Escuela Politcnica del Ejrcito

Exposicin sobre Tiristores y Transistores

(Elementos de Potencia)
Integrantes:
Bryan Ortega Javier Quinchimba Cristian Revelo David Revelo

Sergio Quisilema

Tiristores

Un tiristor es un dispositivo semiconductor muy utilizado en el campo de la Electrnica de potencia y se los utiliza de diversas maneras.

Entre sus principales aplicaciones tenemos que funcionan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a otro conductor.

Para muchas de aplicaciones al tiristor se lo considera como un interruptor o

conmutador ideal aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas limitaciones acorde a sus caractersticas que sern analizadas.

Caractersticas de los Tiristores

Como ya se lo dijo anteriormente, el tiristor es un dispositivo semiconductor de

4 capas de estructura pnpn con tres uniones pn, esta compuesto por tres

terminales:

nodo Ctodo Compuerta (G)

Circuito del Tiristor y sus Caractersticas Voltaje Corriente

IL: Corriente de Enganche o de retencin: es la corriente mnima que debe circular por el tiristor para que el mismo se pueda mantener en estado de conduccin una vez que se lo haya activado y se haya retirado al seal de disparo

IH: Corriente de Mantenimiento: es la corriente mnima para mantener al tiristor en estado de rgimen permanente (esta en el orden de los mA.).

IT: Corriente en estado de Conduccin: Esta corriente es mayor a las anteriores. VBO: Voltaje de ruptura inversa: un tiristor tambin puede activarse aumentando el voltaje de VAK de ms all de VBO, pero al hacerlo de esta forma, se puede llegar a daar al tiristor.

El tiristor es un dispositivo de enganche por lo que el VAK debe ser menor al VBO

Caractersticas Estticas: Estas caractersticas corresponden a la regin entre el nodo y el ctodo y son valores mximos de voltaje y corriente que colocan al elemento en el lmite de sus posibilidades. Son valores que vienen dados por el fabricante y varan entre cada tiristor.

Caractersticas de Control: Ests caractersticas determinan la naturaleza del circuito de control que responde a las condiciones de disparo. Para la regin G K(ctodo) los fabricantes definen diferentes valores mximos de corriente y de voltaje para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de manera no deseada.

Caractersticas de Conmutacin

Los tiristores necesitan de un tiempo necesario para cambiar de estado y pasar

de no conductores a estado de conduccin y viceversa.

El tiempo de encendido TON es el tiempo de encendido y se lo divide en dos partes:

Td: tiempo de retardo. Tr: tiempo de subida.

Activacin de un Tiristor
Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo de las siguientes maneras:

Trmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco que generar un aumento en la corriente de fuga.

Lumnica. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor.

Alto Voltaje. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin

regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe
evitar.

Apagado de un tiristor
El apagado de un tiristor se produce generalmente por dos motivos: Por reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento o por

la anulacin total de la corriente del nodo.

Parmetros que influyen sobre el tiempo de apagado TOFF

Corriente en conduccin (IT) Tensin inversa Velocidad de cada de la corriente en el nodo Pendiente de tensin dV/dt Temperatura de la unin Tj o del contenedor Tc

Consejos para el diseo de un circuito con tiristores

La seal de disparo debe eliminarse una vez que haya activado al tiristor. Una seal continua de disparo aumentara la prdida de potencia en la unin de el terminal de disparo (G).

Mientras el tiristor est con polarizacin inversa, no debe haber seal de disparo, de

lo contrario el tiristor puede fallar debido a una corriente de fuga incrementada.

El ancho de pulso del terminal de disparo IG debe ser mayor que el tiempo requerido

para que la corriente del nodo se eleve al valor de la corriente de mantenimiento.

Operaciones de los tiristores en Serie

Para aplicaciones de alto voltaje, se pueden conectar 2 o ms tiristores en serie a fin de proporcionar la especificacin de voltaje sin embargo hay q tener en cuenta que de un tiristor a otro no siempre sus caractersticas son iguales.

Operaciones de los tiristores en Paralelo

Cuando los tiristores se conectan en paralelo la corriente de carga no se comparte en igual forma debido a que un tiristor conduce mas corriente que otros y aumenta la disipacin de potencia, para contrarrestar este problema, se coloca una pequea resistencia en serie con el tiristor para obligar una igual distribucin de corriente.

Tipos de Tiristores

Los tiristores se fabrican casi en su totalidad por difusin. La corriente del nodo requiere un tiempo para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de disparo. Para controlar este di/dt, el tiempo de activacin del tiristor y

el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varios tipos de

tiristores que varan en su estructura de compuerta.

Tipos de Tiristores

Tiristor conmutado por lnea o fase (SCR)

Rectificador controlado de silicio foto activado (LASCR)

Tipos de Tiristores

Tiristor o trodo bidireccional (TRIAC)

Tiristor desactivado por Gate Seal de disparo (GTO) Tiristores controlados por MOS (MCT) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)

TIPOS DE TIRISTORES.- TIRISTORES TRIAC:

(Silicon Controlled Rectifier) Acta de manera muy similar a un interruptor. Cuando esta conduciendo presenta un camino de baja resistencia para el flujo de energa de nodo a ctodo; por consiguiente acta como un interruptor cerrado. Cuando esta bloqueado, no puede fluir corriente de nodo a ctodo; es decir acta como un interruptor abierto, debido a que es un dispositivo de estado solido, la conmutacin de un SCR es muy rpida.

CIRCUITOS DE DISPARO Y CURVA CARACTERSTICA:

PARAMETROS ELECTRICOS DEL SCR

-VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0) - VFOM: Mximo voltaje directo sin cebado (VG = 0) - IF: Mxima corriente directa permitida. - PG: Mxima disipacin de potencia entre compuerta y ctodo. - VGT-IGT: Mximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado - IH: Mnima corriente de nodo requerida para mantener cebado el SCR - dv/dt: Mxima variacin de voltaje sin producir cebado. - di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

APLICACIONES REALES:
En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de 1/2 onda y resistencia variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 Vac. RL representa la resistencia de la carga (calefactor o filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente; R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR.

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), [Figura 8 (a)], conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

TIRISTORES TRIAC:

Es un dispositivo electrnico semiconductor de tres terminales, de ah que se le conozca como un tiristor y se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una sola carga, con la particular capacidad de dirigir la corriente en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir de la corriente debajo del valor de mantenimiento, el triac puede ser disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

ESTRUCTURA INTERNA Y CURVA CARCTERISTICA:

El triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

PARAMETROS ELECTRICOS DEL TRIAC

VDRM (Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo) = es el mximo valor de tensin admitido de tensin inversa, sin que el triac se dae. IT(RMS) ( Corriente en estado de conduccin) ITSM (Corriente pico de alterna en estado de conduccin (ON)) = es la corriente pico mxima que puede pasar a travs del triac, en estado de conduccin.. I2t ( Corriente de fusin).- Valor de corriente de dao del TRIAC. PGM ( Potencia pico de disipacin de compuerta). IH ( Corriente de mantenimiento) = la corriente directa por debajo de la cual el triac volver del estado de conduccin al estado de bloqueo. dV/dt ( velocidad critica de crecimiento de tensin en el estado de bloqueo) = designa el ritmo de crecimiento mximo permitido de la tensin en el nodo antes de que el triac pase al estado de conduccin. Se da a una temperatura de 100C y se mide en V/m s. tON ( tiempo de encendido)

APLICACIONES REALES:
Una aplicacin muy comn es el atenuador luminoso de lmparas incandescentes (circuito de control de fase).

Donde: - Ven: Voltaje aplicado al circuito (A.C.) - L: lmpara - P: potencimetro - C: condensador (capacitor) - R: Resistor - T: Triac - A2: nodo 2 del Triac - A3: nodo 3 del Triac - G: Gate, puerta o compuerta del Triac El triac controla el paso de la corriente alterna a la lmpara (carga), pasando continuamente entre los estados de conduccin (cuando la corriente circula por el triac) y el de corte (cuando la corriente no circula).

TIRISTORES GTO:

Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Su principal ventaja es que la puerta evita el paso de corriente (se cierra) cuando circula por ella un V(semiciclo -)

CARACTERSTICAS, CIRCUITO EQUIVALENTE Y CURVA ESTTICA:

El disparo se realiza mediante una VGK >0; bloqueo con una VGK < 0. La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar mas dimensionado. El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

CURVA CORRIENTE REAL Y CIRCUITO DE EXCITACIN.

APLICACIONES REALES:
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a nivel industrial algunos usos son: Troceadores y convertidores; Control de motores asncronos; Inversores; Caldeo inductivo; Rectificadores; Soldadura al arco; Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI); Control de motores; Traccin elctrica.

Transistores

TRANSISTORES
El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, la diferencia radica en las altas tensiones e intensidades que

tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Tipos de transistores de potencia:

BJT. SIT ( Transistor de induccin esttica) MOSFET IGBT (Transistor bipolar de compuerta aislado)

Regiones operativas de componentes

Transistor de efecto de campo de Potencia (MOSFET)

D D
ID D VDS VGS S

G S Canal N

G S Canal P

TRANSISTOR MOSFET - canal N

Drenador (Drain) Puerta (Gate)

Aislante (Si O2)

Fuente (Source) Substrato (Substrate)

N P

Caractersticas

Son controlados por voltaje If se aproxima a cero Tiempos de encendido y Apagado pequeos Son trmicamente estables

Tienen un Vds alto (Vce) (2 a 4V) por lo que las prdidas estticas aumentan
Tienen problemas con descargas electrostticas Son de costo alto, sirven para trabajo a alta frecuencia y media potencia Uso como interruptores controlados por tensin. Impedancia de entrada elevada

Caractersticas

El Mosfet no tiene portadores minoritarios, la conduccin se hace con portadores mayoritarios, hace que las conmutaciones se produzcan en tiempos muy cortos

Tpico:

Toff = 100ns Ton = 50ns

Circuitos de disparo simples

Habilidad para el paralelaje

Protecciones

Igual que el BJT Cuida que VGS no exceda el voltaje, normalmente esta entre 20V 30V

Diodos en antiparalelo asociados

17.2 Caractersticas estticas. Cuando VGS es menor que el valor umbral, VGS,TH, el MOSFET est abierto (en corte). Un valor tpico de VGS,TH es 3V. VGS suele tener un lmite de 20V.
2 P RON ID

Cuando VGS es mayor de 7V el dispositivo est cerrado. Suele proporcionarse entre 12 y 15 V para minimizar la cada de tensin VDS. Cuando conduce se comporta, estticamente, como una resistencia: RON. En un MOSFET de potencia suele ser ms limitante RON que el mximo de corriente. Conociendo RON las prdidas se pueden calcular con el valor eficaz de la corriente al cuadrado.

ID
ID,MAX

PMAX

VGS=15V VGS=12V VGS=7V SOAR VGSVGS,TH Corte

C e r r a d o

A v a l a n c h a

VDS,MAX VDS

Control del MOSFET

Un voltaje positivo aplicado a la compuerta genera un campo
elctrico que convierte la regin p en una regin n. Este fenmeno se conoce como inversin de superficie y permite la circulacin de corriente entre el drain y el source

Caractersticas
RDS= Resistencia de salida D-S RDS= DVDS /Dio

Es alta en la regin de estrechamiento (MW)y baja en la regin lineal (mW)

APLICACIONES
Las aplicaciones ms tpicas de los Transistores de Potencia Mosfet se encuentran en la conmutacin a altas frecuencias.

- Sistemas inversores para controlar motores. - Generadores de altas frecuencias para induccin de calor - Generadores de ultrasonido - Amplificadores de Audio - Transmisores de radiofrecuencia.

VENTAJAS

La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los nanosegundos, por esto los Mosfet son muy utilizados en convertidores de pequea potencia y alta frecuencia.

Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura. Mayor rea de funcionamiento Mayores ganancias Circuito de mando ms simple Alta impedancia de entrada

DESVENTAJAS

Los Mosfet tienen el problema de ser muy sensibles a las descargas

electrostticas y requieren un embalaje especial.

Es relativamente difcil su proteccin. Los Mosfet son ms caros que sus equivalentes bipolares. La resistencia esttica entre drenador-surtidor, es ms grande, lo que provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en

conmutacin.

17.6. Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes.

17.6. Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes.

17.6. Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes.

17.6. Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes.

IGBT (Transistor bipolar de compuerta aislada)

Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente

C
MOSFET Bipolar

E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutacin (Bipolar)

IGBT (Transistor bipolar de compuerta aislada)

TRANSISTOR IGBT
Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frecuencia, etc.

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura

Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Caractersticas

Combina las ventajas del BJT y el MOSFET

Alta impedancia de entrada y bajas prdidas en conduccin

No tiene problemas de segunda avalancha

Controlado por voltaje

Ton y Toff pequeos

Control

Encendido y apagado similar al Mosfet, es decir durante el encendido se aplica un voltaje positivo a la compuerta lo que provoca una inversin en la

capa n y la conduccin entre c-e+

Para apagar se manda a cero el Gate o se aplica un voltaje negativo

Ventajas y Desventajas

Capacidad alta de corriente (mayor al Mosfet y BJT)

Fcil manejo, similar al mosfet

Excelente capacidad de bloqueo

Frecuencia de operacin menor a la de un MOSFET

Comparacin

18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes

18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes

18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes

18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes

18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes

18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes

18.4 Encapsulados y datos de catlogo de fabricantes

Transistores BJT
El transistor de unin bipolar (BJT) es un dispositivo electrnico de tres terminales, construido mediante dos junturas de semiconductores tipo P y N. La relacin entre Tensin y Corriente del puerto de salida (colectoremisor) vara segn la intensidad de corriente que circula por el puerto de entrada (base-emisor).

Smbolos de Circuito
Hay dos clases de transistores BJT, los NPN y los PNP, el nombre se refiere al tipo de material semiconductor utilizado en cada parte, Colector-Base-

Emisor respectivamente.

Condiciones de Operacin
Para obtener condiciones normales de operacin las junturas deben estar polarizadas: * base-emisor con polarizacin directa (en un NPN, Vbase > Vemisor) * base-colector con polarizacin inversa (en un NPN, Vbase < Vcolector ) Adems (por ley de Kirchoff de corrientes) se verifica que : Ie = Ib + Ic

En el transistor BJT se reconocen 3 regiones de operacin

Activa: Esta regin de operacin se considera de corriente

constante, se cumple aproximadamente la relacin : Ic = hFE . Ib (En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la construccin del transistor.)

Aunque en la prctica Ic vara levemente para diferentes valores de Vce, para esta regin se puede pensar que: la corriente Ic es una versin amplificada de la corriente Ib.

Saturacin: Si Vce es demasiado pequeo, Ic ya no es proporcional a Ib,

es decir, aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib La tensin Vce permanece prcticamente constante en un valor llamado Vsat.

Corte: Cuando Ib es muy pequea o nula, implicar adems Ic = 0.

Lo que equivale a decir que no hay conduccin entre colector y emisor. En esta regin se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja como una llave abierta.

En la grfica se ven varias curvas de Ic para diferentes corrientes Ib. El punto de trabajo concreto depender del circuito externo.

Caractersticas Ideal V-I (tensin-corriente)

Determinacin de la regin de operacin

Lo primero que hay que analizar es la Ib. Si la tensin en la juntura Vbe no supera la mnima V (en general del orden de 0.7v), entonces Ib = 0, y el transistor estar en corte.

Si ese no es el caso, se conjetura que est trabajando en Zona lineal Ic =

hFE . Ib , si luego del clculo se encuentran resultados errneos o inconsistentes con los valores del circuito, sabremos que el transistor se encuentra en regin de saturacin.

En este ltimo caso debemos realizar los clculos manteniendo Vce=Vsat.

Potencia admitida

Debido a que hay circulacin de corriente entre dos puntos que tienen una

diferencia de

potencial (Ic con Vce y Ib con Vbe) el transistor disipa

potencia, la cual provoca un aumento de temperatura, que puede llegar a fundir o quemar al transistor.

En general los transistores especifican cual es la potencia mxima que pueden

disipar Pmax, que no debe superarse, calculando

debe ser P < Pmax.

P = Vce . Ic, siempre

Tipos de Transistores BJT de Potencia

Dispositivos comerciales
Los transistores BJT se comercializan mediante nombres codificados, por ejemplo BC548, BC557, 2N3055, etc. Tienen diferencias constructivas que definen las caractersticas elctricas tales como los valores mximos

soportados de potencia, tensin, la ganancia de corriente, variacin con la

temperatura, etc.

Ejemplo 2N3055 Datasheet:

SIT

El SIT es el FET de electrnica de potencia y su aplicacin se reserva para altas frecuencias. Smbolo:

Caractersticas: Real

Ideal

Tipos de Transistores SIT de Potencia

Aplicaciones

Son dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. Son similares a

los JFET, excepto por su construccin vertical y su compuerta enterrada.

Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF,

UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales.

BIBLIOGRAFA

https://docs.google.com/document/edit?id=1PyR16ZJN7lgWY6n54b
xNxPB2iAaPOd1-I9JwGvyxN8w&hl=en&pli=1

http://www.frm.utn.edu.ar/epotencia/apuntes/recomendaciones.pdf http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp http://woody.us.es/~leopoldo/Store/tsp_7.pdf http://ccpot.galeon.com/enlaces1737123.html