Elementos 2 - Electrónica-Antes de Limpiar

Bloque 1: Nociones básicas de electrotecnia y electrónica
Tema 2
ELECTRÓNICA
BÁSICA: DIODO Y TRANSISTOR
INDICE:
1.- INTRODUCCION
2.- LOS INICIOS DE LA ELECTRÓNICA. LA VÁLVULA TERMIOIÓNICA.
2.1.- Principios de funcionamiento:
2.2.- Constitución de las válvulas de vacío
2.3.- Tipos de válvulas de vacío. Funcionamiento
3.- CONSTITUCION DE LA MATERIA. EL ENLACE ATÓMICO
4.- SEMICONDUCTORES
4.1.- La unión P-N
4.1.1- Polarización directa e inversa
5.- EL DIODO
5.1.- Característica tensión -corriente
5.1.1.- Polarización directa
5.1.2.- Polarización inversa
5.2.- Aplicaciones de los diodos
5.2.1.- Aplicaciones de los diodos: rectificador común de media onda
5.2.2.- Funcionamiento de los diodos: rectificadores de onda completa
5.3.- Tipos de diodos:
5.3.1.- Visión general del diodo LED
6.- EL TRANSISTOR
6.1.- Tipos de transistor
5.1.1.- Transistor de contacto puntual:
5.1.2.-Transistor de unión bipolar:
5.1.3.- Transistor de efecto de campo:
5.1.4.- Fototransistor:
6.2.- El Transistor de Unión Bipolar (Bipolar Junction Transistor-BJT)
5.2.1.- Estructura del Transistor BJT
5.2.2.- Zonas de trabajo del Transistor BJT
Análisis de Corrientes en la Zona Activa:
6.3.- El transistor bipolar como amplificador de señales
5.3.1.- Configuraciones del transistor como amplificador.-
6.4.- El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
7.- EL CIRCUITO INTEGRADO
Elementos de sistemas de telecomunicaciones. Bloque 1: Electrotecnia y electrónica básicas
En el tema anterior adquirimos unos conocimientos básicos sobre corrientes eléctricas,

sus leyes y teoremas fundamentales, así como del comportamiento de componentes pasi-
vos resistencias, bobinas y condensadores) y el manejo de instrumental básico de laborato-
rio.
En este tema abordamos el estudio de la electrónica desde sus inicios, con un breve re -
paso sobre válvulas de vacío.
A continuación, estudiaremos la constitución de la materia a nivel atómico, para poder
entender los semionductores.
Esto nos dará entrada para estuiar el componente semiconductor básico, el diodo
como componente y sus efectos sobre señales eléctricas para modificarlas, aprovechando
sus características como interruptor y/o elemento unidireccional.
A continuación comentaremos otra serie de diodos especiales, como el zener, el vari-
cap… Después nos introducimos en el análisis del transistor y su inclusión en circuitos de
amplificación, fuente de alimentación y osciladores.
Todo esto tiene como finalidad entender de forma muy básica la composición de los
bloques fundamentales que componen la estructura básica encontrada en cualquier siste-
ma más complejo. Como demostración se realiza un circuito de aplicación compuesto por
estos bloques.
1.- INTRODUCCION
A partir de los tres componentes básicos (resistencias, condensadores a inductancias)
surge la necesidad de nuevos dispositivos para el control de la corriente eléctrica y así se
descubren las propiedades de los semiconductores, mediado el siglo XIX, no comenzando
su utilización practica hasta el siglo XX, después de la Segunda Guerra Mundial.
En un principio, estos elementos adquieren una serie de ventajas respecto a sus precur-
sores (válvulas o tubos de vacío) en el tratamiento de señales: espacio mas reducido, ma-
yor resistencia mecánica y mayor vida de funcionamiento. Al mismo tiempo presentan los
inconvenientes de ser mas sensibles a Ios cambios de temperatura y no conseguir poten-
cias muy elevadas.
Tras continuas investigaciones, los semiconductores van ampliando su campo de aplica-
ción frente a las válvulas de vacío, hasta el punto de que en la electrónica actual se han he-
cho imprescindibles y sustituyen as estas casi por completo.
Nos disponemos, pues, a abordar el estudio del diodo semiconductor como componen-
te aislado, para, posteriormente, incluirlo en circuitos donde podamos aprovechar sus cua-
lidades o características.
Para esto haremos un esbozo previo del fundamento de las semiconductores, que es la
base no solo del diodo, sino do otros muchos componentes electrónicos.
Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 2

2.- LOS INICIOS DE LA ELECTRÓNICA. LA VÁLVULA TERMIOIÓNICA.

La válvula electrónica, también llamada válvula termoiónica o válvula de vacío, es un
componente electrónico utilizado para amplificar, conmutar, o modificar una señal eléctri-
ca mediante el control del movimiento de los electrones en un espacio "vacío" a muy baja
presión, o en presencia de gases especialmente seleccionados.
La válvula originaria fue el componente que posibilitó el desarrollo de la electrónica du-
rante la primera mitad del siglo XX, incluyendo la expansión y comercialización de la radio-
difusión, televisión, radar, audio, redes telefónicas, ordenadores analógicos y digitales, con-
trol industrial, etc. Algunas de estas aplicaciones son anteriores a la válvula, pero vivieron
un crecimiento explosivo gracias a ella.
2.1.- Principios de funcionamiento:
Emisión termoiónica (Efecto Edison). La gran mayoría de las válvulas electrónicas están
basadas en la propiedad que tienen los metales en caliente de liberar electrones desde su
superficie. Se produce un flujo de partículas cargadas llamadas iones que proviene de una
superficie metálica, causado por una energía térmica de tipo vibracional que provoca una
fuerza electrostática que empuja a los electrones hacia la superficie. El efecto aumenta mu-
chísimo al subir la temperatura (1000–3000 K). La ciencia que estudia este fenómeno es la
termoiónica.
Gases ionizados. En otros casos, se utilizan las características de la conducción electró-
nica en gases ionizados, esto resulta principalmente importante en los reguladores de ten-
sión, rectificadores de vapor de mercurio, válvula de conmutación T/R, etc.
Efecto fotoeléctrico En otros casos, el principio de funcionamiento se basa en la emi-
sión de electrones por el efecto fotoeléctrico.
El ocaso de esta tecnología comenzó con la invención del transistor y el posterior desa-
rrollo de componentes de estado sólido que eran mucho más pequeños, baratos y fiables
que la válvula. Sin embargo hoy en día aún sobrevive en ciertas aplicaciones específicas,
donde por razones técnicas resultan
Funcionamien-
más conveniente. Por ejemplo en
to de un diodo
transmisores de radiofrecuencia de con tubo de va-
alta potencia y sistemas de radar se cío. Al calentar
utilizan magnetrones, válvulas de el filamento, se
onda progresiva TWT, thyratrones, produce una co-
etc. En televisión y sistemas de ima- rriente desde el
gen medicinal aún se utilizan tubos de cátodo (negati-
rayos catódicos o tubos de captura de vo) hacia el
imagen, y en el hogar es la base de ánodo (positi-
funcionamiento del horno microon- vo).
das. También siguen siendo ampliamente utilizadas en preamplificadores de micrófonos,
guitarras y bajos, así como en equipos de sonido de alta fidelidad.
2.2.- Constitución de las válvulas de vacío

2.2.1.- Filamentos
El filamento es el órgano calefactor que proporciona la energía suficiente para que el
cátodo emita una cantidad de electrones adecuada.

En las primeras válvulas, el filamento también actuaba como cátodo (cátodo de caldeo
directo). Posteriormente se separaron las funciones, quedando el filamento sólo como ca-
lefactor y el cátodo como electrodo separado (cátodo de caldeo indirecto). Ambas formas
convivieron ya que el caldeo directo mejora la transferencia térmica entre el cátodo y el fi-
lamento, mientras que el caldeo indirecto simplifica grandemente el diseño de los circuitos
y permite optimizar cada uno de los electrodos.
El filamento, al estar caliente, se ve sometido al efecto de sublimación del material de
su superficie, es decir, su paso al estado gaseoso, lo que va reduciendo su sección en cier-
tos puntos que ahora se calientan más que el resto, aumentando la sublimación en ellos
hasta que el filamento se rompe. Este efecto disminuye enormemente si se trabaja a tem-
peraturas bajas con materiales de alto punto de fusión (Wolframio...). Por ello la tempera-
tura de los filamentos ha ido descendiendo.
Problemas: Efecto microfónico: este efecto consiste en la transmisión al filamento de
vibraciones mecánicas. Cuando el filamento vibra,
transmite estas oscilaciones al cátodo, variando su
distancia con la rejilla, lo que produce una modu-
lación en la corriente de electrones. En el ánodo,
la señal útil aparece modulada por las vibraciones
mecánicas, lo que es especialmente desagradable
en el caso de amplificadores de audio, ya que las
vibraciones que se acoplan provienen del propio
altavoz.
2.2.2.- Cátodos
El cátodo es el responsable de la emisión de
electrones, que debe ser constante a lo largo de la
vida de la válvula. Desgraciadamente, esto no es
así, y los cátodos se van agotando según enveje-
cen.
2.2.3.- Ánodos
El ánodo recibe el flujo de electrones que, en la mayoría de las válvulas, han sido acele-
rados hasta adquirir gran energía que transfieren al ánodo cuando chocan contra él. Por
ello, los ánodos de las válvulas de potencia son grandes, muchas veces masivos y forman
parte del propio cuerpo de la válvula, pudiendo refrigerarse directamente desde el exte -
rior, por contacto con una superficie fría, aire a presión, vapor de agua, etc..
2.2.4.- Vacío
Un menor grado de vacío implica la presencia de un mayor número de moléculas de gas
en la válvula, aumentando el número de colisiones con los electrones y disminuyendo el
rendimiento del tubo. Pero un menor vacío implica un mayor desgaste de los filamentos,
por lo que históricamente se ha ido avanzando hacia las válvulas de alto vacío mediante un
avance conjunto en todos los demás componentes.
Los metales y otros materiales tienen propiedades de absorción y adsorción de gases
de la atmósfera, y cuando se calientan a baja presión los van liberando lentamente. Por
ello, aunque se extraiga todo el aire de una válvula, con el uso, el vacío interior se reduce.

2.2.5.- Cerámicas
El material más utilizado en construcción del "recipiente" de la válvula es el vidrio, ya
heredado de la fabricación de bombillas. Pero el vidrio tiene bajo punto de fusión, es un
buen aislante térmico y es frágil, de modo que para válvulas de alta potencia y radiofre-
cuencia se prefiere utilizar cerámicas, que son menos frágiles, tienen buena conductividad
térmica y alto punto de fusión. Su talón de Aquiles ha sido el establecimiento de uniones
estancas y duraderas entre la cerámica y el metal (conexiones de los electrodos, ánodo, di -
sipadores).
2.3.- Tipos de válvulas de vacío. Funcionamiento

Según el número de elementos que tengan, distinguimos diodos, triodos, tetrodos,
pentodos…. Vamos a estudiar el triodo, por ser el más común.
La válvula termoiónica más simple está constituida por una ampolla de vidrio, similar a
la de las lámparas de incandescencia, a la que se le ha practicado el vacío y en la que se ha-
llan encerrados dos electrodos, denominados cátodo y ánodo.
Físicamente, el cátodo, consiste en un filamento de wolframio, recubierto por una sus-
tancia rica en electrones libres, que se calienta mediante el paso de una corriente. El ánodo
está formado por una placa metálica que rodea al filamento a una cierta distancia y a la
que se aplica un potencial positivo. Por constar de dos electrodos a la válvula antes descrita
se le denomina diodo.
Si se agregan otros electrodos entre ánodo y cátodo (llamados rejillas) se puede contro-
lar o modular el flujo de electrones que llegan al ánodo, de ahí la denominación de válvula.
Debido al hecho de que la corriente por el interior de la válvula solo puede circular en
un sentido, una de las aplicaciones de las válvulas termoiónicas es su utilización como recti-
ficador. Asimismo, y dado que con pequeñas diferencias de potencial aplicadas entre rejilla
y cátodo se pueden producir variaciones considerables de la corriente circulante entre cáto-
do y ánodo, otra aplicación, posiblemente la más importante, es como amplificador.
Diodo Triodo Tetrodo Pentodo

3.- CONSTITUCION DE LA MATERIA. EL ENLACE ATÓMICO
La mayor parte de las sustancias sólidas presentan sus moléculas ordenadas en forma
de figuras geométricas llamadas cristales, que son características para cada una.
Los átomos que integran esas moléculas pueden estar unidos de tres formas:
· Enlace iónico (iones unidos por fuerzas de naturaleza electrostática).
· Enlace covalente (comparten pares de electrones).
· Enlace metálico (comparten los electrones libres entre todos los áto-
mos).
Según las teorías de Bohr y de Sommerfeld sobre la estructura atómica, podemos
imaginar la distribución de los electrones en diferentes capas y subniveles alrededor del
núcleo.
Aquellos electrones que están mas próximos al núcleo tienen una misma energía y
están agrupados en la llamada banda saturada (B.S.). Existe otra zona más separada del
núcleo llamada banda de valencia (RV.), en la que los electrones son semilibres, y, final -
mente, la zona mas alejada, en in que los electrones tienen in energía suficiente para
moverse por el cuerpo y formar la denominada banda de conducción (B.C.).
Entre las bandas citadas hay unas zonas desprovistas de electrones llamadas bandas
prohibidas (B.P.). Todo esto se representa esquemáticamente en la Figura
Según la teoría de las bandas de energía, y
centrándonos en las de valencia y conducción,
podemos hacer una clasificación de los cuerpos
atendiendo a sus características eléctricas.
 Conductores: Tienen solapadas In
B.V. y la B.C. y, por tanto, los electro-
nes pueden moverse por el cuerpo
estando sometidos a la influencia de
un campo eléctrico de intensidad dis-
creta. Su resistividad es del orden de Distribución de las bandas de
2 x 10-6 . cm. energía
 Semiconductores: La separación entre las bandas es de 1 eV aproximadamente.
consiguiendo los electrones con relativa facilidad pasar a la B.C. Su resistividad
oscila entre 100 y 106 . cm.
 Aislantes: La separación entre las bandas es tal que solamente alterando In es-
tructura del cuerpo los electrones lograrían pasar la B.P., siendo su resistividad
del orden de 10" f) cm.
4.- SEMICONDUCTORES
Los semiconductores presentan enlace covalente y los electrones que forman parte de
este son los que pueden saltar a la B.C. para que conduzcan. La ausencia de un electrón en
un enlace se representa por un hueco y aunque no sea exactamente cierto, por contraposi-
ción con aquel le asignaremos carga positiva de igual magnitud que Ia del electrón.

1.os semiconductores más importantes utilizados en dispositivos electrónicos son el

silicio y el germanio, y otros como el arseniuro de galio.
Veamos a continuación la estructura cristalina del germanio, utilizando una represen-

tación superficial simplificada en la que cuatro de las cargas del núcleo y de las capas in-
teriores de la corteza se equilibran con los electrones de la última capa o de valencia. Su
estudio se hace extensivo a la teoría de semiconductores.
El cristal de germanio se presenta en forma de tetraedro con un átomo en cada vértice.
El número atómico del ger-
manio es 32 y su distribución
electrónica por niveles, 1s2, 2s2,
2p2, 3s2, 3p6, 3d10, 4s2, 4p2; según
esto, poste cuatro electrones de
valencia para formar los enlaces
covalentes con las átomos veci-
nos.
Los electrones de valencia
están fuertemente ligados al
Núcleo y el cristal presenta baja
conductividad, comportándose
como un aislante a bajas temperaturas. A temperatura ambiente y debido a la energía
térmica suministrada, se rompen algunos enlaces, por lo que es posible establecer Ia con-
ducción ya que los electrones libres son capaces de moverse por el interior del cristal, si
se le aplica un campo eléctrico.
La ausencia del electrón en el enlace se representa por un hueco susceptible de ser
ocupado o llenado por otro electrón, contribuyendo así a la conductividad o movilidad
entre ellos
Implícitamente hemos aceptado
que el silicio o cl germanio se encuen-
tran en estado puro recibiendo en-
tonces la denominación de semicon-
ductores intrínsecos (poseen un áto-
mo de impureza por cada 10 11 áto-
mos de semiconductor, ya que es

prácticamente imposible purificarlos al 100 por 100.

En una clasificación de los semiconductores existen también los llamados semiconduc-
tores extrínsecos:
- Añadiendo al Ge puro sustancias que poseen cinco electrones de valencia,
como Sb, P o As.
- Añadiendo al Ge sustancias que tengan tres electrones de valencia, como
Boro, (B), Galio (Ga) o Indio (In)
En el primer caso, a las impurezas se as llama donadoras a tipo N, por «donar» electro-
nes libres, qua serán portadores disponibles de corriente capaces de vagar por el cristal,
dando origen a los semiconductores tipo N.
En el segundo caso, las impurezas reciben la denominación de aceptadoras a tipo P, par
dar lugar a la aparición de huecos disponibles qua aceptan eiectrones, dando origen a los
semiconductores tipo P.
En Ia Figura se representa una estructura simplificada de los dos tipos.

En ambos tipos de cristales hablamos de electrones y huecos, debido a que por genera-
ción térmica en todo el cristal aparecen pares electrón-hueco. Dichos pares dan lugar a los
llamados portadores minoritarios en los semiconductores dopados.
4.1.- La unión P-N
Si en un único material semiconductor, ya sea de germanio o do silicio, se introducen
impurezas tipo P en un extremo o impurezas tipo N en el otro se obtiene una unión P-N, tal
como se muestra en la figura.
En la zona P existen iones negativos y huecos mientras que en la zona N hay Tones posi-
tivos y electrones.
Al realizarse la unión, se produce una difusión de electrones hacia la zona P y de huecos
hacia la zona N para recombinarse entre ellos, hasta el momento en que en la zona P haya
una concentración de cargas negativas y en la zona N de cargas positivas, que interrumpe

la difusión por establecerse un campo eléctrico o barrera de potencial que impide el peso
de cargas eléctricas a no ser que se les comunique una energía suficiente.
En la Figura anterior se observa la nueva disposición de la unión P-N.
4.1.1- Polarización directa e inversa
Si aplicamos una d.d.p. en el sentido que se muestra en la Figura a, conseguimos dar a
los electrones la energía necesaria pare superar la barrera de potencial y llegar a la zona P
(imaginemos lo mismo para los huecos en su trayecto hacia la zona N). Par el circuito exte-
rior fluye entonces una corriente relativamente grande, llamada corriente directa (4), que
estará formada por portadores mayoritarios (huecos en la región P y electrones en la re-
gión N).
Si se invierte la polaridad de la pila, Figura b, obligamos a los electrones de la región N y
a los huecos de la región P a alejarse de la unión, impidiendo, por tanto, su posible recom-
binación. La corriente que
circula es prácticamente
nula, pues es debida a los
portadores mayoritarios de
las regiones (huecos de la
región N y electrones de la
zona P) y se denomina co-
rriente inversa (IR) que,
cuando se hace constante e independiente de la tensión inversa aplicada, recibe el nombre
de corriente inversa de saturación.
5.- EL DIODO
El diodo semiconductor es una unión P-N conectada a dos terminales y conveniente-
mente encapsulada para dar al conjunto consistencia mecá-
nica.
En su cuerpo estará marcada la señalización de las regio-
nes y el coligo de identificación
Los terminales se denominan:
Ánodo (A), conectado a Ia región P.
Cátodo (K), conectado a la región N.
En la Figura observamos la relación entre su repre-
sentación esquemática básica (a), su aspecto exterior
más generalizado (b) y su representación simbólica (c).
Veamos el comportamiento del diodo en los dos ca-
sos de polarización: directa e inversa. Que ocurre con la
serial aplicada y Ia respuesta obtenida. Para ello hare-
mos referencia a la gráfica representada en la Figura
1.10.
5.1.- Característica tensión -corriente
5.1.1.- Polarización directa
Situados en el primer cuadrante do la gráfica, el diodo no conduce con una intensidad
apreciable (menos del 1 por 100 del valor nominal máximo), hasta que in tensión aplicada

no supera el potencial de barrera o tensión umbral' (aproximadamente 0,3 V para el ger-

manio y 0,7 V para el silicio).
A partir de ese punto, los electrones y huecos empiezan a cruzar la unión en grandes
cantidades, por lo que a pequeñas incrementos do tensión corresponden grandes aumen-
tos de intensidad (el único impedimento al flujo do corriente a través del dispositivo lo
constituye la resistencia Óhmica do las regiones P y N),
5.1.2.- Polarización inversa
Situados en el tercer cuadrante de la gráfica, la corriente se estabiliza rápidamente y
permanece prácticamente constante (corriente inversa de saturación o de fuga (I R) para
grandes aumentos de la tensión inversa VR
Si se aumenta esta tensión lo suficiente (cientos de voltios para bastantes diodos) se
Llega a la tensión de ruptura, entonces la intensidad crece apreciablemente. El origen de
esta corriente es debido a los portadores minoritarios que, al ser arrancados de las zonas
donde existen en pequeña proporción, provocan un fenómeno de avalancha o reacción en
cadena sobre los demos portadores, produciendo un deterioro irreversible del componen-
te. A este mecanismo se le conoce coma ruptura por avalancha o zéner.
ACTIVIDAD:
Observación del funcionamiento de un diodo.
Sustituir la fuente por un generador de BF a frecuencia muy baja.
ACTIVIDAD:
Obtención de la curva característica de un diodo rectificador.
Montar el circuito de la figura.

Con los datos obtenidos, representar la gráfica de comportamiento del diodo
5.2.- Aplicaciones de los diodos

La principal aplicación de los diodos semiconductores es la rectificación de la corriente
alterna. La rectificación de una corriente alterna (C.A.) para convertirla en corriente co-
rriente continua (C.C.) es una de las tecnologías más antiguas empleadas en los circuitos
electrónicos desde principios del siglo pasado, incluso antes que existieran los elementos
semiconductores de estado sólido, como los diodos de silicio que conocemos en la actuali-
dad.
Puesto que los diodos permiten el paso de la corriente eléctrica en una dirección y lo
impiden en la dirección contraria, se han empleado también durante muchos años en la de-
tección de señales de alta frecuencia, como las de radiodifusión, para convertirlas en audi-
bles en los receptores de radio. En la actualidad varios tipos de diodos de construcción es -
pecial pueden realizar otras funciones diferentes a la simple rectificación o detección de la
corriente cuando se instalan en los circuitos electrónicos.
5.2.1.- Aplicaciones del diodo: rectificador común de media onda
Para comprender mejor la forma en que funciona un diodo, es necesario recordar pri-
mero que la corriente alterna
(C.A.) circula por el circuito
eléctrico durante medio ciclo
con polaridad positiva y el
otro medio ciclo posee polari-
dad negativa. Es decir, cuando
una corriente alterna circula
por un circuito eléctrico cerra-
do, su polaridad cambia cons-
tantemente tantas veces
como ciclos o hertz por segun-
do de frecuencia posea. En el
caso de la corriente alterna
que llega a nuestros hogares
la frecuencia puede ser de 50 o de 60 ciclos en dependencia del sistema que haya adopta-

do cada país en cuestión. En Europa la frecuencia adoptada es de 50 ciclos y de 60 ciclos en

la mayor parte de los países de América.
En las figuras se puede apreciar que en el proceso de rectificación de la corriente alter-
na (C.A.) utilizando un solo diodo, durante un primer medio ciclo negativo los electrones
circularán por el circuito atravesando primero el diodo y a continuación el consumidor o
carga eléctrica, representado por una resistencia (R). En ese instante, en los extremos de la
resistencia se podrá detectar una corriente directa "pulsante" que responde a ese medio
ciclo. En el medio ciclo siguiente (esta vez positivo), los electrones cambiarán su sentido de
circulación y no podrán atravesar ni la resistencia, ni el semiconductor diodo, porque en
ese instante el camino estará bloqueado por el terminal positivo del diodo y no habrá circu-
lación de corriente por el circuito. A continuación y durante el medio ciclo siguiente negati-
vo, de nuevo el diodo vuelve a permitir el paso de los electrones, para bloquearlo nueva-
mente al cambiar la corriente el sentido de circulación y así sucesivamente mientras se
continúe suministrándole corriente al diodo.
Por tanto, durante cada medio ciclo negativo de una fuente de corriente alterna (C.A.)
conectada a un diodo se registra una polaridad fija en los extremos de un consumidor co-
nectado al circuito de salida del propio diodo, mientras que durante el siguiente medio ci -
clo positivo no aparecerá polaridad alguna debido al bloqueo que ofrece el propio diodo al
paso de los electrones en sentido inverso. De esa forma, a través del consumidor circulará
una corriente pulsante, pues en este caso el diodo actúa como un rectificador de corriente
alterna de media onda.
5.2.2.- Aplicaciones del diodo: rectificadores de onda completa

Cuando un circuito eléctrico o electrónico requiere de una corriente directa que no sea
pulsante, sino mucho más lineal que la que permite un simple rectificador de media onda,
es posible combinar de dos a cuatro diodos rectificadores de forma tal que la resultante
sea una corriente directa (C.D.)
con menos oscilaciones resi-
duales.
La estructura más usual
para obtener un puente rectifi-
cador de "onda completa" es la
compuesta por cuatro diodos
conectados de forma conve-
niente. Sin embargo, en algu-
nos casos se obtiene un efecto
similar conectando solamente
dos diodos, empleando como
fuente de suministro de co-
rriente alterna (c.a.) un trans-
formador con una derivación
en el centro del enrollado se-
cundario.
Esa derivación central permite alimentar por igual a cada uno de los diodos gracias a su
simetría en contrafase que hace posible que el punto medio del enrollado sea siempre el
polo negativo mientras el polo positivo cambia en sus extremos cada medio ciclo de fre-

cuencia alterna de la corriente aplicada al circuito. Sin embargo, a la salida del circuito
rectificador se obtiene una corriente continua (c.c.) de onda completa.
N
o obstante, la mayoría de los circuitos eléctricos o electrónicos que funcionan con corriente
continua (c.c.) emplean rectificadores de onda completa compuestos por cuatro diodos. A
continuación se ilustran tres formas de esquematizar en un diagrama la conexión de esos
cuatro diodos para obtener un rectificador de onda completa.
Un puente rectificador de cuatro diodos funciona de la siguiente forma: como se puede
observar en la parte (A) de la ilustración, durante el primer medio ciclo negativo (–) de la
corriente que proporciona la fuente de suministro alterna (C.A.) conectada al puente recti-
ficador, los electrones atraviesan primero el diodo (1), seguidamente el consumidor (R) y
después el diodo (2) para completar así la circulación de la corriente de electrones por una
mitad del circuito correspondiente al puente rectificador.
Como aclaración, al llegar los electrones en su recorrido al punto de conexión (a), no
pueden atravesar el diodo (4) porque, de acuerdo con la colocación que éste ocupa en el
circuito, bloqueará o impedirá la circulación de los electrones en ese sentido.
Una vez que los electrones continúan su recorrido, al llegar al punto de conexión (b),
tampoco pueden atravesar el diodo (4), porque la corriente de electrones nunca circula en
dirección a su propio encuentro (de forma similar a como ocurre con la corriente de agua
en un río), sino que siempre se mueve en dirección al polo opuesto de la fuente de suminis-
tro que le proporciona la energía eléctrica, o sea, el polo positivo de la corriente alterna
(C.A.) en este caso.
En la parte (B) de la ilustración
podemos ver que la corriente al-
terna cambia la polaridad y, por
tanto, el sentido de circulación de
los electrones. En esta ocasión,
los electrones atraviesan primera-
mente el diodo (3), a continua-
ción atraviesan el consumidor (R)
y, por último, el diodo (4) para re-
tornar a la fuente de suministro
eléctrico y completar así el circui-
to. De forma similar a lo ocurrido
en el ciclo anterior, ahora el dio-
do (1) es el encargado de blo-
quearle el paso a los electrones
para que se puedan dirigir en di-
rección al consumidor (R), mientras que el diodo (2) tampoco pueden atravesarlo los elec-
trones, porque no pueden ir a su propio encuentro, tal como ocurre en el medio ciclo ante-
rior

5.3.- Tipos de diodos:

Además de los diodos rectificadores estudiados, existen otros tipos de diodos, que pue-
den diferir en su aspecto físico, impurezas, uso de electrodos, que tienen características
eléctricas particulares usados para una aplicación especial en un circuito. El funcionamien-
to de estos diodos es fundamentado por principios de la mecánica cuántica y teoría de ban-
das.
Los diodos rectificadores normales, se hacen generalmente de silicio dopado o germa-
nio.
 Diodo zéner: es un diodo que se ha construido para que fun-
cione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su in-
ventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los
reguladores de tensión casi constantes con independencia de que se presenten
grandes variaciones de la tensión de red, de la
resistencia de carga y temperatura. Si a un
diodo Zener se le aplica una corriente eléctri-
ca del ánodo al cátodo (polarización directa)
toma las características de un diodo rectifica-
dor básico, pero si se le suministra corriente
eléctrica de cátodo a ánodo (polarización in-
versa), el diodo solo dejara pasar una tensión
constante.
En conclusión: el diodo Zener debe ser polarizado al revés para que adopte su
característica de regulador de tensión. Su símbolo es como el de un diodo nor-
mal pero tiene dos terminales a los lados. Este
diodo se comporta como un diodo convencional
en condiciones de alta corriente porque cuando
recibe demasiada corriente se quema.
 Diodo avalancha: Diodos que conducen en direc-
ción contraria cuando el voltaje en inverso supera
el voltaje de ruptura. Electricámente son similares
a los diodos Zener, pero funciona bajo otro fenó-
meno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el
campo eléctrico inverso que atraviesa la unión p-n
produce una onda de ionización, similar a una ava-
lancha, produciendo una corriente. Los diodos ava-
lancha están diseñados para operar en un voltaje
inverso definido sin que se destruya. La diferencia
entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje
de reversa de aproximadamente 6.2V) y el diodo
zener es que el ancho del canal del primero excede
la "libre asociación" de los electrones, por lo que
se producen colisiones entre ellos en el camino. La
única diferencia práctica es que los dos tienen co-
eficientes de temperatura de polaridades opues-
tas.

 Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados, constituyen

detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son
menos sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p
(con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radia-
ción comunica la energía para liberar los electrones que se desplazan hacia los
huecos, estableciendo una corriente eléctrica proporcional a la potencia radian-
te.
 Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un
cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmen-
te galena o de una parte de carbón. Los diodos de cristal están obsoletos, pero
puede conseguirse todavía de algunos fabricantes.
 Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conec-
tada a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales
análogo al diodo Zener, el cual limita el voltaje. Permiten una corriente a través
de ellos para alcanzar un valor adecuado y así estabilizarse en un valor específi-
co. También suele llamarse CLDs (por sus siglas en inglés) o diodo regulador de
corriente.
 Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de operación que produce una resisten-
cia negativa debido al efecto túnel, permitiendo amplificar señales y circuitos
muy simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentración de carga,
los diodos túnel son muy rápidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas,
campos magnéticos de gran magnitud y en entornos con radiación alta. Por es-
tas propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.
 Diodo varicap: También conocido como
“Diodo de Capacidad Variable” o “Varac-
tor”, un Diodo Varicap aprovecha determi-
nadas técnicas constructivas para compor-
tarse, ante variaciones de la tensión aplica-
da, como un capacitor (o condensador) va-
riable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrónico presenta característi-
cas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesa-
rios los cambios de capacidad.
Cuando un diodo es polarizado en inversa, la barrera de potencial o juntura que
forman los materiales N y P a partir del punto de unión de las junturas. Visto en
forma metafórica y práctica, es el equivalente a dos placas de un capacitor que
van separándose a medida que la tensión de alimentación se incrementa. Este
incremento de tensión, provoca una disminución de la capacidad equivalente fi-
nal en los terminales del diodo (a mayor distancia entre placas, menor capaci-
dad final). Por este motivo queda claro el concepto de que la mayor capacidad
que puede brindar un diodo de esta naturaleza se encuentra en un punto de
baja tensión de alimentación (no cero), mientras que la mínima capacidad final
estará determinada por cuánta tensión inversa pueda soportar entre sus termi-
nales. Sin llegar a valores extremos, los más habituales suelen encontrarse entre
3 o 4 picofaradios y 50 picofaradios para ejemplos como el diodo BB148 de NXP.
Con una tensión menor a un volt alcanza su máxima capacidad, llegando al míni-

mo valor con 12 o 13Volts, según podemos ver en la gráfica obtenida de su hoja

de datos
 Diodo láser: Cuando la estructura de un led se introduce en una cavidad reso-
nante formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un láser. Los
diodos láser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento ópticos
y para la comunicación óptica de alta velocidad.
 Diodo térmico: Este término también se usa para los diodos convencionales
usados para monitorear la temperatura a la variación de voltaje con la tempera-
tura, y para refrigeradores termoeléctricos para la refrigeración termoeléctrica.
Los refrigeradores termoeléctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos
no tienen ninguna unión de rectificación, aprovechan el comportamiento distin-
to de portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el
calor.
 Fotodiodos: Todos los semiconductores están sujetos a portadores de carga óp-
ticos. Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semi-
conductores están empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los
fotodiodos tienen la función de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que es-
tán empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general
PIN (tipo de diodo más sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas
solares, en fotometría o en comunicación óptica. Varios fotodiodos pueden em-
pacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o como un arreglo de dos di-
mensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de carga
acoplada.
 Diodo Schottky: El diodo Schottky están construidos de un metal a un contacto
de semiconductor. Tiene una tensión de ruptura mucho menor que los diodos
pn. Su tensión de ruptura en corrientes de 1mA está en el rango de 0.15V a
0.45V, lo cual los hace útiles en aplicaciones de fijación y prevención de satura-
ción en un transistor. También se pueden usar como rectificadores con bajas
pérdidas aunque su corriente de fuga es mucho más alta que la de otros diodos.
Los diodos Schottky son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren
de problemas de almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que
ralentizan la mayoría de los demás diodos (por lo que este tipo de diodos tiene
una recuperación inversa más rápida que los diodos de unión pn. Tienden a te-
ner una capacitancia de unión mucho más baja que los diodos pn que funcionan
como interruptores veloces y se usan para circuitos de alta velocidad como
fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y detectores.
5.3.1.- Diodos led.
Funcionamiento. Tecnología de fabricación
Diodo emisor de luz (LED): Los ledes se usan como indicadores en
muchos dispositivos y en iluminación. Los primeros ledes emitían
luz roja de baja intensidad, pero los dispositivos actuales emiten
luz de alto brillo en el espectro infrarrojo, visible y ultravioleta.
Debido a sus altas frecuencias de operación son también útiles en tecnologías avan -
zadas de comunicaciones, como emisores de señales luminosas. Los ledes infrarrojos tam-
bién se usan en unidades de control remoto de muchos productos comerciales incluyendo
televisores e infinidad de aplicaciones de hogar y consumo doméstico.

Formado por un semiconductor con huecos en su banda de energía, tal como arse-
niuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unión emiten fotones cuando se re-
combinan con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la
longitud de onda que se puede producir varía desde el infrarrojo hasta longitudes de onda
cercanas al ultravioleta.
En los materiales semiconductores un electrón, al pasar de la banda de conducción a la
de valencia, menos energética, libera energía; esta energía perdida se puede manifiestar en
forma de un fotón desprendido. El que esa energía perdida se manifieste como un fotón
desprendido o como otra forma de energía (calor por ejemplo) depende principalmente del
tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza directamente,
los huecos de la zona positiva se mueven hacia la zona
negativa y los electrones se mueven de la zona negativa
hacia la zona positiva; ambos desplazamientos de car-
gas constituyen la corriente que circula por el diodo.
Si los electrones y huecos están en la misma región,
pueden recombinarse, es decir, los electrones pueden
pasar a "ocupar" los huecos "cayendo" desde un nivel
energético superior a otro inferior más estable. Este
proceso emite con frecuencia un fotón en semiconduc-
tores de banda prohibida directa [direct bandgap]) con
la energía correspondiente a su banda prohibida (véase
semiconductor). Esto no quiere decir que en los demás
semiconductores (semiconductores de banda prohibida indirecta [indirect bandgap]) no se
produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho más
probables en los semiconductores de banda prohibida directa (como el nitruro de galio)
que en los semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio).
La emisión espontánea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos
y solo es visible en diodos como los ledes de luz visible, que tienen una energía de la banda
prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energía
se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación ultravioleta.
Su color dependerá de la altura de la banda prohibida (diferencias de energía entre las
bandas de conducción y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos con-
vencionales, de silicio o germanio, emiten radiación infrarroja muy alejada del espectro vi-
sible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visi-
bles. Los ledes e IRED (diodos infrarrojos), además, tienen geometrías especiales para evi-
tar que la radiación emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo,
lo que sucede en los convencionales.
Los primeros ledes construidos fueron los diodos infrarrojos y de color rojo, permitien-
do el desarrollo tecnológico posterior la construcción de diodos para longitudes de onda
cada vez menores. En particular, los diodos azules fueron desarrollados a finales de los
años noventa, añadiéndose a los rojos y verdes desarrollados con anterioridad, lo que per-
mitió —por combinación de los mismos— la obtención de luz blanca. El diodo de seleniuro
de cinc puede emitir también luz blanca si se mezcla la luz azul que emite con la roja y ver-
de creada por fotoluminiscencia. La más reciente innovación en el ámbito de la tecnología
led son los ledes ultravioleta, que se han empleado con éxito en la producción de luz negra
para iluminar materiales fluorescentes.

Los ledes comerciales típicos están diseñados para potencias del orden de los 30 a
60 mW. En torno a 1999 se introdujeron en el mercado diodos capaces de trabajar con po-
tencias de 1 vatio para uso continuo; estos diodos tienen matrices semiconductoras de di-
mensiones mucho mayores para poder soportar tales potencias e incorporan aletas metáli-
cas para disipar el calor generado por el efecto Joule.
Compuestos empleados en la construcción de ledes
Compuesto Color Long. de onda
arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo 940 nm
arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) rojo e infrarrojo 890 nm
arseniuro fosfuro de galio (GaAsP) rojo, anaranjado y amarillo 630 nm
fosfuro de galio (GaP) verde 555 nm
nitruro de galio (GaN) verde 525 nm
seleniuro de cinc (ZnSe) azul
nitruro de galio e indio (InGaN) azul 450 nm
carburo de silicio (SiC) azul 480 nm
diamante (C) ultravioleta
silicio (Si) en desarrollo
Hoy en día se están desarrollando y empezando a comercializar ledes con prestaciones
muy superiores a las de hace unos años y con un futuro prometedor en diversos campos,
incluso en aplicaciones generales de iluminación.
Encapsulado
El dispositivo semicon- Encapsulado de un LED
ductor está comúnmen- A Ánodo
te encapsulado en una B Cátodo
cubierta de plástico, colo- 1 Lente/encapsulado epóxi-
reado por razones estéti- co
cas, ya que ello no influye (capsula plástica)
en el color de la luz emiti- 2 Contacto metálico
da. Usualmente un led es (hilo conductor)
una fuente de luz com- 3 Cavidad reflectora
puesta con diferentes par- (copa reflectora)
tes, razón por la cual el pa- 4 Terminación del
trón de intensidad de la luz semiconductor
emitida puede ser bastan- 5 Yunque
te complejo. 6 Plaqueta
Para obtener buena in- 7
tensidad luminosa debe 8 Borde plano
escogerse bien la corriente que atraviesa el led. Para ello hay que tener en cuenta que el
voltaje de operación va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que está relacio-
nado con el material de fabricación y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades
que debe circular por él varía según su aplicación. Los valores típicos de corriente directa
de polarización de un led corriente están comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En gene-
ral, los ledes suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por
ellos, con lo cual, en su operación de forma optimizada, se suele buscar un compromiso en-

tre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto más grande es la intensidad que
circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que circula por ellos).
El primer led que emitía en el espectro visible fue desarrollado en 1962.
Formas de determinar la polaridad de un LED de inserción
Existen tres formas principales de conocer la polaridad de un led:
1. La pata más larga siempre va a ser el ánodo
2. En el lado del cátodo, la base del led tiene un borde plano
3. Dentro del led, la plaqueta indica el ánodo. Se puede reconocer porque es
más pequeña que el yunque, que indica el cátodo
ACTIVIDAD:
Diseño y montaje de un circuito de polarización directa para iluminar un LED.
Para conectar ledes de modo que iluminen de forma continua, deben estar polariza-
dos directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de alimentación conectado
al ánodo y el polo negativo conectado al cátodo. Además, la fuente de alimentación debe
suministrarle una tensión o diferencia de potencial superior a su tensión umbral. Por
otro lado, se debe garantizar que la corriente que circula por ellos no exceda los límites
admisibles, lo que dañaría irreversiblemente al led. (Esto se puede hacer de manera sen-
cilla con una resistencia R en serie con los ledes). En las dos imágenes de la derecha pue -
den verse unos circuitos sencillos que muestran cómo polarizar directamente ledes.
La diferencia de potencial varía de acuerdo a las especificaciones relacionadas con el
color y la potencia soportada.
En términos generales, pueden considerarse de forma aproximada los siguientes va-
lores de diferencia de potencial:
 Rojo = 1,8 a 2,2 voltios.
 Anaranjado = 2,1 a 2,2 voltios.
 Amarillo = 2,1 a 2,4 voltios.
 Verde = 2 a 3,5 voltios.
 Azul = 3,5 a 3,8 voltios.
 Blanco = 3,6 voltios.
Luego, mediante la ley de Ohm, puede calcularse la re-
sistencia R adecuada para la tensión de la fuente Vfuente
que utilicemos.
El término I en la fórmula se refiere al valor de corriente para la intensidad luminosa

que necesitamos. Lo común es de 10 miliamperios para ledes de baja luminosidad y
20 mA para ledes de alta luminosidad; un valor superior puede inutilizar el led o reducir
de manera considerable su tiempo de vida.
Otros ledes de una mayor capacidad de corriente, conocidos como ledes de potencia
(1 W, 3 W, 5 W, etc.), pueden ser usados a 150 mA, 350 mA, 750 mA o incluso a 3000 mA
dependiendo de las características optoeléctricas dadas por el fabricante.

Cabe recordar que también pueden conectarse varios en serie, sumándose las dife-
rencias de potencial en cada uno. También se pueden hacer configuraciones en paralelo,
aunque este tipo de configuraciones no son muy recomendadas para diseños de circuitos
con ledes eficientes.
SIMBOLOS DE DIODOS

6.- EL TRANSISTOR
Junto con el diodo, el transistor es el dispositivo semiconductor más empleado en elec-
trónica. Cualquier circuito electrónico está formado, en gran parte, por transistores. Ac-
tualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario:
receptores de radio y televisión televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, ordenadores, lámparas fluorescentes, teléfonos, etc.
El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de
transferencia»).
El transistor cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador e incluso rectifi-
cador.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de
1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fue-
ron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula ter-
moiónica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no
se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos
masivamente.
Es por ello que al principio se usaron los transistores bipolares y luego los denominados
transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente
(source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el ca-
nal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor).
Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circui-
tos altamente integrados (CI).
Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología
CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes
MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy
poca corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificial-
mente con materiales específicos en cantidades específicas, que forman dos uniones bipo-
lares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera,
que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que
se obtiene corriente amplificada.
En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a dife-
rencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcio-
namiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada
de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a
través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que
circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplifica-
ción o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta
del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafi-
can los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión

Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos
para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base co-
mún.
Modelos posteriores al transistor descrito, el
transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET,
CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se
inyecta en el terminal de base para modular la co-
rriente de emisor o colector, sino la tensión pre-
sente en el terminal de puerta o reja de control
(graduador) y gradúa la conductancia del canal en-
tre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se en-
cuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el
campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la
fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D)
será función amplificada de la Tensión presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Sour-
ce). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equiva-
lentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Cátodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran es -
cala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cien-
tos de miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas su-
perpuestas.
6.1.- Tipos de transistor
6.1.1.- Transistor de contacto puntual:
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación
cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia
que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de
superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano),
frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el
transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.
6.1.2.-Transistor de unión bipolar:
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes
como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada
tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos
uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de acep-
tadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptado-
res P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emi-
sor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen dife -

rente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado
que el colector).
El mecanismo que representa el comporta-
miento semiconductor dependerá de dichas conta-
minaciones, de la geometría asociada y del tipo de
tecnología de contaminación (difusión gaseosa,
epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de
la unión.
6.1.3.- Transistor de efecto de campo:
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor
de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno
de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corrien -
te en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una
unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-
Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada
del canal semiconductor por una capa de óxido.
6.1.4.- Fototransistor:
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cerca-
nas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio
de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, só-
lo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);
 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las ve-
ces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
6.2.- El Transistor de Unión Bipolar (Bipolar Junction Transistor-BJT)

El término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de la corriente in -
tervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El término junction (unión)
hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como veremos a continuación tene-
mos dos uniones "p-n" en el transistor, y mediante la polarización de estas uniones conse-
guiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.
6.2.1.- Estructura del Transistor BJT

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de mate-
rial tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor
pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaría-
mos hablando de un transistor npn.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las zonas
consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se representan
por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).
La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de
“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transis-
tor pnp o electrones en el caso del transistor pnp. La base tiene un nivel de dopado neta-
mente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al
de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores
inyectados por el emisor hacia el colector.
Parámetros importantes en el funcionamiento del Transistor BJT

La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o “colec-
tar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es
la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
6.2.2.- Zonas de trabajo del Transistor BJT
Estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unión entre las zonas de emisor
y base (que denominaremos a partir de ahora unión de emisor) y otra unión entre las zonas
de base y colector (de que denominaremos unión de colector), cada una de las cuales pue-
de ser polarizada de dos maneras: polarización en directa y polarización en inversa. Así,
desde el punto de vista global del dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento po-
sibles en función del estado de polarización de las dos uniones.
Si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor está trabajando en
la zona de saturación.
En el caso de que la unión de emisor la polaricemos en directa y la unión de colector en
inversa, estaremos en la zona activa.

Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el transistor está en la zona
de corte
Por último, si la unión de emisor se polariza en inversa y la unión de colector en direc-

ta, el transistor se encuentra en activa inversa.
De las cuatro zonas, las 3
mencionadas en primer lugar
son las más interesantes desde
el punto de vista del funciona-
miento del transistor, siendo la
zona activa inversa una zona
puramente teórica y sin inte-
rés práctico.
Análisis de Corrientes en
la Zona Activa:
Un transistor está traba-
jando en la zona activa cuando
la unión de emisor se polariza
en directa y la unión de colector en inversa.
En el caso de un transistor pnp, para polarizar la unión de emisor en directa habrá que
aplicar una tensión positiva del lado del emisor, negativa del lado de la base, o lo que es
lo mismo una tensión VBE positiva. De igual manera, para polarizar la unión de colector en
inversa hay que aplicar una tensión VCB negativa.
En el caso de un transistor npn, para polarizar la unión de emisor en directa habrá que
aplicar una tensión negativa del lado del emisor, positiva del lado de la base, o lo que es
lo mismo una tensión VBE negativa. De igual manera, para polarizar la unión de colector en
inversa hay que aplicar una tensión VCB positiva.

De manera que el transistor bipolar funciona como un interruptor o switch, permitien-

do activar o desactivar una carga conectada en el Colector (NPN) y en el Emisor (PNP),
siempre y cuando se configure con la polarización específica para cada uno de ellos.
Tanto el transistor NPN, como el PNP, poseen una característica común, denominada
Ganancia del Transistor, expresada por hfe (Beta) y depende del fabricante del mismo (con
un valor comprendido entre 80 y 300). La ganancia del transistor depende de la relación
entre la Corriente del Colector (Ic) y la Corriente de la Base (Ib) y se expresa así: hfe = Ic /
Ib. Está expresión permite determinar el nivel de amplificación de corriente del transistor.
Ejemplo.
Funcionamiento del transistor: Símil hidráulico
El comportamiento del transistor lo podemos comparar con un circuito hidráulico
como el de la figura. La válvula tiene un muelle que la mantiene cerrada. Mediante un cho-
rro de agua que entra por la base, vencemos la resistencia del muelle, abriendo la válvula
 Funcionamiento en corte: si no hay presión en B (no pasa agua por su tubería)

no se abre la válvula y no pasa agua desde E hacia C.
 Funcionamiento en zona activa: si llega algo de presión a la base B, se abrirá la
válvula en función de la presión que llegue, pasando agua desde E hasta C.
 Funcionamiento en saturación: si llega mucha presión por B, la válvula se abre
totalmente, pasando toda el agua desde E hacia C.
Así, la corriente desde E hasta C dependerá de la pequeña corriente en B, como ocu-
rre con el transistor.

Actividades
Circuitos de aplicación del transistor en corte-saturación
Conexión de una alarma por rotura de ca- A

ble pagado de un motor mediante luz
6.3.- El transistor bipolar como amplificador de señales

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores
normales de señal, β varía entre 100 y 300.
Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:
 Emisor común
 Base común
 Colector común
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno entre base y emi-
sor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto
quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de
un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.
Pero, aunque esta comparación nos sirve para entender las polarizaciones de funciona-
miento normal del transistor, su comportamiento no tiene nada que ver con el de dos dio -
dos. Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente propor-
cional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300.
5.3.1.- Configuraciones del transistor como amplificador.-
Según por donde se aplique la señal de entrada y de donde saquemos la de salida, exis-
ten tres configuraciones para el amplificador:
Emisor común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conec -
ta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tie -
ne ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de
tener resistencia de emisor, RE > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se
aproxima bastante bien por la siguiente expresión:
;
y la impedancia de salida, por RC

Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos
suponer una tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces te-
nemos que la tensión de emisor es:
Y la corriente de emisor:
.
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:
.
Despejando
La tensión de salida, que es la de colector se calcula como:
Como β >> 1,
se puede aproximar:
y, entonces
Que podemos escribir como
Vemos que la parte
es constante (no depende de la señal de entrada), y la parte
nos da la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada
180º respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia queda:
La corriente de entrada

, ,
que aproximamos por
.
Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir:
y la impedancia de entrada:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor

más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.
Base común
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo
menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos
una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de se -
ñal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproxi -
mada siguiente:
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Colector común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conec -
ta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tie -
ne ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La im-
pedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. Además,
la impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la fuente de se-
ñal.
5.4.- El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

Antes de la aparición del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados
válvulas termoiónicas. Las válvulas tienen características eléctricas similares a la de los
transistores de efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensión en
el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplazó a la
válvula termoiónica son varias:
 Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de vol-
tios, que son peligrosas para el ser humano.

 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente

poco útiles para el uso con baterías.
 Probablemente, uno de los problemas más importantes haya sido el peso. El
chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos
para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algu-
nos kilos a decenas de kilos.
 El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas es muy corto com-
parado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
 Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que
necesitan estar calientes para establecer la conducción.
 El transistor es intrínsecamente insensible al efecto microfónico, muy fre-
cuente en las válvulas.
 Los transistores son más pequeños que las válvulas, incluso que los nuvisto-
res. Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salve-
dad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador,
de modo que el tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula
o transistor) más el del disipador. Como las válvulas pueden funcionar a tem-
peraturas más elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en
los transistores, con lo que basta un disipador mucho más pequeño.
 Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reduci-
das y corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias ele-
vadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones pequeñas corrientes.
 Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior, sino
que contaba con la promesa de que continuaría bajando (como de hecho
ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba más de treinta toneladas y consumía 200
kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad. Tenía alrededor de 18.000 válvu-
las, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una organiza -
ción importantes.
Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolución.
Pequeño, rápido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energía, reemplazó
progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950, pero no del todo. En
efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas termoióni-
cas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazó a
la válvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia.
Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando válvulas
en amplificadores de audio para guitarras.
Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:
 El transistor no tiene las características de linealidad a alta potencia de la
válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores
de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta varios
años después
 Los armónicos introducidos por la no-linealidad de las válvulas resultan agra-
dables al oído humano, por lo que son preferidos por los audiófilos.

 El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las explosio-

nes nucleares, por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en al-
gunos sistemas de control-comando de aviones caza de fabricación soviética.
 Las válvulas son capaces de manejar potencias muy grandes, impensables
para los transistores en sus comienzos; sin embargo a través de los años se
desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores en paralelo ca-
paces de conseguirlo
ACTIVIDADES

7.- EL CIRCUITO INTEGRADO
Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una pastilla pe-
queña de material semiconductor, de algunos milímetros cuadrados de área, sobre la que
se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegi-
da dentro de un encapsulado de plástico o cerámica. El encapsulado posee conductores
metálicos apropiados para hacer conexión entre la pastilla y un circuito impreso.
El primer circuito integrado fue desarrollado en 1959 por Jack Kilby. Se trataba de un
dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una misma base semiconducto-
ra para formar un oscilador de rotación de
fase.
En el año 2000 Kilby fue galardonado
con el Premio Nobel de Física por la enorme
contribución de su invento al desarrollo de
la tecnología.
Al mismo tiempo que Jack Kilby, pero de
forma independiente, Robert Noyce desa-
rrolló su propio circuito integrado, que pa-
tentó unos seis meses después. Además re-
solvió algunos problemas prácticos que po-
seía el circuito de Kilby, como el de la inter-
conexión de todos los componentes; al sim-
plificar la esctructura del chip mediante la adición del metal en una capa final y la elimina -
ción de algunas de las conexiones, el circuito integrado se hizo más adecuado para la pro -
ducción en masa. Además de ser uno de los pioneros del circuito integrado, Robert Noyce
también fue uno de los co-fundadores de Intel, uno de los mayores fabricantes de circuitos
integrados del mundo.
Los circuitos integrados se encuentran en todos los aparatos electrónicos modernos,
como relojes de pulsera, automóviles, televisores, reproductores de CD, reproductores de
MP3, teléfonos móviles, computadoras, equipos médicos, etc.
La integración de grandes cantidades de diminutos transistores en pequeños chips fue
un enorme avance sobre el ensamblaje manual de los tubos de vacío (válvulas) y en la fa -
bricación de circuitos electrónicos utilizando componentes discretos.
La capacidad de producción masiva de circuitos integrados, su confiabilidad y la facili-
dad de agregarles complejidad, llevó a su estandarización, reemplazando diseños que utili-
zaban transistores discretos, y que pronto dejaron obsoletas a las válvulas o tubos de vacío.
Son tres las ventajas más importantes que tienen los circuitos integrados sobre los cir-
cuitos electrónicos construidos con componentes discretos: su menor costo; su mayor efi-
ciencia energética y su reducido tamaño. El bajo costo es debido a que los CI son fabricados
siendo impresos como una sola pieza por fotolitografía a partir de una oblea, generalmente
de silicio, permitiendo la producción en cadena de grandes cantidades, con una muy baja
tasa de defectos. La elevada eficiencia se debe a que, dada la miniaturización de todos sus
componentes, el consumo de energía es considerablemente menor, a iguales condiciones
de funcionamiento que un homólogo fabricado con componentes discretos. Finalmente, el

más notable atributo, es su reducido tamaño en relación a los circuitos discretos; para ilus-
trar esto: un circuito integrado puede contener desde miles hasta varios millones de tran-
sistores en unos pocos milímetros cuadrados.
Avances en los circuitos integrados
Los avances que hicieron posible el circuito integrado han sido, fundamentalmente, los
desarrollos en la fabricación de dispositivos semiconductores a mediados del siglo XX y los
descubrimientos experimentales que mostraron que estos dispositivos podían reemplazar
las funciones de las válvulas o tubos de vacío, que se volvieron rápidamente obsoletos al no
poder competir con el pequeño tamaño, el consumo de energía moderado, los tiempos de
conmutación mínimos, la confiabilidad, la capacidad de producción en masa y la versatili-
dad de los CI.
Entre los circuitos integrados más complejos y avanzados se encuentran los micropro-
cesadores, que controlan numerosos aparatos, desde teléfonos móviles u hornos microon-
das hasta ordenadores.
Mientras que el costo de diseñar y desarrollar un circuito integrado complejo es bas-
tante alto, cuando se reparte entre millones de unidades de producción, el costo individual
de los CIs por lo general se reduce al mínimo. La eficiencia de los CI es alta debido a que el
pequeño tamaño de los chips permite cortas conexiones que posibilitan la utilización de ló-
gica de bajo consumo (como es el caso de CMOS), y con altas velocidades de conmutación.
A medida que transcurren los años, los circuitos integrados van evolucionando: se fabri-
can en tamaños cada vez más pequeños, con mejores características y prestaciones, mejo-
ran su eficiencia y su eficacia, y se permite así que mayor cantidad de elementos sean em -
paquetados (integrados) en un mismo chip. Al tiempo que el tamaño se reduce, otras cuali-
dades también mejoran (el costo y el consumo de energía disminuyen, y a la vez que au-
menta el rendimiento). Aunque estas ganancias son aparentemente para el usuario final,
existe una feroz competencia entre los fabricantes para utilizar geometrías cada vez más
delgadas. Este proceso, y lo esperado para los próximos años, está muy bien descrito por la
International Technology Roadmap for Semiconductors. 5
Popularidad
Solo ha trascurrido medio siglo desde que se inició su desarrollo y los circuitos integra -
dos se han vuelto casi omnipresentes. Computadoras, teléfonos móviles y otras aplicacio-
nes digitales son ahora partes de las sociedades modernas. La informática, las comunicacio-
nes, la manufactura y los sistemas de transporte, incluyendo Internet, todos dependen de
la existencia de los circuitos integrados. De hecho, muchos estudiosos piensan que la revo-
lución digital causada por los circuitos integrados es uno de los sucesos más significativos
de la historia de la humanidad.6
Tipos
Existen al menos tres tipos de circuitos integrados:
 Circuitos monolíticos: Están fabricados en un solo monocristal, habitualmente de si-
licio, pero también existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc.
 Circuitos híbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolíticos, pero,
además, contienen componentes difíciles de fabricar con tecnología monolítica.
Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnología híbrida
hasta que los progresos en la tecnología permitieron fabricar resistores precisos.

 Circuitos híbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos monolíticos.

De hecho suelen contener circuitos monolíticos sin cápsula, transistores, diodos,
etc, sobre un sustrato dieléctrico, interconectados con pistas conductoras. Los
resistores se depositan por serigrafía y se ajustan haciéndoles cortes con láser.
Todo ello se encapsula, en cápsulas plásticas o metálicas, dependiendo de la disi-
pación de energía calórica requerida. En muchos casos, la cápsula no está "mol-
deada", sino que simplemente se cubre el circuito con una resina epoxi para pro-
tegerlo. En el mercado se encuentran circuitos híbridos para aplicaciones en mó-
dulos de radio frecuencia (RF), fuentes de alimentación, circuitos de encendido
para automóvil, etc.
Clasificación
Atendiendo al nivel de integración -número de componentes- los circuitos integrados
se pueden clasificar en:
 SSI (Small Scale Integration) pequeño nivel: de 10 a 100 transistores
 MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores
 LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores
 VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000 transistores
 ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000 transistores
 GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: más de un millón de transistores
En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:
Circuitos integrados analógicos.
Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unión entre
ellos, hasta circuitos completos y funcionales, como amplificadores, osciladores o in-
cluso receptores de radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde básicas puertas lógicas (AND, OR, NOT) hasta los más compli-
cados microprocesadores o microcontroladores.
Algunos son diseñados y fabricados para cumplir una función específica dentro de un
sistema mayor y más complejo.
En general, la fabricación de los CI es compleja ya que tienen una alta integración de
componentes en un espacio muy reducido, de forma que llegan a ser microscópicos. Sin
embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto a los antiguos circuitos, además
de un montaje más eficaz y rápido.
Limitaciones de los circuitos integrados
Existen ciertos límites físicos y económicos al desarrollo de los circuitos integrados. Bá-
sicamente, son barreras que se van alejando al mejorar la tecnología, pero no desaparecen.
Las principales son:
Disipación de potencia
Los circuitos eléctricos disipan potencia. Cuando el número de componentes integrados
en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipación de esta potencia, también
crecen, calentando el sustrato y degradando el comportamiento del dispositivo. Además,
en muchos casos es un sistema de realimentación positiva, de modo que cuanto mayor sea
la temperatura, más corriente conducen, fenómeno que se suele llamar "embalamiento
térmico" y, que si no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y

los reguladores de tensión son proclives a este fenómeno, por lo que suelen incorporar
protecciones térmicas.
Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que más energía deben disipar. Para
ello su cápsula contiene partes metálicas, en contacto con la parte inferior del chip, que sir -
ven de conducto térmico para transferir el calor del chip al disipador o al ambiente. La re-
ducción de resistividad térmica de este conducto, así como de las nuevas cápsulas de com-
puestos de silicona, permiten mayores disipaciones con cápsulas más pequeñas.
Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensión de alimentación y
utilizando tecnologías de bajo consumo, como CMOS. Aun así en los circuitos con más den-
sidad de integración y elevadas velocidades, la disipación es uno de los mayores proble-
mas, llegándose a utilizar experimentalmente ciertos tipos de criostatos. Precisamente la
alta resistividad térmica del arseniuro de galio es su talón de Aquiles para realizar circuitos
digitales con él.
Capacidades y autoinducciones parásitas
Este efecto se refiere principalmente a las conexiones eléctricas entre el chip, la cápsula
y el circuito donde va montada, limitando su frecuencia de funcionamiento. Con pastillas
más pequeñas se reduce la capacidad y la autoinducción de ellas. En los circuitos digitales
excitadores de buses, generadores de reloj, etc, es importante mantener la impedancia de
las líneas y, todavía más, en los circuitos de radio y de microondas.
Límites en los componentes
Los componentes disponibles para integrar tienen ciertas limitaciones, que difieren de
sus contrapartidas discretas.
 Resistores. Son indeseables por necesitar una gran cantidad de superficie.
Por ello sólo se usan valores reducidos y en tecnologías MOS se eliminan casi
totalmente.
 Condensadores. Sólo son posibles valores muy reducidos y a costa de mucha
superficie. Como ejemplo, en el amplificador operacional μA741, el conden-
sador de estabilización viene a ocupar un cuarto del chip.
 Inductores. Se usan comúnmente en circuitos de radiofrecuencia, siendo hí-
bridos muchas veces. En general no se integran.
Densidad de integración
Durante el proceso de fabricación de los circuitos integrados se van acumulando los de-
fectos, de modo que cierto número de componentes del circuito final no funcionan correc-
tamente. Cuando el chip integra un número mayor de componentes, estos componentes
defectuosos disminuyen la proporción de chips funcionales. Es por ello que en circuitos de
memorias, por ejemplo, donde existen millones de transistores, se fabrican más de los ne-
cesarios, de manera que se puede variar la interconexión final para obtener la organización
especificada.
ACTIVIDAD
Ver videos sobre fabricación de chips

Proceso de Fabricación
Durante el proceso de fabricación hay que ubicar, en un espacio semejante al tamaño de
una uña, millones de transistores y de interconexiones.
1º Diseño del circuito electrónico que se va a miniaturizar.
2º Obtención de oblea de silicio. Los chips se obtienen a partir de un cilindro de silicio cor-
tado en láminas de unos 0’25 mm de espesor.
¿Por qué se denomina chip a la oblea de silicio? porque tiene el aspecto
de una patata frita, y en inglés se denomina chip.
3º Sobre la oblea de Silicio, mediante técnicas fotolitográficas, se im-
primen o copian los circuitos previamente diseñados (caben muchos
circuitos sobre la misma oblea).
4º Con posterioridad se cortan, se extraen los pequeños chips y se monta cada uno en su
cápsula.
El silicio ha de tener un elevado grado de pureza. Además, la fabricación de chips tiene lu-
gar en laboratorios donde se vigilan las condiciones ambientales para que no haya polvo,
puesto que una simple mota podría estropear el chip, al quedar cortocircuitadas las pistas.
A continuación se muestra una ilustra-
ción de la cápsula del temporizador
555:

EJERCICIOS y CUESTIONES
CUESTIONES
1. ¿Cual es la finalidad de dopar un semiconductor part)?

2. ¿Por qué. es perjudicial el aumento de temperatura en los semiconductores?
3. ¿Que otro nombre recihe Is corriente inversa de saturation?
4. ¿Que signilican las siglas /r? i,Y 11R?
5. 5. ¿Que dehe limitar Isque atraviesa a tin diodo?
Para hacer un rectificador de media onda necesitamos:

a) Un diodo.
b) Dos diodos
c) Cuatro diodos.
Un rectificador de doble onda es necesario para:

a) Transformar la corriente continua en alterna
b) Transformar la corriente alterna en continua
c) Transformar corrientes alternas de muy alto valor en otras de menor valo
Un diodo Zener se utiliza en:

a) En electrónica de muy altas frecuencias.
b) Como indicador luminoso.
c) Como estabilizador de tensión
Un diodo LED se utiliza para:

a) Estabilizar la tensión
b) Como indicador luminoso
c) Como detector acústico

Elementos 2 - Electrónica-Antes de Limpiar

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Elementos 2 - Electrónica-Antes de Limpiar

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Elementos 2 - Electrónica-Antes de Limpiar

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Bloque 1: Nociones básicas de electrotecnia y electrónica

En el tema anterior adquirimos unos conocimientos básicos sobre corrientes eléctricas,

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 2

2.- LOS INICIOS DE LA ELECTRÓNICA. LA VÁLVULA TERMIOIÓNICA.

2.2.- Constitución de las válvulas de vacío

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 3

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 4

2.3.- Tipos de válvulas de vacío. Funcionamiento

Diodo Triodo Tetrodo Pentodo

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 5

3.- CONSTITUCION DE LA MATERIA. EL ENLACE ATÓMICO

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 6

1.os semiconductores más importantes utilizados en dispositivos electrónicos son el

Veamos a continuación la estructura cristalina del germanio, utilizando una represen-

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 7

prácticamente imposible purificarlos al 100 por 100.

En Ia Figura se representa una estructura simplificada de los dos tipos.

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 8

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 9

no supera el potencial de barrera o tensión umbral' (aproximadamente 0,3 V para el ger-

Montar el circuito de la figura.

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 10

Con los datos obtenidos, representar la gráfica de comportamiento del diodo

5.2.- Aplicaciones de los diodos

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 11

do cada país en cuestión. En Europa la frecuencia adoptada es de 50 ciclos y de 60 ciclos en

5.2.2.- Aplicaciones del diodo: rectificadores de onda completa

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 12

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 13

5.3.- Tipos de diodos:

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 14

 Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño milimétrico y, alineados, constituyen

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 15

mo valor con 12 o 13Volts, según podemos ver en la gráfica obtenida de su hoja

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 16

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 17

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 18

El término I en la fórmula se refiere al valor de corriente para la intensidad luminosa

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 19

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 20

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 21

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 22

6.2.- El Transistor de Unión Bipolar (Bipolar Junction Transistor-BJT)

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 23

Parámetros importantes en el funcionamiento del Transistor BJT

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 24

Por último, si la unión de emisor se polariza en inversa y la unión de colector en direc-

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 25

De manera que el transistor bipolar funciona como un interruptor o switch, permitien-

 Funcionamiento en corte: si no hay presión en B (no pasa agua por su tubería)

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 26

Conexión de una alarma por rotura de ca- A

6.3.- El transistor bipolar como amplificador de señales

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 27

La tensión de salida, que es la de colector se calcula como:

Que podemos escribir como

Vemos que la parte

es constante (no depende de la señal de entrada), y la parte

Tema 2: El Electrónica básica: diodos y transistores Pá gina 28

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor