Semiconductor

Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento covalentes entre sus tomos, en la gura representados en
que se comporta como un conductor o como un aislante el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el temperatura ambiente algunos electrones pueden absor-
campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que ber la energa necesaria para saltar a la banda de con-
le incide, o la temperatura del ambiente en el que se en- duccin dejando el correspondiente hueco en la banda
cuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura
tabla peridica se indican en la tabla adjunta. ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el se- germanio respectivamente.
gundo el germanio, aunque idntico comportamiento pre- El proceso inverso tambin se produce, de modo que
sentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y los electrones pueden caer desde el estado energtico
13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, correspondiente en la banda de conduccin a un hueco
PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha en la banda de valencia, liberando as energa. Este
comenzado a emplear tambin el azufre. La caractersti- fenmeno se conoce como recombinacin. A una
ca comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo determinada temperatura, las velocidades de creacin de
el silicio una conguracin electrnica sp. pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la
concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Sea n la concentracin de electrones (cargas
1 Tipos de semiconductores negativas) y p la concentracin de huecos (cargas
positivas), se cumple entonces que:

n = n = p

donde n es la concentracin intrnseca del semiconduc-

tor, funcin exclusiva de la temperatura y del elemento en
cuestin.
Ejemplos de valores de n a temperatura ambiente (27 C):

n(Si) = 1.5 1010 cm3

n(Ge) = 2.4 1013 cm3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de por-

tadores. En los semiconductores, ambos tipos de porta-
dores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se
somete el cristal a una diferencia de potencial se producen
dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movi-
miento de los electrones libres de la banda de conduccin,
y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones
en la banda de valencia, que tendern a saltar a los hue-
cos prximos (2), originando una corriente de huecos
con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo
elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la
de la banda de conduccin.

1.1 Semiconductores intrnsecos 1.2 Semiconductores extrnsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estruc- Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se
tura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es decir,

1
2 4 SEMICONDUCTORES Y ELECTRNICA

elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y
se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Las se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
impurezas debern formar parte de la estructura cristali- silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes
na sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. y un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los huecos. No obstante, cuando
1.2.1 Semiconductor tipo N
cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del to-
mo situado en la posicin del hueco se ve expuesto y en
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva.
un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de to-
Cuando un nmero suciente de aceptores son aadidos,
mos al semiconductor para poder aumentar el nmero de
los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de
portadores de carga libres (en este caso negativos o elec-
los electrones. As, los huecos son los portadores mayori-
trones).
tarios, mientras que los electrones son los portadores mi-
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electro- noritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules
nes ms dbilmente vinculados a los tomos del semicon- (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un
ductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
como material donante, ya que da algunos de sus electro- manera natural.
nes.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundan-
cia de electrones portadores en el material. Para ayudar 2 Vase tambin
a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese
el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una Conductividad elctrica
valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacen- Diodo
tes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales Silicio
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo
(P), arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red Transistor
cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese
tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no Unin PN
enlazado. Este electrn extra da como resultado la for- Polmero semiconductor
macin de electrones libres, el nmero de electrones
en el material supera ampliamente el nmero de huecos,
en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios
y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de 3 Enlaces externos
que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que dar, son llamados tomos donadores. Aniquilacin de Positrones en Semiconductores
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca
Algunos estudios de semiconductores con Espec-
est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el mate-
troscopa. Positron Lab, Como, Italy
rial dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica
neta nal de cero.

4 Semiconductores y electrnica
1.2.2 Semiconductor tipo P
Wikimedia Commons alberga contenido multi-
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un
media sobre Semiconductor. Commons
proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos
al semiconductor para poder aumentar el nmero de por- * Fsica de semiconductores
tadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones
ms dbilmente vinculados de los tomos del semicon-
ductor. Este agente dopante es tambin conocido como
material aceptor y los tomos del semiconductor que han
perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia
de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente
(tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une
un tomo con tres electrones de valencia, tales como los
 3

5 Origen del texto y las imgenes, colaboradores y licencias

5.1 Texto
Semiconductor Fuente: https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor?oldid=96818724 Colaboradores: Youssefsan, PACO, EL Willy, Mo-
riel, Sauron, Dodo, Cookie, Opinador, Tostadora, Tano4595, Murphy era un optimista, Lnieves, Xenoforme, Troodon, Lanjoe9, Kordas,
Renabot, Internete, Xuankar, Airunp, JMPerez, Rembiapo pohyiete (bot), Orgullobot~eswiki, RobotQuistnix, Superzerocool, Chobot,
Gug, Yrbot, FlaBot, Vitamine, YurikBot, GermanX, Beto29, KnightRider, Eskimbot, Varusso, Gtz, Jos., Chlewbot, Tomatejc, Matia-
sasb, BOTpolicia, CEM-bot, Laura Fiorucci, Alexav8, Baiji, Mister, Anusky, Montgomery, FrancoGG, Thijs!bot, Tortillovsky, Bot que
revierte, Botones, Ikertza, Isha, Hanjin, JAnDbot, Kved, Klystrode, Gsrdzl, TXiKiBoT, Aalvarez12, Hidoy kukyo, Mercenario97, Hum-
berto, Netito777, Ale ashero, Nioger, Humbertow, Plux, Uruk, Delphidius, AlnoktaBOT, VolkovBot, Urdangaray, Superhori, Snakeyes,
Technopat, Matdrodes, Fernando Estel, BlackBeast, Lucien leGrey, AlleborgoBot, Muro Bot, DISELEC, YonaBot, SieBot, Drinibot, Swit-
cher6746, Maximoalberto, Mafores, DorganBot, Tirithel, Kikobot, Nicop, Eduardosalg, Leonpolanco, Pan con queso, Mar del Sur, Petruss,
Poco a poco, Alexbot, Rge, Raulshc, Aipni-Lovrij, BotSottile, Camilo, UA31, AVBOT, David0811, LucienBOT, Diegusjaimes, Da-
vidgutierrezalvarez, DumZiBoT, MelancholieBot, Arjuno3, Luckas-bot, Ptbotgourou, Ixfd64, Jorgext, Indurilo, HHahn, SuperBraulio13,
Ortisa, Xqbot, Jkbw, Rubinbot, Dreitmen, Ricardogpn, ErServi, BenzolBot, RedBot, Coticoticoticoti, PatruBOT, Dinamik-bot, SeoMac,
Rodrigo257, Ripchip Bot, Humbefa, Nachosan, Edslov, EmausBot, Savh, HRoestBot, Allforrous, J. A. Glvez, Mecamtico, Emiduronte,
ChuispastonBot, MadriCR, Diamondland, Machineman, Arturion, Cris Dav CDVS, Rezabot, MerlIwBot, UAwiki, Sebrev, Maquedasahag,
Acratta, Vetranio, Creosota, Legobot, Addbot, Balles2601, JulioOAO, Hans Topo1993, XVRT, Mare Marginis, Saritap, Luifer Hoyos, Ma-
rioFinale, Jarould, Bruno Rene Vargas, AlvaroMolina, Vtor, Meechum y Annimos: 343

5.2 Imgenes
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Commons-emblem-question_book_orange.svg Licencia: CC BY-SA 3.0 Colaboradores: <a href='//commons.wikimedia.org/wiki/File:
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commons/thumb/b/bc/Commons-emblem-issue.svg/25px-Commons-emblem-issue.svg.png' width='25' height='25' srcset='https:
//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bc/Commons-emblem-issue.svg/38px-Commons-emblem-issue.svg.png 1.5x,
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/bc/Commons-emblem-issue.svg/50px-Commons-emblem-issue.svg.png 2x'
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alt='Question book.svg' src='https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/97/Question_book.svg/25px-Question_
book.svg.png' width='25' height='20' srcset='https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/97/Question_book.svg/
38px-Question_book.svg.png 1.5x, https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/97/Question_book.svg/50px-Question_
book.svg.png 2x' data-le-width='252' data-le-height='199' /></a> Artista original: GNOME icon artists, Jorge 2701
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png Licencia: CC-BY-SA-3.0 Colaboradores: ? Artista original: ?

5.3 Licencia del contenido

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