Laboratorio #6 - Polarizacion Del Transistor BJT

UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS
Facultad de Ingeniería – Sede calle 40

Ingeniería electrónica
Profesor: Pablo Emilio Rozo Garcia
Jaider Alejandro Soto Ovalle Cod. 20202005015

David Nicolas Murillo Nova Cod. 20202005004
David Rodrigo Melo Martinez Cod. 20192005115
Polarización del BJT
Objetivo General.
Comprobar el funcionamiento del transistor una vez polarizado según los parámetros del mismo .
Objetivos Específicos:
● Hallar los valores de las resistencias necesarias para la correcta polarización del
transistor.
● Comparar los valores obtenidos de la teoría con los medidos en la práctica respecto a
los valores obtenidos para las corrientes de base y conector, y los voltajes de C-E Y
B-E.
Marco Teórico.
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:
● Emisor: fuertemente dopado, se comporta como un metal.

● Base: Muy estrecha, separa al emisor del colector.
● Colector: de mayor extensión que la base.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la

base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base,
porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor puede estar en distintas zonas de operación según el caso: zona de corte, zona de
saturación y zona activa.
Estos transistores tienen dos configuraciones:

PNP NPN
Diagramas Electrónicos.
Cálculos
Para 𝑉𝑐𝑐 = 20𝑉 𝑦 𝐼𝑐𝑞 = 8𝑚𝐴
● Calculando 𝑅1 y 𝑅2 para 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2:
1
2
𝑉𝑐𝑐 10𝑣
𝑅𝑐 = 𝐼𝑐
= 8𝑚𝐴
= 1. 25𝐾Ω
1
10
𝑉𝑐𝑐 2𝑣
𝑅𝑒 = 𝐼𝑐
= 8𝑚𝐴
= 250Ω
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0, 7𝑣 + 2𝑣 = 2, 7𝑣
𝑅𝐵 = 10𝑅𝑒 = 2, 5𝐾Ω
𝑉𝐶𝐶 20𝑣
𝑅1 = 𝑉𝐵𝐵
𝑅𝐵 = 2,7𝑣
(2, 5𝐾Ω) = 18, 5𝐾Ω
𝑅1𝑅𝐵 (2,5𝐾)(18,5𝐾)
𝑅2 = 𝑅1−𝑅𝐵
= (2,5𝑘)−(18,5𝐾)
= 2, 9𝐾Ω
● para 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/3:
𝑉𝑐𝑐
3 6,6𝑣
𝑅𝐶 = 𝐼𝑐
= 8𝑚𝐴
= 833Ω
Resultados
1. Comprobación del diseño para 𝑉𝑐𝑐 = 20𝑉, 𝐼𝑐𝑞 = 8𝑚𝐴 𝑦 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2
● Comprobación con multimetro de 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2
● Simulación de 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2

● Comprobación de multimetro de 𝐼𝑐𝑞 = 8𝑚𝐴
● Simulación de 𝐼𝑐𝑞 = 8𝑚𝐴

2. Comprobación de multimetro de 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/3
● Comprobación de 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/3

Tabla de Datos
Teórico Experimental Error
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2 10𝑉 9. 3𝑉 7%
𝐼𝑐𝑞 8𝑚𝐴 8. 98𝑚𝐴 12.25%
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/3 6. 66𝑉 6. 92𝑉 4%
Observaciones
Durante el laboratorio se pudo observar cómo conseguimos polarizar el transistor con las resistencias
calculadas durante el diseño, así como también pudimos ver como los valores en los voltajes de
colector a emisor, y la corriente de colector son bastantes similares a los predecidos por los cálculos.
Conclusiones
Del laboratorio se concluye que a través de las técnicas de diseño podemos determinar valores de las
resistencias para polarizar correctamente el dio y fijar el punto Q en alguna parte de la recta de carga
estática que se deses, además también se puede afirmar que el hecho de que el valor de las resistencias
comerciales no siempre es exactamente igual al que se halló a través del diseño por lo que se debe
esperar algunos porcentajes de error a la hora de montar el circuito.
Anexos
DataSheet Transistor PNP 2N3904

Referencias
● https://uelectronics.com/transistores-bjt/
● https://transistores.info/transistor-de-union-bipolar-bjt/
● https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf

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Facultad de Ingeniería – Sede calle 40

Jaider Alejandro Soto Ovalle Cod. 20202005015

Polarización del BJT

● Emisor: fuertemente dopado, se comporta como un metal.

En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la

Estos transistores tienen dos configuraciones:

Para 𝑉𝑐𝑐 = 20𝑉 𝑦 𝐼𝑐𝑞 = 8𝑚𝐴

● Calculando 𝑅1 y 𝑅2 para 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2:

𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 = 0, 7𝑣 + 2𝑣 = 2, 7𝑣

● Simulación de 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2

● Simulación de 𝐼𝑐𝑞 = 8𝑚𝐴

● Comprobación de 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/3

Teórico Experimental Error

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/2 10𝑉 9. 3𝑉 7%

𝐼𝑐𝑞 8𝑚𝐴 8. 98𝑚𝐴 12.25%

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑐𝑐/3 6. 66𝑉 6. 92𝑉 4%

DataSheet Transistor PNP 2N3904

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