OPERACIÓN DEL BJT

CONSTRUCCIÓN BÁSICA DE UN BJT

(Bipolar Junction Transistor o transistor de unión bipolar)
Estructura Plana Epitaxial

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SÍMBOLOS DE BJT ESTÁNDAR

La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las
regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada

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POLARIZACIÓN EN DIRECTA-INVERSA

Polarización tanto de BJT npn como pnp para que operen como amplificador.
La unión base-emisor (BE) está polarizada en directa y la unión base-colector (BC)
polarizada en inversa.
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REPRESENTACIÓN DE LA OPERACIÓN DE UN BJT

La región del emisor de tipo n esta altamente dopada, los electrones libres se difunden con
facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo p
levemente dopada. Los electrones libres se desplazan hacia la unión BC polarizada en inversa,
son arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje de alimentación positivo del
colector.
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CORRIENTES EN EL TRANSISTOR
La corriente de emisor es un poco más grande que la corriente de colector debido a
la pequeña corriente de base que se desprende de la corriente total inyectada a la
base proveniente del emisor.
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CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DE DC DEL TRANSISTOR

VCC normalmente se toma directamente de la salida de la fuente de alimentación y VBB

(más pequeño) puede ser producido por un divisor de voltaje. Las ganancias de corriente en
DC: beta ß van desde 20 hasta 200 o más, alfa α van desde 0.95 hasta 0.99 o más
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MODELO IDEAL DC DE UN TRANSISTOR NPN

Cuando el BJT que no está en saturación, el circuito de entrada es un diodo polarizado en
directa a través del cual pasa corriente de base. El circuito de salida es una fuente de
corriente dependiente

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CIRCUITO DE POLARIZACIÓN DE TRANSISTOR BÁSICO

La fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la unión base-emisor y la fuente de voltaje,
VCC polariza en inversa la unión base-colector. La característica de la unión base-emisor es
la misma que la curva de diodo normal

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CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL COLECTOR

Saturación es el estado de un BJT en el cual la corriente en el colector alcanza un máximo
independientemente de la corriente en la base. Idealmente, cuando VCE excede de 0.7 V, la unión base-
colector se polariza en inversa y el transistor entra a la región lineal o activa. Cuando IB = 0, el transistor
se encuentra en la región de corte o estado de no conducción de un transistor.

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Saturación: Conforme IB se incrementa a medida que

Corte: La corriente de fuga en el colector VBB lo hace, IC también se incrementa y VCE se reduce
(ICEO) es extremadamente pequeña y a causa de la caída de voltaje incrementada a través
normalmente se desprecia. Uniones de RC. Cuando el transistor se va a saturación, IC ya no
se incrementa más pese al incremento adicional de IB.
base-emisor y base-colector se polarizan Las uniones base-emisor y base-colector se polarizan
en inversa. en directa.

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RECTA DE CARGA DE DC
Entre el punto de saturación y el punto de corte a lo largo de la recta de carga se
encuentra la región activa de la operación del transistor.

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Ejemplo para determinar si el transistor de la figura se encuentra o no en saturación. Suponga VCE(sat) =0.2 V.
De los cálculos, el transistor está en saturación y nunca se alcanza el valor de la corriente de colector de 11.5 mA.

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AMPLIFICACIÓN DE VOLTAJE MEDIANTE UN BJT

Se superpone un voltaje de AC, Vs, sobre el voltaje de polarización de DC VBB mediante un
acoplamiento capacitivo. El voltaje de entrada de AC produce una corriente alterna en la base, lo
cual produce una corriente alterna en el colector mucho más grande. Es la ganancia de voltaje de
AC, Av del transistor.
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Ejemplo para hallar la ganancia de voltaje y el voltaje de salida de AC

Las cantidades de AC y todas la cantidades que cambian con el tiempo siempre llevan un
subíndice en cursivas minúsculas. Las resistencias internas de AC, por r minúscula con un
subíndice apropiado

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EL BJT COMO INTERRUPTOR

a)El transistor está en la región de corte porque la unión base-emisor no está polarizada en directa. En la
región de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se polarizan en inversa.
b)El transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y la unión base-colector están
polarizadas en directa y la corriente en la base llega a ser suficientemente grande para provocar que la
corriente en el colector alcance su valor de saturación. VCE(sat) es muy pequeño comparado con VCC
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CONCENTRACIÓN DE PORTADORES MINORITARIOS

La corriente de difusión In es directamente proporcional a la pendiente del perfil

de concentración (línea recta) y fluye de derecha a izquierda.

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CORRIENTE DE COLECTOR CORRIENTE DE BASE CORRIENTE DE EMISOR

iC independiente de vCB Menor W y baja contaminación para la
Base. En Emisor, alta contaminación para Las ganancias de corriente beta ß, y
(modo activo) un mayor beta ß alfa α caracterizan el modo activo

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Cuando DOS transistores son puestos en paralelo con iguales voltajes en sus
terminals, es equivalente a un único transistor con el doble de área del Emisor.

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VISTA DE CORTE DEL BJT

El proceso de fabricación tiene mayor dificultad que los transistores MOS. El Emisor y
Colector no son intercambiables, el Emisor esta mucho más dopado que el Colector

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DISEÑO FISICO DEL BJT (Layout)

El area del Emisor es el parámetro más importante del layout

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CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA EN DC

Para el análisis de DC se puede aislar la red de los niveles de AC indicados reemplazando
los capacitores con un equivalente de circuito abierto. La fuente de VCC se puede dividir
en dos fuentes (sólo para propósitos de análisis).

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Resolver en clases el circuito de polarización fija de DC con los datos mostrados

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Cálculos para el circuito dado de polarización fija de DC

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SATURACIÓN DEL TRANSISTOR

Regiones de saturación: (a) real) (b) aproximada. Se evitan las condiciones de saturación
porque la unión base-colector ya no está polarizada en inversa y la señal amplificada de
salida se distorsionará.

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SATURACIÓN DEL TRANSISTOR

Cálculo del nivel de saturación para la red da la corriente máxima del colector para el
diseño y del nivel que debe permanecer por debajo para que la amplificación sea lineal.
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LA CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN

(a) transistor npn (b) transistor pnp . Se debe describir dos comportamientos: uno para el
circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de colector-
emisor

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CARACTERÍSTICAS DE UN TRANSISTOR DE SILICIO EN EMISOR COMÚN

(a) características de colector ; (b) características de base.
En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto que la unión colector-
base se polariza en inversa.
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CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN

Se requieren dos conjuntos de características, uno para los parámetros de entrada

(punto de manejo) y el otro para el lado de salida

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Características de entrada del Emisor para un amplificador Características de salida del Colector de un
de transistor de silicio en configuración en base amplificador de transistor en base común
común.

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EJEMPLO DE LA AMPLIFICACIÓN DE VOLTAJE BÁSICA EN BASE COMÚN

La resistencia de entrada de AC determinada por las características de entrada es muy

pequeña y por lo regular varía de 10 -100 ohmios. La resistencia de salida determinada
por la curva de salida es bastante alta y por lo general varía de 50K-1M ohmios.

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CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN

(a)transistor pnp (b) transistor npn . Se utiliza sobre todo para igualar impedancias,
puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. En la
práctica, las características de salida de la configuración en colector común son las mismas
de la configuración en emisor común.
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EL FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es similar a un BJT regular excepto porque la corriente en la base
es producida y controlada por luz en lugar de por una fuente de voltaje.

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ESTRUCTURA DE UN FOTOTRANSISTOR TÍPICO

La corriente en la base se produce cuando la luz choca con la región de la base semiconductora
fotosensible. Se expone la unión pn colector-base a la luz incidente mediante la abertura de una
lente incluida en el transistor.

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FOTOTRANSISTOR: CURVAS CARACTERÍSTICAS TÍPICAS DEL COLECTOR

En la configuración de dos terminales de conexión, la base no está eléctricamente
disponible y el dispositivo puede ser utilizado sólo con luz como la entrada. Cada
curva individual en la gráfica corresponde a un cierto valor de intensidad de luz.
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RESPUESTA ESPECTRAL TÍPICA DE UN FOTOTRANSISTOR

Los fototransistores no son sensibles a toda la luz sino sólo a la luz dentro de un cierto intervalo
de longitudes de onda. Son más sensibles a longitudes de onda particulares en la parte roja e
infrarroja del espectro.

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HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSITOR

Datos de los valores nominales máximos, características térmicas y características
eléctricas. El “encendido” y “apagado” se refieren a límites de DC, en tanto que las
de señal pequeña incluyen los parámetros de importancia para la operación de AC
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HOJAS DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSITOR

La mayoría de las hojas de especificaciones de los fabricantes no contienen las
características completas. Se espera que los datos proporcionados
basten para utilizar el dispositivo de forma efectiva en el proceso de diseño.

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