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    Tecnologias Microcontroladores

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    El documento describe la historia y el desarrollo de los microcontroladores PIC de Microchip desde su creación en 1975. Comenzó como un controlador periférico diseñado para trabajar con el microprocesador CP1600 de General Instruments. En 1985, la compañía fue vendida y rebautizada como Microchip Technology, enfocándose en los microcontroladores PIC. Actualmente, Microchip fabrica PICs usando tecnología CMOS, los cuales se usan ampliamente debido a su bajo costo y facilidad de programación.

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    El documento describe la historia y el desarrollo de los microcontroladores PIC de Microchip desde su creación en 1975. Comenzó como un controlador periférico diseñado para trabajar con el microprocesador CP1600 de General Instruments. En 1985, la compañía fue vendida y rebautizada como Microchip Technology, enfocándose en los microcontroladores PIC. Actualmente, Microchip fabrica PICs usando tecnología CMOS, los cuales se usan ampliamente debido a su bajo costo y facilidad de programación.

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    Tecnologias microcontroladores

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    El documento describe la historia y el desarrollo de los microcontroladores PIC de Microchip desde su creación en 1975. Comenzó como un controlador periférico diseñado para trabajar con el microprocesador CP1600 de General Instruments. En 1985, la compañía fue vendida y rebautizada como Microchip Technology, enfocándose en los microcontroladores PIC. Actualmente, Microchip fabrica PICs usando tecnología CMOS, los cuales se usan ampliamente debido a su bajo costo y facilidad de programación.

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    El documento describe la historia y el desarrollo de los microcontroladores PIC de Microchip desde su creación en 1975. Comenzó como un controlador periférico diseñado para trabajar con el microprocesador CP1600 de General Instruments. En 1985, la compañía fue vendida y rebautizada como Microchip Technology, enfocándose en los microcontroladores PIC. Actualmente, Microchip fabrica PICs usando tecnología CMOS, los cuales se usan ampliamente debido a su bajo costo y facilidad de programación.

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    ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE CHIMBORAZO FACULTAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA ELECTRONICA APLICADA VICTOR MONTES 210064

    TONY FLORES 210126

    Tecnologas para la fabricacin de microcontroladores. Breve resea histrica


    En 1965, la empresa GI cre una divisin de microelectrnica, GI Microelectronics Divisin, que comenz su andadura fabricando memorias EPROM y EEPROM, que conformaban las familias AY3-XXXX y AY5-XXXX. A principios de los aos 70 dise el microprocesador de 16 bits CP1600, razonablemente bueno pero que no manejaba eficazmente las Entradas y Salidas. Para solventar este problema, en 1975 dise un chip destinado a controlar E/S: el PIC (Peripheral Interface Controller). Se trataba de un controlador rpido pero limitado y con pocas instrucciones pues iba a trabajar en combinacin con el CP1600. La arquitectura del PIC, que se comercializ en 1975, era sustancialmente la misma que la de los actuales modelos PIC16C5X. En aquel momento se fabricaba con tecnologa NMOS y el producto slo se ofreca con memoria ROM y con un pequeo pero robusto microcdigo. El mercado, no obstante, no pens as y el PIC qued reducido a ser empleado por grandes fabricantes nicamente. La dcada de los 80 no fue buena para GI, que tuvo que reestructurar sus negocios, concentrando sus actividades en los semiconductores de potencia. La GI Microelectronics Divisin se convirti en una empresa subsidiaria, llamada GI Microelectronics Inc. Finalmente, en 1985, la empresa fue vendida a un grupo de inversores de capital de riesgo, los cuales, tras analizar la situacin, rebautizaron a la empresa con el nombre de Arizona Microchip Technology y orientaron su negocio a los PIC, las memorias EPROM paralelo y las EEPROM serie. Como parte de esta estrategia, la familia NMOS PIC165x fue rediseada para emplear algo que la misma compaa fabricaba bastante bien, memoria EPROM. De esta forma nacin el concepto de basarse en tecnologa CMOS, OTP y memoria de programacin EPROM, naciendo la familia PIC16C5x, considerada como la "clsica". Una de las razones del xito de los PIC se basa en su utilizacin. Cuando se aprende a manejar uno de ellos, conociendo su arquitectura y su repertorio de instrucciones, es muy fcil emplear otro modelo. Microchip cuenta con su factora principal en Chandler, Arizona, en donde se fabrican y prueban los chips con los ms avanzados recursos tcnicos. En 1993 construy otra factora de similares caractersticas en Tempe, Arizona. Tambin cuenta con centros de ensamblaje y ensayos en Taiwan y Tailandia. Para tener una idea de su alta produccin, hay que tener en cuenta que ha superado el milln de unidades por semana en productos CMOS de la familia PIC16CSX.

    Tecnologas actuales
    Con el desarrollo de la tecnologa, se introduce en la programacin la aplicacin de los PIC, los cuales funcionan como un computador, que se programa para que cumpla una funcin especfica. El microcontrolador PIC16C (F) 84, Es un microcontrolador de 18 pines, de 8 bits con tecnologa CMOS. Estos dispositivos semiconductores integrados estn generalmente construidos en tecnologa MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Semiconductor de Oxido Metlico) o -ms recientemente- CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconducto o Semiconductor de Oxido Metlico Complementario). Lamentablemente, estos dispositivos RAM adolecen de un ligero inconveniente, que es, como ya se ha comentado, su volatibilidad. En cuanto a las tcnicas de fabricacin, cabe decir que prcticamente la totalidad de los microcontroladores actuales se fabrican con tecnologa CMOS 4 (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Esta tecnologa supera a las tcnicas anteriores por su bajo consumo y alta inmunidad al ruido.

    Conceptos de MOS y MNOS


    MOS, Metal-Oxide Semiconductor, (Semiconductores de xidos Metlicos) Estas son cuatro de las tecnologas bsicas de fabricacin de Semiconductores de xidos Metlicos (MOS - Metal-Oxide Semiconductor). MOS hace referencia a las tres capas usadas en la formacin de una estructura gate (gate structure) de un transistor de efecto de campo (field-effect transistor) (FET). Los circuitos MOS ofrecen baja disipacin de energa y permiten que los transistores sean agrupados, muy prximos entre si, antes de que surja un problema crtico de calentamiento. El PMOS es un proceso MOS de canal P, en gates de silicio, que usa corrientes constituidas por cargas positivas. PMOS es el tipo ms antiguo de circuitos MOS. NMOS es un proceso MOS de canal N, en gates de silicio, que usa corrientes constituidas por cargas negativas. NMOS es, por lo menos, dos veces ms rpido que el PMOS. El CMOS ( Mos Complementario) es virtualmente inmune a los ruidos, funciona casi con cualquier fuente de energa, y es una tcnica de circuitos de energa extremadamente baja. Por estos motivos, la tecnologa CMOS encontr un lugar en el mundo de los microprocesadores y, con este avance, apareci la necesidad de contar con chips de memoria de alta densidad, compatibles con CMOS, lo que se conoce como RAM dinmica (dynamic RAM). MNOS, Metal Nitride-Oxide Semiconductor, (Semiconductor de xidos Nitrados Metlico)

    Funcionamiento de la tecnologa Bipolar y la tecnologa MOS


    Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnologa bipolar como MOS. La figura muestra celdas ROM bipolar. La presencia de una unin desde una lnea de fila a la base de un transistor representa un 1 en esa posicin. En las uniones fila/columna en las que no existe conexin de base, las lneas de la columna permanecern a nivel bajo (0) cuando se direccione la fila.

    La figura muestra celdas ROM con transistores MOS. Bsicamente son iguales que las anteriores, excepto que estn fabricadas con MOSFETs.

    La memoria EPROM, se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada. En la figura se observa el transistor funcionando como celda de memoria en una EPROM.

    Celda de memoria de una EPROM


    Cada transistor tiene una compuerta flotante de SiO2 (sin conexin elctrica) que en estado normal se encuentra apagado y almacena un 1 lgico. Durante la programacin, al aplicar una tensin (10 a 25V) la regin de la compuerta queda cargada elctricamente, haciendo que el transistor se encienda, almacenando de esta forma un 0 lgico. Este dato queda almacenado de forma permanente, sin necesidad de mantener la tensin en la compuerta ya que la carga elctrica en la compuerta puede permanecer por un perodo aproximado de 10 aos. Las EPROMs tambin emplean transistores de puerta dual o FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas. Estos transistores son similares a los transistores de efecto de campo (FETs) canal-P, pero tienen dos compuertas. La compuerta interior o flotante esta completamente rodeada por una capa aislante de dixido de silicio; la compuerta superior o compuerta de control es la efectivamente conectada a la circuitera externa.

    Inicialmente, la puerta flotante esta descargada, y el transistor se comporta como un transistor MOS normal. No obstante, mediante un equipo programador, se puede acumular carga en la puerta flotante aplicando una sobre tensin a la puerta y al drenador del transistor. Esta acumulacin de electrones en la segunda puerta tiene el efecto de aumentar el umbral del transistor a un valor tal que no conduce aunque se direccione la celda. As pues la cantidad de carga elctrica almacenada sobre la compuerta flotante determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas cargadas son ledas como un 0, mientras que las que no lo estn son ledas como un 1. Tal como las EPROMs salen de la fbrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de ah que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones.

    Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a travs del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta (obviamente, los electrones siguen el camino inverso). Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensin sobre la compuerta superior o de control del transistor, crendose de esta manera un campo elctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor. Ante la presencia de este campo elctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal fuente-compuerta ganan suficiente energa como para formar un tnel y atravesar la capa aislante que normalmente asla la compuerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha compuerta toma carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0.

    PRINCIPALES FABRICANTES DE MICROCONTROLADORES

    CI

    FLASH (Kbytes)

    SRAM (bytes)

    GPIO (pins)

    ADC Resolucin (bits)

    ADC Velocidad (KSPS)

    ADC Canales

    12 bit DAC Salidas

    ADUC7019 ADUC7020 ADUC7021 ADUC7022 ADUC7024

    62 62 62 62 62

    8192 8192 8192 8192 8192

    14 14 13 13 30

    12 12 12 12 12

    1,000 1,000 1,000 1,000 1,000

    5 5 8 10 10

    3 4 2 2

    CI

    FLASH (Kbytes)

    SRAM (Kbytes)

    EEPROM (Kbytes)

    SCI

    SPI

    CPU Perifricos (bits)

    MC9S12DT256C
    CI

    256
    ROM (bytes)

    12
    SRAM (bytes)

    4
    Lneas I/O

    2
    SCI

    3
    SPI

    16
    Vcc (V)

    MC68HC05C4A

    4160

    176

    24

    3.0 - 5.5

    CI

    Tiempo instrucc/ ciclo (nseg)

    SRAM (bytes)

    Vcc (V)

    ADC Resolucin (bits)

    Lneas I/O

    Temporizadores contadores

    Reloj en tiempo real

    TC1100 6 TC1115 6 144 144

    TC1130

    144

    TC1910

    15

    144

    TC1912

    15

    144

    1.8 3.3 1.8 3.3 1.8 3.3 1.8 3.3 1.8 3.3

    72

    3X GPT

    72

    3X GPT

    72

    3X GPT

    40

    3X GPT

    40

    3X GPT

    CI

    Memoria interna (Kbytes)

    SRAM (bytes)

    Vcc (V)

    ADC Resolucin (bits)

    ADC Velocidad (KSPS)

    Puertos seriales

    MAXQ3120 MAXQ2000RBX MAXQ2000RAX MAXQ2000KIT DS80CH11


    *memoria FLASH

    32 64* 64* 64* -

    512 2K 2K 2K 256

    3 - 3.6 3 - 3.6 1.8 2.75 1.8 2.75 4.5 5.5

    16 -

    20.8 -

    5 1 2 2 1

    PIC16F83
    Mxima frecuencia de operacin (MHz) Memoria FLASH Memoria ROM Memoria de datos (bytes) EEPROM Pines I/O Rango de voltaje (V) Encapsulado

    PIC16CR83
    10 512 36 64 13 2.0 6.0 18-pin DIP

    PIC16F84
    10 1K 68 64 13 2.0 6.0 18-pin DIP

    PIC16CR84
    10 1K 68 64 13 2.0 6.0 18-pin DIP

    10 512 36 64 13 2.0 6.0 18-pin DIP

    S3C9234
    Mxima frecuencia de operacin (MHz) Memoria FLASH Memoria ROM(Kbytes) RAM (bytes) Pines I/O Rango de voltaje (V) Encapsulado

    S3C9404
    10 S3P9404 4 208 22 2.7 5.5 30SDIP

    S3C9428
    16 S3P9428 4.8 208 24 1.8 5.5 28SOP

    S3C9434
    16 S3P9434 4 112 11/13 3.0 5.5 18DIP

    8 S3P9234 4 208 52 2.0 5.5 QFP

    CI

    Encapsulado

    Pines

    Memoria (bytes)

    Memoria (tipo)

    RAM (bytes)

    I/O

    COP8TAC9 COP8AME9 COP8CBE9 COP8CCE9 COP8CBR9

    LLP SOIC WIDE TSSOP PLCC TSSOP PLCC TSSOP

    44 28 48 44 - 48 44 - 48

    4000 8000 8000 8000 32000

    Flash Flash Flash Flash Flash

    128 512 256 256 1000

    21 40 37 37 37

    CI

    Comunicacin ASCII - Decimal Binaria ASCII - BINARIA

    Vcc (V)

    Comandos Lenguaje de alto nivel Lenguaje de alto nivel Lenguaje de alto nivel

    Programacin (va)

    Instrucciones /segundo

    CY500 CY233LINC CYB233

    5 5 5

    Teclado ASCII Puerto serial (RS232) Puerto serial (RS232)

    3300 -

    LPC 2104 Mxima frecuencia de operacin (MHz) Memoria FLASH (Kbytes) Memoria RAM (Kbytes) Rango de voltaje (V) Encapsulado

    LPC2105

    LPC2106

    LPC2119

    LPC2129

    60

    60

    60

    60

    60

    128 16 3.0 3.6 LQFP48

    128 32 3.0 3.6 LQFP48

    128 64 3.0 3.6 LQFP48

    128 16 3.0 3.6 LQFP64

    256 16 3.0 3.6 LQFP64

    FAMILIAS DE MICROCONTROLADORES PIC (PERIPHERAL INTERFACE CONTROLLER)


    GAMA ENANA

    PIC12C508 (MICROCHIP)
    Mxima frecuencia de operacin (MHz) Memoria ROM(Kbytes) RAM (bytes) EPROM Rango de voltaje (V) Pines I/O Instrucciones Encapsulado

    4 25 512 x 12 3.0 5.5 5 33


    DIP-JW -SOIC 8 pines

    GAMA BAJA

    PIC16C505 (MICROCHIP)
    Mxima frecuencia de operacin (MHz) Memoria ROM(bytes) RAM (bytes) EPROM Rango de voltaje (V) Pines I/O Instrucciones Encapsulado

    20 72 25 1024 3.0 5.5 11 33


    DIP-JW -SOIC 14 pines

    GAMA MEDIA

    PIC16F84 (MICROCHIP)
    Mxima frecuencia de operacin (MHz) Memoria ROM(bytes) Memoria FLASH EPROM (bytes) Rango de voltaje (V) Pines I/O Interrupciones Encapsulado

    10 1K 1K 64 2.0 6.0 4 4
    DIP- SOIC 18 pines

    GAMA ALTA

    PIC17C752 (MICROCHIP)
    Mxima frecuencia de operacin (MHz) Memoria ROM (bytes) Memoria FLASH EPROM (bytes) Rango de voltaje (V) Pines I/O Interrupciones Encapsulado

    33 8K 3.0 5.5 50 18
    TQFP 64 pines PLCC 68 pines

    BIBLIOGRAFIA
    http://pomelo.ivia.es/mecanizacion/www/Manual_Electronica/micros/pic1.html http://eya.swin.net/ http://www.monografias.com/trabajos12/decibin/decibin.shtml http://www.monografias.com/trabajos/eproms/eproms.shtml http://ilustrados.com/publicaciones/EpyVFpAppyVWlriaRk.php http://es.tldp.org/Otros/diccionario-us-es/diccionario-us-es-0.1.6/M.html http://www.monografias.com/trabajos18/memorias-programables/memoriasprogramables.shtml http://www.dbup.com.ar/link-fabricantes.htm http://www.analog.com/ http://www.infineon.com/cgi-bin/ifx/portal/ep/home.do?tabId=1 http://www.maxim-ic.com/products/microcontrollers/user_guides.cfm http://www.freescale.com/ http://www.freescale.com/files/shared/doc/package_info/thermal_addendums/908E625A CDWBTAD.pdf http://www.national.com/catalog/MicrocontrollerProducts.html http://www.semiconductors.philips.com/markets/mms/products/microcontrollers/product _catalog/16_32bit/lpc/index.html http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.aspx?family_cd =LSI060101 ftp://download.intel.com/design/mcs51/SPECUPDT/27283609.pdf

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