Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • 46 vistas

    Taller BJT 1

    Cargado por

    Angel David Torres Mosquera
    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene cuatro ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por dos profesores y revisado para actualizar

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    Taller BJT 1

    Cargado por

    Angel David Torres Mosquera
    46 vistas2 páginas
    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene cuatro ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por dos profesores y revisado para actualizar

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    PDF, TXT o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene cuatro ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por dos profesores y revisado para actualizar

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como pdf o txt
    46 vistas2 páginas

    Taller BJT 1

    Cargado por

    Angel David Torres Mosquera
    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene cuatro ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por dos profesores y revisado para actualizar

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
    Descargar como pdf o txt
    Está en la página 1de 2

    Taller BJT 1

    Universidad de San Buenaventura Cali


    Facultad de Ingenierías
    Ingeniería Electrónica

    1. Conceptos:

    a. En un transistor BJT, ¿cual es la región más delgada? ¿cuál es la más larga? ¿cuál es la
    región más dopada? Justifique sus respuestas.
    b. En la región de base de un transistor BJT PNP ¿cuáles son los portadores minoritarios,
    los huecos o los electrones?
    c. Cuando un BJT es utilizado para amplificar señales, ¿cómo deben polarizarse las uniones
    base-emisor y base-colector?
    d. Un BJT tiene una IC de 1mA y una IB de 10uA. Calcular el  y .
    e. Si un BJT tiene una ganancia de corriente hFE=200, ¿cuál es el valor de la ganancia hFB?
    f. Para un BJT que esta en configuración base-común, =0.98 y su ICBO=25nA (Recuerde
    que ICBO =ICO). Calcular el valor exacto de IC cuando IE=1mA.
    g. Un BJT tiene un =250 y una ICBO =60nA. Calcular la ICEO.
    h. Hacer un esquema de las curvas características de salida para un BJT NPN en
    configuración emisor-común. Identificar los ejes, indicar los parámetros más importantes y
    marcar las zonas activa, de corte y de saturación.

    2. Circuitos

    a) Para el siguiente circuito calcular R si VCC=24V,


    RC=10k , RE=270, =45 y VCE=5V. El
    transistor es de silicio. Además trazar la recta de
    carga y ubicar el punto de polarización.

    b) Para el siguiente circuito que tiene un transistor


    PNP con = hFE =100, averiguar si el transistor
    de silicio esta en corte, en saturación o en la
    región activa. Además hallar Vo. Después,
    encuentre el valor necesario de RE para que la
    corriente de polarización sea el 70% de la
    corriente máxima de saturación.

    Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.


    Revisó y Actualizó: Guillermo A David, Mg.
    c) Para el siguiente circuito calcular los valores de
    RE, R1 y R2 si se tiene que: = hFE =50,
    VCC=22.5V, RC=5.6k , VCE=12V e ICQ=1.5mA.
    Trazar la recta de carga y ubicar el punto de
    polarización. ¿Cuál es la máxima excursión de
    señal sin distorsión?

    d) En el siguiente circuito se utiliza un


    transistor de silicio con un min=30.
    Hallar Vo cuando Vi=12V y demostrar
    que el transistor esta en saturación.
    Luego, hallar el mínimo valor de R1 para
    que el transistor tenga el punto Q en la
    mitad de la recta de carga manteniendo
    a Vi=12V.

    Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.


    Revisó y Actualizó: Guillermo A David, Mg.

    También podría gustarte