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    Taller Transistores

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    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por José Fernando Valencia y revisado por Guillermo A

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    Taller Transistores

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    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por José Fernando Valencia y revisado por Guillermo A

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    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por José Fernando Valencia y revisado por Guillermo A

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    Este documento presenta varios conceptos y ejercicios relacionados con transistores BJT. En la primera sección se definen conceptos clave como las regiones de un transistor BJT, los portadores minoritarios en una base PNP, y cómo deben polarizarse las uniones. La segunda sección contiene ejercicios de circuitos que involucran el cálculo de parámetros como ganancia corriente, corrientes de saturación y corte, y la traza de rectas de carga. El documento fue escrito por José Fernando Valencia y revisado por Guillermo A

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    Taller BJT 1

    Universidad de San Buenaventura Cali


    Facultad de Ingenierías
    Ingeniería Electrónica

    1. Conceptos:

    a. En un transistor BJT, ¿cual es la región más delgada? ¿cuál es la más larga? ¿cuál es la
    región más dopada? Justifique sus respuestas.
    b. En la región de base de un transistor BJT PNP ¿cuáles son los portadores minoritarios,
    los huecos o los electrones?
    c. Cuando un BJT es utilizado para amplificar señales, ¿cómo deben polarizarse las uniones
    base-emisor y base-colector?
    d. Un BJT tiene una IC de 1mA y una IB de 10uA. Calcular el  y .
    e. Si un BJT tiene una ganancia de corriente h FE=200, ¿cuál es el valor de la ganancia hFB?
    f. Para un BJT que esta en configuración base-común, =0.98 y su ICBO=25nA (Recuerde
    que ICBO =ICO). Calcular el valor exacto de IC cuando IE=1mA.
    g. Un BJT tiene un =250 y una ICBO =60nA. Calcular la ICEO.
    h. Hacer un esquema de las curvas características de salida para un BJT NPN en
    configuración emisor-común. Identificar los ejes, indicar los parámetros más importantes y
    marcar las zonas activa, de corte y de saturación.

    2. Circuitos
    a) Para el siguiente circuito calcular R si V CC=24V,
    RC=10k , RE=270, =45 y VCE=5V. El transistor
    es de silicio. Además trazar la recta de carga y
    ubicar el punto de polarización.

    b)aPara el siguiente circuito que tiene un transistor


    PNP con = hFE =100, averiguar si el transistor de
    silicio esta en corte, en saturación o en la región
    activa. Además hallar Vo. Después, encuentre el
    valor necesario de RE para que la corriente de
    polarización sea el 70% de la corriente máxima de
    saturación.

    Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.


    Revisó y Actualizó: Guillermo A David, Mg.
    c) Para el siguiente circuito calcular los valores de RE,
    R1 y R2 si se tiene que: = hFE =50, VCC=22.5V,
    RC=5.6k , VCE=12V e ICQ=1.5mA. Trazar la recta de
    carga y ubicar el punto de polarización. ¿Cuál es la
    máxima excursión de señal sin distorsión?.

    d) En el siguiente circuito se utiliza un


    transistor de silicio con un min=30. Hallar
    Vo cuando Vi=12V y demostrar que el
    transistor esta en saturación. Luego, hallar
    el mínimo valor de R1 para que el transistor
    tenga el punto Q en la mitad de la recta de
    carga manteniendo a Vi=12V.

    Autor: José Fernando Valencia, Ph.D.


    Revisó y Actualizó: Guillermo A David, Mg.

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