TP de diode semi conducteur

I. Partie théorique

1. Jonction de diode PN

a. Laissons se joindre un semi-conducteur de type P à un semi-conducteur de type N,

comme indiqué en Figure 1. Le semi-conducteur de type P ayant beaucoup de trous et
le semi-conducteur de type N beaucoup d’électrons, les électrons prés de la jonction
remplissant les trous prés de la jonction comme l’indique la Figure 1(a) tandis que PN
sont joints. Le semi-conducteur de type N se transforme en ions positifs prés de la
jonction après avoir perdu ses électrons, tandis que le semi-conducteur de type P se
transforme en ions négatifs après avoir perdu des trous, comme indiqué en Fig 1 (b).
b. Ainsi dans la région prés de la jonction, les porteurs (électrons ou trous) sont épuisés,
seuls des ions positifs ou négatifs pouvant exister. Cette région est désignée sous le
nom de région d’appauvrissement (ou région de déplétion). Les ions positifs dans cette
région de déplétion repoussant des trous et que les ions négatifs repoussant des
électrons, la recombinaison continue entre les électrons et les trous devient ainsi
interdite.
c. La force interdisant les électrons et les trous de passer la jonction sous l’effet des ions
dans la zone de déplétion est désignée sous le nom de barrière de potentiel. La barrière
de potentiel typique dans la jonction PN du germanium (Ge) et d’environs 0.2~0.3V,
et la barrière de potentiel typique dans la jonction PN du silicium (Si) est d’environ
0.6V.

(a) (b)

Figure 1

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2. Polarité Directe

a. Comme le montre la figure 2, si la borne positive et la borne négative de

l’alimentation sont connectées respectivement à P et à N, cette connexion est dite en
« polarisation directe ».
b. Si la tension polarisée en sens directe appliquée est suffisante pour surmonter la
barrière de potentiel, la borne positive de l’alimentation attire des électrons, tandis que
la borne négative repousse des électrons. Les électrons dans le semi-conducteur type N
traversent alors la jonction PN et entrent dans le semi-conducteur de type P pour se
recombiner aux trous. De nombreux trous sont générés dans le semi-conducteur type
N dus à l’ionisation des électrons ainsi qu’aux électrons fournis par l’alimentation
externe (E). Les électrons se déplacent sans interruption sous la conduite de
l’alimentation (E) pour former un flux d’électrons allant de la borne négative d’E vers
la borne positive, la direction du flux d’électron étant contraire à la direction
conventionnelle du courant électrique.
c. La polarité directe appliquée à la jonction P-N de la diode génère un courant direct
noté If. La valeur de If est directement proportionnelle à l’alimentation externe (E), et
est inversement proportionnelle à la résistance interne (r) de la diode.

Figure 2

d. Capacité de Diffusion : se définissant comme la variation des charges injectées par

rapport à la tension.

dQ dI
Cd= dV = τ dV (Q=1τ)

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 La capacité de diffusion est directement proportionnelle au courant I.

3. Polarité inverse
a. Comme le montre la Figure 3, si la borne positive et la borne négative de
l’alimentation sont connectées respectivement à N et à P, les électrons et les trous sont
attirés par E et partant de la jonction élargissent la région de déplétion, aucun électron
ni trou ne pouvant traverser la jonction pour se recombiner. Ce type d’application de
potentiel est appelé « polarité inverse »
b. Dans l’idéal, alors qu’une polarité inverse est appliquée sur la jonction P-N, il ne
devrait y avoir aucun courant inverse. Malgré cela, sous l’effet de la température,
l’énergie thermique dans le semi-conducteur va générer des paires électrons-trous
minoritaires. Lorsque la polarité inverse est appliquée sur la jonction P-N, les
électrons minoritaires dans le semi-conducteur type P peuvent juste traverser la
jonction P-N pour se recombiner aux trous de la borne N, puisque des porteurs
minoritaires existent dans le semi-conducteur .En fonctionnement réel, lorsqu’une
tension inverse est appliquée sur la jonction P-N, un très faible courant existe. Ce
courant est désigné sous le nom de fuite ou courant de saturation inverse, et noté Ir ou
Is.
c. Ir est indépendant de la valeur de la polarité inverse, mais relative à la température.
Indépendamment du germanium ou du silicium, Ir doublera tous les 10°C d’élévation
de température.
À température identique, Ir (Is) de la diode au silicium est seulement de 1%~0.1% de
celui des diodes au germanium. Pour une polarité inverse appliquée sur une diode à
circuit ouvert à une température ambiante 25°C, l’Ir de la diode de germanium est de
1~2µA.
A
d. La polarité inverse élargissant la région de déplétion, la capacité de transition (c= ε )
d
devient plus faible. En d’autres termes, plus la polarité inverse est élevée, plus d est
élevé et c est faible.

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 Figure 3 : Polarisation inverse
4. Claquage

a. Pour une diode PN idéale, lorsqu’une polarité inverse y est appliquée, l’Ir est très
faible. Cependant, si la polarité inverse appliquée est trop forte (élevée que la
valeur nominale), les porteurs minoritaires vont acquérir suffisamment d’énergie
pour avoir un impact et désagréger les liaisons covalentes et produire une qualité
significative de paires d’électrons – trou. Ces électrons et ces trous nouvellement
générés vont acquérir de l’énergie de la polarité inverse plus élevée et désagréger
d’autres liaisons covalentes. Le mouvement des électrons libres s’accélère, et le
courant inverse augmente ainsi sensiblement. Ce phénomène est désigne sous le
nom de « claquage ».
b. Lorsque suite à une polarisation inverse dans la diode le claquage survient, si le
courant n’est pas limité la diode sera brûlée.
c. La tension inverse maximale applicable à la diode avant quelle ne soit en claquage
s’appelle tension inverse de pointe (Peak Tension Invese-PRV ou Peak inverse
voltage-PIV).

5. Assemblage et Symbole de Diode

a. La diode est complétée par l’ajout de deux fils de connexion dans le corps de la
jonction P-N, puis en scellant le corps avec de la céramique ou du verre (un boitier
métallique peut être ajouté sur les diodes de forte puissance pour faciliter la
dissipation thermique).
b. La structure interne de la diode est présentée en figure 4 (a), son symbole en figure
4(b), et une vue en perspective en figure 4 (c).

Page 4
 Figure 4.
6. La courbe caractéristique de diodes (courbe V-I)

Figure 5.

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 La courbe caractéristique directe est représentée dans le premier quadrant en figure
5(b). Nous pouvons voir depuis cette courbe caractéristique que le courant est très faible si la
polarisation directe appliquée à la diode est inférieure à la tension de fermeture (Vr). Dés que
la polarisation directe excède la tension de fermeture (0.2V pour la diode au germanium, et
0.6V pour la diode au silicium), le courant (If) augmente considérablement de telle sorte que
la diode fonctionne tel un court-circuit (avec une valeur de Vf autour de 0.7V).

7. Paramètre de la diode

Rd= Résistance dynamique de la diode réelle en directe

∆V F
Rd= ; en pratique Rd ≤100 Ω
∆ IF
Ri =Résistance dynamique en inverse de la diode réelle

∆V R
Ri= ; en pratique Ri > 100KΩ
∆ IR
Pour une diode idéale Rd=0Ω
Ri >> = ∞

II. Partie pratique

1) Traçage de la caractéristique de la diode semi conductrice.

A) Voltmètre, Ampèremètre

Procédures d’expérience :

1) Fixez en premiers le module KL-23001 au laboratoire de circuits linéaires KL-200, puis

localisez le bloc marqué 23001-block a.
2) Insérez le clip de raccordement en vous référant à la figure 7(a) et au diagramme de
raccordement de clip 23001-block a.2. (a). Connectez le voltmètre et l’ampèremètre.

3) Connectez 12V aux bornes d’entrée (IN) , puis ajustez VR2 (VR10K) pour appliquer des
tensions de 0.1V à 0.85V aux deux bornes de la diode comme indiqué au tableau (1) , et

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observez les valeurs de Id correspondantes (courant direct). Ajustez de façon continue V d à
l’aide de VR2 pour observer les variations de Id , puis notez les en tableau (1).

4) Insérez le clip de raccordement en vous référant à la figure 7(a) et au diagramme de

raccordement de clip 23001-block a.2. (b) (connexion en inverse). Connectez le voltmètre et
l’ampèremètre.

5) Connectez 12V aux bornes d’entrée (IN) , puis ajustez VR2 (VR10K) pour appliquer des
tensions inverses de 0 à 5V aux bornes de la diode comme indiqué au tableau (2), et observez
les valeurs de Ir , puis notez les en tableau (2).

Vd (V) 0.1 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.85

Id (mA)

Tableau 1.

Vr (V) 1 2 3 4 5
Ir (mA)
Tableau 2.

Figure 7 (a)

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 Fig 23001-block a.2

B) Oscilloscope

Procédures d’expérience :

1) Fixez en premiers le module KL-23001 au laboratoire de circuits linéaires KL-200, puis

localisez le bloc marqué 23001- block a.
2) Insérez le clip de raccordement en vous référant à la figure 7 (b) et au diagramme de
raccordement de clip 23001- block a.1.(a)

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3) Connectez le 18Vp-p 1khz d’onde sinusoïdale à la borne IN.
Ajustez approximativement le potentiomètre VR2 à 5KΩ (Le potentiomètre doit être
sensiblement au milieu).
Observez et relevez les graphiques de l’oscilloscope pour :
TP1-TP3.
TP2-TP3.
TP2-TP1.
4) Insérez le clip de raccordement en vous référant à la figure 7(b) et au diagramme de
raccordement de clip 23001-block a.1.(b).
5) Connectez le 18Vp-p 1khz d’onde sinusoïdale à la borne IN.
Ajustez approximativement le potentiomètre VR2 à 5KΩ (Le potentiomètre doit être
sensiblement au milieu).

Observez et relevez les graphiques de l’oscilloscope pour :

TP1-TP3.

TP2-TP3.

TP2-TP1.

Figure 7(b)

Page 9
 (a)

(b)

Fig 23001-block a.1.

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 2) Question théoriques

1-Comment est crée le courant inverse traversant la diode normale.

2-Sur quelle partie de la caractéristique directe doit être le point de « repos » de la diode
normale.

3-Donner la différance qui existe entre la diode ordinaire et la diode Zener

3) Questions pratiques:

I) Voltmètre, Ampèremètre.
1- Donner les montages et les tableaux de mesures pour la diode semi conductrice.
2- Tracer les caractéristiques directes et inverses de la diode semi conductrice
Déterminer graphiquement ses résistances dynamiques et son seuil pratique de tension et
déduire le type de semi conducteur utilisé.
Donner une conclusion sur les résultats.
3- Déterminer les fréquences, les amplitudes.

II) Oscilloscope
A) Diode en direct
1- Tracer les courbes à l’aide de l’oscilloscope

2-Déterminer les fréquences, les amplitudes

3-Expliquer les courbes relèves.

B) Diode en inverse

1-Tracer les courbes à l’aide de l’oscilloscope

2-Déterminer les fréquences, les amplitudes

3-Expliquer les courbes relèves.

Donner une conclusion sur les résultats.

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