UNIVERSIDAD PILOTO DE COLOMBIA

Escuela de Ingenierías TIC

Comunicaciones Ópticas 2020-1
henry-bastidas@unipiloto.edu.co
Presentado por: Daniel Castañeda
daniel-castaneda@upc.edu.co

Taller relacionado con la presentación “Fuentes de luz Óptica”

1. Enumere y describa las características de los principales tipos de LED.

a. Led homounion:
La unión PN está formada por dos mezclas de igual tipo de átomos y está fabricado con Arseniuro
de galio dopado con silicio.
b. Led heterounión:
Los dispositivos de heterounión están estratificados (normalmente dos capas) de tal manera que
se amplía el efecto de concentración. Así, se produce un dispositivo que confina a los electrones,
los huecos portadores y la luz, en un área mucho menor.
c. Led de superficie emisora y pozo grabado de burrus
Es un LED de superficie emisora. Emite luz en muchas direcciones, y ayuda a concentrar la luz
emitida en un área muy pequeña. También se puede poner lentes en domo, sobre la superficie
emisora, para dirigir la luz hacia un área menor. Estos dispositivos son más eficientes que los
emisores normales de superficie, y permiten acoplar más potencia a la fibra óptica, pero su
fabricación es más difícil y costosa.
Sus características son:
• potencia de salida en función de la corriente directa
• potencia de salida en función de la temperatura
• potencia de salida en función de la longitud de onda
d. Led emisores de borde
El LED emisor de borde, desarrollado por la RCA, la luz se emite de una banda activa y forma un
haz elíptico, emiten una distribución más direccional de luz que los LED de superficie emisora.
e. Leds de emisión lateral (eleds)
En este tipo de LED se añaden capas (recubrimientos) de materiales de gran anchura de la banda
prohibida lo cual no únicamente confina a electrones y huecos a la capa activa, sino que también
provoca que los fotones emitidos viajen a lo largo del eje del LED y emerjan por el borde del
componente. Debido a la alta colimación del haz (30º de anchura en la perpendicular a la capa
activa y 120º en la paralela a la capa activa) se mejora en gran medida la eficiencia del
acoplamiento de su luz a fibras ópticas.
f. Leds superluminiscentes(slds)
Llamados LEDs de emisión superficial, se produce una caída de la luz de salida a altas corrientes,
efecto que ya no se puede explicar simplemente por el calentamiento del componente. Esto
sucede porque con altas corrientes la densidad de fotones aumenta lo suficiente como para que
 se empiece a producir una emisión estimulada de fotones. Esta emisión se produce en el plano
del LED por lo que la emisión perpendicular a la superficie del LED disminuye

2. Explique en palabras propias como es el proceso de emisión y absorción de luz en un diodo láser.

Para describir el proceso se puede indicar que en el proceso de absorción lo que sucede es el electrón va
ganando energía y va subiendo de nivel como una escalera, va absorbiendo energía y ve va alejando del núcleo,
por tanto éste se encuentra en estado de excitación y libera un fotón, sin embargo la tendencia del electrón
es a volver a su estado de reposo y en el proceso de emisión el fotón empuja al electrón hacia el nivel mas
bajo luego de un tiempo muy corto el electrón cae al nivel y al hacerlo emite la energía que absorbió cuando
se excitó, y lo hace en forma de energía radiante, este paquete de energía es un fotón

3. Enumere y describa las características de los principales tipos de Diodo Láser

a. DIODO LASER DE EMISIÓN SUPERFICIAL - VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser). Láser
de emisión superficial con cavidad vertical

Es un diodo semiconductor que emite luz en un haz cilíndrico vertical de la superficie de una
oblea, y ofrece ventajas significativas cuando se compara con láser de emisión lateral
comúnmente significativas cuando se compara con láser de emisión lateral comúnmente
usados en la mayoría de comunicaciones por fibra óptica. Los VCSELs pueden ser construidos
con Aserniuro de Galio (GaAs), Aserniuro de indio y Galio (InGaAs).
• Su haz circular y baja divergencia eliminan la necesidad de óptica correctiva.
• La estructura puede ser integrada en una configuración de arreglos de 2 dimensiones
• Comercialmente la corriente de umbral de un VCSEL es de aproximadamente 4 mA.
• Alcanza potencias ópticas del orden de 10 mW.
• Su ancho espectral (Dl) es de aproximadamente 1nm.
• Su longitud de onda central es de aproximadamente 850 nm.
 • Se puede aplicar un VCSEL en transmisión de datos en el rango de velocidad de 100 Mbs
a 1 Gbs
b. DIODO LÁSER FABRY PEROT:

son el tipo más común de láser de diodo. Son espacialmente monomodo. Los tamaños
geométricos típicos del chip láser son 1000 µm x 500 µm x 200 µm (largo x ancho x alto).
Dependiendo de la longitud del chip, los láseres Fabry Perot funcionan longitudinalmente de
modo único o multimodo.
El chip láser es cultivado por MOVPE de material semiconductor compuesto. La ganancia
óptica es proporcionada por una heteroestructura doble que incluye varios pozos cuánticos
para confinamiento electrónico. El ancho típico del emisor varía de 3 µm a 7 µm. Las superficies
del chip láser actúan como espejos de cavidad debido a la diferencia del índice de refracción
del material láser y el aire circundante. Estas superficies ópticas están protegidas por películas
ópticas delgadas para fines de por vida.
• Enlaces alcance corto-medio a 850 y 1300nm.
• Potencia total pocos mW, FWHM de 3-20nm.
• Altamente polarizados

c. DFB (Distributed FeedBack Laser)

Los láseres de diodo de realimentación distribuida (DFB) son láseres de diodo monomodo de
longitud de onda fija. Los tamaños geométricos típicos del chip láser son 1000 µm x 500 µm x
200 µm (largo x ancho x alto). El chip láser es cultivado por MOVPE de material semiconductor
compuesto. La ganancia óptica es proporcionada por una heteroestructura doble que incluye
varios pozos cuánticos para confinamiento electrónico. El ancho típico del emisor oscila entre
3 µm y 7 µm. La emisión de modo único se aplica mediante una rejilla Bragg con el chip láser.
Las superficies del chip láser actúan como espejos de cavidad debido a la diferencia del índice
de refracción del material láser y el aire circundante. La cara posterior del chip láser está
provista de un revestimiento de alta reflexión. La cara frontal del chip láser está provista de un
revestimiento antirreflectante de alta calidad para evitar los modos Fabry Perot del chip láser.
Los láseres de diodo de retroalimentación distribuida (DFB) están disponibles en casi cualquier
longitud de onda entre 760 nm y 2800 nm.
• Enlaces largo alcance, DWDM.
• Caros, potencia 3-50mW.
• Anchura espectral de 10-100MHz (0.08-0.008 pm).
• SMSR (Single Mode Size Rejection) >50dB
 d. MQW (Multi-Quantum-Well laser diodes)
Un láser de pozo cuántico es un diodo láser en el que la región activa del dispositivo es tan
estrecho que confinamiento cuántico se produce. Los diodos láser se forman en
semiconductores compuestos materiales que (a diferencia bastante de silicio) son capaces de
emitir luz de manera eficiente. La longitud de onda de la luz emitida por un láser de pozo
cuántico está determinada por la anchura de la región activa en lugar de sólo la banda
prohibida del material del que se construye. Esto significa que las longitudes de onda mucho
más largas se pueden obtener de los láseres de pozo cuántico que de los diodos láser
convencionales utilizando un material semiconductor particular. La eficiencia de un láser de
pozo cuántico es también mayor que un diodo láser convencional debido a la forma escalonada
de su densidad de estados función.
• La estructura del diodo láser es fabricado a partir de materiales de nitruro III-V, los
cuales se hicieron por deposición química de vapor organometálico en sustrato de
zafiro.
• Como una capa activa, se utilizó la estructura (Nitruro de Galio Indio) InGaN MQW
• Producen una potencia 215mW en corriente directa de 2,3 A.

4. Consulte y determine la energía en joule y en electrón-voltios, contenida en tres fotones que tienen una
longitud de onda de 1 micrómetro
E = hV
Donde h = 6,63 ∗ 10−34 𝐽𝑆 ==> es la constante de Plank.
𝒄
C= λV, se despeja v, entonces 𝒄 =
𝛌
ℎ𝑐
Se Sustituye: 𝐸 =
λ
Datos:
λ = 1mm
h = 6,63 ∗ 10−34 𝐽𝑆
𝑐 = 3 ∗ 108 𝑚/𝑠

(6,63 ∗ 10−34 𝐽𝑆)(3 ∗ 108 𝑚/𝑠)

𝐸=
1 ∗ 10−6 𝑚
−19
E = 1,989 ∗ 10 J*3
E = 5,967 ∗ 10−19 J

1 𝑒𝑉 = 1,602 ∗ 10−19 𝐽

5,967 ∗ 10−19 J
𝐸=
1,602 ∗ 10−19 𝐽/𝑒𝑉
E= 3,72 eV

5. En relación con la teoría cuántica de radiación expresada por Albert Einstein en 1917, consulte y explique
de que tratan la emisión estimulada y la emisión espontánea.
Coeficientes de Einstein A y B
En 1917, unos 9 años antes del desarrollo de la relevante teoría cuántica, Einstein postuló en el campo de la
termodinámica que la probabilidad de la emisión espontánea, A, estaba relacionada con la probabilidad de la
emisión estimulada, B, por la relación
A/B = 8πhν3/c3
Por el desarrollo de la teoría sobre la radiación del cuerpo negro, se sabía que en el equilibrio de la radiación,
la densidad de energía por unidad de volumen por unidad de frecuencia era igual a
ρ(ν) = 8πhν3/c3
Einstein sostuvo que sólo si la proporción de los coeficientes A y B tenían el valor que se muestra arriba, sería
posible el equilibrio obedeciendo las leyes de la termodinámica. Esta proporción se calculó a partir de la
mecánica cuántica a mediados de la década de 1920. En reconocimiento a la visión de Einstein, los coeficientes
han continuado llamándose coeficientes de Einstein A y B.
Aunque es aplicable a muchas situaciones, los coeficientes A y B recibieron una atención especial en el período
en el que se estaban desarrollando los láseres. La naturaleza de los coeficientes es tal que, no se puede utilizar
la radiación en una cavidad, para elevar preferentemente los electrones a un estado superior para que
produzca la inversión de población necesaria para la acción láser. La proporción particular entre los
coeficientes, sugiere que la presencia de la luz para "bombear" electrones a estados superiores tendrá la
misma probabilidad de estimular los electrones ya elevados de nivel, para realizar transiciones hacia abajo, de
modo que la acción láser no se puede conseguir en un sistema con dos niveles. El logro de la acción láser se
obtuvo en un sistema de tres niveles como el del láser de helio-neón donde la población del nivel de neón
superior podía conseguirse por transferencia no radiativa del bombeo de gas helio a los átomos de neón.

El átomo se puede considerar como un núcleo rodeado por electrones que se mueven con unas energías bien
definidas.

Emisión Espontánea
Cuando un electrón se encuentra en un nivel de energía elevado, tiende a caer espontáneamente a un nivel
de energía inferior con la subsiguiente emisión de luz. Esto es lo que se llama emisión espontánea y es la
responsable de la mayor parte de la luz que vemos.
 Emisión Estimulada
Si un electrón se encuentra ya en un estado excitado, (en un nivel de energía superior, en contraste con su
nivel más bajo posible o "estado fundamental"), entonces, un fotón incidente con energía cuántica igual a la
diferencia de energía entre el nivel actual del electrón y un nivel inferior, puede "estimular" una transición a
ese nivel más bajo, produciendo un segundo fotón con la misma energía que el incidente.

Cuando una población considerable de electrones se encuentra en niveles superiores, esta condición se
conoce como "inversión de población", y prepara el escenario para la emisión estimulada de múltiples fotones.
Esta es la condición previa para la amplificación de la luz que se produce en un láser, y dado que los fotones
emitidos tienen un tiempo definido y una relación de fase entre sí, la luz tiene un alto grado de coherencia.