Chapitre 2 : Diodes ` a jonction pn

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ELEN075 : Electronique Analogique / Diodes pn

Un aper cu du chapitre
1. Jonction pn ` a l equilibre. 2. Jonction pn en polarisation directe 3. Jonction pn en polarisation inverse 4. Caract eristique courant-tension 5. Claquage en polarisation inverse

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2.1

1. Jonction pn : constitution
Un bloc de silicium est dop e sur une moiti e avec des atomes trivalents (accepteurs) et sur lautre moiti e avec des atomes pentavalents (donneurs) jonction pn. Fronti` ere entre les r egions p et n : jonction m etallurgique. R egion p : ions n egatifs, trous majoritaires et electrons minoritaires. R egion n : ions positifs, electrons majoritaires et trous minoritaires. Sch ema de principe Exemple de jonction pn sur un circuit int egr e
Al SiO2
p n

n p
cathode

anode

substrat de type n

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2.2

Formation de la r egion de d epl etion

(ou zone de charge despace)

Les trous, majoritaires dans la r egion p, diusent dans la r egion n. Les electrons, majoritaires dans la r egion n, diusent dans la r egion p. Au voisinage de la jonction m etallurgique, les electrons et les trous subissent des recombinaisons. Dans cette r egion, les charges des ions (accepteurs ou donneurs) ne sont pas compens ees par celles des porteurs libres. Les ions sont d ecouverts. Ils sont ancr es au r eseau. Il en r esulte une charge despace et un champ electrique interne. Ce champ soppose ` a la diusion des porteurs libres. = equilibre entre la diusion et lentra nement par le champ electrique.
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Jonction pn ` a l equilibre (i = 0 et v = 0)
contact ohmique jonction m etallurgique ions Type p trous majoritaires electrons minoritaires ions accepteurs () r egion neutre

contact ohmique

ions
+ + + + + + + +

Type n electrons majoritaires trous minoritaires ions donneurs (+) r egion neutre

r egion de d epl etion champ E

V
tension de diusion V0

Remarque : la charge totale (sur lensemble de la diode) est nulle (neutralit e electrique).
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Courants ` a l equilibre
Courant d u aux porteurs majoritaires : les trous diusent de p vers n : ipdi > 0 ; les electrons diusent de n vers p : indi > 0. Au total, idi (v = 0) = ipdi + indi > 0. Courant d u aux porteurs minoritaires : Certains porteurs g en er es thermiquement dans les r egions neutres au voisinage de la r egion de d epl etion parviennent ` a celle-ci sans subir de recombinaison. Ces porteurs sont entra n es par le champ electrique de la r egion de d epl etion vers la r egion oppos ee. Ainsi, un trou g en er e dans la r egion n et atteignant la r egion de d epl etion est entra n e vers la r egion p, ce qui engendre un courant n egatif. Le courant total des porteurs minoritaires est le courant de saturation inverse ou courant de fuite iinv = IS < 0.
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Jonction pn ` a l equilibre : quelques remarques

A l equilibre, le courant total est nul : i = idi + iinv = 0 idi = iinv . En ecrivant iinv |v=0 = IS , on a idi |v=0 = IS IS d epend de la concentration des porteurs minoritaires et d epend donc fortement de la temp erature et des concentrations des impuret es de dopage. La tension de diusion V0 d epend de la temp erature, de la concentration de dopage et du gap du mat eriau. Pour le Si, V0 0.6 ` a 0.8 V ` a T = 300 K. La di erence de potentiel entre lanode et la cathode vaut z ero, pas V0 ! Valeurs typiques de la largeur de la r egion de d epl etion : de 0.1 ` a 10 m.
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2. Jonction pn polaris ee en direct

Pour faire passer un trou de la r egion p vers la r egion n, il faut travailler contre le champ electrique interne, ou, en dautres mots, vaincre la barri` ere de 19 potentiel e V0. (e = 1, 6 10 C est la charge electrique dun trou). Courant des majoritaires : Si on applique une di erence de potentiel positive entre la r egion p et la r egion n, on diminue lintensit e du champ electrique interne = un plus grand nombre de porteurs majoritaires peuvent franchir la r egion de d epl etion ! On peut montrer que idi (v ) = idi |v=0 ev/VT o` u VT =
cf .supra

IS ev/VT

kT est la tension thermique : VT 26 mV ` a T = 300 K. e

2.7

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 Courant des minoritaires : il est inchang e ! (analogie de la cascade). Courant total : i = idi IS = i = IS ev/VT 1 .

Lapport de porteurs majoritaires au voisinage de la jonction m etallurgique conduit ` a une r eduction de la largeur de la r egion de d epl etion. Diode polaris ee en direct :
V R r egion p

+ + + +

r egion n

IS idi

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2.8

3. Jonction pn en polarisation inverse

Polarisation : di erence de potentiel positive entre la r egion n et la r egion p. Lintensit e du champ electrique interne augmente. La barri` ere de potentiel qui soppose au courant des majoritaires est plus elev ee quau repos. Le courant idi diminue : idi (v ) = IS ev/VT Le courant des minoritaires reste inchang e. Le courant total est n egatif : i = idi (v ) IS < 0. La largeur de la r egion de d epl etion augmente.
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v<0

= IS e|v|/VT < IS .

Diode polaris ee en inverse :

V r egion p

+ + + + + + + +

R
+ + + +

r egion n

IS idi

Remarque importante : aussi bien en polarisation directe quen polarisation inverse, le courant des ls de connexion est transport e par des electrons !

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2.10

4. Caract eristique i v th eorique

i = IS ev/VT 1

Si v VT : i IS ev/VT (le courant pr edominant est celui des majoritaires). Si v VT : i IS (le courant pr edominant est celui des minoritaires). Intensit e : IS typiquement de 108 A ` a 1014 A pour des composants discrets. Ci-dessous : IS 1014 A,
i (mA) 7
6 5 4 3 2 1 0 0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8

genou

v (V)

Vf

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2.11

Caract eristique r eelle dune diode ` a jonction

i
Mod` ele en polarisation directe :

O(mA) VBR Vf O(A) v

i = IS

ev/(nVT )1

o` u n est un coecient de non-id ealit e. (n 2 ` a courant faible ou intense). Ecarts par rapport au mod` ele, en polarisation inverse : 1. |i| IS pour les faibles tensions inverses. 2. Claquage pour v VBR < 0.

Notations : O() signie de lordre de .

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2.12

5. Claquage de la jonction en inverse

Deux m ecanismes de g en eration dun grand nombre de paires electron-trou. Les porteurs lib er es peuvent conduire un courant important, ` a tension relativement constante. 1. Eet Zener : dans des jonctions fortement dop ees et polaris ees en inverse, la force electrique qui sexerce sur les electrons li es (de valence) peut d epasser leur force de liaison. Les electrons sont lib er es en grand nombre et le mat eriau est ionis e. Typiquement, pour une diode au silicium, |VBR| < 5 V.
Si Si Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

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2.13

2. Eet davalanche : les porteurs de charge en transit dans la r egion de d epl etion sont fortement acc el er es. Lorsquils subissent des collisions avec le r eseau, ils peuvent provoquer lionisation du mat eriau. Les porteurs lib er es sont ` a leur tour acc el er es et peuvent g en erer de nouvelles paires par chocs. La r eaction en cha ne qui en r esulte entra ne une multiplication importante des porteurs libres. Typiquement, pour une diode au Si, |VBR| > 7 V.
E

e
trou trou trou

e e
trou

e e e

r egion de d epl etion

Le claquage nest pas destructif si la puissance dissip ee, P = VR i, est raisonnablement faible.
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Eets de la temp erature sur la caract eristique i v en polarisation directe

En polarisation directe, on a i IS ev/(nVT ) pour v > nVT . IS est proportionnel aux densit es des porteurs minoritaires et d epend donc de T ; par ailleurs VT = kT /q d epend de T . A courant i constant, on observe une chute de tension directe v de 2 mV ` a chaque el evation de temp erature de un degr e celsius.

i I

T2

T1 2 mV/ C

T2 > T1

v
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Eets capacitifs
On applique une tension v = VDC + VAC sin(2f t). Sous une variation dv de la tension appliqu ee, la charge emmagasin ee dans le composant varie de dQ. Le composant est ainsi caract eris e par une capacit e dynamique C (VDC ) = dQ dv .
VDC donn e

v (t) VDC dv

VAC

dt

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2.16

Jonction polaris ee en inverse (VDC < 0) C est la capacit e de jonction, Cj , associ ee aux variations de la charge des ions d ecouverts dans la r egion de d epl etion : W
r egion p

+ + + + + + + + + + + +

r egion n

dQ

dQ

(sous une augmentation dv de la tension inverse)

Un calcul d etaill e montre que Cj =

dQ S o` u S est la section droite. = dv W Cette capacit e est une fonction non lin eaire de la tension moyenne VDC application du varactor (capacit e dont la valeur est d etermin ee par la tension moyenne ` a ses bornes).
2.17

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 Jonction polaris ee en direct (VDC > 0) deux capacit es en s erie : la capacit e de jonction Cj la capacit e de diusion Cd, qui est associ ee aux variations de la charge totale transport ee par les porteurs majoritaires qui diusent dans les r egions neutres.

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2.18

Dautres types de diodes (composant redresseurs)

Diodes au germanium : Vf 0.3 V Diodes Schottky : jonctions m etalsemiconducteur. Vf 0.3 0.5 V. Photodiodes. Ces diodes ont un courant de saturation inverse qui augmente lorsquelles sont illumin ees : le rayonnement lumineux g en` ere de nombreuses paires qui peuvent participer ` a la conduction electrique. Diodes electroluminescentes (LED). Les porteurs majoritaires qui diusent dans les r egions neutres subissent des recombinaisons radiatives, cest-` a-dire produisant un rayonnement lumineux.

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2.19