Este documento describe el transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada). Explica que el IGBT combina las características de un transistor MOSFET y un transistor bipolar, permitiendo el control de grandes corrientes con bajos voltajes de puerta como un MOSFET. También describe algunas de sus características clave como su alta velocidad de conmutación y su uso común en fuentes conmutadas y control de motores. Finalmente, brinda detalles sobre su composición interna y curvas de funcionamiento.
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Este documento describe el transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada). Explica que el IGBT combina las características de un transistor MOSFET y un transistor bipolar, permitiendo el control de grandes corrientes con bajos voltajes de puerta como un MOSFET. También describe algunas de sus características clave como su alta velocidad de conmutación y su uso común en fuentes conmutadas y control de motores. Finalmente, brinda detalles sobre su composición interna y curvas de funcionamiento.
Este documento describe el transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada). Explica que el IGBT combina las características de un transistor MOSFET y un transistor bipolar, permitiendo el control de grandes corrientes con bajos voltajes de puerta como un MOSFET. También describe algunas de sus características clave como su alta velocidad de conmutación y su uso común en fuentes conmutadas y control de motores. Finalmente, brinda detalles sobre su composición interna y curvas de funcionamiento.
Este documento describe el transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada). Explica que el IGBT combina las características de un transistor MOSFET y un transistor bipolar, permitiendo el control de grandes corrientes con bajos voltajes de puerta como un MOSFET. También describe algunas de sus características clave como su alta velocidad de conmutación y su uso común en fuentes conmutadas y control de motores. Finalmente, brinda detalles sobre su composición interna y curvas de funcionamiento.
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LUIS ÀNGEL BARRÒN GARCÌA
RAFAEL BARRÒN GARCÌA
CRISTIAN URIEL ROSALES MENDOZA
CRUZ EDUARDO SOTO RAZO IGBT IGBT ¿QUE ES? • Es un dispositivo versátil para trabajar en estas dos áreas de la electrónica por sus grandes manejos de corriente y el pequeñísimo voltaje de saturación que normalmente maneja un transistor bipolar y al igual que el transistor de efecto de campo FET, en la puerta o gate tiene las mismas características. La forma de conducción de corriente es similar a la de un transistor JFET. ¿QUÉ SE PUEDE LOGRAR CON UN IGBT?
• Con un IGBT se han podido lograr grandes cosas: desde diseñar y fabricar dispositivos de control y variación hasta sistemas de optimización y generación de energía. Dentro de los dispositivos de control podemos clasificar perfectamente a los variadores de velocidad y frecuencia, CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES IGBT • Dentro de sus características más importantes destacamos su rapidez al momento de efectuar una conmutación. Aproximadamente 100khz y sustituto del transistor BJT en muchas de las aplicaciones. Usado altamente en fuentes conmutadas, control de tracción de motores, y en las famosas cocinas de inducción. • Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido se da una tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a la región p de la puerta; así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la circulación de corriente colector-emisor. Para el apagado basta con quitar la tensión de la puerta. Esto require de un circuito de control simple para el transistor IGBT. • El IGBT se considera un transistor Darlington híbrido. Tiene muy buena capacidad de manejo de corriente, pero no requiere corriente de base para entrar en conducción. Utilizado para conmutación de sistemas de alta tensión. El voltaje de compuerta o gate de excitación es de 15 volts, pero tiene la poderosa ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica muy débil en el gate. COMPOSICIÓN INTERNA.
• La sección transversal de silicio de un IGBT, es muy similar a la de un MOSFET,
exceptuando el sustrato p+. sin embargo, el comportamiento de este dispositivo es muy similar al de un BJT que al de un transistor MOSFET. Lo anterior se debe básicamente al sustrato p+ que es el responsable por decirlo así de la inyección de portadores minoritarios en la región n. • La curva característica de un IGBT es muy similar a la de un transistor bipolar. • Dentro de las regiones de trabajo de un IGBT tenemos la zona de avalancha, saturación, corte. • Los IGBT pueden ser NPN O PNP solo puede cambiar la corriente en dirección hacia adelante es decir del colector a emisor, a diferencia de los MOSFET que tienen capacidades de conducción de corriente en forma bidireccional.
