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    Modelo Pi Del Transistor

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    rossana123
    El documento describe el circuito equivalente híbrido-π para transistores, también conocido como modelo de Giacoletto. Incluye una resistencia rb'b que representa la resistencia de la base del transistor. Esta resistencia depende de la anchura de la base y es proporcional a ella. El documento también explica cómo calcular parámetros como hie, gm, fβ y fT a partir de los componentes del modelo de circuito híbrido-π.

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    El documento describe el circuito equivalente híbrido-π para transistores, también conocido como modelo de Giacoletto. Incluye una resistencia rb'b que representa la resistencia de la base del transistor. Esta resistencia depende de la anchura de la base y es proporcional a ella. El documento también explica cómo calcular parámetros como hie, gm, fβ y fT a partir de los componentes del modelo de circuito híbrido-π.

    Título original

    Modelo pi del transistor

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    El documento describe el circuito equivalente híbrido-π para transistores, también conocido como modelo de Giacoletto. Incluye una resistencia rb'b que representa la resistencia de la base del transistor. Esta resistencia depende de la anchura de la base y es proporcional a ella. El documento también explica cómo calcular parámetros como hie, gm, fβ y fT a partir de los componentes del modelo de circuito híbrido-π.

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    Modelo Pi Del Transistor

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    El documento describe el circuito equivalente híbrido-π para transistores, también conocido como modelo de Giacoletto. Incluye una resistencia rb'b que representa la resistencia de la base del transistor. Esta resistencia depende de la anchura de la base y es proporcional a ella. El documento también explica cómo calcular parámetros como hie, gm, fβ y fT a partir de los componentes del modelo de circuito híbrido-π.

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    El circuito equivalente híbrido-π, o Giacoletto:

    Circuito equivalente híbrido-π

    En este circuito hemos incluido una resistencia r b b que es la resistencia óhmica de base, que se
    '

    encuentra entre el terminal de la base B y la unión P base B’.

    Resistencia de contacto de la base


    +
    r b b =¿
    ' Resistencia de volumen
    +
    Resistencia de la región de la base

    Normalmente:

    r b b =cte. ; 10<r b b <500[Ω]


    ' '

    El hecho de que r b b incluye a la resistencia de volumen, significa que es proporcional a la


    '

    anchura de la base. Los transistores de RF, tienen una anchura de base pequeña y por lo tanto una
    r b b más pequeña que la de los transistores de LF.
    '

    Un valor asumido de 10 [Ω] es bastante aceptable, si es que no se ha especificado la resistencia de


    la unión base-emisor reflejada a la base, que normalmente es:

    0.026 mV
    rb e= ' ( hfe + 1 )=r e ( h fe+ 1 )
    I EQ

    Por lo que la expresión para el parámetro hie es:

    hie =r b b +r b e ≌ r b e=r e ( hfe +1) ;T =300 ° K


    ' ' '

    r b e , r b c , r ce , son resistencias especificadas cuando el transistor está en la región activa.


    ' '

    Gómer Rubio Roldán - profesor ESPOL| 1


    Considerando la corriente del colector:

    vb
    ( )
    '

    i c =h femedia i b=h femedia


    rb e
    '

    1
    i c =h femedia
    ( )'
    v =h ' ( ρ )v =gm v b
    r b e b femedia b e b
    ' ' '

    gm =hfemedia ρb e '

    Y en términos de los parámetros del circuito hibrido-π:

    1
    f β=
    2 π r b e (C b e +C b c )
    ' ' '

    Como una primera aproximación:

    r b b =0 y por lo tanto ,C b e =Cbe ; C b c =Cbc


    ' ' '

    Y por lo tanto:

    1
    f β=
    2 π hie (C be +C bc )

    En algunos casos, el valor de C be no es dado por el fabricante, sin embargo el fabricante suele dar
    el valor producto ganancia de corriente- ancho de banda ( f T ), que es valor para el cual la
    ganancia de corriente del transistor toma el valor unitario:

    h femedia

    | ( )|
    1+ j
    f
    fβ
    =1

    hfemedia
    |h fe|db =20 log
    | ( )|
    1+ j
    f
    fβ
    =20 log1=0[dB]

    ¿> f =f T …

    |hfe|,∨f fb∨¿
    Gómer Rubio Roldán - profesor ESPOL| 2
    fh fb

    Del gráfco |hfe| vs f, |hfe| es constante en banda media.

    La configuración B-C presenta mejores características en alta frecuencia que la configuración E-C,
    por lo que los parámetros para B-C se especifican más a menudo que los de E-C. Si α y fα son
    especificados:

    f β =f α (1−α)

    f T ≫ f β para que el producto ganancia- ancho de banda permanezca constante y por lo tanto:

    hfe media hfe media


    ≅ =1
    f 2 fT
    √ ( )
    1+ T
    fβ fβ

    f T =hfemedia f β ; f β :ancho de banda

    A partir de f T , se puede obtener C be:

    1
    C be=
    2 π f T re

    Generalmente:
    C be ≫C bc

    Gómer Rubio Roldán - profesor ESPOL| 3

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