El Transistor MOSFET

Introducción
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o BJT, como son
la corriente que soportan y la dependencia de la temperatura a la que se ven
sometidos, unas veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la más
evidente, el efecto llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores más avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un
lugar importante dentro de la
industria, desplazando a los
viejos BJT a otros fines. Los
MOSFET de potencia son muy
populares para aplicaciones de
baja tensión, baja potencia y
conmutación resistiva en altas
frecuencias, como fuentes de
alimentación conmutadas,
motores sin escobillas y
aplicaciones como robótica, CNC
y electrodomésticos.
La mayoría de sistemas como
lámparas, motores, drivers de
estado sólido, electrodomésticos,
etc. utilizan dispositivos de
control, los cuales controlan el flujo de energía que se transfiere a la carga. Estos
dispositivos logran alta eficiencia variando su ciclo de trabajo para regular la
tensión de salida. Para realizar la parte de conmutación, existen varios dispositivos
semiconductores, a continuación se muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades entre potencia
y velocidad de conmutación de los tipos de dispositivos.
Los Transistores MOSFET

Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN,

como el transistor bipolar, ya que en éste, el movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo.
Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del
inglés, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS. En los
MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la
Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y
Surtidor, gracias al efecto de campo. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región correspondiente al canal, que también es
conocida como la zona de inversión.

La estructura MOS.

La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato

de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido
de Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que presenta
una alta impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca una capa
de Metal (Aluminio o poli silicio), que posee características conductoras. En la
parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula, como se
ve en la figura.

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el que G y

B son las placas y el óxido, el aislante. De este modo, cuando V GB=0, la carga
acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y se corresponde al
estado de equilibrio en el semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de Puerta y
substrato. La región semiconductora p responde creando una región de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexión), al igual que ocurriera en
la región P de una unión PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta región
de iones negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la región de V GB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento, no pueden compensar el campo eléctrico y se provoca la
acumulación de cargas negativas libres (e–) atraídos por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión
débil a inversión fuerte.
El proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad del substrato,
debajo de la región de Puerta. En inversión fuerte, se forma así
un CANAL de e– libres, en las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de
huecos p+ en el extremo de la Puerta.
La intensidad de Puerta I G, es cero puesto que, en continua se comporta como un
condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la
Puerta al substrato es prácticamente infinita e IG=0 siempre en estática.
Básicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres
suficiente para sustentar una corriente eléctrica.

MOSFET de enriquecimiento de CANAL N.

Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO 2) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta se
establece en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar
estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado con este
transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.
Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una
mayor densidad de integración. Comencemos con la estructura básica del
MOSFET, seguido de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interface Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado
(n+).
Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo
N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide
perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a
los electrones hacia la superficie, bajo la capa de óxido, repeliendo los huecos
hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha
superficie una región muy rica en electrones, denominada canal N, que permite el
paso de corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de
Puerta (Gate) mayor será el campo eléctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una
vez creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensión positiva en el
Drenador (Drain) respecto a la tensión de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores
son huecos (cargas de valor positivas, el módulo de la carga del electrón). En este
caso, para que exista conducción el campo eléctrico perpendicular a la superficie
debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la tensión aplicada
ha de ser negativa. Ahora, los huecos son atraídos hacia la superficie bajo la capa
de óxido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica
en huecos se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la tensión de puerta
mayor puede ser la corriente (más huecos en el canal P), corriente que se
establece al aplicar al terminal de Drenador una tensión negativa respecto al
terminal de Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.

Si con tensión de Puerta nula no

existe canal, el transistor se
denomina de acumulación; y de
vaciamiento en caso contrario.
Mientras que la tensión de Puerta a
partir de la cual se produce canal, se conoce como tensión umbral, V T. El terminal
de sustrato sirve para controlar la tensión umbral del transistor, y normalmente su
tensión es la misma que la de la Fuente.
El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión actúa
de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensión en el tipo P
(recoge los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el
funcionamiento de un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.
El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito se muestra en
la figura siguiente. La flecha entre el terminal de Fuente y Gate, nos informa sobre
el sentido de la corriente.

En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas fuentes de tensión

polarizando los distintos terminales: V GS, VDS. Los terminales de substrato (B) y
Fuente (S) se han conectado a GND. De este modo, V SB=0 (tensión Surtidor-
sustrato=0) , se dice que no existe efecto substrato.

Según los valores que tome la tensión VGS, se pueden considerar tres casos:
1) VGS=0. Esta condición implica que V GS=0, puesto que VSB=0. En estas
condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal de e–, debajo de la
Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal más
negativo) y aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se alimenta de las
intensidades inversas de saturación.
2) La tensión VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexión en el canal.
Se genera una carga eléctrica negativa e– en el canal, debido a los iones
negativos de la red cristalina (similar al de una unión PN polarizada en la región
inversa), dando lugar a la situación de inversión débil anteriormente citada. La
aplicación de un campo eléctrico lateral VDS>0, no puede generar corriente
eléctrica IDS.
3) La tensión VGS>>0, da lugar a la inversión del canal y genera una población
de e– libres, debajo del óxido de Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el
CANAL N o canal de electrones, entre el Drenador y la Fuente (tipo n+) que,
modifica la característica eléctrica original del sustrato. Estos electrones, son
cargas libres, de modo que, en presencia de un campo eléctrico lateral, podrían
verse acelerados hacia Drenador o Surtidor. Sin embargo, existe un valor mínimo
de VGS para que el número de electrones, sea suficiente para alimentar esa
corriente, es VT, denominada TENSIÓN UMBRAL (en algunos tratados se
denomina VTH).
Por lo tanto, se pueden diferenciar dos zonas de operación para valores de
VGS positivos:
– Si VGS< VT la intensidad IDS=0 (en realidad sólo es aproximadamente cero) y
decimos que el transistor opera en inversión débil. En ella, las corrientes son
muy pequeñas y su utilización se enmarca en contextos de muy bajo consumo de
potencia. Se considerará que la corriente es siempre cero. De otro lado;
– Si VGS>=VT, entonces IDS es distinto de cero, si VDS es no nulo. Se dice que el
transistor opera en inversión fuerte.
Cuanto mayor sea el valor de VGS, mayor será la concentración de cargas libres en
el canal y por tanto, será superior la corriente I DS.

Regiones de operación.

Cuando ya existe canal inducido y V DS va aumentando, el canal se contrae en el

lado del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto,
más baja y la zona de transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en región óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de
operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región
de corte, región óhmica y región de saturación.

Región de corte.

El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el

transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor,
en esta región, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.

Región óhmica.

Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on) viene

dado por la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces,

Rds(on)=    1V     = 10 Ohms

100Ma

Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS –
Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la
tensión entre la Puerta y el Surtidor (VGS).

Región de Saturación.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensión
entre el Drenador y el Surtidor (V DS) supera un valor fijo denominado tensión de
saturación (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
características proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (I D), independientemente del valor de
tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor (V DS). Por lo tanto, el transistor
equivale a un generador de corriente continua de valor I D.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de
conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
Drenador y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe,
es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la
diferencia de potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte

casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento,
puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal está en la zona
óhmica.
Región de Ruptura.

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra
ruptura hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del
terminal del drenador.
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:
–En tensión: no se puede superar el valor máximo de
tensión entre la puerta y el surtidor. Este valor se
denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor
máximo de tensión entre el drenador y el surtidor
denominado BVds.
–En corriente: no se puede superar un valor de corriente
por el drenador, conocido como Idmax.
–En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y es
la máxima potencia que puede disipar el componente.

Resumiendo:

Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa de dióxido de silicio en el

MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta,
tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET están
protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La
tensión del zener, es menor que la tensión Puerta-Fuente que soporta el MOSFET
VGS(Max).

Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo que

evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensión de entrada
típica tomará un valor bajo o alto. La tensión baja es 0 V, y la tensión alta es
VGS(on), especificado en hojas de características.

Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se

polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de R DS(on), especificada
en hojas de características. En la curva característica existe un punto Q test en la
zona óhmica. En este punto, ID(on) y VDS(on) están determinados, con los cuales se
calcula RDS(on).

Capacidades parásitas.

Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de condensadores

parásitos en la estructura MOS origina el retraso en la respuesta del mismo,
cuando es excitado por una señal de tensión o intensidad externa. La
carga/descarga de los condensadores parásitos, requiere un determinado tiempo,
que determina la capacidad de respuesta de los MOSFET a una excitación. En la
estructura y funcionamiento de estos transistores se localizan dos grupos de
capacidades:

1) Las capacidades asociadas a las uniones PN de las

áreas de Drenador y Fuente. Son no lineales con las
tensiones de las uniones. Se denominan Capacidades
de Unión.
 2) Las capacidades relacionadas con la estructura MOS.
Están asociadas principalmente a la carga del canal
(iones o cargas libres) y varían notoriamente en
función de la región de operación del transistor, de
modo que, en general, no es posible considerar un
valor constante de las mismas. Se denominan
Capacidades de Puerta.

De ellas, las capacidades de Puerta suelen ser las más significativas y dentro de
ellas, la capacidad de Puerta-Fuente CGS y de Drenador-Fuente, CDS son en
general, las dominantes.
En la siguiente figura, se muestran las curvas de entrada y salida de un transistor
MOSFET N con Vt= 2V conectado en Fuente común (SC), es decir, el terminal de
Fuente, es común la señal de entrada VGS y las señales de salida ID y VDS.

Estas curvas de salida, se obtienen al representar las variaciones de I D al

aumentar VDS, para diferentes valores de VGS, es decir, ID=ƒ(Vds)VGS=cte.
La curva más baja es la curva de V GS(T). Cuando VGS es menor que VGS(T), la
corriente de Drenador es extremadamente pequeña. Cuando V GS es mayor que
VGS(T), fluye una considerable corriente, cuyo valor depende de V GS.
Si VGS≤VT, el transistor MOSFET, estará en la región de corte y la corriente ID=0.
Si VGS≥VT, el transistor MOSFET, estará en la región de conducción y se pueden
dar dos casos:
  a) Si VDS≥VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en la región de saturación y la
corriente será constante para un valor determinado de V GS. La curva de
transferencia de la figura que representa I D=ƒ(VDS)VGS=cte., se obtiene a partir de las
curvas de salida para una tensión V DS constante que sitúe al transistor en
saturación. Se observa que aproximadamente corresponde a la curva de una
parábola con vértice en VT y por tanto, la corriente puede determinarse de forma
aproximada por:
ID=k(VGS-VT2
donde k es el parámetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en
mA/V2.
 b) Si VDS≤VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en la región óhmica de forma
que, al aumentar VDS, también lo harán la corriente y la resistencia del canal. El
comportamiento del transistor puede asociarse a la resistencia que presenta el
canal entre Drenador y Fuente.

EL MOSFET COMO INVERSOR.

El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutación implica que la tensión

de entrada y salida del circuito posee una excursión de tensión, elevada (de 0 a
VDD) entre los niveles lógicos alto H (asociada a la tensión V DD) y bajo L (asociada
a la tensión 0). Para el nivel bajo, se persigue que V GS > Vt y que el transistor se
encuentre trabajando en la región óhmica, con lo cual VDS << 1. Mientras que para
en el nivel alto, se persigue que la tensión de salida sea elevada, y en general,
que el transistor esté funcionando en la región de corte, con VDS >> 1. Se puede
considerar que, el transistor MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus
características en conmutación: pasando de la región de corte a la región óhmica.
El transistor MOSFET en conmutación, basado en un interruptor con resistencia
de Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutación de
corte a saturación y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran
importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal
como RD. En este circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta en corte y V out es igual a la tensión
de alimentación. Cuando Vin esta en nivel alto, el MOSFET esta en conducción y
Vout cae a un nivel bajo. Para que este circuito funcione la corriente de saturación
ID(sat) tiene que ser menor que ID(on).
RDS(on)<< RD
Se denomina inversor, por que la tensión de salida, es de nivel opuesto a la
tensión de entrada. Lo único que se requiere en los circuitos de conmutación, es
que las tensiones de entrada y de salida se puedan reconocer fácilmente, ya sea
en nivel alto o bajo.

EL MOSFET COMO INTERRUPTOR.

Sabemos que si en un MOSFET la tensión entre la Puerta y la Fuente es menor

que la tensión umbral, VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre los
terminales de Fuente y Drenador, la corriente es nula, ya que existe un circuito
abierto. Sin embargo, cuando VGS es mayor que VT se crea el canal, y el transistor
entra en conducción. Cuanto mayor es la tensión de puerta menor es la resistencia
del canal, y ésta puede llegar a aproximarse a un cortocircuito. Así, el MOSFET es
capaz de funcionar como un interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea frecuentemente en electrónica digital,
para transmitir o no, los estados lógicos a través de un circuito. Existe, sin
embargo, una pequeña dificultad: cuando el MOSFET tipo N actúa como
cortocircuito es capaz de transmitir las tensiones bajas; sin embargo las tensiones
altas se ven disminuidas en una cantidad igual al valor de la tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensión en ésta ha de ser V H (VH > VT).
Al transmitir VH, el terminal de la izquierda actúa como Drenador, ya que está a
una tensión más alta, y el de la derecha como Fuente. A medida que la tensión en
el terminal de Fuente aumenta, la tensión entre la Puerta y la Fuente, V GS,
disminuye. Todo esto ocurre hasta que la tensión de la Fuente alcanza el valor V H-
VT, momento en que VGS iguala la tensión umbral y el transistor deja de conducir.
En cambio, al transmitir la tensión V L el terminal de la izquierda actúa como Fuente
y el de la derecha como Drenador. La tensión entre la Puerta y la Fuente
permanece en todo momento constante, a igual a V H-VL (valor que debe ser
superior a la tensión umbral), por lo que en el Drenador se llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente las tensiones altas, y
falla en las bajas. Para evitar estos inconvenientes se conectan en paralelo dos
transistores MOSFET, uno N y otro P.

Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas sin error por el
MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son por el tipo P. Esta configuración, se
denomina puerta de paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas
han de ser complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y viceversa); esto
se indica añadiendo un círculo a una de las puertas, o una barra sobre una de las
tensiones.

Polarización de MOSFET.

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizados para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de V GS para canal n y valor negativo de V GS para
el canal p. Para tener un valor positivo de V GS de canal n y el valor negativo de
VGS de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo tanto
hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para mejorar el
tipo MOSFET.
Realimentación, circuito de polarización.

La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con realimentación típico

para MOSFET canal n de enriquecimiento.

Como se mencionó anteriormente, para el análisis en corriente continua, podemos

reemplazar el condensador de acoplamiento por circuitos abiertos y también
reemplazar el resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya que IG = 0.
La figura, también muestra, el circuito simplificado, para el análisis con recorte de
realimentación CC. Como los terminales de Drenaje y Puerta están en
cortocircuito,
VD=VG
y VDS=VGS=> Vs=0 [1]

Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida, obtenemos,

VDD-IDxRD-VDS=0
si VDS=VDD-IdxRd [2]
o VGS=VDD-IDxRD; si VDS
=VGS [3]

Ejemplo práctico: Para el circuito dado en la siguiente figura, calcular V GS, ID y VDS.
Solución: Tenemos que,
VDD = 12 V
VGS = 8 V
VT = 3 V

Como,

VGS = VDD – ID x RD = 12 – ID x R

Tenemos que,

ID = K(VGS-VT)2

Sustituyendo valores de V GS tenemos,

ID=K((12-Id x Rd)-Vt)2 =0.24 x 10-3[12-ID x 2 x 10-3-3]2
=0.24×10-3 [81 – 36000 ID + 4000000 I2D]
Así; ID = 0.01944 – 8.64 ID + 960 I2d
960 x I2D – 9.64 x ID + 0.01944 = 0
Esto es una ecuación de segundo grado y se puede resolver usando la fórmula
habitual.

Resolución de ecuaciones cuadráticas, usando la fórmula 

tendremos;
960xI2D-9.64xID+0.01944=0 donde,

Si calculamos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA nos quedará,

Vds=Vdd-IdxRd=12-7.2477×10-3x2x103=12-14.495=-2.495
En la práctica, el valor de V DS debe ser positivo, por lo tanto I d =7.2477mA, no es
valido.
Ahora, calculemos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA, obtenemos que,
Vgs=12-2.794×10-3x2x103=12-5.588=6.412V
VGS=6.412V

Inversor con carga activa.

En la figura se muestra un conmutador con carga activa, el MOSFET inferior actúa

como conmutador, pero el superior actúa como una resistencia de valor elevado,
el MOSFET superior tiene su Puerta conectada a su Drenador, por esta razón, se
convierte en un dispositivo de dos terminales, como una resistencia activa, cuyo
valor se puede determinar con:

Donde VDS(activa) e IDS(activa) son tensiones y corrientes en la zona activa.

Para que el circuito trabaje de forma adecuada, la R D del MOSFET superior, tiene
que ser mayor que la RD del MOSFET inferior.

En la figura anterior se indica como calcular la R D del MOSFET superior. Al ser

VGS=VDS, cada punto de trabajo de este MOSFET tiene que estar en la curva de
dos terminales, si se comprueba cada punto de la curva de dos terminales, se vera
que VGS=VDS.
La curva de dos terminales significa que el MOSFET superior actúa como una
resistencia de valor RD. Este valor RD cambia ligeramente para los diferentes
puntos.
En el punto más alto; ID= 3mA y VDS=15V

En el punto mas bajo; ID= 0.7mA y VDS=5v

Una sencilla y práctica explicación del funcionamiento de un transistor MOSFET

puede resumirse en que; al aplicar una determinada tensión (positiva respecto a
GND) sobre la Puerta o Gate, dentro del transistor, se genera un campo eléctrico
que permite la circulación de corriente entre el terminal Drenador y el terminal
Fuente. La tensión mínima de Puerta para que el transistor comience a conducir
(depende de su hoja de datos), por ej. para un IRFZ44N está ubicada entre 2 y 4V,
mientras que la máxima tensión que podremos aplicar, respecto al terminal
Fuente, es de 20V.
En conmutación y en saturación, en el caso del transistor MOSFET IRFZ44N, nos
interesa aplicar 10V de tensión en la Puerta, para lograr la mínima resistencia
entre Drenador y Fuente. En otro caso, no obtendremos el mejor rendimiento, por
la mayor disipación de calor, debido a una mayor resistencia a la circulación de
corriente entre Drenador y Fuente. No se debe sobrepasar la tensión V GS máxima
de 20V, ya que el transistor se estropeará. En cambio, si la tensión de Puerta no
alcanza los 2 a 4V, el transistor no entrará en conducción.
Recapitulemos.
Consideremos, el caso de utilizar el MOSFET en conmutación, se debe aplicar la
señal de activación del MOSFET con un flanco de subida muy corto en tiempo, al
igual que el flanco de bajada. Tal vez con un ejemplo quede más claro.
No es conveniente aplicar la salida de un microcontrolador directamente a un
MOSFET, las razones son evidentes. Existe gran variedad de drivers comerciales,
adecuados para cada necesidad. Por lo tanto, siempre, se debe emplear un driver.
El más sencillo sería un transistor, como se muestra en la figura que sigue.

En el esquema de la figura, la salida del micro, se aplica a R1, cuando la tensión

sea positiva, el NPN conducirá en saturación, por lo tanto, su colector estará
aproximadamente a GND y como consecuencia, el MOSFET, no conducirá. En el
caso de que a la base del NPN le llegue una tensión negativa o cercana a GND, el
transistor no conducirá y la tensión en su colector será cercana a la tensión Vcc,
esto hace que el MOSFET se comporte como un interruptor cerrado, dejando
pasar la máxima intensidad (IDds).
Que hace el transistor NPN, conmuta su estado entre Vcc y GND, la cuestión es
que, lo debe hacer con un tiempo muy corto, al pasar de un estado alto a  un
estado bajo y viceversa. Esto se consigue, reduciendo en lo posible las
capacidades, existentes incluso en los propios transistores BJT. Puesto que lo que
pretendemos es que el MOSFET, no trabaje en la zona óhmica, para evitar las
pérdidas que se evidencian con el calor que desprenderá en su caso.
Mejorando el circuito anterior, podríamos añadir un par de transistores BJT más,
para reducir el tiempo se subida y bajada al conmutar los niveles de tensión,
veamos la siguiente figura.
Cómo se comporta en este caso el circuito. Supongamos un nivel alto, en la salida
del primer transistor NPN, al llegar a la base del transistor NPN de arriba, éste,
conducirá en saturación y por tal motivo, también lo hará el MOSFET. Entre tanto,
el ante dicho nivel, al llegar el transistor PNP de abajo, hará que se corte dicho
transistor, no conduciendo. En el supuesto de tener, un nivel bajo en la salida del
primer transistor NPN, el llegar a la base del segundo NPN, éste no conducirá, sin
embargo, el transistor PNP se comportará como un interruptor cerrado,
conduciendo en saturación, lo que hará que el MOSFET, se bloquee o corte su
paso de corriente. Supongo que ahora está, más claro.
Naturalmente, el estudio del transistor MOSFET, requiere un calado mayor, aquí,
sólo se ha hecho hincapié en los conceptos más relevantes, si bien es cierto, sin
entrar en demasiados detalles.