Cirana Labo 1

Escuela de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Circuitos Analógicos 1
L -01: Resistencias Semiconductoras

Alumno
Tafur Mendez, walter
Docente
Morales Gonzaga, Oscar
Trujillo-Perú
Laboratorio de Circuitos Analógicos 1
L -01: Resistencias Semiconductoras
LOGROS ESPERADOS: Al final del experimento, el alumno debe conocer, saber analizar y diseñar
circuitos con sensores utilizando dispositivos semiconductores, como los termistores, LDR y VDR.
Debe saber utilizar los instrumentos electrónicos y desarrollar las curvas de los componentes no lineales
en función de los datos obtenidos en la experiencia.
MATERIALES Y EQUIPO:
2 Fuentes DC 1 VDR (varistor) 1 foco de 12 v 80 mA ( ≈ 1 W) c/s
1 Multímetro 1 Termistor NTC: 4.7 K Ω
1 Protoboard 1 Fotorresistencia (LDR)
Cables de conexión R: 100 Ω (2W), 1K, 4.7 k Ω, 5K, 10K , 270K
PROCEDIMIENTO:
a) Curva característica de un termistor NTC
Utilizando el simulador Micro Cap 12, Armar el circuito de la figura adjunta:
Verificar que la resistencia serie R1 sea del mismo rango que el termistor y que en ningún caso
se exceda de 20 mA, de corriente de polarización.
b) Variar las condiciones de temperatura, en la simulación (Analysis + Dynamic DC + Limits)

y llenar la siguiente tabla, tomando los valores del voltaje en el termistor: V(NTC)
(Tener cuidado de expresar T en °K en el simulador)
OMG
- Calcular el valor de la corriente en el termistor I = VR1 / R1 = [10 – V(NTC)]/R1

- Calcular el valor de la resistencia R(NTC) = V(NTC) / I
- Construir la curva de R(NTC) - vs – T °C considerando que V, la tensión en el foco, será
proporcional a la temperatura.
R(NTC) vs T °C
8
0
0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
c) Curva característica de una fotorresistencia LDR (Si puede realizarla en su domicilio)

En un circuito parecido al anterior, colocar una LDR en el lugar del termistor y en serie colocar una
resistencia de valor similar al LDR. Proceder con los mismos pasos del caso anterior. En este caso el
foco será una fuente de luz (con iluminación variable en función de V3), para la fotorresistencia.
R(LDR)
Foco
12v 80 mA
VV3 0 2 4 6 8 10 12 v DC
----------------------------------------------------------------------------------
VR v DC
----------------------------------------------------------------------------------
VL v DC
----------------------------------------------------------------------------------
I mA
----------------------------------------------------------------------------------
RL
R (LDR) Ohms
CUESTIONARIO
1. Hacer una introducción teórica del fundamento de conducción de los

semiconductores.
Los semiconductores son materiales que ocupan una posición intermedia entre los
aislantes y los conductores.
Los semiconductores están hechos de Ge y Si, ya que estos elementos pueden

alcanzar un grado alto de pureza aproximadamente (1:10,000,000, 000) , porque
algún indicio de impureza puede cambiar las propiedades eléctricas del materiales
volviéndole un buen conductor como también un deficiente conductor .
En un semiconductor puro la conductividad depende de la cantidad de electrones

libres y huecos, en este caso cuando se aplica un campo eléctrico los huecos se
mueven en sentido opuesto a los electrones. En un semiconductor puro el número
de huecos y electrones son iguales a temperatura ambiente.
Los semiconductores suelen ser aislantes a cero grados Kelvin, y permiten el paso de
corriente a la temperatura ambiente. Esta capacidad de conducir corriente
puede ser controlada mediante la introducción en el material de átomos diferentes
al del semiconductor, denominados impurezas.
Un átomo de un semiconductor posee niveles de energía, en el caso para la

conducción existen dos Banda de valencia y Banda de conducción (Para un
semiconductor es 1.1 ev Si y
0.67ev Ge), entre estas bandas existe la región prohibida, para que se dé la
conducción, un electrón de valencia tiene que alcanzar la suficiente energía para
poder llegar a la banda de conducción.
Al proceso de añadir impurezas se le llama dopado a este material se le llama

extrínseco (tipo n y tipo p), el material tipo n se forma cuando se añade elementos
impuros que cuentan con cinco electrones o pentavalentes como es el caso del
arsénico, antimonio o el fósforo y el material tipo p se forma cuando se añaden
elementos con tres electrones de valencia.
FLUJO DE ELECTRONES VS FLUJO DE HUECOS:
El efecto hueco se muestra cuando un electrón adquiere suficiente energía cinética

para romper el enlace covalente llenando el vacío creado por un hueco, a la vez que
hay un desplazamiento de huecos en el sentido contrario, el material tipo n (los
electrones son portadores mayoritarios y los huecos minoritarios) y el en tipo p es
todo lo contrario.
2. Explicar la variación de la resistencia del LDR y analizar si depende de la
temperatura y de la iluminación del entorno
Cuando el LDR (fotorresistor) no está expuesto a

radiaciones luminosas, los electrones están
firmemente unidos en los átomos que lo
conforman, pero cuando sobre él inciden
radiaciones luminosas, esta energía libera
electrones con lo cual el material se hace más
conductor, y de esta manera disminuye su
resistencia. Las resistencias LDR solamente
reducen su resistencia con una radiación
luminosa situada dentro de una determinada
banda de longitudes de onda. El fotoresistor
construido con sulfuro de cadmio son sensibles a
todas las radiaciones luminosas visibles y las construidas con sulfuro de plomo
solamente son sensibles a las radiaciones infrarrojas.
3. Enumerar las resistencias semiconductoras y sus aplicaciones en electrónica.
1) LDR:
El LDR (Light Dependent Resistor) o resistencia dependiente de la luz o también

foto resistor, es una resistencia que varía su resistencia en función de la luz
que incide sobre su superficie. Cuanto mayor sea la intensidad de la luz que
incide en la superficie del LDR menor será su resistencia y cuanto menos luz
incida mayor será su resistencia.
APLICACIONES:
Las aplicaciones prácticas son los interruptores y alarmas activados por la luz
o por la oscuridad, alarmas de barrera luminosa, alarmas de humo por
reflexión, Relé control ado por luz, donde el estado de iluminación de la
fotorresistencia, activa o desactiva un Relay (relé), que puede tener un gran
número de aplicaciones, etc.
2) NTC:
Un termistor NTC es un resistor cuya resistencia térmicamente sensible exhibe

una disminución grande, precisa y predecible como la temperatura del núcleo
de la resistencia aumenta con el rango de temperatura de funcionamiento.
APLICACIONES:
Se utilizan para medir la temperatura, la temperatura de control y para la
compensación de temperatura. También pueden ser utilizados para detectar
la ausencia o presencia de un líquido, como dispositivos de limitación de
corriente en los circuitos de suministro de energía, monitorización de la
temperatura en aplicaciones de automoción y muchos más.
3) PTC:
Un termistor PTC es un resistor sensible térmicamente cuya resistencia

aumenta significativamente con la temperatura.
APLICACIONES:
Las aplicaciones prácticas son la protección contra sobre corriente, el arranque
del motor, detección del nivel del líquido, calentadores de autorregulación,
etc.
4. Dar algunas apreciaciones y conclusiones de la experiencia realizada.
La conducción en los semiconductores depende mucho de la temperatura y la pureza

del material sea P o N, además no tienen un comportamiento lineal, esta
característica influye en la reacción de las Resistencias semiconductoras, ya que a
diferencia del filamento incandescente no solo reaccionan a la temperatura sino
también a la cantidad de luz.

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- Calcular el valor de la corriente en el termistor I = VR1 / R1 = [10 – V(NTC)]/R1

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