


condensador debe ser mayor a la tensión máxima de entrada.

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