INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MORELIA

DIVISIÓN DE ESTUDIOS PROFESIONALES

DEPARTAMENTO DE METAL-MECÁNICA

Electrónica de Potencia Aplicada

Evaluación 4
Inversor monofásico de puente
completo con modulación SPWM
PRESENTA:

Wendy Gonzalez Arriaga N.C. 20120027

Juan Carlos Tzintzun Ornelas N.C. 201201253
Itzel Sámano Mora N.C. C20120222

ASESOR:
Fernando Martínez Cárdenas

MORELIA, MICHOACÁN 4 de junio de 2023

1
INTRODUCCIÓN
La función de un inversor es cambiar una señal de entrada de corriente continua, a
una señal de salida de corriente alterna, con el valor eficaz y frecuencia
correspondiente que este demandando la red en el instante determinado. Un
inversor simple consta de una señal de control de un transistor, el cual es utilizado
para interrumpir la corriente entrante y generar una onda cuadrada. Una vez que
se consigue la onda cuadrada esta puede ser filtrada para suavizar su forma,
haciéndola parecer un poco más una onda sinusoidal y produciendo
el voltaje de salida necesario.

Un puente completo está formado por dos medios puentes como se observa en la
figura 1 y será utilizado para rangos de potencias superiores. Con la tensión de
entrada constante, la tensión máxima a la salida del inversor será el doble.

Fig.1 Puente completo obtenido a partir de la unión de 2 medios puentes

En función del método de control seleccionado, los inversores modulados

monofásicos podrán clasificarse en inversores con conmutación bipolar e
inversores con conmutación unipolar.

Para funcionamiento bipolar

En este tipo de funcionamiento los interruptores del inversor tendrán solamente
dos posibles combinaciones:

2
T A+ y T B- cerrados y sus complementarios abiertos. Por tanto, la tensión VAB
tendrá un valor positivo e igual a VD.
T A- y T B+ cerrados y sus complementarios abiertos. Por tanto, la tensión VAB
tendrá un valor negativo e igual a VD.

En esta topología no es necesario que la alimentación en continua disponga de

punto medio 0. Sin embargo, será utilizado para deducir el valor de la tensión
media en un ciclo de conmutación. Las tensiones instantáneas en los semipuentes
(VA0 y VB0) son iguales, pero de signo contrario como se observa en la figura 2,
por lo que al restarlas para obtener la tensión VAB se obtiene una tensión similar a
VA0, pero de valor doble.

Fig.2 Obtención de la tensión VAB a partir de la tensión en los semientes.

Corriente en la parte continua

Suponiendo que la frecuencia de conmutación es muy superior a la frecuencia de
la fundamental, los filtros utilizados pueden ser tan pequeños que no afecten a

3
esta ni en amplitud ni en fase (fig.3) . Así, las variaciones de las magnitudes
(corriente y tensión) en los filtros solo serán representadas a frecuencia de
conmutación. Supongamos que la tensión a la salida del inversor (v0 ) alimenta
una carga inductiva que consume una corriente senoidal (i0 ). Los valores de las
corrientes y tensiones vienen expresados mediante (1) y (2).

(1) 𝑽𝒐 = √𝟐 ⋅ 𝒗𝟎 ⋅ 𝒔𝒄𝒏(𝝎𝒕)
(2) 𝑰𝒐 = √𝟐 ⋅ 𝑰𝟎 ⋅ 𝒔𝒄𝒏(𝝎𝒕 − 𝑾)

Fig.3 Inversor monofásico y filtros.

Suponiendo que los filtros son de un tamaño muy reducido, la energía en ellos
almacenada se considerará despreciable. En estas condiciones y suponiendo
todos los componentes del circuito ideales, la potencia entregada a la carga en un
instante determinado debe ser igual a la potencia en la parte de continua,
cumpliéndose la siguiente ecuación (3).
(3) 𝒗𝑫 ⋅ 𝑰𝒅 ∗ = 𝒗𝟎 (𝒕) ∗ 𝒊𝟎 (𝒕)

En la mayor parte de los sistemas reales, considerar constante la tensión VD no

es totalmente cierto. Esta tensión continua suele obtenerse a partir de la tensión
de red mediante rectificadores y filtrado. El rizado a la salida del filtro utilizado
estará originado por dos fuentes:
1.- El rizado obtenido en el rectificador que será de una frecuencia relacionada
con la de red dependiendo del número de fases utilizado.

4
2.- Como consecuencia de las fluctuaciones de corriente producidas sobre el
condensador de filtrado.

Recordando que se ha supuesto despreciable el efecto de la alta frecuencia.

Funcionamiento unipolar
En el caso anterior (funcionamiento bipolar) mediante una única señal de control
(Vcontrol) se determinaban todas las señales de disparo de los cuatro
interruptores que forman el inversor en puente completo. Si la tensión de control
superaba a la triangular se cerraban T A+ y T B- y en caso contraio T A- y T B+.
En un puente con funcionamiento unipolar serán necesarias dos señales de
control VCA y VCB. Estas tensiones de control darán lugar a dos tensiones
diferentes a la salida de cada semipuente VA0 y VB0. La tensión a la salida del
inversor VAB podrá calcularse al igual que en el caso anterior como la diferencia
entre las dos tensiones anteriormente mencionadas (VAB=VA0-VB0). Las
tensiones de control para cada uno de los medios puentes podrán ser expresadas
de forma general mediante las expresiones recogidas en (4). La frecuencia de las
dos señales de control debe ser igual para obtener una señal a la salida de esa
misma frecuencia.
𝒗𝑪𝑨 = 𝒗𝑪𝑨 𝒔𝒆𝒏(𝒘𝒕)
(4)
𝒗𝑪𝑩 = 𝒗𝑪𝑩 𝒔𝒆𝒏(𝒘𝒕 + 𝑾)

La tensión VAB podrá ser controlada mediante VCA, VCB y W. Para que las dos
ramas del puente trabajen con las mismas corrientes y tensiones, es decir de
forma equilibrada, será necesario que los valores de pico de las dos tensiones de
control sean iguales (VCA=VCB=VC ).

Llegando a la deducción de que para obtener el valor máximo de tensión a la

salida (VAB) debe seleccionarse un desfase entre las señales de control igual a 𝜋
(180º). En estas condiciones el valor de la tensión de pico máxima es igual a la
tensión de pico máxima que podía obtenerse mediante un inversor monofásico
bipolar. Sin embargo, aunque las tensiones que se pueden alcanzar son iguales

5
tanto en la configuración bipolar como en la unipolar, esta última tiene una ventaja
muy importante sobre la otra: “Su contenido armónico es menor”

Fig.4 Tensión a la salida VAB con control unipolar.

Al observar la señal obtenida mediante modulación unipolar de la Fig. 4 se aprecia

que es más parecida a una señal senoidal que las tensiones obtenidas mediante
modulación bipolar.

Contenido armónico de las tensiones obtenidas mediante modulación

unipolar.

Para “construir” la señal modulada en este tipo de inversores se dispondrá de tres

niveles de tensión: VD,-VD y 0. La tensión nula sobre la carga se obtendrá cuando

6
estén cerrados simultáneamente los dos interruptores de la parte superior (T A+ y
T B+) o los dos interruptores de la parte inferior (T A- y T B- ) como puede
comprobarse en la figura 5.

Fig.5 Contenido armónico para señal con modulación bipolar.

Fig.6 Contenido armónico para señal con modulación unipolar.

Las Fig. 5 y 6 muestran una comparativa entre el contenido armónico de dos

señales obtenidas con iguales índices de modulación, pero con diferentes
estrategias de conmutación. Como puede comprobarse, el contenido armónico de
la tensión obtenida mediante modulación unipolar es mucho menor que el de la
señal obtenida con modulación bipolar. Además de ser menor está más alejado en
la frecuencia por lo que su filtrado será más sencillo. Al utilizar modulación
unipolar con desfase entre las señales de control de 180º se anulan los armónicos
en las cercanías de la frecuencia de la triangular y sus múltiplos impares.

7
Sobre modulación
Cuando el índice de modulación en amplitud es superior a la unidad (m, >1), la
señal senoidal supera a la triangular y no se producirán conmutaciones, se
producirá la sobremodulación. Si se conserva el desfase entre las dos señales de
control (VCA Y VCB) igual a 180º la relación entre el índice de modulación en
amplitud y la tensión de la fundamental será igual que para el control bipolar. Sin
embargo, disponemos de dos métodos de control de la tensión, la variación de la
amplitud de la señal de control y la variación del desfase de las señales de control.
En un caso extremo donde las señales en los semipuentes (A y B) fueran
tensiones cuadradas podría controlarse la tensión mediante el desfase entre las
mismas como se puede ver en la Fig. 7 es un caso particular de los inversores
modulados.

Fig.7 Control de la tensión de un inversor no modulado como caso

particular de un inversor modulado con control unipolar.

8
Los inversores pueden ser utilizados en una gran variedad de aplicaciones, desde
pequeñas fuentes de alimentación para computadoras, hasta aplicaciones
industriales para instalaciones de alta potencia.

Cálculos
Para la frecuencia de la señal portadora debemos calcularla de la siguiente
manera:
𝑓𝑝 = 2(#𝑝𝑢𝑙𝑠𝑜𝑠 𝑝𝑜𝑟 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜)(𝑓 𝑓𝑢𝑛𝑑𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙)

En nuestro inversor se desean un total de 7 pulsos por semiciclo, es decir que por
cada ciclo completo tengamos 14 pulsos. Considerando que la frecuencia
fundamental es la de 60 Hz, obtenemos lo siguiente:

𝑓𝑝 = 2(7)(60 𝐻𝑧) = 840 𝐻𝑧

Una vez obtenido esto, obtenemos el periodo, que es lo que nos interesa, para
esto sabemos que la frecuencia es el inverso del periodo, por lo cual el periodo
sería igual a:
1 1
𝜏𝑝 = = = 0.001190476 𝑆
𝑓𝑝 840 𝐻𝑧

Lo que es igual a 1.1904 ms, como necesitamos saber el valor del tiempo de
subida y de bajada para ingresar en simulador, basta con dividir el valor del
periodo entre dos, ya que la señal portadora será simétrica. Por lo tanto, el tiempo
de subida y bajada es de 0.59523 ms.

CÁLCULOS PARA INVERSOR CON CARGA RL

Ahora se realizarán los cálculos para el inversor con carga RL, para ello primero
se anotarán los valores iniciales.

9
Tabla 1. Valores iniciales para inversor con carga RL
Vs R L
180 v 20 Ω 0.01 mH

La tensión en la carga se calcula con ayuda de las series de Fourier, con la

siguiente formula:
∞
4𝑉𝑠
𝑉𝑜 (𝑡) = ∑ 𝑠𝑒𝑛(𝑛𝜔𝑡)
𝑛𝜋
𝑛=1,3,5,…

De aquí podemos obtener la amplitud de las tensiones para cada término se

expresa de la siguiente manera:
4𝑉𝑠
𝑉𝑛 =
𝑛𝜋
Ecuación (1)
La amplitud de la corriente para cada uno de los términos se calcula a partir de la
siguiente ecuación:
𝑉𝑛
𝐼𝑛 =
𝑍𝑛
Ecuación (2)
Donde la impedancia de cada término se calcula con la siguiente ecuación:

𝑍𝑛 = √𝑅2 + (𝑛𝜔𝐿)2
Ecuación (3)
Por último, la potencia absorbida por la carga se calcula con la siguiente formula:

𝑃 = ∑ 𝑃𝑛
Donde la Pn es la potencia de cada término, el cual se obtiene a partir de la
siguiente ecuación:
𝐼𝑛 2
𝑃𝑛 = ( ) ∗ 𝑅
√2
Ecuación (4)
Al colocar los resultados en una tabla (tabla 2) podemos obtener la potencia
absorbida por la carga:

Tabla 2. Parámetros de frecuencia, voltaje, corriente, impedancia y potencia para

cada término de la serie de Fourier.

10
 n fn Vn Zn In Pn
1 60 229.182582 20.0000004 11.4591289 1313.11635
3 180 76.394194 20.0000032 3.81970909 145.901775
5 300 45.8365164 20.0000089 2.2918248 52.5246093
7 420 32.7403689 20.0000174 1.63701702 26.7982472
9 540 25.4647313 20.0000288 1.27323474 16.2112669
11 660 20.8347802 20.000043 1.04173677 10.852155
13 780 17.6294294 20.00006 0.88146882 7.76987286
15 900 15.2788388 20.0000799 0.76393889 5.83602623
17 1020 13.4813284 20.0001027 0.67406296 4.5436087
19 1140 12.0622412 20.0001283 0.60310819 3.63739489
21 1260 10.9134563 20.0001567 0.54566854 2.97754155
23 1380 9.96446009 20.000188 0.49821832 2.48221497

Si continuamos con la sumatoria hasta ∞ podremos observar como P ≈ 1620 𝑊,

esto puede ser comprobado con la aproximación de la formula:
𝑉𝑠 2
𝑃𝑜 =
𝑅
Ecuación (5)
Lo cual al sustituir nos da el siguiente resultado:

(180 𝑣)2
𝑃𝑜 = = 1620 𝑊
20 Ω

Para calcular la amplitud de la onda de salida, basta con calcular la amplitud de la

fundamental, la cual podemos obtener en base a la ecuación 1:

4𝑉𝑠
𝑉𝑜 =
√2𝜋
Ecuación (6)
Por lo tanto, el valor de la tensión RMS en la carga es igual a:
4(180 𝑣)
𝑉𝑜 = = 162.05 𝑉𝑅𝑀𝑆
√2𝜋

De manera similar podemos calcular la corriente en la carga donde tomamos la

amplitud de la fundamental y la dividimos entre √2. Tomando el valor de la
amplitud en la corriente de la tabla 2 obtenemos lo siguiente:

11.45 𝐴
𝐼𝑜 = = 8.09 𝐴
√2

11
Para calcular la distorsión armónica total (THD) de la tensión utilizamos la
siguiente fórmula:
2
√𝑉2𝑠 − ( 4𝑉𝑠 )
√2𝜋
𝑇𝐻𝐷𝑣 =
4𝑉𝑠
√2𝜋
Ecuación (7)
Al sustituir en la ecuación 7 obtenemos:

2
√180𝑣2 − (4(180𝑣) )
√2𝜋
𝑇𝐻𝐷𝑣 = = 0.4843 = 48.34%
4(180𝑣)
√2𝜋

Para calcular la distorsión armónica total de la corriente utilizaremos la serie de

Fourier truncada, esto con base en los datos de la tabla 2.

√∑∞ 2
𝑛=2(𝐼𝑛,𝑅𝑀𝑆 )
𝑇𝐻𝐷𝐼 =
𝐼1,𝑅𝑀𝑆

Esto nos queda de la siguiente manera:

2 2 2 2 2 2
√(3.819 ) + (2.291 ) + (1.637 ) + (1.273 ) + (1.041 ) + (0.881)
√2 √2 √2 √2 √2 √2
𝑇𝐻𝐷𝐼 =
11.459 2
( )
√2
𝑇𝐻𝐷𝐼 = 0.4452 = 44.52%

Ahora calculamos el factor de distorsión (DF) el cual se obtiene a través de la

siguiente relación:

∞ 1/2
1 𝑉𝑜𝑛
𝐷𝐹 = [ ∑ ( 2 )2 ]
𝑉𝑜1 𝑛
𝑛=2,3,…

Ecuación (8)
Realizando primero la sumatoria, obtenemos la siguiente relación:

12
 2 2 2 2 1/2
76.394 45.836 32.74 25.464
[( ) +( ) +( ) +( ) +⋯] = 0.048𝑉𝑠
32 52 72 92

Ecuación (9)

De la ecuación 5 podemos obtener Vo1 el cual quedaría de la siguiente manera:

4𝑉𝑠
𝑉𝑜1 = = 0.9𝑉𝑠
√2𝜋

Ecuación (10)

Entonces, sustituyendo las ecuaciones 9 y 10 en la ecuación 8, obtenemos lo

siguiente:

0.048𝑉𝑠
𝐷𝐹 = = 0.0533 = 5.33%
0.9𝑉𝑠

CÁLCULOS PARA INVERSOR CON CARGA R

Como se realizó para la carga RL, se inicia poniendo nuestros valores iniciales:

Tabla 3. Valores iniciales para inversor con carga R

Vs R
180 v 20 Ω

Para conocer la amplitud máxima de la tensión, se utiliza la ecuación 6:

4𝑉𝑠 4(180𝑣)
𝑉𝑜 = = = 162.05 𝑉𝑅𝑀𝑆
√2𝜋 √2𝜋

La potencia de salida se calcula con la ecuación 5, por lo tanto, la potencia es

igual a:
𝑉𝑠2 (180𝑉)2
𝑃𝑜 = = = 1620𝑊
𝑅 20Ω

La corriente se obtiene con la siguiente expresión:

𝑉𝑜 162.05 𝑉
𝐼𝑜 = = = 8.10 𝐴
𝑅 20Ω

13
Ahora bien, para obtener la distorsión armónica total de la tensión utilizamos la
ecuación 7, como vemos que se tiene el mismo voltaje de entrada, la distorsión
armónica será la misma 48.34%. Ahora para conocer el factor de distorsión (DF)
utilizamos la ecuación 8, de aquí podemos ver que el Vo1 vuelve se 0.9 Vs, y
también la sumatoria mantiene la misma relación la cual dice que:

2 2 2 2 1/2
𝑉𝑜3 𝑉𝑜5 𝑉𝑜7 𝑉𝑜9
[( ) +( ) +( ) +( ) + ⋯] = 0.048𝑉𝑠
32 52 72 92

Por lo tanto, el factor de distorsión es de 5.33%.

Simulación con carga R

Fig. 8 Simulación elaborada en LTspice del circuito con carga R

En este circuito se recomienda de señalar el comienzo de la parte útil de la señal

de entrada donde dice la moduladora es el mensaje que queremos transportar y
las portadoras son las ondas que modificamos para transportar la información. Ya
que tendrá la etapa del circuito SPWM tomando a los drivers IR2110 y una fuente
de 15V para los drivers y se muestra la etapa de potencia de un inversor
monofásico de puente completo.

14
Fig. 9 Forma de onda para la moduladora

En esta forma de señal moduladora es la señal que contiene la información a

transmitir. La modulación es la adición de información a una señal electrónica u
óptica de transmisión principal pudiendo ser aplicada desde una corriente directa
como onda principal (apagándola y encendiéndola), a una corriente alterna y a
señales ópticas como las usadas en fibra óptica.

Fig 10. Forma de onda de la señal portadora 1 (V (moduladora, Portadora_1))

15
La portadora es modulada por una señal que se quiere transmitir. Esta onda
portadora es de una frecuencia mucho más alta que la de la señal moduladora. Al
modular una señal desplazamos su contenido en frecuencia, ocupando un cierto
ancho de banda alrededor de la frecuencia de la onda portadora, permitiéndonos
multiplexar en frecuencia varias señales simplemente utilizando diferentes ondas
portadoras y conseguir así un uso más eficiente.

Fig. 11 Forma de onda de la señal portadora 2 (V (moduladora, Portadora_2))

En esta Figura se fija que la moduladora esta pegada debajo del “V (moduladora,
Portadora_2)” se llama modulación en amplitud consiste la función de las
variaciones del nivel de la señal moduladora. Utilizando el ejemplo del sonido que
modula la onda electromagnética: la amplitud de la señal electromagnética la
perfilamos al ritmo de las perturbaciones que provoca la señal de audio. Igual
como la figura 10, la portadora 1 esta debajo de la moduladora.

16
Fig. 12 Forma de onda de Voltaje (V (spwm1)) y de la corriente de la resistencia
4.7 kΩ (I (R14))
En la figura 12 se observa que la forma de onda de la corriente conduce cada
cierto periodo en este caso, conduce en el ciclo positivo, generando un tren de
pulsos en el voltaje cuando la corriente se encuentra en 0 mA en la resistencia de
4,7 kΩ
Los inversores con técnicas SPWM son altamente eficientes y de muy baja
distorsión, lo que da como resultado la solución para la necesidad de la sociedad,
las regiones y o comunidades alejadas, de energía convencional, pues se puede
esta se puede utilizar en ambulancias e instrumentos médicos, así como en otros
medios, con lo que se garantiza la vida útil en los electrodomésticos conectados a
él.

Fig. 13 Forma de onde del voltaje (V (spwm2)) y de la corriente de la resistencia

4.7 kΩ (I (R15))

En la fig.13 pose el mismo funcionamiento que la fig.12 con la diferencia que esta
conduce en el ciclo negativo y de igual manera cuando la corriente decae a 0 mA
genera el tren de pulsos para el voltaje.

17
Fig. 14 Forma de onda de Voltaje de P+ y P-

Para la figura 14 se observa que se unen los voltajes mostrados en la figura 12 y

13 respectivamente lo cual nos genera un tren de pulsos completo tanto para la
parte positiva como para la parte negativa, lo cual nos indica que siempre se
encuentra en conducción salvo a un pequeño instante en el cual hace el cabio de
0 a positivo o negativo.

Fig. 15 Forma de onda de voltaje de la resistencia 20 Ω (V (Vdd, N001) y de la

corriente I (R7)

En estas 2 formas de onda de la resistencia 20 Ω tienen los impulsos alternados

positivos y negativos.

18
Fig. 16 Forma de onda de voltaje del diodo U3 y de la corriente del diodo U3

El diodo MUR160 es un semiconductor rectificador que tiene la construcción de

troquel de vidrio pasivado, el tiempo de recuperación superrápido para alta
eficiencia, o bien, la caída de voltaje directa baja y capacidad de alta corriente ya
que tiene la clasificación de sobrecarga de pico de 35 A que se aplica la ideal para
ensamblaje automatizado.

Fig. 17 Forma de onda de voltaje entre la resistencia R7 y el diodo U3

Algo muy parecido como la figura 16 pues tienen mismos pulsos por semiciclos.

19
Fig. 18 Forma de onda del voltaje de la resistencia 4.7 Ω (V (N003, g)) y de la
corriente de la resistencia 4.7 Ω I (R6)

En la figura 18 conduce como los impulsos y de igual manera cuando la corriente

va el contrario del voltaje.

Fig. 19 Forma de onda del voltaje del Capacitor 1u y de la corriente del capacitor

El voltaje de capacitor dispara hasta mas de 13 V pero la corriente del capacitor

que fluye a través de un capacitor provoca la acumulación de carga

20
Fig. 20. Forma de onda del Voltaje de la resistencia (R16) 4.7Ω y de la corriente
de la resistencia 4.7 Ω

En la figura 20 posee el mismo funcionamiento de la figura 18.

Fig. 21. Forma de onda del Voltaje de la resistencia (R9) 4.7Ω y de la corriente de
la resistencia 4.7 Ω

Tanto como la figura 18 y la figura 21 son iguales de HO en drivers.

21
Fig. 22. Forma de onda del Voltaje de la resistencia (R8) 4.7Ω y de la corriente de
la resistencia 4.7 Ω

Tanto como la figura 20 y la figura 22 son iguales de LO en drivers.

Fig. 23. Forma de onda del Voltaje de los pines g y s (V (g, s))

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea
una región de agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta
tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores en la región de agotamiento,
que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de
conducción, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y fuente dará
lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada
por la tensión de puerta.

22
Fig. 24. Forma de onda del Voltaje de los pines g y s (V (g1, s1))

En la fig. 24 pose el mismo funcionamiento que la fig. 23 que recorre un poco los
pulsos por semiciclos. Vgs es positiva, un voltaje inducido atrae a los electrones
del substrato p y los acumula en la superficie. Si Vgs es mayor o igual a un valor
llamado voltaje umbral,

Fig. 25. Forma de onda del Voltaje de entrada de la etapa de potencia (V (n005))

En la figura 25, se conecta al Vs en la etapa de potencia aparece en la figura 8 se

puede ver la señal de entrada 180 V que sale directamente muy constante.

23
Fig. 26. Forma de onda del Voltaje del Primer MOSFET (IRF840) ((V (g))

En esta forma de onda del primer MOSFET (U8) el funcionamiento que tienen los
7 pulsos por semiciclos que van por los positivos y se decaen a los negativos.

Fig. 27. Forma de onda del Voltaje del Segundo MOSFET (IRF840) ((V (g1))

Esta figura que se fija la forma de onda del 2° MOSFET se invierte o se recorre
como la figura 26.

24
Fig. 28. Forma de onda del Voltaje del Tercer MOSFET (IRF840) ((V (g2))

En la figura 28 cuando empieza a disparar los impulsos de 0ms hasta 10ms y

vuelve a disparar los 7 pulsos por semiciclos.

Fig. 29. Forma de onda del Voltaje del Cuarto MOSFET (IRF840) ((V (g3))

En esta Figura se atrase el primero que empiezan los 7 pulsos por semiciclos y
luego los impulsos son muy pequeños que recorrer alrededor del circuito.

25
Fig. 30. Forma de onda del Voltaje entre la resistencia R1 y el capacitor C1 (V
(n006, s))

Se veían que repiten los 7 pulsos por semiciclos cuando empiezan entre 100 V y
80 v que no es el cero porque va el primero que están en nodos del primer
MOSFET.

Fig. 31. Forma de onda del Voltaje del Voltaje entre la resistencia R3 y el capacitor
C3 (V (n006, s1))

Se veían igual entre la figura 31 y la figura 30 pero se invierten.

26
Fig. 32. Forma de onda del Voltaje del Voltaje entre la resistencia R2 y el capacitor
C2 (V(s))

En esta figura se invierten como la figura 30 donde dice el Voltaje s.

Fig. 33. Forma de onda del Voltaje del Voltaje entre la resistencia R4 y el capacitor
C4 (V(s1))

Así se sale en esta figura que posee por el funcionamiento de los 7 pulsos por
semiciclos ya que tal como la figura 31 que se invierten que empiezan entre 100 v
y 80 v se decae hacia abajo desde el cero y empiezan a los pulsos por semiciclos.

27
Carga R

En la figura 34 se pueden apreciar los de pulsos de la corriente generados por la

conmutación en el puente H cuando los transistores u7 y u9 se encuentran
conduciendo en el periodo negativo los transistores u8 y u10 se mantienen
apagados, por lo cual se puede apreciar una señal cuadrada en ambos ciclos
tanto positivo como negativo

Fig. 35 Corriente en la carga R

Se invierte como el voltaje respecto a la corriente de la carga R

28
Fig. 35 Forma de onda de el voltaje en la carga V(out)
El voltaje está relacionado con la corriente que presenta la fig.34 por lo cual
siempre se tendrá el tren de pulsos para la parte negativa como para la positiva a
acepción de un pequeño momento en el cual se hace el cambio del ciclo positivo
al negativo la generación del pulso en el voltaje sucederá cuando la corriente se
encuentre en 0 mA.

Simulación con carga RL

Fig. 37 Corriente en la carga RL

La tensión de entrada se convierte en una forma de onda de corriente alterna CA
en la carga RL. Durante cada ciclo de la señal de frecuencia de salida deseada,
los transistores del puente inversor se activan y desactivan de acuerdo con una
señal de referencia modulada.

Cuando se activa un transistor del puente inversor, se establece un camino de

conducción desde la fuente de voltaje de entrada a través del inductor L y la carga
RL. Esto genera una corriente creciente a través del inductor, ya que se acumula
energía magnética en su campo.

29
Cuando se desactiva el transistor que estaba activo, se interrumpe el flujo de
corriente hacia la carga. Entonces, la energía magnética almacenada en el
inductor intenta mantener la corriente fluyendo, pero no tiene un camino de retorno
por lo cual podemos notar que la señal cuadrada no es perfecta, sino que tiene
unos pequeños picos.

Fig. 37 Corriente en la carga RL

La tensión de entrada se convierte en una forma de onda de corriente alterna CA
en la carga RL. Durante cada ciclo de la señal de frecuencia de salida deseada,
los transistores del puente inversor se activan y desactivan de acuerdo con una
señal de referencia modulada.

Cuando se activa un transistor del puente inversor, se establece un camino de

conducción desde la fuente de voltaje de entrada a través del inductor L y la carga
RL. Esto genera una corriente creciente a través del inductor, ya que se acumula
energía magnética en su campo.
Cuando se desactiva el transistor que estaba activo, se interrumpe el flujo de
corriente hacia la carga. Entonces, la energía magnética almacenada en el
inductor intenta mantener la corriente fluyendo, pero no tiene un camino de retorno
por lo cual podemos notar que la señal cuadrada no es perfecta, sino que tiene
unos pequeños picos.

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Fig. 38 Voltaje en la carga RL.

La figura 38 se relaciona con la 37 ya que es su corriente y como bien pudimos ver

la corriente siempre se encuentra presente conduciendo dependiendo de que
transistores se encuentren en funcionamiento por lo cual siempre se obtendrán
trenes de voltajes para el ciclo positivo y el negativo dichos trenes tendrán leves
distorsiones o picos debido a la corriente almacenada que posee el inductor.

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CONCLUSIÓN.
En conclusión, al realizar esta simulación hemos podido adquirir mayor
conocimiento sobre el inversor con modulación spwm. Durante la simulación,
pudimos apreciar cómo la técnica de modulación por ancho de pulso se utiliza
para controlar la forma de onda y la magnitud de la tensión de salida en el
inversor. La generación de la señal de referencia triangular y la señal de referencia
moduladora, y su comparación para activar y desactivar los transistores del puente
inversor en momentos específicos, fue una parte fundamental de la simulación.
Esto nos permitió comprender cómo el ajuste del ancho de pulso afecta la forma
de onda resultante y cómo se logra una salida de voltaje deseada según lo que
requiramos.

Para lograr la simulación tuvimos que experimentar con diferentes configuraciones

y parámetros, como la frecuencia de conmutación, el factor de modulación y la
forma de onda de referencia. Esto nos ayudó a comprender un poco el cómo los
factores influyen en el rendimiento y la eficiencia del inversor. Aprendimos que los
cálculos y selección adecuados son cruciales para garantizar una operación
óptima del inversor y una calidad de voltaje de salida deseada.

Además, en la simulación pudimos observar el impacto de las distorsiones y los

armónicos en la forma de onda de salida. Con lo cual nos dimos cuenta cómo la
modulación SPWM puede ayudar a reducir estos efectos no deseados y mejorar la
calidad de la tensión de salida, minimizando así posibles daños a la carga y
mejorando la eficiencia del sistema.
En conclusión, el desarrollo de esta simulación fue un tanto complicada ya que se
tuvieron algunas dificultades para su elaboración, pero una vez ya completada nos
dimos cuenta de como beneficia la modulación spwm al inversor.

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BIbliografia
(1).- Power electronics.: converters, applications and design (2nd Ed.) Autor: N. Mohan,
T.M. Undeland, W.P.Robbins Editor: John Wiley & Sons, 1995 I.S.B.N.: 0-471-58408-.

(2).-Electrónica de Potencia. Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. (2ª Edición) Autor:

Muhammad H. Rashid Editor: Prentice Hall I.S.B.N.: 968-880-586-6 .

(3).- Electrónica Industrial: Técnicas de Potencia. Autor: J. A. Gualda, S. Martínez, P. M.

Martínez Editor: Marcombo I.S.B.N.: 84-267-0843-9

(4).- OSCar, V. V., León, C., Javier, P. R., & JOS, B. J. Diseño e implementación de un inversor
monofásico puente completo para un sistema de bombeo fotovoltaico.

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