Tema 3.

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Materiales eléctricos
Bloque 3. Estructura y propiedades de los sólidos

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Tema 3.5
Materiales eléctricos
1. Introducción
2. Comportamiento eléctrico de los materiales
3. Estructura de bandas de energía de los sólidos
4. Conductividad en metales y aleaciones
5. Aislantes y semiconductores

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1. Introducción
Clasificación de materiales electrónicos con usos tecnológicos

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Introducción. Conceptos básicos de electricidad
• Ley de Ohm:
V = I R
voltaje (volts = J/C) resistencia (Ohms)
C = Coulomb corriente (amps = C/s)
A
(area) e- I
V
L
• Resistividad, r y conductividad, s:
- formas geométricamente independientes de la ley de Ohm

- la resistividad es una propiedad del material y es independiente

de la muestra
V I resistividad
e : intensidad = r (Ohm-m)
del campo L A
eléctrico J: densidad de corriente
• Resistencia: 1
rL L conductividad s=
R= = r
A As 4
Introducción. Conceptos básicos de electricidad

Más definiciones

J=se <= otra forma de la ley de Ohm

corriente I
J  den. de corriente = = como un flujo
area superficia l A

e  campo eléctrico = V/ or (V/ )

J = s (V/ )

Flujo de electrones conductividad gradiente de voltaje

Portadores de corriente
• electrones en la mayoría de sólidos
• iones (particularmente en soluciones líquidas)
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Introducción. Conceptos básicos de electricidad
También es posible de poner la densidad de corriente (J) como:

J = nqv

n  concentración de portadores de carga

q  carga de cada portador (1.9x10-19 C)
v  velocidad de desplazamiento promedio

s e = nqv o bien s = nqv/e

donde v/e = m = movilidad de los portadores

Se puede controlar la conductividad eléctrica de los materiales variando; 1) la
concentración de portadores, 2) su movilidad. La movilidad es de particular importancia
en los metales, mientras que el número de portadores es más importante en los
semiconductores y en los aislantes 6
2. Comportamiento eléctrico de los materiales
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(a) Portadores de carga, tales como

electrones, son parados por los
átomos o defectos y siguen un
camino irregular a través de un
conductor. La velocidad de
desplazamiento promedio se
denomina v
(b) Los electrones de valencia en el
enlace metálico se mueven
facialmente
(c) en semiconductores y aislantes la
movilidad está más restringida
(d) en compuestos iónicos los iones son
los que tienen que difundir para
actuar como portadores de carga
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8
9
10
• La conductividad eléctrica en materiales está relacionada con los electrones
disponibles para conducir
– No todos los electrones se pueden mover en un material al aplicar una
diferencia de potencial
– La teoría que explica este fenómeno está relacionada con la mecánica
cuántica

• En átomos aislados los electrones ocupan estados de energía bien definidos:

capas (1,2,3….), subcapas (s,p,d,f…..), etc
• Cuando los átomos forman un solido sus electrones de valencia interaccionan
con otros electrones y con los núcleos.
• Además, un efecto mecanocuántico aparece;
– Debido al principio de exclusión de Pauli, hay un límite en el número de
electrones que pueden tener la misma energía.
• Como resultado de este efecto los niveles de energía de los electrones de
valencia se dividen en estados electrónicos muy cercanos formando bandas
amplias de energía cuando se forma el sólido. Estas bandas pueden estar
separadas o no por “gaps” donde los electrones no pueden estar.

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3. Estructura de bandas de energía de los sólidos

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Los niveles de energía se convierten en bandas cuando el número

de átomos que forman el enlace aumenta
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 La extensión de la
división de los estados de
energía depende de la
distancia

Las bandas más externas

comienzan a formar bandas
cuando los átomos se aproximan,
sin embargo las capas internas no
forman bandas hasta distancias
muy cortas. Las bandas
prohibidas (gaps) también
dependen de la distancia.

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• Banda de valencia – llena – niveles de energía ocupados más altos
• Banda de conducción – vacia– niveles de energía desocupados más
bajos
• Nivel de Fermi – estado de energía ocupado más alto a 0 K

Conduction
band

valence band

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(a) En el cero absoluto, todos los electrones en la banda de

valencia están en el nivel de energía más bajo posible.
(b) Cuando la temperatura aumenta, algunos electrones se
excitan a niveles vacíos. Notar que el nivel de Fermi no
cambia.

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Estructura simplificada del

sodio. Los niveles de energía
se trasforman en bandas. La
banda 3s, que sólo está llena
a la mitad con electrones es
la responsable de la
conducción en el sodio.

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Estructura de bandas del

carbón ensu forma
diamante. Los niveles 2s y
2p se combinan para formar
dos bandas híbridas
separadas por una banda
prohibida, Eg.

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 insulator conductor

>2eV
<2eV

Metales con bandas

Metales, 1 electrón s de La banda de valencia está llena, y no se pueden
solapadas. Eg. Ambos
valencia => solo un añadir más electrones (principio de Pauli).
electrones s de valencia
electrón de valencia; Conductividad eléctrica requiere que los
existen en la capa. Las
banda medio llena. electrones sean capaces de ganar energía en
bandas s y p solapan,
presencia de un campo eléctrico. Esto no es
pero la banda p está
posible en estos materiales ya que esto
vacía.
implicaría que los electrones sean promovidos a
la banda prohibida.

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4. Conductividad en metales y aleaciones
• Recorrido libre medio – Es la distancia promedio entre colisiones. Una trayectoria libre
larga implica movilidades y conductividades altas.
• Efecto de la temperatura – Cuando la temperatura de un metal aumenta, la energía
térmica causa que los átomos vibren. Se reduce el recorrido libre medio.
rT = rr(1 + aRT)
rT es la resistividad debida sólo a la vibración térmica, rr es la resistividad a
temperatura ambiente, T es la diferencia de temperatura y aR es el coeficiente
térmico de la resistividad.
• Efecto de defectos atómicos – Las imperfecciones en cristales dispersan los electrones,
reduciendo la movilidad y la resistividad.
rd = b(1 -x)x
rd es el aumento de la resistividad debido a los defectos, x es la fracción atómica de
los átomos de la disolución sólida o de impurezas presentes y b es el coeficiente de
resisitividad debido a defectos.
• Regla de Matthiessen’ – La resisitividad de un material metálico está dado por la adición de
la resisitividad debida a la temperatura (ρT), y un termino independiente de la temperatura
que refleja el efecto de los defectos a nivel atómico incluyendo impurezas (ρd).

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Movimiento de un electrón a través de (a) un cristal

perfecto, (b) un cristal calentado a alta temperatura, y (c)
un cristal que contiene defectos a nivel atómico

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El efecto de la temperatura
sobre la resistividad eléctrica
de un metal con una
estructura perfecta. La
pendiente de la recta es el
coeficiente térmico de la
resistividad.
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5. Aislantes y semiconductores
• Aislantes: • Semiconductores:
- Estados de vacíos - Estados vacíos separados
no accesibles (> 2 eV). por una pequeña energía (< 2 eV).
Energy Energy

empty
band empty
GAP ? band
GAP

filled filled
valence valence
filled states

filled states
band band

filled filled
band band

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 Aislantes y semiconductores
• En semiconductores y aislantes, los electrones tienen que saltar la banda prohibida
hasta la banda de conducción por encima de Ef
• La energía necesaria para el salto se puede originar por calor o por irradiación a
longitudes de onda relativamente cortas.
• La diferencia entre semiconductores y aislantes es que en semiconductores los
electrones pueden alcanzar la banda de conducción a temperaturas ordinarias,
mientras que en aislantes no. Eg es demasiado grande en aislantes como para que
los electrones sean excitados térmica u ópticamente hasta la banda de conducción.
• La probabilidad de que un electrón alcance la banda de conducción es exp(-Eg/2kT)
donde Eg es la energía de la banda prohibida. Si esta probabilidad es < 10-24 no se
encontrará ningún electrón en la banda de conducción en un sólido. Recuerda que
NAv ~ 1024
• Esto requiera Eg/2kT > 55. A temperatura ambiente 2kT = 0.05 eV, Luego valores de
Eg > 2.8 eV corresponden a un aislante.
• Un electrón que salte a la banda de conducción deja un hueco (carga positiva) en la
banda de valencia, que también puede participar en la conducción. Los huecos
también existen en los metales, pero son más importantes en semiconductores.

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Semiconductores
• Semiconductor intrínseco – Un semiconductor en el cual las propiedades están
controladas por el elemento o compuesto que forma el semiconductor y no por
los dopantes o impurezas.
• Semiconductor extrínseco – Un semiconductor modificado por la adición de
dopantes que determinan el número y tipo de portadores de carga.
• Dopado – Adición deliberada de cantidades de otros elementos con el fin de
aumentar el número y tipo de portadores de carga en un semiconductor.
• Recombinación radiativa – Recombinación de huecos y electrones que resulta
en una emisión de luz.

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Semiconductores. Huecos y electrones

Cuando se aplica un potencial a un semiconductor, los electrones se

mueven en una dirección, mientras que los huecos lo hacen en
dirección contraria.

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Semiconductores. Huecos y electrones
La conductividad queda determinada por el número de pares electrón hueco.

s = neqme + nhqmh

donde ne es la concentración de electrones en la banda de conducción; nh es la

concentración de huecos en la banda de valencia, y me y mh son las movilidades de
electrones y de huecos. En el caso de los semiconductores intrínsecos;

n = ne = n h

Por tanto la conductividad es; s = nq(me + mh)

Distribución de electrones y
huecos en las bandas de
conducción y de valencia (a)
en el cero absoluto y (b) a
elevada temperatura.

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Semiconductores. Efecto de la temperatura
La concentración de electrones en la banda de conducción, que es igual que el número
de huecos en la banda de valencia, está dado por:

n = ne = nh = noexp(-Eg/2kT)

donde no se puede considerar como una constante. Temperaturas más elevadas

permiten que más electrones crucen la banda prohibida (gap) y por lo tanto se
incrementará la conductividad.

s = noq(me + mh)exp(-Eg/2kT)

Si se retira la fuente de energía o voltaje de excitación, se vuelven a combinar los

huecos y los electrones después de un periodo de tiempo. La concentración de
conductores en la banda de conducción se reduce con una rapidez dada por;

n = noexp(-t/t)

t es el tiempo después de haber eliminado el campo y t es una constante conocida

como tiempo de recombinación.
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 Semiconductores. Efecto de la temperatura
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Conductividad eléctrica de
semiconductores intrínsecos
comparada con metales.

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Semiconductores. Dopantes
Cuando un átomo dopante
con una valencia mayor
que cuatro se añade al
silicio, un electrón extra se
introduce y se crea un
estado de energía dador.
Estos electrones se excitan
de forma más sencilla a la
banda de conducción.

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 Semiconductores. Dopantes
Cuando un átomo dopante
con una valencia menor
que cuatro se añade al
silicio, un hueco extra se
introduce y se crea un
estado de energía aceptor.
Se requiere ahora poca
energía para hacer que los
huecos conduzcan.
Aquí se cumple:
s = naqmh

donde na es la concentración de
niveles dopantes.

La dependencia de la conductividad
con la temperatura es
ln s = C – Eg/(2kT)
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La pequeña cantidad de conducción intrínseca existirá siempre que algunos electrones
adquieran la energía suficiente para salvar el gap Eg. La concentración total de portadores de
carga es:

ntotal = nd(impurezas) + ne(intrínseca) + nh(intrínseca)

es decir:
ntotal = ndoexp(-Ed/2kT) + noexp(-Eg/2kT)

donde ndo y no son aproximadamente constantes. A bajas temperaturas se producen pocos

electrones y huecos intrínsecos y el número de portadores es aproximadamente de:
ntotal = ndoexp(-Ed/2kT)

Cuando todos los electrones donantes están en la banda de conducción (a una cierta
temperatura) se produce una saturación y el agotamiento de los electrones donantes. Aquí se
cumple:
s = ndqme

donde nd es la concentración de niveles dopantes (concentración de átomos de impurezas)

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 6. Superconductividad
Superconductividad es un estado de ciertos materiales en los que la resistencia eléctrica
es exactamente cero. Esta propiedad de algunos materiales fue descubierta por H.K.
Onnes in 1911.

- La superconductividad también está caracterizada por un fenómeno denominado

efecto Meissner, según el cual un seperconductor es un diamagnético perfecto y expulsa
cualquier campo magnético del interior del superconductor.

-La resistividad eléctrica de un metal decrece gradualmente cuando la temperatura

decrece. Sin embargo, en conductores ordinarios como cobre o plata este decrecimiento
es limitado debido a la presencia de impurezas y otros defectos. Incluso en el cero
absoluto las muestras reales presentan alguna resisitividad. En un superconductor la
resistividad cae abruptamente a cero cuando el material es enfriado por debajo de una
temperatura denominada temperatura crítica. Una corriente eléctrica en un anillo
superconductor persiste indefinidamente sin la aplicación de ninguna potencia.

-En 1986 se descubrió que algunos materiales cerámicos tipo perovskita tenían
temperaturas críticas por encima de 90 K (−183 °C). Estos nuevos superconductores se
denominan de alta temperatura. Desde un punto de vista práctico incluso una
temperatura de 90 K es relativamente fácil de alcanzar con nitrógeno líquido (que tiene
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un punto de ebullición de 77 K).