Tarea 2 Potencia

Instituto tecnológico de Nuevo León
UNIDAD 1 Semiconductores de potencia.
TEMA: Transistores de potencia
Alumno: Miguel Angel Rodriguez Gonzalez

Profesor: Gomez Ortiz Cesar
Matricula: 17480886
Grupo: 044
Fecha: 11/09/2020
Transistores de potencia
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como características especiales las altas
tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a
disipar.
Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:
 Pequeñas fugas.
 Alta potencia.
 Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia
de funcionamiento.
 Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del
semiconductor.
 Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima
elevada).
 Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
BJT
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente

de los transistores bipolares (BJT), es que el paso de bloqueo a conducción y
viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton ,
toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas
a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusión y
recombinación de los portadores.
Los transistores de potencia son de cuatro clases:
1) BJT, 2) MOSFET de potencia, 3) IGBT y 4) SIT.
Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. En el caso

normal funciona como un interruptor en la configuración de emisor común.
Mientras la base de un transistor NPN esté a mayor potencial que el emisor, y la
corriente de la base tenga el valor suficiente para activar el transistor en la región
de saturación, el transistor permanece cerrado, siempre que la unión de colector a
emisor tenga la polarización correcta. Los transistores bipolares de alta potencia
se suelen usar en convertidores de potencia con frecuencias menores que 10 kHz
y se aplican bien en capacidades hasta de 1200 V Y400 A.
La caída directa de un transistor conductor está en el intervalo de 0.5 a 1.5 V. Si

se retira el voltaje de activación de la base, el transistor permanece en modo de no
conducción (o abierto).
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo

de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar
una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET
el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente.
Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos,
que son substancialmente distintas.
Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que

consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la
potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

 En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID.
 En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra
bastante mayor.
MOSFET
Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de potencia y se consiguen

con capacidades relativamente bajas de potencia de 1000 V Y100 A, en un
intervalo de frecuencia de varias decenas de kilo Hertz. Los diversos MOSFET de
potencia, de distintos tamaños, se muestra en la figura. Los IGBT son transistores
de potencia de voltaje controlado.
En forma inherente, son más rápidos que los BJT, pero no tan rápidos como los
MOSFET. Sin embargo, ofrecen características muy superiores de activación y de
salida que las de los BJT. Los IGBT son adecuados para alto voltaje, gran
corriente y frecuencias hasta de 20 kHz, y se consiguen hasta para 1700 V y 2400
A.
IGBT
Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente

altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión
BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)

que son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la
puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)
celular se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de poder
de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje + p + capa de
colector, formando una línea vertical del transistor de unión bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la característica de las señales de puerta de los transistores

de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y
un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de
conducción son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna
de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
Características y parámetros
Para el bjt:
 Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión

emisor - base y a una polarización inversa de la unión colector - base. Esta
es la región de operación normal del transistor para amplificación.
 Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión
emisor - base y a una polarización directa de la unión colector - base. Esta
región es usada raramente.
 Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas

uniones. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC 0).
 Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas

uniones. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE 0).
La corriente de base es de hecho la de entrada, y la corriente del colector es la de

salida. La relación de la corriente de colector le entre la corriente de base lB se
llama ganancia de corriente en sentido directo, Bf:
La corriente del colector tiene dos componentes: uno debido a la corriente de base
y el otro es la corriente de fuga de la unión CBJ.

Para un MOSFET:
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere

una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta, y los
tiempos de conmutación son del orden de nanosegundos.
Para un IGBT:
En un IGBT se combinan las ventajas de los BIT y de los MOSFET. Un IGBT tiene
alta impedancia de entrada, como los MOSFET.
En la figura 4.29a se muestra la sección transversal de la estructura de silicio de
un IGBT, que es idéntica a la de un MOSFET, a excepción del substrato p+. Sin
embargo, el rendimiento de un IGBT se parece más al de un BJT que al de un
MOSFET. Esto se debe al substrato p +.
Comentarios
De acuerdo a lo investigado se puede decir con total seguridad que los

transistores de alta potencia pueden tener las mismas aplicaciones y modos de
operar que sus hermanos mas pequeños. Las diferencias radican en que tan
efectivos son en controlar esta corriente eléctrica de gran cantidad sin
comprometer todo el sistema en un accidente como el sobrecalentamiento,
incendios o explosiones. Sin duda son de gran utilidad quizá nunca les haya
puesto atención o no sabía que existían pero ahora lo sé.
Bibliografía
Rashid, M. (2004). Electrónica de potencia (3a. ed.). Naucalpan de Juárez:

Pearson Educación.

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TEMA: Transistores de potencia

Alumno: Miguel Angel Rodriguez Gonzalez

Nos interesa que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:

Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente

Los transistores de potencia son de cuatro clases:

1) BJT, 2) MOSFET de potencia, 3) IGBT y 4) SIT.

Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. En el caso

La caída directa de un transistor conductor está en el intervalo de 0.5 a 1.5 V. Si

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo

Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que

 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

Los MOSFET de potencia se usan en convertidores de potencia y se consiguen

Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente

El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN)

Este dispositivo posee la característica de las señales de puerta de los transistores

 Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión

 Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas

 Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas

La corriente de base es de hecho la de entrada, y la corriente del colector es la de

y el otro es la corriente de fuga de la unión CBJ.

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere

De acuerdo a lo investigado se puede decir con total seguridad que los

Rashid, M. (2004). Electrónica de potencia (3a. ed.). Naucalpan de Juárez:

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