Facultad de Ingeniería

Escuela Profesional de Ingeniería Mecatrónica

Prof. Ing. Javier Rivas León

Curso: Circuitos Electrónicos
 TEMÁTICA

UNIDAD I.
INTRODUCCIÓN-DIODOS SEMICONDUCTORES

1. Estructura atómica.
2. Aplicación de los semiconductores.
3. El diodo semiconductor.

COMPETENCIAS.

1.Conoce los conceptos fundamentales de los principales componentes electrónicos y

los aplica en baja señal en el ámbito de la ingeniería mecatrónica.

2. Analiza y conoce las principales características eléctricas y electrónicas de los

componentes, así como las ventajas y desventajas técnicas en las diversas aplicaciones
de diseño, pudiendo estar en condiciones de discriminar la mejor opción dependiendo de
las circunstancias.
 METALES, SEMICONDUCTORES
Y AISLADORES

Las bandas asociadas con las capas completas internas en los átomos
originarios tienen las cuotas exactas de electrones que les permite el
principio de exclusión de Pauli. En estas bandas los orbitales no sufren
alteraciones significativas y retienen su carácter atómico al formarse el
sólido.
La banda de valencia:

Está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, es decir, aquellos
electrones que se encuentran en la última capa o nivel energético de los átomos.
Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los átomos, pero
no intervienen en la conducción eléctrica.
La banda de conducción:

Está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos que se han desligado de
sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos electrones son los responsables
de conducir la corriente eléctrica.

para que un material sea buen conductor de la corriente eléctrica debe tener
electrones en la banda de conducción. Cuando la banda esté vacía, el material se
comportará como un aislante.

Entre la banda de valencia y la de conducción existe una zona denominada banda

prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse
los electrones.
 PARTÍCULAS CARGADAS

Átomo:
Menor partícula de un elemento químico que posee sus propiedades.

Electrón:
Partícula elemental del átomo cargada negativamente.
Masa: m = 9,11 x 10-31 Kg.
Carga: q = 1,6 x 10-19 culombios

Ión:
Partícula cargada que se origina cuando un átomo pierde o gana
electrones. Su carga es igual al número de electrones perdidos (ión
positivo) o ganados (ión negativo).

Hueco:
Ausencia de un electrón en un enlace covalente. Su carga asociada es
la del electrón con signo +.
 METALES, SEMICONDUCTORES
Y AISLADORES

A temperatura ambiente (T ≈ 300oK ) la energía térmica transferida a un

electrón de la red es del orden de K B T ≈ 0.025eV. esta energía es
suficiente para que una pequeña fracción de los electrones en la banda
de valencia pueda “saltar” a la banda desocupada.

Metales, semiconductores y aisladores desde el punto de vista de la Gap de energía de algunos aisladores y semiconductores.
Teoría de bandas.
ESTRUCTURA ATÓMICA:
CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES Y AISLADORES

CONDUCTOR:

Contienen de 1 – 3
electrones en su última
órbita.

1S2 2S2 P6 3S2 3P1

SEMICONDUCTOR:

Contienen 4 electrones
en su última órbita.

1S2 2S2 P6 3S2 3P2

ESTRUCTURA ATÓMICA:
CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES Y AISLADORES

AISLADOR:

Contienen de 5 – 8
electrones en su última
órbita.

1S2 2S2 P6 3S2 3P6

SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

A 0 ºK los semiconductores intrínsecos son aislantes.

A temperatura ambiente existen electrones libres y huecos resultantes del

aporte de energía térmica.

El mecanismo de desplazamiento de un hueco no implica electrones

libres y supone un movimiento de cargas positivas.

En un semiconductor intrínseco la concentración de electrones libres (n)

es igual a la de huecos (p) e igual a su vez a la concentración intrínseca.

n = p = ni

Recombinación: Desaparición de pares de electrón-hueco

 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Ley de acción de masas

A una temperatura T de equilibrio térmico se cumple que:
n . p = ni2

ni => concentración intrínseca. Aumenta con la temperatura.

Semiconductor tipo n: e- (n) -> portadores mayoritarios -> nn

Huecos (p) -> portadores minoritarios -> pn

Semiconductor tipo p: e- (n) -> portadores minoritarios -> np

Huecos (p) -> portadores mayoritarios -> pp

Las impurezas aumentan la conductividad.

 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

La configuración electrónica del Si es [Ne]3s 2

3p 2
, de modo que tiene
cuatro electrones de valencia.

Para fijar ideas, veamos que sucede si remplazamos algunos de los

átomos de Si por átomos de fósforo (P) que tienen cinco electrones de
valencia y cuya configuración electrónica es [Ne]3s 2 3p3 :
Por cada átomo de P que se agrega aparece un estado electrónico
nuevo y adicional en la banda prohibida. Este nivel se ubica justo por
debajo de la banda de conducción del Si.

Cada átomo de P utiliza cuatro de sus cinco electrones de valencia para

formar enlaces con cuatro átomos de Si vecinos, quedando un electrón
extra que necesita liberar para alcanzar su configuración más estable de
ocho electrones. La energía térmica es suficiente para que el electrón
extra sea transferido a la banda de conducción dejando atrás un ión
positivo P+ inmóvil.

Los átomos de P se llaman átomos donadores, y la conductividad

eléctrica en este tipo de semiconductores implica fundamentalmente
movimiento de electrones procedentes de los átomos donadores a través
de la banda de conducción. Este tipo de semiconductores se denomina
de tipo-n, donde n se refiera a negativo, el tipo de carga eléctrica que
transportan los electrones.
 SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Reemplacemos ahora algunos átomos de Si por átomos de aluminio

(Al) cuya configuración electrónica es [Ne]3s2 3p1 de manera que tiene
tres electrones de valencia.

Por cada átomo de Al que se agrega aparece un estado electrónico nuevo que
se encuentra justo por encima de la banda de valencia del Si.

Cada átomo de Al utiliza sus tres electrones de valencia para formar enlaces con
tres átomos de Si vecinos. La capa externa del Al tratará de capturar un electrón
extra de la banda de valencia para conformar una capa estable de ocho
electrones

Un electrón se trasfiere con facilidad desde la banda de valencia hasta el nivel

aceptor formando un ión negativo inmóvil. Cuando esto ocurre, se crea una
vacante positiva en la banda de valencia. Debido a que en este tipo de
semiconductores la conductividad eléctrica consiste fundamentalmente en la
transferencia de vacantes positivas, se les denomina semiconductores de tipo-p.
APLICACIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES

A partir de la década de 1950, los dispositivos

semiconductores -conocidos también como
dispositivos de estado sólido- remplazaron los
tubos electrónicos de la industria tradicional.

Por la enorme reducción de tamaño, consumo de

energía y costo, acompañada de una mucho
mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos
semiconductores significaron un cambio
revolucionario en las telecomunicaciones, la
computación, el almacenamiento de información,
etc.
 Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo
semiconductor más simple y fundamentales el diodo; todos los demás
dispositivos pueden entenderse en base a su funcionamiento.

Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en la Figura,
las concentraciones inicialmente desiguales de electrones y vacantes dan lugar a una
trasferencia de electrones a través de la unión desde el lado p al n y de vacantes desde el
lado n al p. Como resultado, se crea una doble capa de carga en la unión semejante a la de
un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p y positivo el lado n.
Según el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos:

Tipo N:
En este caso se contamina el material
con átomos de valencia 5, como son
Fosforo (P), Arsénico (As) o Antimonio
(Sb). Al introducirlos, fuerza al quinto
electrón de este átomo a vagar por el
material semiconductor, pues no
encuentra un lugar estable en el que
situarse.

Al conjunto de estos electrones se les

llama electrones mayoritarios.

Al material tipo N se le denomina también donador de electrones.

Tipo P:
En este caso se contamina el material
semiconductor con átomos de valencia 3,
como son: Boro (B), Galio (Ga) o Indio
(In).

Si se introduce este átomo en el material,

queda un hueco donde debería ir un
electrón. Este hueco se mueve
fácilmente por la estructura como si
fuese un portador de carga positiva. En
este caso, los huecos son portadores
mayoritarios.

Al material tipo P se le denomina donador de huecos (o aceptador de

electrones).
EL DIODO SEMICONDUCTOR
 EL DIODO

El diodo ideal es un dispositivo semiconductor, considerado como

el elemento mas fundamental.

Es un dispositivo compuesto de dos terminales, donde:

-El terminal positivo es llamado ánodo
-El terminal negativo cátodo
 UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR.

Un semiconductor cuenta con una zona tipo p junta a una zona tipo n,
cuyas impurezas están totalmente ionizadas y han sido formadas por
agitación térmica.
 UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR.

El átomo de impureza aceptadora, al captar un e- queda cargado

cediendo un h+ (carga positiva), de manera que podemos observar como
el cristal sigue siendo eléctricamente neutro.
 UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR.

En la zona p existen gran cantidad de huecos (en una primera

aproximación tantos como impurezas aceptadoras, ya que suponemos
que a temperatura ambiente todas ellas están ionizadas).

Por el contrario, en la zona n el número de huecos que tendremos serán

muy pocos (debidos a la formación de pares e- - h+ por rotura térmica de
enlaces).

Por tanto se establecerá una corriente difusión de h+ de la zona p hacia

la zona n.
 UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR.

Esto originará una corriente de difusión de e- de la zona n hacia la zona p.

Debido a esta difusión los huecos al abandonar la zona p y pasar a la

zona n (donde son portadores minoritarios) tienen una gran probabilidad
de recombinarse con un e- aniquilándose ambos. Igualmente los e- que
proceden de la zona n al pasar a la zona p y en las proximidades de la
unión se recombinarán.
 UNION p-n. DIODO SIN POLARIZAR.

En las proximidades de la unión aparecerá una zona donde no

existirán cargas libres. Esta zona se denomina región de carga
espacial, zona de deplexión, zona de vaciado.
 POLARIZACIÓN DEL DIODO.

Los diodos presentan dos estados de operación:

 POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO.

Para polarizar inversamente una unión p-n colocamos una tensión continua
con el lado negativo de la misma en la zona p y el lado positivo de la tensión
en la zona n.
La polaridad aplicada de esta manera es tal que tiende alejar a los h+ de la
zona p y a los e- de la zona n de la unión.
 POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO.

La zona de cargas fijas negativas se extenderá hacia el interior de la

zona p y de forma análoga la zona de cargas positivas tenderá a
penetrar en la zona n.
 POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO.

Al aumentar la zona de deplexión aumentará el potencial de la barrera.

Este aumento continuará hasta que el potencial que aparece en la zona
de carga espacial se iguale con la tensión aplicada.

La distancia que la zona de carga espacial penetre en cada una de

las zonas dependerá del nivel de dopado de las mismas. Cuanto más
dopada esté una zona menos se adentrará en la misma la zona de
deplexión.
 POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO.

Por lo tanto, en principio resultará una corriente nula. Sin embargo,

debemos de tener en cuenta a los portadores minoritarios (e- en la zona p
y h+ en la zona n provenientes de la formación de pares e- - h+ debida a la
rotura térmica de enlaces).
 POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO.

El campo eléctrico aplicado tenderá a llevar a los e- de la zona p hacia

la zona n y a los huecos de la zona n hacia la zona p.

Esto supone una corriente resultante que se denomina corriente

inversa de saturación o corriente de fugas.

Esta corriente depende de la temperatura y no de pende de la tensión

inversa aplicada.
 CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN INVERSA
DEL DIODO.

El número de iones negativos descubiertos en la región de

vaciamiento del material tipo n aumentará por el mayor número de
electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje
aplicado.

Ensanchamiento de la
Región de Vaciamiento

Flujo de portadores
minoritarios = magnitud
sin voltaje aplicado
 POLARIZACIÓN DIRECTA DEL DIODO.

Cuando se aplica una tensión directa V a una unión p-n, es decir, una
tensión positiva del lado p y negativa del lado n.

En primer lugar, la anchura de la zona de carga disminuye,

disminuyendo también la barrera de potencial que aparece en dicha
zona.

Esta tensión aplicada rompe el equilibrio establecido entre las

fuerzas que sobre los portadores ejerce el campo eléctrico y las
fuerzas que tienden a producir la difusión de los portadores
minoritarios.
 POLARIZACIÓN DIRECTA DEL DIODO.

Para valores pequeños de la tensión de polarización (valores de tensión

menores que la barrera de potencial) la circulación de corriente no será
apreciable.

Esto se debe a que el campo eléctrico que aparece en la zona de carga es

más fuerte que el campo exterior aplicado, por lo tanto los portadores
mayoritarios no podrán atravesar la zona de carga.
 POLARIZACIÓN DIRECTA DEL DIODO.

A medida que la tensión exterior aplicada aumenta y superamos el valor

de la barrera de potencial, los portadores mayoritarios atravesarán la
unión.
Los h+ de la zona p se verán arrastrados hacia la zona n y los e- de la
zona n hacia la zona p creándose una corriente grande (debida a los
mayoritarios) en el sentido de la zona p hacia la zona n.
 CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

ID = Corriente que atraviesa el diodo

VD = Tensión (diferencia de potencial) entre los extremos del diodo
q = carga del electrón en Culombios = 1,6 E-19 C
K = constante de Boltzman = 8,62 E-5 eV/K
T = Temperatura en Kelvin.
 CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO

“tensión equivalente de temperatura”

Así, por ejemplo, para temperatura ambiente (T = 300 K)

VT = 0,026 V = 26 mV.

La ecuación del diodo se suele escribir a veces en la forma

 Tensión Umbral V.

Para valores de tensión inferiores a V la corriente es muy pequeña

(aún en polarización directa).

El diodo no conduce bien hasta que la tensión aplicada sobrepasa la

barrera de potencial. Por esto, para las primeras decenas de voltio la
corriente es muy pequeña.

A medida que nos acercamos al valor de V los portadores

mayoritarios de las respectivas zonas (e- de la zona n y h+ de la zona
p) comienzan a atravesar la unión en grandes cantidades, por lo que
la corriente crece rápidamente (de forma exponencial).

Para tensiones superiores a la tensión umbral, pequeños aumentos de

tensión producen grandes aumentos de corriente.

El valor de esta tensión de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge.

Características del
Diodo zener
 APLICACIONES DEL DIODO

 Rectificador de media onda.

 Rectificador de onda completa.

 Rectificador en paralelo.

 Doblador de tensión.

 Estabilizador Zener.

 Led.

 Limitador.

 Circuito fijador.