A1 Diode Triac PDF
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1. DIODE
1.1. Semi-conducteur :
Les semi-conducteurs sont des matériaux qui se situent dans le tableau des éléments de
Mendeleev entre les isolants et les conducteurs. Il s’agit principalement du Silicium (Si) et du
Germanium (Ge) possédant 4 électrons sur leur couche périphérique (valence 4).
Leurs caractéristiques sont remarquables. En effet suivant leur traitement et les conditions
électriques auxquelles ils sont soumis, ils peuvent devenir soit des isolants, soit des conducteurs
presque parfaits.
Dopage : Après une purification très poussée (99,99999999%), on introduit volontairement dans le
cristal semi-conducteur (par sublimation) un faible pourcentage d’atomes étrangers de dimension
voisine au Si.
Si l’on choisit des matériaux de valence 5 (Phosphore, Antimoine, Arsenic …), leurs
atomes vont s’insérer à la place d’atomes semi-conducteurs avec 4 liens de covalence et le 5eme
électron e- sera « libre ». On dit que le semi-conducteur est dopé « N » (négativement) et comme il
manque cet e- à l’atome de l’ « impureté », elle devient ion+.
Si l’on choisit des matériaux de valence 3 (Aluminium, Gallium, Indium …), leurs atomes
vont s’insérer à la place d’atomes semi-conducteurs mais en créant un « trou libre h+». Le semi-
conducteur est dopé « P » et comme l’atome de l’impureté à capté un e- (ou perdu un h+), il
devient un ion-.
Ces ions+ et ions– sont liés au sein du réseau semi-conducteur alors que les e- et les h+
sont libres. L’ensemble reste électriquement neutre. En général seuls ces 4 éléments sont
représentés.
e- e- e-
1.2. Diode :
Lorsque l’on juxtapose un semi-conducteur dopé N et un autre dopé P, des électrons libres e-
de la zone N et des trous libres h+ de la zone P se rencontrent aux environs de la jonction et
disparaissent (e- + h+ = 0).
Cela crée une zone électriquement négative (ions-) et une autre électriquement positive
(ions+).
En appliquant un potentiel négatif côté P et positif En appliquant un potentiel positif côté P et négatif
côté N, c’est comme si l’on « pompait » des h+ vers côté N, c’est comme si l’on « poussait » des h+ de la
la gauche et des e- vers la droite. La BdP se renforce, gauche positive vers la droite négative et vice versa
la diode est bloquée. Elle correspond à un isolant. pour les e-.
Remarques : Si l’on applique une trop grande DDP Si la DDP appliquée devient plus élevée que la BdP,
en inverse, la diode va claquer car son épaisseur est alors celle-ci disparaît et la diode laisse passer le
faible. courant. Il faut environ 0,7V pour vaincre la BdP.
Dans la pratique, du fait que le semi- La diode équivaut à un conducteur de faible
conducteur n’est pas parfaitement pur, il subsiste un résistance.
faible courant appelé courant de fuite.
Les semi-conducteurs sont très sensibles aux pointes de courant, notamment lors de courts-
circuits. Il est d’usage de les « surcalibrer » quelque peu d’autant plus que l’impact sur le prix
global d’une installation est faible (Ex : diode de 25A à 110F et 40A à 150F).
2. REDRESSEMENTS.
2.1. Introduction.
Tous les équipements électriques demandent une alimentation à courant continu, le plus
souvent basse tension. Certains équipements industriels tels que les moteurs à courant continu,
demandent également une alimentation continue mais de tension et puissance plus importantes en
général. Il est donc nécessaire, à partir des réseaux d’alimentation alternative 50 Hz, de produire
du courant continu. C’est le rôle des redresseurs.
Avant l’arrivée des semi-conducteurs, les redresseurs secs étaient utilisés. Ils ont pratiquement
disparus car, bien que plus robustes, ils étaient encombrants et onéreux. D’autres tendances se
dessinent actuellement avec l’électronique industrielle, mais les redresseurs à diodes semi-
conductrices conservent la faveur du marché.
Souvent, il est fait usage d’un transformateur qui remplit deux fonctions :
Adapter la tension secondaire aux besoins du récepteur. En effet, la tension réseau
n’est pas souvent celle nécessaire pour alimenter le récepteur ;
Isoler électriquement le récepteur du réseau de manière par exemple à rendre les
masses indépendantes au secondaire et au primaire. Les potentiels du secondaire sont
donc « flottants » et nous restons libres de les fixer suivant les besoins. Cette isolation
électrique vient du fait qu’un transfo transmet sa puissance du primaire au secondaire
par l’intermédiaire d’une énergie magnétique.
En principe, toutes les tensions seront prises par rapport à la masse, repérée par le symbole
correspondant.
Dans ce montage, le courant peut passer dans la charge R lorsque l’alternance positive est
appliquée à l’anode de la diode. Pendant l’autre alternance, la diode est bloquée et aucun courant
ne peut traverser la charge. Le courant passant toujours dans le même sens est continu redressé
une alternance.
Ce montage permet d’obtenir du continu pulsé double alternance à partir d’un transformateur
à enroulement secondaire unique (sans prise médiane). C’est le plus utilisé actuellement.
Lorsque le point A est positif, la charge est alimentée par A-D2-R-D3-B avec la polarité indiquée.
Lorsqu’à son tour le point B est positif, la charge est alimentée, toujours dans le même sens, par
B-D4-R-D1-A. Nous avons bien du continu pulsé double alternance. La DDP aux bornes de la
charge est celle du secondaire du transfo diminuée des chutes de tension produites par les diodes,
soit 2 x 0.7V pour le silicium.
Une représentation plus simple du pont indique seulement par une flèche au centre, le point que
regardent les diodes.
Lorsque l’on dispose d’une alimentation triphasée, il est intéressant de redresser les trois
alternances. En effet, comme nous allons le voir, la tension de sortie ressemble déjà beaucoup plus
à du continu, sans emploi de filtres.
Il est fait usage de trois diodes sur les trois phases secondaires. Ce secondaire est couplé en
étoile de manière à permettre le retour de la phase conductrice par le neutre.
A partir de l’oscillogramme d’une alimentation triphasée (à revoir), nous pouvons voir que
c’est la phase la plus positive des trois qui conduira. En effet, dés que la diode correspondante
amène le potentiel du point A au plus positif, les deux autres diodes sont directement bloquées.
Tension ZPD 1
« ZENER » ZPD 2.1 V inverse
ZPD 3
ZPD 3.3
V inverse ZPD 3.6
Vd
ZPD 3.9
ZPD 4.7
ZPD 5.1
ZPD 5.6
Dissipation ZPD 6.2
Max mW ----------
I inverse ZPD 30
ZPD 33
Fonctionnement :
Considérons le condensateur C comme une micro-batterie qui peut être chargée puis déchargée
(récepteur puis générateur).
A l’alternance positive, la diode D conduit, charge le condensateur C suivant la polarité indiquée
et alimente en même temps la charge Rc (ex : radio).
D
+ B A Charge Charge
+ U R A
++ ++ B
C RC URc
t
Cette charge est très rapide, seulement limitée par la faible résistance du transfo. En fin de charge,
la tension Uc = Umax.
Si B et A sont respectivement les potentiels en amont et en aval de la diode, alors lorsque
l’alternance redescend, le potentiel « B » devient inférieur au potentiel « A » et la diode se bloque.
D
+ UR
Décharge ΔU
++ ++ RC URc
C
t
Rballast
+ Redressé
Filtré
+ UR Stabilisé
C RC URc
Diode
ZENER t
C RC
5V
t
4.1.Constitution :
C
C’est un semi-conducteur constitué de 3 B E C
N P N
parties dopées différemment, ce qui
E
donne 2 possibilités : NPN ou PNP. B
Comme nous le voyons, un transistor
C
comporte 2 jonctions PN (assimilables à
B E C
des diodes) et 3 connexions que l’on P N P
appelle : E B
Le fonctionnement du transistor PNP se raisonne par le sens conventionnel du courant (du + vers
le -). C’est lui que nous expliquerons. Le transistor NPN se raisonnerait de même manière avec le
sens électronique du courant.
IE IC IE IC
IB IB
Si l’on applique une tension légèrement négative à la base, un courant IB va transiter de l’émetteur
vers cette base, ce qui est normal puisque la diode D1 est polarisée en sens passant.
On constate que ce faible courant IB amorce un courant beaucoup plus grand provenant de
l’émetteur, enfonçant la diode D2 sans la détruire et étant dès lors « tiré » vers le collecteur grâce à
sa tension fortement négative.
Ce phénomène est appelé « EFFET TRANSISTOR ». Il a été constaté par hasard dans un
laboratoire et seulement expliqué après par des éléments physiques tels que différence de dopages,
épaisseurs relatives des 3 semi-conducteurs, vitesse des charges etc…
Plus la DDP VBE (base par rapport à l’émetteur) devient importante, plus le courant IB augmente
Le courant IC est proportionnel à IB mais beaucoup plus grand. Ce rapport β=IC/IB est le gain.
Pour bloquer à nouveau le thyristor, il suffit que le courant IAK s’annule pendant un court instant
(temps de désamorçage). En général cette condition est remplie lorsque la tension s’annule aux
bornes du thyristor (VAK = 0).
Diode
Thyristor
Le thyristor est en plus une diode pilotée :
Le schéma ci-dessus représente une charge (lampe) en série avec un thyristor, le tout alimenté par
un réseau 230V alternatif.
Appliquons à la gâchette, des impulsions décalées de 30° par rapport aux passages à zéro de la
sinusoïde d’alimentation. Cet angle est appelé « angle de conduction » et peut être ajusté.
Nous constatons d’abord que pendant les périodes négatives, le thyristor est bloqué : UAK suit la
tension d’alimentation et au contraire la tension aux bornes de la charge est nulle.
Il en est de même pendant les périodes positives jusqu’à l’apparition de l’impulsion de gâchette.
A cet instant, le thyristor se met en conduction, sa tension UAK s’annule et la tension réseau se
retrouve aux bornes de la charge.
URESEAU
t
Impulsions
gâchette t
α Angle de conduction
UCHARGE
t
UAK
T
t
h
y
r
i
s
Si l’angle de conduction α était seulement de quelques degrés, le thyristor travaillerait
t
pratiquement comme une diode (tension redressée o simple aux bornes de la charge).
Par contre en modifiant progressivement cet angle
r de conduction ( faire « glisser » les impulsions
de gâchette), la charge va être de moins en moins alimentée ce qui revient à modifier l’intensité
lumineuse de la lampe).
Dessinez les oscillogrammes de Ucharge et de UAK pour des angles α de 90° et de 170°.
Le circuit électronique suivant permet de générer des impulsions calibrées pour la gâchette du
thyristor. De plus l’angle de conduction α de ces impulsions est réglable par R ce qui permet
d’alimenter la charge de manière variable.
Le cœur du système est un transistor unijonction constitué d’un émetteur repéré par la flèche, et de
2 bases : B2 vers le haut et B1 vers le bas.
Le principe d’un « UJT » est simple. Lorsque son émetteur atteint une tension bien déterminée
appelée tension de pic VP, il devient brutalement passant entre cet émetteur et la base B1.
Le condensateur C se charge progressivement suivant la constante de temps réglable RC.
Lorsque UC atteint la tension VP de l’unijonction, celui-ci devient passant et le condensateur se
décharge brutalement dans la résistance R1. Ceci crée une impulsion de tension à la gâchette.
Uzener
zeneeeeeeee RC
Rb er zener
A
230V
R R2
K
E B2 G
B1
C
R1
Si le circuit RC permet une première impulsion à 30°, il y aura un train d’impulsions tous les 30°
Ceci n’est pas gênant car seule la première impulsion à de l’effet. Dès que le thyristor est mis en
conduction, il faut nécessairement un passage par zéro de VAK pour bloquer le thyristror, c’est à
dire au passage par zéro de la sinusoïde d’alimentation de puissance.
U zener
URC
UPic
t
6.1. Le TRIAC
Thyristor
Le thyristor est principalement utilisé en tension redressée
par exemple pour régler en vitesse un moteur à courant M
continu. G2
Le montage de 2 thyristors en tête-bêche (ou anti-parallèle) 220V
permet de travailler en tension alternative et donc de piloter
des charges telles qu’une lampe ou un moteur universel
G1
(moteur type courant continu mais adapté pour être alimenté
en alternatif).
L’avantage est de travailler sur l’alternance positive mais
également sur la négative, ce qui est 2 fois plus efficace.
L’inconvénient est que la gâchette G1 doit recevoir des
impulsions positives et la gâchette G2 des impulsions
négatives. Triac
URESEAU
t
Impulsions
gâchette
t
α Angle de
conduction
UCHARGE
t
Uzener
zener Projecteur
R1
R2 R4 R5
230V
10V R3 P2 UJT
P1 E B2 G
1W B1
Cellule
R6
photorésistante C
Questions.
1. Sachant que le secondaire du transfo délivre une tension 24 V alternative sinusoïdale et que la
Zéner est une ZPD 10, dessinez l’oscillogramme de tension aux bornes de cette Zéner.
2. Quelle est la chute de tension dans la résistance ballast R1 et quelle est la puissance dissipée
dans ce ballast ?
3. Si la luminosité diminue : - Dans quel sens évolue le potentiel de base du BC547 ? Pourquoi ?
- Dans quel sens évoluent IB – IC – IE ?
- La charge du condensateur ( QC = IE.t ) est-elle plus rapide ou plus
lente ?
- Dans quel sens évolue l’angle α d’allumage du triac ? Expliquez.
- Dans quel sens évolue la charge (projecteur) ?
6. A quoi sert R4 placée dans le collecteur du transistor ? Que vaut IC si le transistor est
parfaitement passant ?
Projecteur
8. Pourquoi n’a-t-on pas mis tout simplement
la photo résistance à la place du transistor
comme dans le schéma traditionnel ? R4 R5
Cellule UJT
photorésistante E B2 G
R si lumière B1 230V
R6
C
Remarque : Pour fonctionner, des circuits alimentés différemment doivent avoir un potentiel
commun. Ici, comme la basse tension est obtenue par l’intermédiaire d’un transformateur, il n’y a
pas de problème.
Caractéristiques techniques d’un triac : Exemple : triac TTAL 220 (marque SILEC)
6.2. Le DIAC
+I
Le thyristor comme le triac possède une tension de Tension de
retournement par exemple de l’ordre de 400V. Ce n’est retournement
directe
pas ce moyen qui est employé pour les enclencher mais Vi =VA1–VA2
bien une tension ou mieux une impulsion de tension sur la
gâchette. Vd =VA2–VA1
Tension de
retournement
Le diac est un triac sans gâchette dont la tension de inverse
retournement est le plus souvent de l’ordre de 30 à 34V. -I
Si la tension entre les anodes est inférieure à la tension de A1 A2
retournement, le diac n’est pas conducteur. A1 A2
Si la tension VA1-VA2 atteint la tension de retournement
alors le diac devient conducteur comme le montre sa
caractéristique tension/courant.
Au contraire d’un transistor unijonction, le diac est un semi-conducteur à seuil de tension
symétrique, c'est-à-dire qu’il fonctionne de même manière dans les deux sens.
UT
Schéma type :
t
Moteur
M
universel
TRIAC
UC2
P1 BT138
230V t
DIAC
R2 A1 A2 G
G
C1 C2
α Angle de
conduction
P1 = 220kΩ C1 = 0,1µF UM
R2 = 6,8kΩ C2 = 0,1µF
t
Le double circuit RC permet de charger plus ou moins vite le condensateur C2 et ce suivant les
deux alternances de la tension d’alimentation 230V.
Lorsque UC2 dépasse les +34 ou -34V, le diac permet la décharge du condensateur dans le circuit
de gâchette du triac.
La charge (ici un moteur universel) est alimentée.
Comme le circuit de commande est raccordé entre la charge et le triac, dès que cette charge est
alimentée, la tension de commande devient très faible jusqu’à la fin de l’alternance (cette tension
de commande correspond à la chute de tension dans le triac).
Vu les hautes tensions (230V) mises en jeu et pour une question de précision d’enclenchement, le
second circuit R2 C2 est mis en cascade sur le premier circuit P1 C1 pour obtenir 2 étages.
La modulation sur les alternances positives et négatives ne peut convenir à des moteurs à courant
continu. Par contre ce circuit convient parfaitement pour faire varier la vitesse des moteurs
universels tels que ceux équipant la plupart des petites machines et électroménagers.
La simplicité de ce montage branché directement sur le réseau sans transformateur, confère un
prix de revient très bas et possède une précision suffisante si l’on reste dans le domaine du
« REGLAGE » de tension sans aborder la « REGULATION ».
2 – Ballast : UZéner peut être considérée comme une tension continue = 10V ;
La chute de tension dans R1 sera de 24 – 10 = 14V ; 24V étant la tension efficace c’est-à-dire
la tension continue constante qui… (voir définition).
Puissance dissipée par le ballast : P1 = U2/R1 = 142/470 = 0,417W. Choisir R1 470Ω 1/2W
Courant dans ballast : I1 = P1/U1= 417/14 = 29,79mA.
3 – Si la luminosité diminue :
- Rcell ⇒ UB car la DDP de 10V se répartit au prorata des résistances R2 , P1 et Rcell ;
UB > UE ⇒ transistor devient passant ;
- IB ; IE et IC ( gain du transistor β = IC/IB ≅ 100 ) IE = IB + IC
- QC = IE.t est plus rapide ;
- α diminue car on atteindra plus rapidement la tension de pic du UJT donc l’impulsion se
produira plus tôt ;
- plus α est faible, plus le projecteur donnera de lumière ( effet recherché )
5 – R3 et P2 limitent et ajustent le courant IB . On travaille avec une partie fixe R3 pour avoir
toujours une résistance dans la base ( éviter d’avoir une résistance nulle par ajustement de P2).
9 – Avantage du triac sur le thyristor : le triac est bidirectionnel ⇒ il travaille sur les
2 alternances sans les frais d’un redressement.