Simulación AGC
Simulación AGC
Simulación AGC
Introducción
El diagrama en bloques del presente circuito se describe en la Fig. 1 y está
formado, básicamente, por un acoplamiento de entrada de la señal que se toma de la
última etapa de frecuencia intermedia (FI), la etapa de entrada del AGC de
acoplamiento directo, un rectificador de AGC, la constante de tiempo de descarga RC
y, finalmente, una etapa amplificadora de cc con seguidor de fuente y un amplificador
operacional de salida.
Las condiciones de diseño de este circuito con Rg=50 implican una ganancia
de tensión máxima, en alterna, de aproximadamente 100 veces, es decir, unos 40dB y
una alimentación de 12V de continua.
El transistor BF245, FET de canal N, admite una corriente de drenaje aceptable,
pudiendo trabajar cómodamente con una ID de 8 ó 9 mA en la mitad de su característica.
El transistor 2N3906, PNP, es adecuado aunque podría utilizarse cualquier otro
equivalente. La idea es polarizar el transistor bipolar (en situación de máxima ganancia
de la etapa, RF=RF_mín) para una corriente de 1 a 2 mA y, de esta manera, evitar que el
sistema se corte para valores menores de ganancia.
Para alimentar el “drenador” (escape como le llaman algunos) del FET se
utilizará una inductancia de choque tal que su impedancia en corriente alterna, a la
frecuencia de trabajo (455kHz), sea mucho mayor que la resistencia de entrada del
transistor BJT (Zch10Ri). Si se estima Ri1k un valor adecuado para el choque podría
ser Lch3mH.
Por otra parte, para una distribución equitativa de los potenciales sería
conveniente que la carga del transistor BJT fuera del orden Rc10R3. Para una carga
Rc=820 podría adoptarse un valor comercial de R3=82.
Para la polarización se puede escribir la siguiente ecuación de equilibrio,
Si se tiene en cuenta una resistencia en corriente continua (medida con un polímetro) del
choque de Rch=10 de donde surge un valor comercial de R282 (cabe recordar que se
supuso inicialmente ID9mA y IE1.5mA).
El valor de RF puede determinarse a partir de la ecuación de Schokley y las
características del transistor FET BF245C.
Polarización de la etapa de entrada del AGC
De las características técnicas del transistor adoptado, el BF245C, se obtiene la
corriente de drenador para VGS=0, valor típico IDSS=16mA. Para la tensión de puerta de
estrangulamiento Vp el fabricante especifica unos valores con una considerable
dispersión (de –0.25V a –8V). En el modelo PSpice se utiliza un valor del orden de
Vp=2.75V (Vp=VGSoff), se trabajará entonces con:
IDSS=16mA; Vp=2.75V
Se fijará la corriente de reposo aproximadamente en la mitad de la característica de
transferencia (ID=f(Vg)):
IDQ=9mA.
La tensión de puerta-fuente de reposo mediante la expresión de Schokley vale,
Para este valor de RF se obtendría una ganancia aproximada de A´v100 con una
resistencia RL8k2, sin embargo, la simulación nos demostrará que la realimentación
negativa deberá ser algo más débil, especialmente si Rg>>50. Un valor RL12k
resulta más realista. Cabe puntualizar que para impartir una mayor flexibilidad al
circuito se instalará posteriormente, en serie con RF_mín, un potenciómetro Rpot de unos
2.2k que permitirá ajustar el AGC hasta ganancias de 10 veces o menores si se desea,
de esta forma RF=RF_mín+Rpot.
S
a
l
i
d
a 1.0V
0V
0s 20us 40us 60us 80us 100us
V(SALIDA_1)
Time
Fig. 3 Tensión de salida del amplificador de entrada (Salida_1)
La simulación del circuito de la Fig. 2 para una excitación Vg de 15mV de pico
con Rg=50k permite obtener en la Salida_1 una tensión aproximada de unos 1.8V pap
como se muestra en la Fig. 3. La ganancia de tensión simulada A´v es del orden de 60.
Con la resistencia de Rg=50 de la Fig. 2 esta ganancia sería de aproximadamente 100.
R12
Cc +12Vdc
RL D2 47k
V(C)
Vg 77 100n D1N914
C 100n
VAMPL = {Vval} Rc 820 R11 10k R 5Meg
FREQ = 455kHz
0
1.50V
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms 120ms 140ms 160ms
V(C:2)
Time
1
Wes Hayward, and Doug DeMaw-. ARRL-. USA-. 1995.
2
William Gosling-. El Transistor de Efecto de Campo y sus Aplicaciones-. Paraninfo-. Madrid-. 1967.
3
Ulrich L. Rohde, T. T. Bucher-. McGraw-Hill Book Co.-. Usa-. 1999.
Fig. 5 Simulación de la carga de C para cuatro valores próximos de la tensión de entrada al AGC
R2 R4 R5 C5
C2 Rch 82
82 100
2 C4 100n 200u R9 1k
100n 10 R3 82 Vcc C6
0 C3 12Vdc 0
Lch 3mH 100n
22n R8 12k 0
PARAMETERS:
R7 U1
7
Vval = 0.2mV 1 Q2N3906 0
C1 3 5
J1 8.2k + OS2
V+
Q1 R12 0 6
100p BF245C BF245C uA741 OUT
Cc D2
RL 47k
Rg 50k 2 1
J2 - OS1 V
V-
d Vg=6.2mV
e
A
G 5.0V
C
Vg=9.2mV
2.5V
La placa impresa
Este circuito de AGC estaba originalmente pensado para ocupar parte del
amplificador de FI (entrada por la derecha y salida por la izquierda), aquí lo he separado
para fines de ilustración.