Disparo de SCR

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores
* Corriente
continua * Corriente alterna * Impulsos o trenes de ondas
Disparo por corriente continua.

Las condiciones requeridas por el dispositivo podemos encontrarlas en
grficos tpicos, como el de la figura siguiente, referido a un tiristor de
General Electric:
05/02/03
L.A.Vera Valverde
Para el cto de la figura, determinar si la fuente de tensin continua de

6V, es apropiada para el disparo del tiristor BTY79.
Sustituyendo, obtenemos un valor de V Smx =
7V, por lo que podemos decir que la fuente
de 6V es apropiada para el correcto
funcionamiento del cto.
VS min R S mx I o Vo
PGAV = 0.5W
RGMAX = 32
R G (mx)
R S(mn) R G (mx)
L.A.Vera Valverde
VS(mx)
PGM
VSmx
05/02/03
VS min = 4.25V.
PGAVmx
R Gmx
R Smn R Gmx
Disparo por corriente alterna

Para el cto de la figura, en el que se representa un control bsico de potencia
con disparo por corriente alterna,
1) Calcular el ngulo de disparo para R = 5K, 8K, 10K.
2) Determinar la tensin media entregada a la carga y comparar con la obtenida
con PsPice.
DATOS:
Ve(RMS) = 28.4V;
RL = 20; D = 1N4148;
SCR 2N1595 IGT = 2mA;VGT = 0.7V
Ve R L R I G VD VGK
wt arcsen
11.44
17
28.4 2
Para R = 5K,
5K sustituimos y determinamos Ve:
Ve 20 5K 2 10 3 0.7 0.7 11.44V

05/02/03
L.A.Vera Valverde
Para R = 8K
Para R = 10K
wt 26
wt 33
La curva obtenida mediante PsPice para el caso R = 5K es:
VDC
05/02/03
180
1
V
Vm senwt m cos180 cos17 12.5V

2 17
2
L.A.Vera Valverde
EJERCICIO PROPUESTO
En el cto de la figura, Determinar:
1.- Valor del ngulo de disparo del SCR.
2.- Valor instantaneo de la tensin de entrada que produce el apagado
del SCR.
3.- Formas de onda asociadas al cto.
DATOS:
VE = 17V;
R2 = 500;
RL = 100;
VD = 0.7V
SCR: IGT = 2mA; VGT = 0.7V;
R1 = 5.5K;
VTM = 1.1V;
IH = 5mA
05/02/03
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Disparo por impulso o trenes de ondas

La ventaja al introducir un pulso frente a una seal continua, ser la menor potencia que debe
disipar la puerta, as como poder ampliar las tolerancias entre las que nos podemos mover. La
seal de puerta debe ser aplicada el tiempo necesario hasta que la corriente por el
semiconductor alcance el valor de la corriente de enganche
Disparo por impulso nico
El cebado por impulsos, permite una
potencia de pico superior a la potencia
media de puerta admisible.
Es posible reducir a un valor mnimo el
retardo que existe entre la seal de puerta
y la subida de la corriente de nodo
sincronizacin muy precisa.
Se reduce la disipacin de potencia
debida a la corriente residual en las
proximidades del nivel de cebado.
El cto de puerta debe ser atacado,
atacado preferentemente, con un generador de corriente.
corriente
La corriente de mando > corriente mnima.
05/02/03
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Disparo por trenes de ondas
Que ocurre con carga inductiva
Ampliar la duracin de cada pulso (Curva C).

Enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el termino de cada
semiciclo (Curva D).
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Disparo por trenes de ondas: Transformador de impulsos
N = Nmero de espiras.
S = Seccin del cto magnetico.
B = Induccin.
U2 N S
B
dB
dt
U2
U
dt 2mx t
N S
N S
t mx
N S Bmx
U 2mx
t mx U 2mx N S Bmx
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Ctos de mando
Los ctos con tiristores y triacs se emplean en aplicaciones en las que el
elemento realiza funciones de coduccin:
* Todo o nada * Todo o nada proporcional * Control de fase.
En el caso en que el tiristor ( triac) trabaje en el modo todo o nada,
nada se
presentan dos posibilidades:
posibilidades
Que trabajen como rels estticos.(
estticos todo o nada)
Que trabajen como variadores de potencia en la carga.
Rels estticos
05/02/03
Variadores de potencia
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Control de fase
SCR
05/02/03
TRIAC
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10
Mando sincrono. (todo o nada )

Detector paso por cero P
Comparador Q
Interuptor mando S
Modo 1:Carga resistiva

Impulsos de corta duracin
Modo II: Carga inductiva

Impulsos de larga duracin
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11
Mando sincrono.
(todo o nada con margen proporcional )
Control
temperatura
Todo o nada con y

sin histresis
Todo o nada con

banda proporcional
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12
Mando sincrono.
(todo o nada con margen proporcional )
Generador triangular
Consigna T
Comparador
Temperatura
Circuito
lgico
Amplificador
seal
Red
Detector de paso por cero
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13
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14
Control temperatura, con reduccin del

consumo por noche o ausencias
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15
05/02/03
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16
Sea el circuito de control de potencia de la figura: Dibujar la seal de salida

en la carga, para una tensin Ein de 2.5 voltios dc y y seal rampa Vref de 5
voltios de amplitud
Demostrar que
VRMS c arg a VRMS D

siendo
05/02/03
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D Ton / T
17
Control de disparo por ngulo de conduccin.

(Control de fase)
El principio en el que se basa este tipo de control consiste en retardar de
manera sistemtica el instante de disparo del dispositivo introduciendo una
constante de tiempo, que inicialmente era obtenida mediante circuitos R C,
pero que en la actualidad se consigue, entre otras formas, mediante el
principio que vamos a estudiar a continuacin.
Circuitos de control de puerta
arccos
U cm
Ur
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18
Ejemplo: Control sistema trifsico
http://www.iie.edu.uy/
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19
05/02/03
L.A.Vera Valverde
20
Ejercicio propuesto
Rectificador totalmente controlado con cuatro tiristores en los que controlamos el
ngulo de retardo en la conduccin y por tanto controlamos la tensin media
entregada a la carga. Comentar el funcionamiento del circuito de control y dibujar la
seales en los principales puntos del circuito y la seal que tendremos en la carga.
Que seal es la que hace que vare el ngulo de retardo?
05/02/03
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21
05/02/03
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23

Vcc
R2
10k
Tr1
220 v ac
D1
R1
4148
18k
T1
Bc109
D2
4148
T2
Bc109
C1 100nF
Vcc
-Vcc
U1A
R3
100k
Vcc
P1
25k
U2A
TL082
-Vcc
D3
Vcc
P2
4k7
TL082
4148
R4
180
-Vcc
Figura 1.3 Circuito de control.
05/02/03
L.A.Vera Valverde
24
Figura 1
Detector
de
cruce por cero
Generador
de Rampa
Mdulo de
Disparo
Mdulo de
Potencia
Mdulo
PWM
Generador de Rampa
Modulo PWM
Modulo de Disparo
Modulo de Potencia
Cto integrado TCA 785 de SIEMENS

Este cto es muy empleado en el control de fase, por lo que se utiliza para el control de
tiristores, triacs y transistores.
Los pulsos de disparo pueden variar entre 0 y 180.
Los ctos ms tpicos en los que se utiliza son: convertidores, control de corriente alterna,
etc.
05/02/03
L.A.Vera Valverde
33
Comentar los circuitos de control de potencia presentados

en las figuras siguientes
05/02/03
L.A.Vera Valverde
35
Disparo con elementos semiconductores( disparo por

red RC)
Datos: V = 220V/50Hz; R = 200K;
e
R2 = 500;
XC
C = 0.1F
1
1
31830.9
6
wC 2 50 0.1 10
R R 1 R 2 200.5K
XC
arctg
9
R
qu inconveniente tiene este circuito?
05/02/03
L.A.Vera Valverde
36
UJT( transistor uniunin). Elemento de baja potencia

utilizado para control de SCR y triac
Vp=VE>VD+(R1/R1+R2)VBB ( Cond. de disparo)
05/02/03
L.A.Vera Valverde
(R1/R1+R2)=
37
Caracteristicas UJT
Vv
05/02/03
Ip
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Iv
38
Condicin de oscilador de relajacin . Zona de resistencia

negativa inestable
05/02/03
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39
VP VBB VD
PP3
Vp
T
PP1
PP2
Oscilador relajacin con
PP1
UJT T=RCln(1/1-)
05/02/03
L.A.Vera Valverde
40
Determinar en el cto de la figura :

1.- Valores mximo y mnimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta
oscilacin.
2.- Determinar el valor de los dems componentes
3.- Simulacin del circuito mediante el programa Multisim.
Datos:
VBB = VCC = 20V;
UJT:
= 0.6;
0.01... 0.1s
R max
VP = 12.5V.
CA = 1F; RB1 = 100
IV = 10mA;
VBB VP
IP
VV = 2V; IP = 5A; TD =
R min
VBB VV
IV
condicin de oscilacin:
oscilacin
VBB VP
V VV
R BB
IP
IV
Rmx = R1 + R2 = 1.5M ; Rmn = R1 = 1.8K
05/02/03
L.A.Vera Valverde
41
Para los requerimientos de oscilacin: TD = 0.01 0.1s

ttotal = tON + tOFF
tOFF = Tiempo o periodo de carga de C, durante el cual, el tiristor
t
R C
VC (inicial) de
VC (final)
VC C.
(final) e
est bloqueado.tON = TiempoVCo(t)periodo
dedescarga
Normalmente, t V >>t V,
t OFF R C ln OFFBB ONV
VBB VP
TD = 0.01s
TD = 0.1s
Rmn = 11.4K
Rmx = 113.6K
Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente.
VP = VBB + VD VBB
VBB >>> Vv;

t OFF
05/02/03
1
T R C ln
1
L.A.Vera Valverde
42
Rp=10k, 100K
Sabrias demostar que

el periodo es el
indicado y vp?
(1.98ms-7.43)
(2.85ms-7.47)
05/02/03
L.A.Vera Valverde
43
En la figura, se muestra el esquema de un regulador de corriente alterna

de onda completa. Observar como es este montaje es posible controlar
una seal alterna con un SCR mediante la configuracin del puente y
del propio SCR.
1.- Disearlo.
2.- Simular el circuito mediante Multisim.
Datos: Ve = 220V;
f = 50Hz; PL = 180W;C
= 0.2F; RB1= 20;
RB2= 100 fOSCILAC. = 100 . . . 900Hz;
ZENER:
Vz = 25V; IF = 2mA;
UJT:VD= 0.5V;
= 0.77
Utilizando estas grficas para un valor

VB1B2 = VZ = 25V, calculamos los valores
de IP, IV, VV.
VP VBB VD 19.75V
IP = 1A; IV = 8.5mA;
R mn 2.74K
VV = 1.72V
R mx 5.25M
TD 1.5 R C
TD1
1
1
1.5 R C R mx R 1 R 2 33.3K TD2 1.5 R C R mn R 1 3.7K
f2
f1
05/02/03
L.A.Vera Valverde
44
Ve V0 senwt 311 sen15 80.5V

R3
05/02/03
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V0 VZ 80.5 25
9.25K
I
6mA
45
Rectificador
controlado onda
completa en puente
05/02/03
L.A.Vera Valverde
46
Cto de control de potencia Rampa Pedestal

El valor del escaln es fijado por una tensin de referencia,
referencia de nivel
ajustable, siendo la rampa una tensin de referencia que se superpone al
valor del escaln necesario para disparar al tiristor en un punto umbral
fijo.
VC1=V2
VR3
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L.A.Vera Valverde
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Cargador de baterias
basado en UJT
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48
PUT.
El Transistor Uniunin Programable es un dispositivo de disparo muy
usado en ctos de disparo por puerta para los tiristores.
tiristores Tiene tres
terminales que se identifican como: ctodo (K), nodo (A) y puerta (G).
Es un pequeo tiristor con puerta de nodo Presenta caractersticas de
disparo parecidas a las del UJT,
UJT cuando es utilizado en los osciladores
de relajacin,
relajacin pero presenta la ventaja de poder ser programado para
determinar el valor de , VP e IV.
La operacin del PUT, depende de la tensin que tengamos aplicada entre
el nodo y la puerta del dispositivo:
VG
05/02/03
RB
VBB
RA RB
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49
PUT como oscilador de relajacin.

RA, RB y el condensador C, ajustan el
retraso de VP.
R Amn
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VBB VV
IV
R Amx
VBB VP
IP
t off C R A ln
1
R R2
C R A ln 1
1
R2
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50
DIAC(Diode Alternative Current)

elemento de pequea potencia utilizado para disparar al triac
El Diode Alternative Current es un dispositivo formado por tres
capas de silicio con la estructura (npn pnp) y dos terminales
principales de conduccin. No tiene terminal de control.
La caracterstica V - I del dispositivo

no es lineal,
lineal aunque es simtrica en
ambos sentidos de circulacin,
circulacin Es
decir, se trata de un dispositivo
bidireccional y simtrico.
simtrico
05/02/03
L.A.Vera Valverde
51
Disparo por DIAC
Vth
V
Vc
VBO
05/02/03
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52
Este cto sufre un fenomeno de histeresis:

histeresis para una misma
potencia, el ajuste del potenciometro difiere segn se est
reduciendo o aumentando la potencia en la carga. Este
fenmeno es producido por la carga residual del condensador.
V2,0
V3,0
05/02/03
L.A.Vera Valverde
53
Diseo de la red de temporizacin

Para el diseo de la red de temporizacin deberemos calcular el valor de los
componentes R3 C para que el ngulo de conduccin C pueda variar entre
los lmites deseados.
La resolucin analtica de este
tipo de circuitos es laboriosa, por
lo que se han confeccionado una
serie de curvas para poder llevar
a cabo el diseo.
Estas curvas expresan la relacin existente entre el nivel de tensin con

que se carga C, normalizada respecto al valor eficaz de la tensin de
lnea en funcin del ngulo de conduccin y del parmetro = 2RCf,
siendo f la frecuencia de la tensin de la lnea.
05/02/03
L.A.Vera Valverde
54
C1 2 P1MAX C f
C 2 2 P1MIN C f
VP VP V
VRMS(lnea)
05/02/03
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55
Disear el cto de control de potencia de onda completa

con DIAC, sabiendo que presenta doble constante de tiempo.
TRIAC (MAC3020): VDRM = 400V;
IDRM = 2mA;
MT2 (+), G(+) IGT = 30mA VGT = 2V

DIAC ( DB3 ):
V(BR)
12
= V(BR)
VTM = 2V; IH = 40mA;
MT2 (-), G(-) IGT = 30mAVGT = 2V
21
= 32V;
V12 = V21 = 5V
Fijamos C2 de 0.1 F,
VP VP V 32 32 5
0.268
VEF(lnea)
220
ngulos de conduccin C1 = 30 y C2 = 150
(C1) 3.5 ; (C2) 0.25
R2
( C1 )
3.5
350K
2 C 2 f 2 0.1 10 6 50
R2
( C2 )
0.25
25K
6
2 C 2 f 2 0.1 10 50
El valor de R1 debe ser menor que la valor mximo de R2, por lo que R1 tomar un
valor de 100K.
05/02/03
L.A.Vera Valverde
56
Vth
Vc
ngulo de
conduccin
mnimo
ngulo de
conduccin
mximo
05/02/03
L.A.Vera Valverde
57
Acopladores pticos con tiristores

Un acoplador ptico, est constituido por la asociacin dentro de una
misma cpsula de un fototiristor y de un diodo LED.
LED Este tipo de
dispositivos nos va a permitir un buen aislamiento galvnico entre el cto
de potencia y el de control.
En la figura siguiente tenemos representado el esquema interno de un
acoplador ptico con tiristores y su aplicacin al control
Cargas Resistivas
05/02/03
L.A.Vera Valverde
58
Cto de control de potencia con opto-acoplador y triac

Nos basaremos en el cto de la figura:
En la prctica, RC suele estar

comprendido entre los
valores 310 y 460.
VL R C I GT VTM (Optoacoplador) VGT (Triac)
RC limita la corriente a travs del optoacoplador. El mximo valor de la

corriente permitida a travs del optoacoplador (ITSM), determina el valor
mnimo de RC. Considerando una tensin de red de 110V, cabe esperar un
VIN(pk) 187
pico de tensin VIN(pk).
R Cmn
155.8
I
1.2
VIN(pk) 1.2 110V 2 187V
TSM
De fabricante VTM = 1.8V y que IGT = 40mA
05/02/03
L.A.Vera Valverde
R C (mx)
VIH VTM
957.75
I GT
59
Ejemplo de interface para control digital
05/02/03
L.A.Vera Valverde
60
Arrancador esttico de motor corriente alterna
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L.A.Vera Valverde
Arrancador con
cambio de giro
61
http://www.ipes.ethz.ch
http://www.iie.edu.uy/
Pantalla tutorial iPES
http://www.epe_asociation.org
05/02/03
L.A.Vera Valverde
62

Disparo de SCR

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UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

continua * Corriente alterna * Impulsos o trenes de ondas

Disparo por corriente continua.

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Para el cto de la figura, determinar si la fuente de tensin continua de

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por corriente alterna

SCR 2N1595 IGT = 2mA;VGT = 0.7V

Ve 20 5K 2 10 3 0.7 0.7 11.44V

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

La curva obtenida mediante PsPice para el caso R = 5K es:

Vm senwt m cos180 cos17 12.5V

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

SCR: IGT = 2mA; VGT = 0.7V;

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por impulso o trenes de ondas

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por impulso o trenes de ondas

Que ocurre con carga inductiva

Ampliar la duracin de cada pulso (Curva C).

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Disparo por impulso o trenes de ondas

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )

Modo 1:Carga resistiva

Modo II: Carga inductiva

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Todo o nada con y

Todo o nada con

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )

Control temperatura, con reduccin del

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Mando sincrono. (todo o nada )

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Sea el circuito de control de potencia de la figura: Dibujar la seal de salida

VRMS c arg a VRMS D

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Control de disparo por ngulo de conduccin.

Circuitos de control de puerta

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

Ejemplo: Control sistema trifsico

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

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Figura 1.3 Circuito de control.

UNIDAD 3 :Circuitos de disparo de tiristores

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