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Práctica 7 Curvas Características del Transistor Bipolar (Versión 1-2021)

Preprint · April 2021

DOI: 10.13140/RG.2.2.33067.98082

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Fernando Trevino
Autonomous University of Nuevo León
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 Práctica 7
Curvas Características del Transistor Bipolar (Versión 1-2021)
Objetivo.
• Obtener las curvas características de un transistor bipolar usando el osciloscopio
como un trazador de curvas.
• Determinar la ganancia de corriente directa del transistor.
• Determinar la ganancia de corriente alterna del transistor.
• Medir el  = hfe

Lista de Material.
1 Puente rectificador de 1 Ampere a 50 Volts.
1 Diodo 1N4148 (Usar el mismo del experimento anterior).
1 Transformador de 120/12 VCA de 1 Amperes.
1 Resistencia de 100K.
1 Resistencia de 3.3K.
1 Resistencia de 100Ω

Equipo
1 Osciloscopio
1 Multímetro digital
1 Fuente de voltaje variable
1 Generador de funciones

Vídeo
Treviño Martínez, F. (20 de Marzo de 2021). Práctica 7 Curvas del transistor BJT NPN
utilizando un osciloscopio en MULTISIM. (Implementación). Obtenido de
https://youtu.be/gfBBs2Y3BCA

Teoría Preliminar.
En la actualidad además de existir los trazadores de curvas, página 151 (Boylestad &
Nashelsky, 2009), que se utilizan para obtener las curvas de operación de un transistor BJT,
también existen los analizadores de transistores BJT integrados en el equipo NI Elvis los
cuales nos pueden mostrar las curvas de forma real y simulada en NI MULTISIM 14.2.

Las curvas características del transistor, es un conjunto de curvas, que representa la

variación de corriente de colector ( IC ) con respecto al voltaje entre colector y emisor VCE,
para un valor constante de la corriente de base ( IB). Figura 3.14 página 139 (Boylestad &
Nashelsky, 2009)

El circuito de la Figura 1, permite por el lado del circuito base-emisor, ajustar el valor de la
corriente de base. Por ejemplo, si la fuente se ajusta de tal modo que la caída en RB sea de
2 volts, entonces la corriente de base es de 20 A.

Por el lado del circuito colector-emisor, se aplica una señal rectificada de onda completa.
La caída de voltaje en la resistencia del colector RC, es proporcional a la corriente del
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 Práctica 7
Curvas Características del Transistor Bipolar (Versión 1-2021)
colector IC, por lo que se usara para alimentar el canal vertical (Y, canal 2) en el osciloscopio.
El voltaje entre colector y emisor VCE con signo negativo se aplicará en la entrada horizontal
del osciloscopio operando en modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una curva
característica del transistor y solo es cuestión de ajustar de nuevo la corriente de base para
observar un nuevo trazo.

Procedimiento.
1.- Implementar el circuito de la Figura 1 para obtener las curvas del transistor en un
osciloscopio en modo XY. Recuerda consultar la hoja de especificaciones del fabricante para
determinar la distribución de terminales e identificar de forma correcta la Base, Emisor y
Colector del transistor. También puedes consultar el método propuesto por (Boylestad &
Nashelsky, 2009), utilizando un Multímetro como Ohmetro en la página 152 del libro.

Figura 1 Circuito para obtener las curvas del transistor en un osciloscopio en modo XY.
(Treviño Martínez, 2021)

2.- Medir la caída en RB con el multímetro digital y ajusta la fuente de alimentación para
obtener una caída de voltaje igual a 2 volts.

3.-Ajustar escalas adecuadas en el Osciloscopio.

4.- Ajustar los controles del osciloscopio de la siguiente forma:

Acoplamiento de CD.
500 mV/div.
Modo XY.
(En caso de usar osciloscopio digital, solo configurarlo de forma adecuada)

5.- Observar lo siguiente:

• Se forma una curva característica del transistor. Relacionada con la corriente de base.
• La deflexión vertical es provocada por la caída en RC.
𝑽𝑹𝒄
• Ecuación 1 𝑰𝑪 = 𝑹
𝑪

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 Práctica 7
Curvas Características del Transistor Bipolar (Versión 1-2021)
• La deflexión horizontal es provocada por el voltaje entre colector y emisor VCE y es
negativa.
• La escala horizontal es de 10V/div.(Esta debe ajustarse de acuerdo a las
características del modelo del transistor utilizado)
• La corriente de base está determinada por la caída de voltaje en RB.
𝑽𝑹
• Ecuación 2 𝑰𝑩 = 𝑹𝑩𝑩

5.- Ajustar la perilla de escala horizontal hasta tener un desplazamiento horizontal igual a 4
veces el actual. El resultado de esto es una escala horizontal de 2.5V/div. En este paso utiliza
los controles de posición vertical y horizontal, para hacer que el origen de la curva esté cerca
de la esquina inferior derecha de la pantalla del osciloscopio.

6.- Dibujar una familia de curvas características para los siguientes valores de caída de
voltaje en RB. (Si cuentas con cámara en tu celular, tomar una ) La curva se observa en el
osciloscopio y se debe de tomar una fotografía.

VRB 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 V
IB 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 
Tabla 1 Valores de corriente de base vs voltaje de resistencia de base

Para cambiar el voltaje en RB, ajusta el valor de la fuente de alimentación y medir solamente
la caída de voltaje con el multímetro digital. Etiquetar a cada curva con el valor de la
corriente de base que le corresponde.

Imagen 1 Curvas de operación para el transistor BJT (Anotar el modelo del transistor
utilizado)

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Curvas Características del Transistor Bipolar (Versión 1-2021)
7.-Registrar la siguiente información

Equipo utilizado Fabricante-Modelo No. de serie

Multímetro Digital
Osciloscopio
Generador de funciones
Fuente de voltaje
OTRO (Especifica):

Reporte.
1.- Determinar el valor de la ganancia de corriente directa (F) del transistor para el punto
de operación dado por.
IBq= 60A
VCEq= 10V
Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento. Consultar página 141
de (Boylestad & Nashelsky, 2009)
ICq=_________________
F=_________________
Medir con el multímetro digital el valor del hfe y compáralo con el calor calculado.

2.- Determinar el valor de la ganancia de corriente alterna () del transistor para el siguiente
punto de operación:
IBq= 60A
VCEq= 10V

Para ello determinar de la misma familia de curvas:

IC2=__________________
para IB2= 80A
IC1=__________________
para IB1=40A
=____________________

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 Práctica 7
Curvas Características del Transistor Bipolar (Versión 1-2021)
RECURSOS DE APOYO práctica 7
Boylestad, R. L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México:
PEARSON EDUCACIÓN.
Ejea, P. E. (24 de Mayo de 2017). El transistor bipolar/Universidad deValencia/Escuela
Técnica Superior de Ingeniería. Obtenido de
http://www.uv.es/~esanchis/cef/pdf/Temas/A_T2.pdf
Treviño Martínez, F. (20 de Marzo de 2021). Práctica 7 Curvas del transistor BJT NPN
utilizando un osciloscopio en MULTISIM. (Implementación). Obtenido de
https://youtu.be/gfBBs2Y3BCA

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